1.一种增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供衬底，在所述衬底上进行浅沟道隔离，形成有源区；
步骤二、在所述有源区上进行离子注入形成阱；
步骤三、定义下沉沟道的深度，并对所述有源区进行刻蚀形成具有所定义的深度的所述下沉沟道；
步骤四、在所述衬底上沉积栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述有源区表面以及所述下沉沟道表面；
步骤五、沉积多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述栅氧化层的表面；
步骤六、对所述多晶硅层进行表面平坦化；
步骤七、在所述多晶硅层表面沉积氮化硅层，接着在所述氮化硅层上沉积氧化硅层；
步骤八、刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅栅极，所述栅氧化层作为刻蚀停止层，并且所述氧化硅层和氮化硅层被全部去除；
步骤九、在所述多晶硅栅极侧壁形成侧墙；
步骤十、在所述多晶硅栅极两侧的所述阱中分别进行离子注入，形成源漏端。
2.根据权利要求1所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：步骤三中形成所述下沉沟道的方法包括：先在所述阱的上表面悬涂光刻胶，并光刻定义所述下沉沟道的位置和形貌；之后对所述光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶图形；接着按照所述光刻胶图形刻蚀所述阱形成所述下沉沟道。
3.根据权利要求1所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：步骤四中利用issg工艺沉积所述栅氧化层。
4.根据权利要求1所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：步骤五中沉积所述多晶硅层的工艺方法采用炉管工艺。
5.根据权利要求1所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：步骤五中沉积的所述多晶硅层的厚度为
6.根据权利要求1所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：步骤六中利用化学机械研磨方法将所述多晶硅层进行表面平坦化。
7.根据权利要求1所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：步骤七中利用hcd工艺沉积所述氮化硅层和氧化硅层。
8.根据权利要求1所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：步骤八中形成所述多晶硅栅极的方法包括：先在所述氧化硅层上悬涂光刻胶，定义所述多晶硅栅极的形貌；接着对所述光刻胶进行曝光和显影形成光刻胶图形；之后按照所述光刻胶图形依次刻蚀所述氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层以及栅氧化层。
9.根据权利要求1所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：步骤九中在所述多晶硅栅极侧壁形成的侧墙包括依附所述多晶硅栅极侧壁的内侧墙以及依附所述内侧墙的外侧墙。
10.根据权利要求9所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：步骤九中形成所述内侧墙和外侧墙的方法包括：(1)沉积一层覆盖所述衬底上表面以及所述多晶硅栅极侧壁和顶部的第一介质层；(2)对所述第一介质层进行刻蚀，去除所述衬底上表面、有源区上表面以及所述多晶硅顶部的第一介质层，在所述多晶硅栅极侧壁形成所述内侧墙；(3)沉积一层覆盖所述衬底上表面以及所述内侧墙的第二介质层；(4)刻蚀去除所述衬底上表面、所述有源区上表面以及所述多晶硅顶部的第二介质层，形成依附于所述内侧墙的外侧墙。
11.根据权利要求1至10任意一项所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：步骤四中在所述沉积上沉积所述栅氧化层后，接着在所述栅氧化层表面沉积hfo，并且在所述hfo表面沉积tin。
12.根据权利要求11所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：该方法还包括步骤十一、去除所述多晶硅栅极，形成保留内侧壁和外侧壁的凹槽；接着在所述凹槽内沉积金属栅层。
13.根据权利要求1或12所述的增加晶体管有效沟道长度的方法，其特征在于：步骤三中所定义的下沉沟道的深度约为100nm。