有机发光二极管显示器
[0001]
相关申请的交叉引用
[0002]
本申请要求于2019年8月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2019-0101063的优先权，其公开通过引用以其整体并入本文。
技术领域
[0003]
本发明涉及有机发光二极管显示器和其制造方法，并且更特别地涉及包括由无机材料制成的隔离物的有机发光二极管显示器和其制造方法。
背景技术：[0004]
因为有机发光二极管(oled)显示器发射可见光，所以有机发光二极管(oled)显示器在没有背光的情况下工作。因此，其可显示深黑色水平并且可比液晶显示器(lcd)装置薄和轻。进一步，oled显示器具有高质量特性，比如，低电力消耗、高亮度、高响应速度等。
[0005]
在oled显示器中，像素可包括薄膜晶体管和oled，薄膜晶体管可被平坦化层保护，并且oled可被隔离物划分。典型地，平坦化层和隔离物由有机材料，比如，聚酰亚胺或聚酰胺，制成。
[0006]
然而，当有机材料长时间暴露于日光时，有机材料产生气体，比如，碳或氧，从而使oled劣化。
技术实现要素：[0007]
本发明的示例性实施方式提供了有机发光二极管显示器，有机发光二极管显示器包括：基板；设置在基板上的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的平坦化层；设置在平坦化层上的像素电极，其中像素电极包括包含透明的导电氧化物的上层和下层以及包括银的中间层；设置在像素电极上的蚀刻停止层，其中像素电极的上表面被蚀刻停止层暴露；设置在蚀刻停止层上的隔离物，其中像素电极的上表面被隔离物暴露；设置在其中像素电极的上表面被蚀刻停止层和隔离物暴露的区中的像素电极的上表面上的有机发射层；以及设置在有机发射层和隔离物上的公共电极，其中蚀刻停止层覆盖像素电极的边缘和侧表面。
[0008]
隔离物可包括无机材料。
[0009]
像素电极的上层和下层可包括聚氧化铟锡或氧化铟锡。
[0010]
像素电极的上层的厚度可为至
[0011]
蚀刻停止层可包括与氟基类气体具有低反应性的化合物。
[0012]
蚀刻停止层可包括氧化铟锌。
[0013]
平坦化层可包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂。
[0014]
薄膜晶体管可包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，并且漏电极可电连接至像素电极。
[0015]
本发明的示例性实施方式提供了有机发光二极管显示器，有机发光二极管显示器包括：基板；设置在基板上的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的平坦化层；设置在平坦化
层上的像素电极，其中像素电极包括上层、中间层和下层；设置在像素电极上以暴露像素电极的上表面的蚀刻停止层；设置在蚀刻停止层上以暴露像素电极的上表面的隔离物；设置在像素电极的上表面上的有机发射层，其中像素电极的上表面被蚀刻停止层和隔离物暴露；以及设置在有机发射层和隔离物上的公共电极，其中像素电极的中间层包括银，并且蚀刻停止层设置在像素电极的上表面的边缘处。
[0016]
像素电极的上层和下层可包括聚氧化铟锡或氧化铟锡。
[0017]
隔离物可包括无机材料。
[0018]
蚀刻停止层可包括与氟基类气体具有低反应性的化合物。
[0019]
蚀刻停止层可包括具有比像素电极的蚀刻速率高的蚀刻速率的材料。
[0020]
薄膜晶体管可包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，并且漏电极电连接至像素电极。
[0021]
本发明的示例性实施方式提供了有机发光二极管显示器的制造方法，方法包括：接收基板，在基板上，平坦化层设置在薄膜晶体管上；在平坦化层上形成像素电极材料层，像素电极材料层包括上材料层、包括银的中间材料层和下材料层；在上材料层上形成包括与氟基类气体具有低反应性的化合物的蚀刻停止材料层；通过第一次图案化蚀刻停止材料层形成蚀刻停止层；通过图案化像素电极材料层形成包括上层、中间层和下层的像素电极；在蚀刻停止层上形成用于隔离物的无机材料层；通过图案化用于隔离物的无机材料层形成以暴露蚀刻停止层的上表面的隔离物；通过第二次图案化蚀刻停止层形成以暴露像素电极的上表面的蚀刻停止层；在像素电极的上表面的暴露部分上形成有机发射层；以及在有机发射层和隔离物上形成公共电极。
[0022]
像素电极的上层和下层可包括聚氧化铟锡或氧化铟锡。
[0023]
隔离物的形成可通过干法蚀刻进行。
[0024]
蚀刻停止层可在像素电极的边缘处形成。
[0025]
蚀刻停止层的形成可通过湿法蚀刻进行。
[0026]
蚀刻停止层可包括具有比像素电极的蚀刻速率高的蚀刻速率的材料。
[0027]
本发明的示例性实施方式提供了有机发光二极管显示器，有机发光二极管显示器包括：基板；设置在基板上的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的平坦化层；设置在平坦化层上的像素电极，其中像素电极包括按顺序堆叠的第一层、第二层和第三层，其中第一层和第三层包括透明的导电氧化物，并且第二层包括银；设置在像素电极的上表面上的蚀刻停止层；设置在蚀刻停止层上的隔离物；设置在邻近蚀刻停止层和隔离物的像素电极的上表面的一部分上的有机发射层；以及设置在有机发射层和隔离物上的公共电极，其中蚀刻停止层覆盖像素电极的边缘。
[0028]
蚀刻停止层可覆盖像素电极的侧表面。
[0029]
隔离物可包括无机材料。
[0030]
有机发射层可形成在隔离物和蚀刻停止层之间的空间中。
[0031]
蚀刻停止层可直接接触平坦化层。
[0032]
有机发射层可直接接触蚀刻停止层和隔离物。
附图说明
[0033]
图1阐释了根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器的示意性横截面图。
[0034]
图2、图3、图4、图5、图6、图7和图8阐释了用于描述根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法的横截面图。
[0035]
图9阐释了根据本发明的另一个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的示意性横截面图。
[0036]
图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16和图17阐释了用于描述根据本发明的另一个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法的横截面图。
具体实施方式
[0037]
下文，将参考附图更充分地描述本发明的示例性实施方式。如本领域技术人员将认识到的，描述的实施方式可以以各种不同的方式修改，并且因此，不应限于本文陈述的实施方式。
[0038]
遍及说明书相同的附图标记可指相同或类似的元件。
[0039]
在附图中，为了清楚起见，可放大层、膜、面板、区域等的厚度。
[0040]
应理解，当元件，比如，层、膜、区域或基板，被称为在另一个元件“上”时，其可直接在另一个元件上，或也可存在中间元件。
[0041]
进一步，在说明书中，短语“在平面图中”可指从上方观察对象部分的情况，并且短语“在横截面图中”可指从侧面观察通过垂直切割对象部分而截取的横截面的情况。
[0042]
下文，将参考图1描述根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器。
[0043]
图1阐释了根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器的示意性横截面图。
[0044]
参考图1，根据本示例性实施方式的有机发光二极管显示器可包括基板100、缓冲层110、半导体层121、栅绝缘层130、栅电极140、夹层绝缘层150、源电极161、漏电极162、平坦化层180、像素电极190、蚀刻停止层210、有机发射层350、隔离物370和公共电极270。本文，像素电极190、有机发射层350和公共电极270组成发光二极管oled。
[0045]
基板100可由玻璃、塑料或聚酰亚胺(pi)制成。
[0046]
缓冲层110设置在基板100上。缓冲层110用于平坦化基板100的表面以及阻挡杂质的渗透，并且可包括硅氧化物(sio
x
)或硅氮化物(sin
x
)。
[0047]
半导体层121设置在缓冲层110上。半导体层121可由氧化物半导体形成，并且可包括根据在哪里掺杂杂质或是否掺杂杂质而划分的沟道区域、源区域和漏区域。沟道区域为其中不掺杂杂质的区域，并且源区域和漏区域为其中掺杂杂质，比如，硼(b)或磷(p)的区域。
[0048]
栅绝缘层130设置在基板100上，以覆盖半导体层121和缓冲层110。栅绝缘层130由无机绝缘层形成，并且可包括硅氧化物(sio
x
)或硅氮化物(sin
x
)。
[0049]
栅电极140设置在栅绝缘层130上。栅电极140可由金属材料形成，并且可包括铝(al)、钼(mo)或铜(cu)等。
[0050]
夹层绝缘层150设置在基板100上，以覆盖栅电极140和栅绝缘层130。夹层绝缘层
150可由包括硅氧化物(sio
x
)或硅氮化物(sin
x
)的无机绝缘层形成。
[0051]
用于暴露半导体层121的源区域和漏区域的开孔62和开孔61形成在夹层绝缘层150和栅绝缘层130中。设置在夹层绝缘层150上的源电极161和漏电极162分别通过开孔62和开孔61连接至半导体层121的源区域和漏区域。相应地，半导体层121、栅电极140、源电极161和漏电极162组成薄膜晶体管(tft)。
[0052]
平坦化层180设置在源电极161和漏电极162上。平坦化层180设置在基板100上，以覆盖源电极161、漏电极162和夹层绝缘层150。平坦化层180(其用于平坦化包括tft的基板100的表面)可由包括下述中的一种或多种材料的有机绝缘层形成：聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂。
[0053]
像素电极190设置在平坦化层180上。像素电极190具有包括透明的导电氧化物膜、金属材料和透明的导电氧化物膜的多层结构。
[0054]
根据本示例性实施方式的像素电极190包括由透明的导电氧化物膜制成的上层191、由透明的导电氧化物膜制成的下层193和由金属材料制成的中间层192。上层191可由透明的导电材料制成，以透射从有机发光二极管oled产生的光，并且中间层192和下层193可用作反射层。上层191可具有至或或更小的厚度，中间层192可具有至的厚度，并且下层193可具有至的厚度。
[0055]
透明的导电氧化物膜可包括氧化铟锡(ito)、聚ito、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡锌(itzo)中的至少一种，并且金属材料可包括银(ag)、钼(mo)、铜(cu)、金(au)和铝(al)中的至少一种。根据本示例性实施方式的像素电极190的上层191包括ito或聚ito，中间层192包括银(ag)，并且下层193可包括ito或聚ito。然而，在本发明的一些示例性实施方式中，上层191和下层193可包括各种透明的导电氧化物，并且中间层192可包括各种金属材料。
[0056]
暴露漏电极162的开孔81形成在平坦化层180中，并且漏电极162和像素电极190通过开孔81连接。例如，像素电极190的下层193通过开孔81连接至漏电极162。
[0057]
蚀刻停止层210设置在像素电极190和平坦化层180上。例如，蚀刻停止层210设置为覆盖像素电极190的边缘和侧表面，以暴露像素电极190的上表面的一部分。例如，可通过设置在像素电极190的上表面的相对边缘上的蚀刻停止层210之间的空间暴露像素电极190的上表面的一部分。蚀刻停止层210可具有约至的厚度。
[0058]
蚀刻停止层210可形成为覆盖像素电极190的边缘和侧表面，从而防止干法蚀刻气体与像素电极190的银(ag)反应并且保护像素电极190。在稍后描述的图6和图14中的形成隔离物370的干法蚀刻工艺中将详细地描述蚀刻停止层210的特性。
[0059]
蚀刻停止层210可包括与氟(f)基类气体具有低反应性的化合物。例如，蚀刻停止层210可包括化合物，比如，氧化铟锌(izo)、氧化铟镓锌、zrcl4、zrbr4、hfcl4、hfbr4、hgcl2、hgbr2、al2cl6、al2br6、(gacl3)2、gabr3、ybr2或febr6，或包括li、na、ka、rb、cs、be、mg、ca、sr、ba、sc、la、mn、co、rh、ni、cu、ag、au、zn、cd、in、ti或bi的化合物。蚀刻停止层210可包括具有ga2o3、zro3、bao、li2o、la2o3、nd2o3、beo、y2o3、cao、sc2o3、mgo、sm2o3、al2o3、uo2、b2o3、na2o2和nb2o5中的仅仅一种的氧化铟锌(izo)的材料。
[0060]
隔离物370设置在蚀刻停止层210上。隔离物370设置为覆盖蚀刻停止层210的边缘
和侧表面并且覆盖平坦化层180，使得暴露像素电极190的上表面的一部分。隔离物370可与蚀刻停止层210完全重叠。隔离物370可将有机发射层350的形成位置划分，使得有机发射层350可形成在像素电极190的上表面的暴露部分处。
[0061]
根据本示例性实施方式，隔离物370由包括硅氮化物(sin
x
)的无机材料制成。隔离物370由无机材料制成，以当显示装置长时间暴露于日光时，阻挡在由有机材料制成的平坦化层180中产生的气体(例如，包括碳(c)的气体、氧(o2)和一氧化碳(co))被引入至有机发射层350中的路径。相应地，由无机材料制成的隔离物370可防止oled劣化。
[0062]
有机发射层350设置在由隔离物370限定的开孔中。尽管在图1中，有机发射层350阐释为单个层，但是应理解，辅助层，比如电子注入层、电子传输层、空穴传输层或空穴注入层也可包括在有机发射层350上方和下方。
[0063]
公共电极270设置在隔离物370和有机发射层350上。公共电极270可由包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟锡锌(itzo)等的透明的导电层形成。
[0064]
下文，将参考图2至图8描述根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法。
[0065]
图2至图8阐释了用于描述根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法的横截面图。
[0066]
参考图2，像素电极190(包括上层191、中间层192和下层193)、tft和平坦化层180设置在基板100上，并且蚀刻停止材料层210’形成在像素电极190和平坦化层180上。例如，蚀刻停止材料层210’直接形成在像素电极190和平坦化层180上。
[0067]
像素电极190的上层191包括ito或聚ito，像素电极190的中间层192包括银(ag)，并且像素电极190的下层193包括ito或聚ito。根据本发明的示例性实施方式，上层191和下层193可由各种透明的导电氧化物形成，并且中间层192可由各种金属材料形成。
[0068]
例如，蚀刻停止材料层210’可包括与氟(f)基类气体具有低反应性的化合物，比如，氧化铟锌(izo)、氧化铟镓锌、zrcl4、zrbr4、hfcl4、hfbr4、hgcl2、hgbr2、al2cl6、al2br6、(gacl3)2、gabr3、ybr2或febr6；或包括li、na、ka、rb、cs、be、mg、ca、sr、ba、sc、la、mn、co、rh、ni、cu、ag、au、zn、cd、in、ti或bi的化合物。蚀刻停止材料层210’可包括具有ga2o3、zro3、bao、li2o、la2o3、nd2o3、beo、y2o3、cao、sc2o3、mgo、sm2o3、al2o3、uo2、b2o3、na2o2和nb2o5中的仅仅一种的氧化铟锌(izo)的材料。通过蚀刻工艺，蚀刻停止材料层210’可形成为蚀刻停止层210。
[0069]
参考图3，光致抗蚀剂(pr)图案形成在蚀刻停止材料层210’上。
[0070]
当在垂直于基板100的方向上观察时，光致抗蚀剂(pr)图案形成在比被像素电极190覆盖的区域宽的区之上，并且蚀刻停止材料层210’通过光刻工艺等被第一次图案化。这种第一次图案化包括通过湿法蚀刻来图案化蚀刻停止材料层210’的相对端部。
[0071]
参考图4，去除光致抗蚀剂(pr)图案，并且蚀刻停止层210形成为覆盖像素电极190的上表面和侧表面二者。换句话说，蚀刻停止层210与像素电极190完全重叠。
[0072]
像素电极190的下层193接触平坦化层180的上表面。在随后形成的有机发光二极管显示器中，其中像素电极190和平坦化层180彼此接触的部分可影响有机发光二极管显示器的电特性和发光特性。为了防止该情况，在本示例性实施方式中，蚀刻停止层210可被第一次图案化，随后热处理工艺，以将像素电极190的上层191和下层193转变成聚ito层。在该
情况下，可提高其中平坦化层180和像素电极190彼此接触的部分的粘合性质。
[0073]
参考图5，用于隔离物370的无机材料层370’形成在蚀刻停止层210和平坦化层180上。
[0074]
无机材料层370’可由硅氮化物(sin
x
)等制成。其后形成的隔离物370包括无机材料，以防止因为在由有机材料制成的平坦化层180中产生的气体(例如，包括碳(c)的气体、氧(o2)和一氧化碳(co))被引入至有机发射层350中而造成oled劣化。
[0075]
参考图6，光致抗蚀剂(pr)图案形成在用于隔离物370的无机材料层370’上。光致抗蚀剂(pr)图案形成在与蚀刻停止层210的边缘部分重叠的位置处。
[0076]
取决于光致抗蚀剂(pr)图案，通过干法蚀刻用于隔离物370的无机材料层370’而形成隔离物370。这种干法蚀刻工艺可在真空室中进行，并且可使用干法蚀刻气体，比如，六氟化硫(sf6)、三氟化氮(nf3)或氩(ar)。
[0077]
在根据不包括本发明的蚀刻停止层210的比较例的有机发光二极管显示器中，因为像素电极190的上层形成为具有至的厚度，所以颗粒或细间隙可形成在上层中。在该情况下，当颗粒等暴露于干法蚀刻气体时，像素电极190的中间层中的银(ag)与干法蚀刻气体反应而形成氧化银(ag2o)或氟化银(agf)等，并且氧化银(ag2o)或氟化银(agf)等包括在中间层中。所以，比较例的有机发光二极管显示器的电特性和发光特性劣化。
[0078]
然而，因为根据本示例性实施方式的像素电极190被蚀刻停止层210覆盖，所以像素电极190不受干法蚀刻气体的影响。另外，因为蚀刻停止层210由与干法蚀刻气体具有低反应性的化合物形成，所以蚀刻停止层210不受干法蚀刻工艺的影响。
[0079]
所以，在本示例性实施方式中，通过包括蚀刻停止层210，可能防止在形成隔离物370的干法蚀刻工艺中对像素电极190的损坏，并且可能防止有机发光二极管显示器的电特性和发光特性劣化。
[0080]
参考图7，隔离物370形成在有机发光二极管显示器中，以暴露蚀刻停止层210的上表面的一部分。
[0081]
其后，进行湿法蚀刻以第二次图案化蚀刻停止层210。蚀刻停止层210被图案化，以暴露像素电极190的上表面的一部分。因为蚀刻停止层210包括具有比像素电极190的蚀刻选择性高的蚀刻选择性的材料，所以通过蚀刻剂可仅仅蚀刻蚀刻停止层210的上表面的一部分。另外，在图4的步骤之后，因为包括聚ito的像素电极190通过热处理工艺也由具有比蚀刻停止层210的蚀刻选择性低的蚀刻选择性的材料形成，所以仅仅蚀刻停止层210被湿法蚀刻工艺蚀刻。
[0082]
通过下面表1可见，像素电极190在湿法蚀刻工艺中未被蚀刻。
[0083]
表1显示了在45℃下的金属材料的蚀刻速率。
[0084]
(表1)
[0085][0086]
参考表1，在45℃下使用蚀刻剂a的湿法蚀刻工艺中，igzo、izo和非晶ito(a-ito)被部分蚀刻，但是聚ito和ag维持0的蚀刻速率。换句话说，根据本示例性实施方式的像素电极190，在上层191和下层193中包括聚ito并且在中间层192中包括银(ag)，从而防止像素电
极190的蚀刻。
[0087]
参考图8，因为蚀刻停止层210被蚀刻，所以有机发射层350设置在像素电极190的暴露的上表面上，并且公共电极270设置在有机发射层350和隔离物370上。
[0088]
在图7的蚀刻蚀刻停止层210的工艺中，蚀刻停止层210的边缘被蚀刻，以比隔离物370的边缘伸出的少。换句话说，隔离物370的边缘延伸超过蚀刻停止层210至其中形成有机发射层350的区中。从隔离物370的一个边缘至蚀刻停止层210的一个端部的距离d可为0.2μm。在该情况下，因为隔离物370的边缘形成为比蚀刻停止层210的边缘伸出的多，所以可平坦地沉积有机发射层350。
[0089]
下文，将参考图9描述根据本发明的另一个示例性实施方式的有机发光二极管显示器。
[0090]
图9阐释了根据本发明的另一个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的示意性横截面图。
[0091]
参考图9，根据本示例性实施方式的有机发光二极管显示器可包括基板100、缓冲层110、半导体层121、栅绝缘层130、栅电极140、夹层绝缘层150、源电极161、漏电极162、平坦化层180、像素电极190、蚀刻停止层210、有机发射层350、隔离物370和公共电极270。本文，像素电极190、有机发射层350和公共电极270组成oled。
[0092]
图9中阐释的有机发光二极管显示器的结构与图1中阐释的有机发光二极管显示器的大部分结构类似。例如，图9的有机发光二极管显示器与图1的有机发光二极管显示器的不同之处在于蚀刻停止层210的形成位置，并且因此，下述描述将集中于蚀刻停止层210。
[0093]
蚀刻停止层210设置在除了像素电极190的上表面的暴露部分之外的像素电极190的边缘处。换句话说，像素电极190的端部和蚀刻停止层210的端部可位于相同的表面上。蚀刻停止层210可具有约至的厚度。
[0094]
蚀刻停止层210的蚀刻表面可形成为具有与像素电极190的上层191、中间层192和下层193的蚀刻表面一致的边界。另外，蚀刻停止层210的蚀刻表面可形成为位于像素电极190的蚀刻表面的边界内侧，使得蚀刻停止层210的蚀刻表面与像素电极190的上层191、中间层192和下层193的蚀刻表面不一致。
[0095]
蚀刻停止层210可包括与氟(f)基类气体具有低反应性的化合物。例如，蚀刻停止层210可包括化合物，比如，氧化铟锌、氧化铟镓锌、zrcl4、zrbr4、hfcl4、hfbr4、hgcl2、hgbr2、al2cl6、al2br6、(gacl3)2、gabr3、ybr2或febr6；或包括li、na、ka、rb、cs、be、mg、ca、sr、ba、sc、la、mn、co、rh、ni、cu、ag、au、zn、cd、in、ti或bi的化合物。蚀刻停止层210可包括具有ga2o3、zro3、bao、li2o、la2o3、nd2o3、beo、y2o3、cao、sc2o3、mgo、sm2o3、al2o3、uo2、b2o3、na2o2和nb2o5中的仅仅一种的氧化铟锌(izo)的材料。
[0096]
所以，蚀刻停止层210可设置在像素电极190的边缘处，以包括与氟(f)基类气体具有低反应性的化合物，从而防止干法蚀刻气体与像素电极190的银(ag)反应，并且在干法蚀刻工艺中保护像素电极190。
[0097]
下文，将参考图10至图17描述根据本发明的另一个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法。
[0098]
图10至图17阐释了用于描述根据本发明的另一个示例性实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法的横截面图。
[0099]
参考图10，薄膜晶体管和平坦化层180设置在基板100上，并且像素电极材料层190’和蚀刻停止材料层210’设置在平坦化层180上。
[0100]
像素电极材料层190’的上材料层191’包括ito或聚ito，像素电极材料层190’的中间材料层192’包括银(ag)，并且像素电极材料层190’的下材料层193’包括ito或聚ito。根据本发明的示例性实施方式，上材料层191’和下材料层193’可由各种透明的导电氧化物形成，并且中间材料层192’可由各种金属材料形成。
[0101]
例如，蚀刻停止材料层210’可包括与氟(f)基类气体具有低反应性的化合物，比如，氧化铟锌、氧化铟镓锌、zrcl4、zrbr4、hfcl4、hfbr4、hgcl2、hgbr2、al2cl6、al2br6、(gacl3)2、gabr3、ybr2或febr6；或包括li、na、ka、rb、cs、be、mg、ca、sr、ba、sc、la、mn、co、rh、ni、cu、ag、au、zn、cd、in、ti或bi的化合物。蚀刻停止材料层210’可包括具有ga2o3、zro3、bao、li2o、la2o3、nd2o3、beo、y2o3、cao、sc2o3、mgo、sm2o3、al2o3、uo2、b2o3、na2o2和nb2o5中的仅仅一种的氧化铟锌(izo)的材料。通过蚀刻工艺，蚀刻停止材料层210’可形成为蚀刻停止层210。
[0102]
通过蚀刻工艺，上材料层191’、中间材料层192’和下材料层193’可组成一个像素电极190，并且通过蚀刻工艺，蚀刻停止材料层210’可组成蚀刻停止层210。
[0103]
参考图11，蚀刻停止材料层210’被图案化，以形成蚀刻停止层210，并且用于图案化像素电极190的光致抗蚀剂(pr)图案设置在蚀刻停止层210上。
[0104]
应理解，光致抗蚀剂(pr)图案形成在蚀刻停止材料层210’上，并且然后，可通过湿法蚀刻工艺形成蚀刻停止层210。
[0105]
参考图12，通过光致抗蚀剂(pr)图案像素电极190被图案化。相应地，像素电极190的上层191可包括氧化铟锡(ito)，像素电极190的中间层192可包括银(ag)，并且像素电极190的下层193可包括氧化铟锡(ito)。
[0106]
根据本发明的示例性实施方式，当像素电极190的上层191、中间层192和下层193被同时蚀刻时，它们可形成为使得各个层的蚀刻表面的边界彼此一致。换句话说，各个层的蚀刻表面的边界可形成像素电极190的边缘。当一个层比另一个层蚀刻的多时，可在蚀刻表面中形成底切。然而，因为每个层的蚀刻程度没有大的差异，所以像素电极190可最终形成为具有几乎类似蚀刻表面的边界。换句话说，各个层的蚀刻表面的边界(例如，边缘)可彼此邻近。
[0107]
另外，蚀刻停止层210的蚀刻表面可形成为具有与像素电极190的上层191、中间层192和下层193的蚀刻表面一致的边界，或蚀刻停止层210的蚀刻表面可形成为位于像素电极190的蚀刻表面的边界内侧。
[0108]
参考图13，去除光致抗蚀剂(pr)图案，并且图案化的像素电极190和蚀刻停止层210设置在平坦化层180上。
[0109]
蚀刻停止层210形成为其下表面具有与像素电极190的上表面的尺寸和区相同的尺寸和区，并且蚀刻停止层210的端部形成在与像素电极190的端部的平面相同的平面上。例如，蚀刻停止层210形成在像素电极190的上层191上。
[0110]
像素电极190的下层193接触平坦化层180的上表面。在随后的有机发光二极管显示器中，其中像素电极190和平坦化层180彼此接触的部分可影响有机发光二极管显示器的电特性和发光特性。为了防止该情况，在本示例性实施方式中，蚀刻停止层210可被第一次
图案化，随后热处理工艺，以将像素电极190的上层191和下层193转变成聚ito层。所以，可提高其中平坦化层180和像素电极190彼此接触的部分的粘合性质。
[0111]
参考图14，用于隔离物370的无机材料层370’形成在蚀刻停止层210和平坦化层180上，并且光致抗蚀剂(pr)图案形成在用于隔离物370的无机材料层370’上。光致抗蚀剂(pr)图案形成在与蚀刻停止层210的边缘部分重叠的位置处。
[0112]
取决于光致抗蚀剂(pr)图案，通过干法蚀刻用于隔离物370的无机材料层370’形成隔离物370。这种干法蚀刻工艺可在真空室中进行，并且可使用干法蚀刻气体，比如六氟化硫(sf6)、三氟化氮(nf3)或氩(ar)。
[0113]
在根据不包括蚀刻停止层210的比较例的有机发光二极管显示器中，因为像素电极190的上层形成为具有至的厚度，所以颗粒或细间隙可形成在上层中。在该情况下，当颗粒等暴露于干法蚀刻气体时，像素电极190的中间层中的银(ag)与干法蚀刻气体反应而形成氧化银(ag2o)或氟化银(agf)等，并且因此，氧化银(ag2o)或氟化银(agf)等包括在中间层中。所以，比较例的有机发光二极管显示器的电特性和发光特性劣化。
[0114]
然而，因为蚀刻停止层210设置在根据本示例性实施方式的像素电极190的边缘的上部处，所以像素电极190不受干法蚀刻气体的影响。另外，因为蚀刻停止层210由与干法蚀刻气体具有低反应性的化合物形成，所以蚀刻停止层210不受干法蚀刻工艺的影响。
[0115]
所以，在本示例性实施方式中，通过包括蚀刻停止层210，可能防止在形成隔离物370的干法蚀刻工艺中对像素电极190的损坏，并且可能防止有机发光二极管显示器的电特性和发光特性劣化。
[0116]
参考图15，隔离物370形成为暴露有机发光二极管显示器中的蚀刻停止层210的上表面的一部分。其后，进行湿法蚀刻工艺以图案化蚀刻停止层210。
[0117]
参考图16，通过湿法蚀刻工艺蚀刻停止层210被第二次图案化，以暴露像素电极190的上表面的一部分。
[0118]
因为蚀刻停止层210包括比像素电极190的蚀刻选择性高的蚀刻选择性的材料，所以通过蚀刻剂可仅仅蚀刻蚀刻停止层210的上表面的一部分。另外，如图13中描述，因为包括聚ito的像素电极190通过热处理工艺也由具有比蚀刻停止层210的蚀刻选择性低的蚀刻选择性的材料形成，所以通过湿法蚀刻工艺仅仅蚀刻停止层210被蚀刻。
[0119]
另外，在图15的蚀刻蚀刻停止层210的工艺中，蚀刻停止层210的边缘被蚀刻，以便蚀刻停止层210的边缘比隔离物370的边缘伸出的少。换句话说，隔离物370的边缘延伸超过蚀刻停止层210的边缘。从隔离物370的一个边缘至蚀刻停止层210的一个边缘(或端部)的距离d可为0.2μm。在该情况下，有机发射层350可平坦地沉积在像素电极190的上表面上。
[0120]
参考图17，因为蚀刻停止层210被蚀刻，所以有机发射层350设置在像素电极190的暴露的上表面上，并且公共电极270设置在有机发射层350和隔离物370上。
[0121]
所以，在本示例性实施方式中，通过包括蚀刻停止层210，可能防止在形成隔离物370的干法蚀刻工艺中对像素电极190的损坏，并且可能防止有机发光二极管显示器的电特性和发光特性劣化。
[0122]
尽管已经参考本发明的示例性实施方式特别显示和描述了本发明，但是本领域技术人员应理解，在不背离如所附的权利要求中陈述的本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改。