显示装置和其制造方法与流程

显示装置和其制造方法
[0001]
相关申请的交叉引用
[0002]
本申请要求于2019年8月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0101908号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
[0003]
本公开的实施方式涉及显示装置和其制造方法。


背景技术：

[0004]
需要具有各种特点，比如，例如，轻薄、低功率消耗和轻质的显示装置，并且正在开发各种显示器，比如，例如，液晶显示器和有机发光装置显示器。
[0005]
通过如下来制造显示装置：将开关元件，比如，例如，薄膜晶体管；用于连接它们的布线；用于将电压施加至显示元件的电极；和用于配置红色像素、绿色像素和蓝色像素的显示元件作为薄层结构设置在第一基板上，并且在薄层结构上密封第二基板。
[0006]
通过在第一基板和第二基板之间插入由熔料制成的密封部分并且使熔料硬化而进行密封工艺。
[0007]
然而，如果基板的厚度形成为大于或等于约0.3t，那么在用于切割用于各个单位(例如，显示单元)的显示装置的工艺期间，应力聚集在其上施加密封部分的密封单元上，并且基板的边缘可断裂。为了最小化或减少该情况的发生，在与密封部分分开超过设定距离或预定距离的位置处切割显示装置，其造成不显示图像的区(例如，非显示区)中的死空间不可避免地变宽。如本文使用的，术语(t)表示距离单元，例如，1t对应于1毫米(1mm＝10-3
m)。
[0008]
该背景技术章节中公开的上述信息仅仅用于增强对本公开的背景技术的理解，并且所以其可含有不为相关领域的普通技术人员已经知道的现有技术的信息。


技术实现要素：

[0009]
本公开提供了具有减小的非显示区的死空间的显示装置和其制造方法的实施方式。
[0010]
在本公开的实施方式中，显示装置包括：显示区；围绕显示区并且包括密封区的非显示区；包括中心部分和外部部分的第一基板，中心部分包括在显示区中的部分，外部部分包括在密封区中的部分；包括中心部分和外部部分的第二基板，中心部分包括在显示区中的部分，外部部分包括在密封区中的部分；以及在第一基板和第二基板之间并且在密封区中的密封部分，其中第一基板的中心部分的厚度不同于第一基板的外部部分的厚度，并且第二基板的中心部分的厚度不同于第二基板的外部部分的厚度。
[0011]
在一些实施方式中，第一基板的中心部分的厚度可大于第一基板的外部部分的厚度。
[0012]
在一些实施方式中，第一基板的中心部分的厚度可为0.3t(0.3mm)至0.4t
(0.4mm)，并且第一基板的外部部分的厚度可小于或等于0.25t(0.25mm)。
[0013]
在一些实施方式中，第二基板的中心部分的厚度可大于第二基板的外部部分的厚度。
[0014]
在一些实施方式中，第二基板的中心部分的厚度可为0.3t(0.3mm)至0.4t(0.4mm)，并且第二基板的外部部分的厚度可小于或等于0.25t(0.25mm)。
[0015]
在一些实施方式中，第一基板的外部部分可在沿着第一基板的中心部分的水平方向的两个相对的侧面上包括第一外部部分和第二外部部分，并且第一基板的第一外部部分的厚度可不同于第一基板的第二外部部分的厚度。
[0016]
在一些实施方式中，第二基板的外部部分可在沿着第二基板的中心部分的水平方向的两个相对的侧面上包括第一外部部分和第二外部部分，并且第二基板的第一外部部分的厚度可不同于第二基板的第二外部部分的厚度。
[0017]
在一些实施方式中，第一基板和第二基板可在密封区处包括切割线。
[0018]
在一些实施方式中，切割线可在朝着第一基板的中心部分和第二基板的中心部分与第一基板的外部部分的边缘和第二基板的外部部分的边缘分开50μm至100μm的位置处。
[0019]
在本公开的一些实施方式中，显示装置包括：显示区；围绕显示区并且包括密封区的非显示区；包括中心部分和外部部分的第一基板，中心部分包括在显示区中的部分，外部部分包括在密封区中的部分；包括中心部分和外部部分的第二基板，中心部分包括在显示区中的部分，外部部分包括围绕显示区的密封区中的部分；在第一基板和第二基板之间并且在密封区中的密封部分；以及在第一基板的下侧上的光学元件，其中第二基板的中心部分在面对第一基板的一个侧面上包括至少一个凹陷部分，光学元件在对应于凹陷部分的部分处，第一基板的中心部分的厚度不同于第一基板的外部部分的厚度，并且第二基板的中心部分的厚度不同于第二基板的外部部分的厚度。
[0020]
在一些实施方式中，第一基板的中心部分的厚度和第二基板的中心部分的厚度中的每个可大于第一基板的外部部分的厚度和第二基板的外部部分的厚度中的每个。
[0021]
在一些实施方式中，第一基板的中心部分的厚度和第二基板的中心部分的厚度中的每个可为0.3t(0.3mm)至0.4t(0.4mm)，并且第一基板的外部部分的厚度和第二基板的外部部分的厚度中的每个可小于或等于0.25t(0.25mm)。
[0022]
在一些实施方式中，第一基板的外部部分可在沿着第一基板的中心部分的水平方向的两个相对的侧面上包括第一外部部分和第二外部部分，第二基板的外部部分可在沿着第二基板的中心部分的水平方向的两个相对的侧面上包括第一外部部分和第二外部部分，第一基板的第一外部部分的厚度可不同于第一基板的第二外部部分的厚度，并且第二基板的第一外部部分的厚度可不同于第二基板的第二外部部分的厚度。
[0023]
在一些实施方式中，第一基板的第一外部部分的厚度、第一基板的第二外部部分的厚度、第二基板的第一外部部分的厚度和第二基板的第二外部部分的厚度中的每个可小于或等于0.25mm。
[0024]
在一些实施方式中，第一基板和第二基板可在密封区处包括切割线。
[0025]
在本公开的一些实施方式中，用于制造显示装置的方法包括：将第一耐酸膜附接至基板的上侧，并且将第二耐酸膜附接至基板的下侧；将第一金属图案部分设置在第一耐酸膜的部分上，并且将第二金属图案部分设置在第二耐酸膜的部分上；将紫外线辐射在第
一耐酸膜的其中第一金属图案部分不在第一耐酸膜上的暴露的部分的上侧上，并且将紫外线辐射在第二耐酸膜的其中第二金属图案部分不在第二耐酸膜上的暴露的部分的下侧上；去除第一耐酸膜的暴露的部分和第二耐酸膜的暴露的部分；以及蚀刻基板的上侧的其中去除了第一耐酸膜的部分，和蚀刻基板的下侧的其中去除了第二耐酸膜的部分，其中基板的外部部分对应于基板的其中去除了第一耐酸膜的部分，并且基板的凹陷部分对应于基板的其中去除了第二耐酸膜的部分。
[0026]
在一些实施方式中，基板可包括用于显示图像的显示区和围绕显示区的非显示区，并且基板的外部部分可在非显示区中。
[0027]
在一些实施方式中，基板的外部部分的厚度可形成为小于或等于0.25t(0.25mm)。
[0028]
在一些实施方式中，基板的凹陷部分可形成在显示区中。
[0029]
在一些实施方式中，基板可由玻璃制成。
[0030]
根据一些示例性实施方式，基板的外部部分形成为比中心部分薄，并且可在密封区中进行用于切割单位(例如，切割以形成显示单元)的工艺，从而减少基板上的死空间并且减少用于加工外部部分的费用。
[0031]
根据一些实施方式，可包括设定部分，以围绕基板的外部部分，从而实现轻薄的显示装置。
[0032]
根据一些实施方式，可在用于蚀刻光透射区中的凹陷部分的工艺期间蚀刻基板的外部部分，从而减少加工阶段的数量和提高生产力。
附图说明
[0033]
附图与说明书一起阐释了本公开的主题的实施方式，并且与描述一起用于解释本公开的主题的实施方式的原理。
[0034]
图1显示了根据示例性实施方式的显示装置的横截面图。
[0035]
图2显示了根据示例性实施方式的显示装置的边缘部分。
[0036]
图3显示了沿着根据图2的示例性实施方式的显示装置中的切割线切割的显示装置的边缘部分的图像。
[0037]
图4显示了根据示例性实施方式的显示装置的横截面图。
[0038]
图5至图10显示了用于制造根据示例性实施方式的显示装置的方法的横截面图。
[0039]
图11显示了根据示例性实施方式的显示装置的平面图。
[0040]
图12显示了沿着图11的线xii-xii’截取的显示装置的横截面图。
[0041]
图13至图18显示了用于制造根据示例性实施方式的显示装置的方法的横截面图。
[0042]
图19显示了根据示例性实施方式的显示装置的平面图。
[0043]
图20显示了沿着图19的线xx-xx’截取的显示装置的横截面图。
具体实施方式
[0044]
下文将参考其中显示了本公开的一些示例性实施方式的附图更充分地描述本公开的主题。如本领域技术人员应认识到的，在不背离本公开的精神和范围的情况下，可以以各种不同的方式修改描述的实施方式。
[0045]
图和描述本质上是阐释性的并且不是限制性的，并且遍及说明书相同的附图标记
指示相同的元件。
[0046]
为了更好地理解和易于描述，可放大图中显示的每个配置的尺寸和厚度(例如，特征或元件的相对尺寸和厚度)，并且本公开的实施方式不限于此。在图中，为了清楚起见，可放大层、膜、面板、区等的厚度。为了更好地理解和易于描述，可放大一些层和区的厚度。
[0047]
将理解，当元件比如，例如，层、膜、区或基板被称为在另一元件“上”或“接触”另一元件时，其可“直接在”另一元件“上”或“直接接触”另一元件，或也可存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”或“直接接触”另一元件时，则不存在中间元件。进一步，在说明书中，词语“在
……
上”可意指在目标部分上面或下面的位置，并且不一定意指在目标部分的上侧(例如，基于重力方向的目标部分的上侧)上的位置。
[0048]
本文使用的术语仅仅用于描述特别的实施方式的目的，并且不旨在限制本公开。如本文使用的，单数形式“一个(a)”和“一个(an)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。应进一步理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”和“包含(including)”当在本说明书中使用时，指定存在叙述的特征、整数、行为、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、行为、操作、元件、组件和/或其组。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。
[0049]
短语“在平面上”意指从顶部观察目标部分，并且短语“在横截面上”意指观察目标部分的横截面(例如，由垂直切割目标部分获得的横截面)。
[0050]
现将参考图1描述根据示例性实施方式的显示装置。
[0051]
图1显示了根据示例性实施方式的显示装置的横截面图。
[0052]
参考图1，显示装置包括第一基板100、第二基板200和密封部分30。
[0053]
第一基板100在显示装置的下侧上，并且可包括玻璃、石英和/或陶瓷。显示元件110(其可包括有机发光二极管(oled))在第一基板100的上侧上。显示元件110配备(例如，显示元件110包括)包括多个布线、薄膜晶体管、像素电极和公共电极的像素电路，以及发射器，并且显示元件110可包括用于显示图像的多个像素。
[0054]
第一基板100包括具有相同的厚度d3(例如，具有均匀的厚度d3)的中心部分150以及在中心部分150的两个侧面上(例如，在沿着中心部分150的水平方向的两个相对的侧面上)的第一外部部分151和第二外部部分152。第一外部部分151和第二外部部分152可称为外部部分。第一基板100包括被分为显示区(da)和非显示区(pa)的区，显示元件110放置在显示区(da)中以显示图像，非显示区(pa)围绕显示区(da)。非显示区(pa)包括其中放置密封部分30的密封区(sa)。
[0055]
第一基板100的中心部分150包括显示区(da)的部分或全部和非显示区(pa)的部分，并且第一基板100的外部部分151和外部部分152包括包含密封区(sa)的非显示区(pa)的部分。
[0056]
例如，在一些实施方式中，显示装置可包括显示区(da)和围绕显示区(da)的非显示区(pa)，并且非显示区(pa)可包括密封区(sa)。在一些实施方式中，第一基板100的中心部分150可包括与显示元件110重叠的第一部分，并且第一部分可在显示区(da)中(例如，可与显示区(da)重叠)。在一些实施方式中，第一基板100的外部部分151和外部部分152可包括与密封部分30重叠的第二部分，并且第二部分可在密封区(sa)中(例如，可与密封区(sa)
重叠)。在一些实施方式中，非显示区(pa)的部分可与中心部分150的部分重叠，并且非显示区(pa)的另一部分可与外部部分151和外部部分152的部分重叠。
[0057]
第一基板100的中心部分150具有不同于第一基板100的外部部分151和外部部分152的厚度的厚度。在一些实施方式中，第一基板100的中心部分150的厚度d3大于第一基板100的外部部分151和外部部分152的各自厚度d4和厚度d6。在一些示例性实施方式中，第一基板100的中心部分150的厚度d3为0.3t至0.4t，并且第一基板100的外部部分151和外部部分152的各自厚度d4和厚度d6小于或等于0.25t。在一些实施方式中，第一外部部分151的厚度d4可与第二外部部分152的厚度d6相同或基本上相同或不同。
[0058]
通过蚀刻第一基板100的边缘产生第一基板100的外部部分151和外部部分152中的每个。用于形成外部部分的阶段(例如，工艺)将在本文下面参考图5至图10更详细地描述。
[0059]
第二基板200在显示装置的顶部并且面对第一基板100。第二基板200可包括玻璃、石英和/或陶瓷。在一些实施方式中，第二基板200将可包括有机发光元件(oled)的显示元件110密封。第二基板200可与第一基板100具有相同的或基本上相同的尺寸(例如，厚度)，并且第一基板100和第二基板200的边缘可彼此平行(例如，可彼此对齐)。
[0060]
第二基板200包括具有相同的厚度(例如，具有均匀的厚度)的中心部分250。第二基板200在中心部分250的两个侧面上(例如，在沿着中心部分250的水平方向的两个相对的侧面上)包括第一外部部分251和第二外部部分252。第一外部部分251和第二外部部分252可称为外部部分。第二基板200包括划分为显示区(da)和非显示区(pa)的区，显示区(da)中布置显示元件110以显示图像，非显示区(pa)围绕显示区(da)。非显示区(pa)包括其中布置密封部分30的密封区(sa)。
[0061]
第二基板200的中心部分250包括显示区(da)的部分或全部和非显示区(pa)的部分，并且第二基板200的外部部分251和外部部分252包括包含密封区(sa)的非显示区(pa)的部分。
[0062]
例如，在一些实施方式中，显示装置可包括显示区(da)和围绕显示区(da)的非显示区(pa)，并且非显示区(pa)可包括密封区(sa)。在一些实施方式中，第二基板200的中心部分250可包括与显示元件110重叠的第一部分，并且第一部分可在显示区(da)中(例如，可与显示区(da)重叠)。在一些实施方式中，第二基板200的外部部分251和外部部分252可包括与密封部分30重叠的第二部分，并且第二部分可在密封区(sa)中(例如，可与密封区(sa)重叠)。在一些实施方式中，非显示区(pa)的部分可与中心部分250的部分重叠，并且非显示区(pa)的另一部分可与外部部分251和外部部分252中的每个的部分重叠。
[0063]
第二基板200的中心部分250具有与第二基板200的外部部分251和外部部分252的厚度不同的厚度。在一些实施方式中，第二基板200的中心部分250的厚度d1大于第二基板200的外部部分251和外部部分252的各自厚度d2和厚度d5。在一些示例性实施方式中，第二基板200的中心部分250的厚度d1为0.3t至0.4t，并且第二基板200的外部部分251和外部部分252的各自厚度d2和厚度d5小于或等于0.25t。在一些实施方式中，第一外部部分251的厚度d2可与第二外部部分252的厚度d5相同或不同。
[0064]
第一基板100的中心部分150和第二基板200的中心部分250与显示元件110重叠，并且第一基板100的外部部分151和外部部分152以及第二基板200的外部部分251和外部部
分252与密封部分30重叠。第一基板100的第一外部部分151和第二外部部分152以及第二基板200的第一外部部分251和第二外部部分252可每个具有相同的或不同的厚度，并且每个的厚度可在小于或等于0.25t的范围内。
[0065]
密封部分30在第一基板100和第二基板200之间，并且密封部分30在密封区(sa)中。密封部分30与显示元件110分开，并且密封部分30在第一基板100的外部部分151和外部部分152以及和第二基板200的外部部分251和外部部分252的宽度(w)内。当用从第一基板100和第二基板200的边缘起朝着中心部分150和中心部分250测量的长度确定(例如，由该长度限定)时，外部部分151、外部部分152、外部部分251和外部部分252的宽度(w)可大于或等于650μm。相应地，密封部分30可在朝着中心部分150和中心部分250从第一基板100和第二基板200的边缘起的650μm内的区中。密封部分30可包括各种材料比如，例如，熔料和/或各向异性导电膜(acf)，并且密封部分30可具有0.005t的厚度(sd)，以结合第一基板100和第二基板200。
[0066]
根据一些示例性实施方式，现将参考图2和图3描述用于将通过密封部分30结合的第一基板100和第二基板200切割为显示装置中的各个单位(例如，显示单元)的工艺。
[0067]
图2显示了根据一些示例性实施方式的显示装置的边缘部分，并且图3显示了沿着根据图2的示例性实施方式的显示装置中的切割线切割的显示装置的边缘的图像。
[0068]
参考图2，切割轮700提供在密封区(sa)中的切割线cl处。更详细地，切割轮700提供在第一基板100的外部部分152上和第二基板200的外部部分252上的切割线cl处。
[0069]
第一基板100的切割线cl和第二基板200的切割线cl为在竖直方向上延伸的虚线。例如，切割线cl为在从第二基板200的外部部分252的上侧至第一基板100的外部部分152的下侧的竖直方向上延伸的虚线。在第一基板100和第二基板200上，切割线cl可在朝着中心部分150和中心部分250与第一基板100和第二基板200的边缘分开50μm至100μm的位置(例如，地点)处。在一些实施方式中，切割线cl可在朝着中心部分150和中心部分250与基板100和基板200的边缘分开60μm的位置(例如，地点)处。切割线cl的位置可称为切割边。
[0070]
提供在第一基板100的切割线cl处的切割轮700在厚度方向上从第一基板100的表面(例如，下侧)切割第一基板100穿过密封部分30的1/2(一半)。提供在第二基板200的切割线cl处的切割轮700在厚度方向上从第二基板200的表面(例如，上侧)切割第二基板200穿过密封部分30的1/2。
[0071]
例如，在一些实施方式中，切割轮700沿着第一切割路径cp1切割第一基板100，以提供显示装置的弯曲边缘。在一些实施方式中，第一切割路径cp1始于在第一基板100的下侧的切割线cl处，沿着竖直方向(例如，z-轴方向)穿越第一基板100的第一外部部分152和密封部分30的1/2，并且也沿着水平方向(例如，沿着与x-轴方向相反的方向)穿越(例如，同时穿越)第一水平距离c1至显示装置的边缘。在一些实施方式中，切割轮700可沿着第二切割路径cp2切割第二基板200，以提供显示装置的弯曲边缘。第二切割路径cp2始于在第二基板200的上侧的切割线cl处，沿着竖直方向(例如，沿着与z-轴方向相反的方向)穿越第二基板200的第二外部部分252和密封部分30的1/2，并且也沿着水平方向(例如，沿着与x-轴方向相反的方向)穿越(例如，同时穿越)第二水平距离c2至显示装置的边缘。第一水平距离c1可与第二水平距离c2相同或基本上相同，或第一水平距离c1和第二水平距离c2可不同。
[0072]
根据一些示例性实施方式，当基板的厚度(例如，第一基板100和第二基板200的外
部部分151、外部部分152、外部部分251和外部部分252中的每个的厚度)小于或等于0.25t时，可更有效地应用(例如，使用)切割轮700。所以，随着基板的外部部分形成为(例如，已经形成为)具有小于或等于0.25t的厚度(例如，随着基板的外部部分形成为(例如，已经形成为)具有小于或等于0.25t的厚度之后)，制造根据一些示例性实施方式的显示装置的方法可包括通过切割轮的单位切割工艺(例如，切割以形成显示单元)。在一些实施方式中，单位切割工艺可在密封区(sa)中进行，从而减少基板的死空间并且减少加工外部部分的成本。
[0073]
参考图3，阐释了通过图2中显示的切割轮700切割的横截面。在横截面图中，第一基板100和第二基板200的边缘具有弯曲形状。第一基板100和第二基板200可以一体化地(例如，共同)称为基板。图3为在xy方向上以倾斜的方式拍摄的基板的边缘的图像。切割的基板的边缘被拍摄为白色，左部分被拍摄为黑色作为切割的基板的横截面，并且右部分被被拍摄为逐渐加深的阴影作为基板的横截面的延伸部分。
[0074]
在白色下拍摄的部分的上侧的弯曲部分表示第二基板200的中心部分250，并且朝着底部倾斜并且连接至中心部分250的部分表示第二基板200的外部部分252。在白色下拍摄的部分的下侧的弯曲部分表示第一基板100的中心部分150，并且朝着顶部倾斜并且连接至中心部分150的部分表示第一基板100的外部部分152。
[0075]
现将参考图4描述根据一些实施方式的包括设定部分的显示装置。
[0076]
图4显示了根据一些示例性实施方式的显示装置的横截面图。
[0077]
参考图4，根据一些示例性实施方式的显示装置包括第一基板100、第二基板200、密封部分30、设定部分300和窗口400。在图4的一些实施方式中，显示装置中的第一基板100、密封部分30和第二基板200的配置对应于参考图1提供的描述，并且将不提供冗余的描述。
[0078]
在横截面图中，第一基板100的外部部分151和外部部分152包括通过单位切割工艺(例如，切割以形成显示单元)形成的弯曲形状。在横截面图中，第二基板200的外部部分251和外部部分252包括通过单位切割工艺形成的弯曲形状。
[0079]
设定部分300围绕(例如，覆盖)第一基板100的外部部分151和外部部分152以及第二基板200的外部部分251和外部部分252。设定部分300的上侧与第二基板200的中心部分250的上侧在相同的直线上(例如，设定部分300的上侧与第二基板200的中心部分250的上侧对齐)。设定部分300为保护基板100和基板200的框架，并且设定部分300可具有形状或反形状(例如，c形状或反c形状)。设定部分300的内部侧面接触密封部分30的外部侧面(例如，对应于显示装置的边缘的侧面)，并且设定部分300可固定至基板100的侧面和基板200的侧面。设定部分300可通过在设定部分300的内部侧面和密封部分30的外部侧面之间的粘合剂固定至密封部分30。
[0080]
窗口400在设定部分300和第二基板200的上侧上。窗口400保护其下的各种配置和组件。窗口400包括透明的材料，以将来自显示装置内侧的内部光透射至外侧。
[0081]
基板的外部部分可比中心部分薄。相应地，在一些示例性实施方式中，设定部分300缠绕(例如，覆盖)基板的外部部分，并且设定部分300的上侧与基板的中心部分的上侧在相同的直线上(例如，设定部分300的上侧与基板的中心部分的上侧对齐)，从而实现轻薄的显示装置。
[0082]
现将参考图5至图10描述用于制造根据一些示例性实施方式的显示装置的工艺。
[0083]
图5至图10显示了用于制造根据一些示例性实施方式的显示装置的方法的横截面图。
[0084]
图5显示了用于制备基板200的阶段。
[0085]
参考图5，制备由任何适当的材料，比如，例如，玻璃制成的基板200。基板200的厚度d1可为0.3t至0.4t，并且基板200可包括中心部分和在中心部分的两个侧面上(例如，在沿着中心部分的水平方向的两个相对的侧面上)的外部部分。在图5中，基板200显示为第二基板200，但是图1至图4中显示的第一基板100可根据相同的制造方法制造。
[0086]
图6显示了用于附接耐酸膜11的阶段。
[0087]
参考图6，耐酸膜11附接至基板200(例如，附接至基板200的上侧)。耐酸膜11为用于蚀刻的保护膜，并且耐酸膜11包括不与强酸或氢氟酸反应的耐酸材料。术语“强酸”可具有与由本领域技术人员一般理解的相同的含义。例如，术语“强酸”可指盐酸、硝酸、硫酸、氢溴酸、氢碘酸、高氯酸和/或氯酸。耐酸膜11的厚度可形成为约0.05t，并且耐酸膜11可配置(例如，形成)为包括粘合剂层和保护层的双层。耐酸膜11的粘合剂层可提供在保护层和基板200之间，并且保护层可提供在粘合剂层上。
[0088]
图7显示了用于将紫外线(uv)辐射在基板200上的阶段。
[0089]
参考图7，金属图案部分13提供在耐酸膜11上，并且用紫外线(uv)辐射。金属图案部分13提供在与基板200的中心部分重叠的地点处。金属图案部分13与耐酸膜11不重叠的耐酸膜11的部分(例如，暴露耐酸膜11的部分)表示与基板200的外部部分重叠的部分。耐酸膜11的暴露的部分可暴露于紫外线(uv)(例如，用紫外线(uv)辐射)，并且可转化成可通过适当的工艺被剥掉的状态。
[0090]
图8显示了用于去除耐酸膜11的部分的阶段。
[0091]
参考图8，去除耐酸膜11的暴露于紫外线(uv)的部分。耐酸膜11的剩余部分在基板200的中心部分处。通过耐酸膜11可保护其中耐酸膜11在基板200的上侧上的基板200的部分免受强酸或氢氟酸的影响。然而，耐酸膜11不在基板200的上侧上的基板200的部分(例如，基板200的暴露的部分)可被包括强酸或氢氟酸的蚀刻剂蚀刻。
[0092]
图9显示了用于蚀刻基板200的部分的阶段。
[0093]
参考图9，通过蚀刻基板200的暴露的部分形成外部部分251和外部部分252。可通过湿法蚀刻工艺形成外部部分251和外部部分252。湿法蚀刻工艺表示通过使用可包括氟化氢(hf)的蚀刻剂用于蚀刻耐酸膜11不在其上(例如，蚀刻耐酸膜11不附接在其上)的基板200的暴露的部分的工艺。在一些实施方式中，对应于基板200的外部部分251和外部部分252的基板200的部分可被蚀刻至大于或等于0.15t的深度。所以，对应于基板200的外部部分251和外部部分252的基板200的部分可形成为具有约0.15t至0.25t的厚度。在中心部分250的两个侧面上(例如，在沿着水平方向的两个相对的侧面上)的外部部分251和外部部分252可根据加工误差蚀刻至不同的深度(例如，可由加工误差造成蚀刻至不同的深度)。
[0094]
图10显示了根据一些示例性实施方式的第二基板200。
[0095]
参考图10，在参考图9描述的蚀刻工艺之后，去除在中心部分250处的耐酸膜11。相应地，可形成基板200，其中中心部分250的厚度d1可为0.3t至0.4t，并且外部部分251和外部部分252的厚度d2和厚度d5分别可小于或等于0.25t。
[0096]
根据一些示例性实施方式的显示装置可包括第一基板100，第一基板100包括中心
部分150以及外部部分151和外部部分152，并且第一基板100和第二基板200可通过密封部分30彼此结合，如图1中显示。相应地，第一基板100和第二基板200中的每个分别形成为分别具有小于或等于0.25t的外部部分151的厚度d4、外部部分152的厚度d6、外部部分251的厚度d2和外部部分252的厚度d5，以便可通过切割轮700进行单位切割工艺(例如，切割以形成显示单元)。
[0097]
现将参考图11和图12描述根据一些示例性实施方式的显示装置。
[0098]
图11显示了根据一些示例性实施方式的显示装置的平面图，并且图12显示了沿着图11的线xii-xii’截取的显示装置的横截面图。关于根据图12的一些示例性实施方式的显示装置，第一基板100、密封部分30和第二基板200的一些配置对应于参考图1描述的一些配置，并且将不提供冗余的描述。
[0099]
参考图11，根据一些示例性实施方式的显示装置包括占据显示装置的前侧(例如，上侧)的大部分的显示区(da)、作为围绕显示区(da)的外周区的非显示区(pa)和在显示区(da)中透射光的光透射区(ta)。
[0100]
根据一些示例性实施方式的显示装置可在光透射区(ta)中包括至少一种光学元件。光学元件可为任何适当的光学元件，比如，例如，照相机、闪光灯或传感器。
[0101]
参考图12，根据一些示例性实施方式的显示装置包括第一基板100、第二基板200和密封部分30。
[0102]
第二基板200可包括玻璃、石英和/或陶瓷，并且第二基板200面对第一基板100。第二基板200的中心部分250在面对第一基板100的一个侧面上(例如，在下侧上)包括凹陷部分201。
[0103]
凹陷部分201表示对应于图11的光透射区(ta)的部分。显示元件110不在对应于凹陷部分201的部分处，并且光学元件(例如，照相机)在第一基板100的下侧上。光学元件(例如，照相机)可紧密地附接至第一基板100的下侧，使得增加透光度。在一些实施方式中，因为凹陷部分201可原样透射光(例如，没有改变)，所以凹陷部分201的宽度可根据光学元件(例如，照相机)的尺寸考虑光的折射来确定。
[0104]
因为凹陷部分201表示在面对第一基板100的第二基板200的下侧上的蚀刻部分，所以凹陷部分201可在蚀刻第二基板200的外部部分251和外部部分252的工艺期间形成(例如，同时形成)，或凹陷部分201可在与用于蚀刻外部部分251和外部部分252的工艺分开的(例如，在用于蚀刻外部部分251和外部部分252的工艺之后)另外的蚀刻工艺期间形成。用于蚀刻第二基板200的外部部分251和外部部分252的工艺对应于参考图5至图10描述的制造方法。用于蚀刻(例如，同时蚀刻)凹陷部分和外部部分的工艺将在本文下面参考图13至图18更详细地描述。
[0105]
在凹陷部分201的一个侧面(例如，上侧)和面对凹陷部分201的这个侧面的第一基板100的一个侧面(例如，上侧)之间的距离(a)可保持大于或等于约15μm。例如，距离(a)可大于或等于约15μm。相应地，当在凹陷部分201(例如，凹陷部分201的上侧)和面对凹陷部分201(例如，凹陷部分201的上侧)的第一基板100的一个侧面(例如，上侧)之间形成空气间隙时，凹陷部分201可透射从光学元件(例如，照相机)输入的光而不模糊(例如，通过透射的光形成的图像不模糊或基本上不模糊)。
[0106]
在一些示例性实施方式中显示，显示元件110不在第一基板100的与凹陷部分201
重叠的一个侧面(例如，上侧)上。在一些实施方式中，显示元件110的部分可在第一基板100的与凹陷部分201重叠的一个侧面(例如，上侧)的部分上。
[0107]
现将参考图13至图18描述用于制造根据一些示例性实施方式的显示装置的基板的方法。
[0108]
图13至图18显示了用于制造根据一些示例性实施方式的显示装置的方法的横截面图。
[0109]
图13显示了用于制备基板200的阶段。
[0110]
参考图13，制备由任何适当的材料，比如，例如，玻璃制成的基板200。基板200的厚度d1可为0.3t至0.4t，并且基板200可包括中心部分和在中心部分的两个侧面上(例如，在沿着中心部分的水平方向的两个相对的侧面上)的外部部分。
[0111]
图14显示了用于附接耐酸膜11和耐酸膜12的阶段。耐酸膜11和耐酸膜12为用于蚀刻的保护膜，包括不与强酸或氢氟酸反应的耐酸材料，并且包括第一耐酸膜11和第二耐酸膜12。
[0112]
参考图14，第一耐酸膜11附接至基板200的上侧，并且第二耐酸膜12附接至基板200的下侧。第一耐酸膜11和第二耐酸膜12可并发(例如，同时)或顺序附接至基板200的上侧和下侧。耐酸膜11和耐酸膜12的厚度可形成为约0.05t，并且耐酸膜11和耐酸膜12可每个配置为(例如，可每个包括)包括粘合剂层和保护层的双层。相应地，第一耐酸膜11的粘合剂层可提供在基板200的上侧和第一耐酸膜11的保护层之间。第二耐酸膜12的粘合剂层可提供在基板200的下侧和第二耐酸膜12的保护层之间。当使用光致抗蚀剂而不是耐酸膜时，当由液体制成的光致抗蚀剂应用至基板200的上侧和下侧时，由液体制成的光致抗蚀剂可流下来。所以，由液体制成的光致抗蚀剂不适用于在基板200的上侧和下侧上进行蚀刻工艺。所以，在一些示例性实施方式中，通过将耐酸膜11和耐酸膜12附接至基板200的上侧和下侧，蚀刻工艺可在基板200的上侧和下侧上更容易地进行。
[0113]
图15显示了用于将紫外线辐射在基板200上的阶段。
[0114]
参考图15，第一金属图案部分13提供在第一耐酸膜11上，并且将紫外线(uv)辐射在基板200的上侧上(例如，辐射在第一金属图案部分13的上侧上并且辐射在暴露的第一耐酸膜11的上侧上)。在一些实施方式中，第二金属图案部分14提供在第二耐酸膜12上，并且将紫外线(uv)辐射在基板200的下侧上(例如，辐射在第二金属图案部分14的下侧上并且辐射在暴露的第二耐酸膜12的下侧上)。在一些实施方式中，第二金属图案部分14的上侧直接接触第二耐酸膜12的部分。
[0115]
第一金属图案部分13提供在与基板200的中心部分重叠的位置处。第一金属图案部分13与第一耐酸膜11不重叠的部分表示与基板200的外部部分重叠的部分。第二金属图案部分14提供在与形成在基板200中的(例如，要形成在基板200中的)凹陷部分201之外的基板200的下侧重叠的部分处。第二金属图案部分14与第二耐酸膜12不重叠的部分表示当蚀刻基板200的下侧时将形成凹陷部分201的部分。耐酸膜11和耐酸膜12中的每个的暴露的部分可暴露于紫外线(uv)(例如，可被紫外线(uv)辐射)，并且可转化成可通过适当的工艺被剥掉的状态。
[0116]
图16显示了用于去除第一耐酸膜11和第二耐酸膜12中的每个的部分的阶段。
[0117]
参考图16，去除基板200的上侧上的第一耐酸膜11的暴露于紫外线(uv)的部分。第
一耐酸膜11的剩余部分在基板200的中心部分处，并且通过第一耐酸膜11可保护中心部分免受强酸或氢氟酸的影响。
[0118]
去除基板200的下侧上的第二耐酸膜12的暴露于紫外线(uv)的部分。第二耐酸膜12的剩余部分与形成在基板200中的(例如，要形成在基板200中的)凹陷部分201之外的基板200的下侧重叠，并且通过第二耐酸膜12可保护与第二耐酸膜12的剩余部分重叠的基板200的下侧的部分免受强酸或氢氟酸的影响。
[0119]
图17显示了用于蚀刻基板200的阶段。
[0120]
参考图17，通过蚀刻基板200的上侧的其中去除了第一耐酸膜11的暴露的部分形成外部部分251和外部部分252。可通过湿法蚀刻工艺形成外部部分251和外部部分252。湿法蚀刻工艺为通过使用可包括氟化氢(hf)的蚀刻剂用于蚀刻基板200的上侧的暴露的部分的工艺。在一些实施方式中，对应于外部部分251和外部部分252的基板200的部分可被蚀刻有大于或等于0.15t的深度。在一些实施方式中，外部部分251和外部部分252可被蚀刻为不同的深度。
[0121]
在一些实施方式中，通过蚀刻基板200的下侧的其中已经去除了第二耐酸膜12的暴露的部分形成凹陷部分201。可通过湿法蚀刻工艺形成凹陷部分201，并且凹陷部分201可从基板200的下侧起形成有约0.005t的深度。
[0122]
图18显示了根据一些示例性实施方式的第二基板200。
[0123]
参考图18，在参考图17描述的蚀刻工艺之后，去除第一耐酸膜11和第二耐酸膜12。相应地，可形成在基板200的下侧上包括凹陷部分201的基板200，其中基板200的中心部分250的厚度d1可为0.3t至0.4t，并且外部部分251和外部部分252的厚度d2和厚度d5分别可形成为小于或等于0.25t。
[0124]
根据一些示例性实施方式，关于在光透射区(ta)中包括凹陷部分201的基板200，可在用于蚀刻凹陷部分201的工艺中(例如，在相同的工艺期间)蚀刻基板200的外部部分251和外部部分252，从而减少加工阶段的数量和提高生产力。
[0125]
根据一些示例性实施方式，在显示装置的制造期间，可如参考图5至图10描述来制造包括中心部分150以及外部部分151和外部部分152的第一基板100，并且第一基板100和第二基板200可通过密封部分30彼此结合。相应地，第一基板100和第二基板200的外部部分的厚度分别形成为每个小于或等于0.25t，从而允许通过切割轮700的单位切割工艺(例如，切割以形成显示单元)。
[0126]
现将参考图19和图20描述根据一些示例性实施方式的包括凹陷部分的显示装置。
[0127]
图19显示了根据一些示例性实施方式的显示装置的平面图，并且图20显示了沿着图19的线xx-xx’截取的显示装置的横截面图。参考图19和图20描述的根据一些示例性实施方式的显示装置类似于参考图11和图12描述的根据一些示例性实施方式的显示装置。所以，将聚焦和描述差异，并且可不重复冗余的描述。
[0128]
参考图19，根据一些示例性实施方式的显示装置包括：占据显示装置的前侧(例如，上侧)的大部分的显示区(da)；为围绕显示区(da)的外周区的非显示区(pa)；和在显示区(da)中透射光的第一光透射区(ta1)和第二光透射区(ta2)。
[0129]
参考图20，第二基板200的中心部分250在面对第一基板100的一个侧面(例如，下侧)上包括第一凹陷部分201和第二凹陷部分202。
[0130]
第一凹陷部分201和第二凹陷部分202分别对应于图19的第一光透射区(ta1)和第二光透射区(ta2)。显示元件110不在对应于第一凹陷部分201和第二凹陷部分202的部分处，并且光学元件，比如，例如，照相机和传感器可在第一基板100的下侧上。光学元件(例如，照相机和传感器)可紧密地附接至第一基板100的下侧，使得增加透光度。
[0131]
第一凹陷部分201和第二凹陷部分202在显示区(da)中，所以显示元件110的部分在第一凹陷部分201和第二凹陷部分202之间的区中。
[0132]
随着第一基板100的外部部分151和外部部分152以及第二基板200的外部部分251和外部部分252的厚度形成为(例如，已经形成为)小于或等于0.25t(例如，随着第一基板100的外部部分151和外部部分152以及第二基板200的外部部分251和外部部分252的厚度形成为(例如，已经形成为)小于或等于0.25t之后)，制造根据一些示例性实施方式的显示装置的方法可包括通过切割轮700的单位切割工艺(例如，切割以形成显示单元)。在一些实施方式中，单位切割工艺(例如，切割以形成显示单元)可在密封区(sa)中进行，从而减少基板的死空间并且减少加工外部部分的成本。
[0133]
尽管该本公开已经描述了一些示例性实施方式，但是应理解，本公开不限于公开的实施方式，而是旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。