技术总结
本公开涉及一种集成芯片。所述集成芯片包括：源极区，设置在衬底内；以及漏极区，设置在衬底内。漏极区沿第一方向与源极区隔开。漂移区在源极区与漏极区之间设置在衬底内，且多个隔离结构设置在漂移区内。栅极电极设置在衬底内。栅极电极具有基础区及多个栅极延伸部，所述基础区设置在源极区与漂移区之间，所述多个栅极延伸部从基础区的侧壁向外延伸到所述多个隔离结构之上。个隔离结构之上。个隔离结构之上。
技术研发人员：陈志彬 刘铭棋
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.08.26
技术公布日：2021/3/4