1.一种调整ldmos晶体管中氧化物场板角度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成第一氧化膜层；
执行第一次退火工艺；
在所述第一氧化膜层上形成第二氧化膜层，使得第二氧化膜层与第一氧化膜层构成场氧化膜层；以及
湿法刻蚀所述场氧化膜层，以形成氧化物场板，从而形成ldmos晶体管。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化膜层的厚度大于等于
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一次退火工艺为快速退火工艺。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第一氧化膜层上通过若干次的化学气相沉积的方式形成第二氧化膜层，且所述第二氧化膜层的厚度大于等于
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二氧化膜层通过一次的化学气相沉积的方式形成第二氧化膜层。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二氧化膜层通过两次以上的化学气相沉积的方式形成第二氧化膜层，此时，所述第二氧化膜层包括第一子氧化膜层至第n子氧化膜层，其中，n≥2，其中，n≥2。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成第一子氧化膜层至第n子氧化膜层中的部分子氧化膜层之后还包括一退火工艺。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成第一子氧化膜层至第n-1子氧化膜层中每一个氧化膜层之后均包括一退火工艺。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，湿法刻蚀所述场氧化膜层，以形成氧化物场板具体包括以下步骤：
在所述场氧化膜层上形成硬掩模层和图形化的光刻胶层；
以图形化的所述光刻胶层为掩模，刻蚀所述硬掩模层，以形成图形化的硬掩模层；
以图形化的所述光刻胶层和图形化的所述硬掩模层为掩模，湿法刻蚀所述场氧化膜层，以形成场氧化膜层；以及
依次清除所述光刻胶层以及所述硬掩模层。