1.一种冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层为冠醚类材料掺杂的spiro-ometad，其中，冠醚类材料与spiro-ometad的摩尔比为(0.0003～0.0093)：1。
2.根据权利要求1所述的冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层，其特征在于，所述冠醚类材料为冠醚、杂原子冠醚和冠醚衍生物中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层，其特征在于，所述冠醚为12-冠醚-4、15-冠醚-5、苯并-15-冠醚-5、18-冠醚-6、苯并-18-冠醚-6、二苯并-18-冠醚-6、二苯并-21-冠醚-7、二苯并-24-冠醚-8、二苯并-30-冠醚-10中的一种或几种。
4.根据权利要求2所述的冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层，其特征在于，所述杂原子冠醚为硫杂冠醚、氮杂冠醚、硒杂冠醚。
5.根据权利要求2所述的冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层，其特征在于，所述冠醚衍生物为球醚或穴醚。
6.一种冠醚类材料掺杂spiro-ometad的空穴传输层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、将li-tfsi加入有机溶剂中，搅拌混合均匀，得到质量浓度为400～600mg/ml的li-tfsi溶液；
步骤2、将spiro-ometad加入有机溶剂中，搅拌混合均匀，得到质量浓度为50～100mg/ml的spiro-ometad溶液；
步骤3、量取步骤1的li-tfsi溶液、4-叔丁基吡啶(tbp)、冠醚类材料加入步骤2得到的spiro-ometad溶液中，搅拌混合均匀，得到混合液a；其中，混合液a中，spiro-ometad的浓度为46～96mg/ml，li-tfsi的浓度为6～12mg/ml，tbp的浓度为0～30mg/ml，冠醚类材料的浓度为0.3～55mmol/l；
步骤4、采用旋涂的方法将步骤3得到的混合液a涂覆至电子传输层上，旋涂转速为2000～4000rpm，时间为20～40s，即可得到所述空穴传输层。
7.一种钙钛矿太阳能电池，包括导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极，其特征在于，所述空穴传输层为权利要求1-5任一项所述空穴传输层。
8.一种钙钛矿太阳能电池，包括导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极，其特征在于，所述空穴传输层为权利要求6所述方法得到的空穴传输层。