一种晶圆传输系统及半导体设备的制作方法

1.本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种晶圆传输系统及半导体设备。


背景技术：

2.晶圆传输设备(wafer transfer system,wts)主要应用于扩散工艺设备(diffusion furnace)和槽式清洗设备(bench wet clean)上的晶圆批量传输，wts系统通常一次可以取放25片晶圆。在部分半导体制程工艺生产过程当中，需要对晶圆背面进行研磨处理，背面研磨制程完成后,一般需要将wts系统将晶圆传送至晶圆清洗装置进行清洗制程。
3.wts系统包括晶圆暂存区(buffer station)与机械手。晶圆暂存区，主要作为晶圆的中转站或暂存站，多用于将加工前和加工后的晶圆做防污染隔离处理或用于传送超过25片晶圆的汇聚整合装置。晶圆暂存区(buffer station)一般为竖立放置及横向放置两种方式，最大槽位数可以是任意数量并至少大于等于1个槽位，并根据设备尺寸或工艺生产需求而定。在八寸及以下尺寸的晶圆制造过程中通常采用竖立放置的方式。
4.现有技术中的wts系统的机械手的手臂末端取放装置结构是固定的，不具备调整尺寸功能，经不同工艺处理后汇聚在wts系统中同一个晶圆暂存区中的晶圆厚度产生差异，同时晶圆重量也会产生差异。尤其是经研磨或者蚀刻减薄后晶圆的重量与未减薄晶圆的重量具有明显差异，当此差异超出取放晶圆的机械手臂固定式末端取放装置的最大伺服能力，会导致wts系统的机械手传抓取并传送晶圆的过程中存在掉片或碎片等风险。
5.有鉴于此，有必要对现有技术中的晶圆传输系统予以改进，以解决上述问题。


技术实现要素：

6.本发明的目的在于揭示一种晶圆传输系统以及基于该晶圆传输系统的一种半导体设备，用以解决传统的晶圆传输系统在抓取并传输晶圆过程中可能发生的掉片或碎片等不良现象，实现对不同厚度的晶圆执行夹持操作，提高晶圆传输系统对晶圆执行夹持操作的可靠性。
7.为实现上述第一个发明目的，本发明提供一种晶圆传输系统，包括：
8.缓存台，设置于缓存台上方的若干用于检测晶圆重量的压力检测单元，光电检测单元，以及拾取单元；
9.所述拾取单元包括两个平行设置的转动式抓取板，所述转动式抓取板沿其延伸方向的至少一条侧边形成承托晶圆边缘并具第一缺口的固定叉齿部，所述拾取单元根据光电检测单元及压力检测单元发送的检测信号，以确定转动式抓取板的轴向转动角度。
10.作为本发明的进一步改进，所述压力检测单元包括：
11.本体，设置于本体两端并内置压力传感器的支撑座，所述支撑座的顶部设置收容晶圆边缘的缺口部，所述压力检测单元呈薄片状且平行贴合设置；所述压力传感器独立采集每片搁置于压力传感器上晶圆的重量数据，并发送至拾取单元。
12.作为本发明的进一步改进，所述光电检测单元包括：至少一个检测板，所述检测板沿其延伸的一侧设置若干呈线性间隔排布的光电传感器。
13.作为本发明的进一步改进，还包括：
14.光学检测单元；
15.所述光学检测单元包括沿晶圆厚度方向移动的第一伺服系统及成像单元，所述成像单元受控于第一伺服系统并执行纵向移动，以依次获取每片晶圆的厚度数据，并将厚度数据发送至拾取单元。
16.作为本发明的进一步改进，所述转动式抓取板的两条平行布置的侧边分别形成固定叉齿部，所述两条侧边上的固定叉齿部的开口尺寸相同或者不同。
17.作为本发明的进一步改进，所述拾取单元还包括：
18.两个平行设置的连接臂、两根转轴和安装座，所述两个连接臂通过所述两根转轴相连，每根所述转轴上均配置有所述安装座，所述转动式抓取板与所述安装座固定连接，以及
19.设置于所述连接臂的自由端的至少两个用于驱动转轴的第二伺服机构；
20.所述第二伺服机构驱动转轴转动，驱动转动式抓取板同步对向翻转，以通过所述具第一缺口的固定叉齿部承托晶圆的底部边缘。
21.作为本发明的进一步改进，所示拾取单元还包括：至少一排活动叉齿以及驱动所述活动叉齿作伸缩运动的驱动机构；
22.所述活动叉齿具有与所述第一缺口的开口尺寸不同的第二缺口，所述第二缺口的开口方向与所述第一缺口的开口方向呈同向配置；所述第二伺服机构驱动转轴转动，驱动所述转动式抓取板同步对向翻转，以通过所述固定叉齿部的第一缺口或者所述活动叉齿的第二缺口承托晶圆的底部边缘。
23.作为本发明的进一步改进，所述拾取单元包括两排配置于固定叉齿部的活动叉齿，所述两排活动叉齿配置于所述转动式抓取板的同一侧面或相对的两个不同侧面基于相同发明思想，本技术还揭示了一种半导体设备，包括：
24.半导体设备前端模块；以及
25.置于所述半导体设备前端模块中的如上述任一项发明所述的晶圆传输系统；
26.所述半导体设备至少为执行扩散制程的半导体设备、执行化学机械研磨制程的半导体设备执行槽式清洗制程的半导体设备或者执行湿法蚀刻制程的半导体设备。
27.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
28.在本技术中，至少通过压力检测单元及光电检测单元，实现了对减薄后晶圆的实时且高效检测，并将不同厚度或者重量的检测数据发送至具转动式抓取板的拾取单元，通过转动式抓取板所设置的固定叉齿部或者活动叉齿承托晶圆边缘，从而有效地避免了晶圆传输系统在抓取并传输晶圆过程中可能发生的掉片或碎片等不良现象，实现了对不同厚度的晶圆执行夹持操作，从而提高了晶圆传输系统对晶圆夹持的可靠性。
附图说明
29.图1为本发明一种晶圆传输系统中包含光电检测单元及压力检测单元的立体图；
30.图2为本发明一种晶圆传输系统中包含的光学检测单元对垂直状态布置的若干片
晶圆进行检测以获取每片晶圆的厚度数据的示意图；
31.图3为图2所示出的单个压力检测单元的立体图；
32.图4为本发明一种晶圆传输系统中的拾取单元的立体图；
33.图5为拾取单元中所包含的一个转动式抓取板的主视图；
34.图6为图5中箭头m所示出区域的局部放大示意图；
35.图7为图5中箭头n所示出区域的局部放大示意图；
36.图8为图5中的转动式抓取板的立体图；
37.图9为图8中箭头c所示出区域的局部放大示意图；
38.图10为图8中箭头d所示出区域的局部放大示意图；
39.图11为拾取单元中所包含的两个对称设置的转动式抓取板执行转动过程中对上升后的晶圆执行转运的工作过程示意图，其中，虚线圆圈为未上升的晶圆，实线圆圈为上升后并被两个转动式抓取板所叉举的晶圆；
40.图12为转动式抓取板在一种变形例中的侧视图；
41.图13为转动式抓取板在另一种变形例中的侧视图。
具体实施方式
42.下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本发明的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代，均属于本发明的保护范围之内。
43.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”、“正方向”、“负方向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
44.实施例一：
45.参图1至图11所揭示的本发明一种晶圆传输系统的第一种具体实施方式。
46.在本实施例中，一种晶圆传输系统，包括：缓存台34，设置于缓存台34上方的若干用于检测晶圆重量的压力检测单元35，光电检测单元，以及拾取单元。拾取单元包括两个平行设置的转动式抓取板40，转动式抓取板40沿其延伸方向的至少一条侧边形成承托晶圆边缘并具第一缺口420的固定叉齿部42，拾取单元根据光电检测单元及压力检测单元检测并发送的检测信号，以确定转动式抓取板40的轴向转动角度为沿图4中轴a沿箭头b所示出的方向转动方向所形成的转动角度。优选的，所示拾取单元还包括：至少一排活动叉齿以及驱动所述活动叉齿作伸缩运动的驱动机构。
47.具体的，该转动式抓取板40的转动方向可为顺时针，也可为逆时针，但是两个转动式抓取板40必须保证同步对向转动，且当两个转动式抓取板40呈垂直状态时两块转动式抓取板40之间的形成的水平直线距离必须大于晶圆50的直径。
48.参图1所示，光电检测单元包括：至少一个检测板49，检测板49沿其延伸的一侧设置若干呈线性间隔排布的光电传感器491。检测板49可在外部伺服机构(未示出)的控制下
作上下移动。当晶圆50的局部(通常是呈垂直布置的晶圆50的水平边缘处)遮挡若干呈线性间隔排布的光电传感器491之间发射的光线(例如红外线)时，由光电传感器491向上位机(例如plc控制器或者工控机或者具有独立逻辑运算单元的装置)发送使能信号或者高电平信号，从而确定放置在压力检测单元35上的晶圆50是否存在缺失或者位置偏离正常的预设位置的检测信号。
49.在实际使用中，光电检测单元可由两个平行设置的检测板49组成，此时呈线性间隔排布的光电传感器491设置于两个检测板49的对向内侧，且检测板49的间距大于待测晶圆50的直径，同时必须确保当光电检测单元垂直上下运动时，晶圆50的部分边缘能够掠过光电传感器491，以使得晶圆50能够被该光电传感器491所检测到。需要说明的是，在本实施例中，该光电检测单元还可仅由一个检测板49组成。
50.图1与图3所示中，该压力检测单元35包括：本体351，设置于本体351两端并内置压力传感器的支撑座352，支撑座352的顶部设置收容晶圆边缘的缺口部3521，压力检测单元35呈薄片状且平行贴合设置。压力传感器独立采集每片搁置于支撑座352上晶圆50的重量数据，并发送至拾取单元(参图4所示)。相邻两个压力检测单元35之间形成间隙354。至于本体351所配置的垂直布置的压力检测单元35的数量可根据实际使用场景而定，并优选为二十五个或者五十个。
51.在本实施例中，该本体351设置于半导体设备内部。缺口部3521沿图4中轴a方向上所形成的(横向)宽度至少大于晶圆50的厚度，以可靠地收容晶圆50的边缘。采用多片压力检测单元35以平行且密集方式设置于缓存台34上，每片压力检测单元35通过独立的导线353连接至上位机，并由上位机根据所有压力检测单元35所独立发送的包含晶圆50的重量数据的检测信号，从而确定某种具体尺寸的晶圆50的厚度。由于六寸或者八寸及其以上等规格尺寸的晶圆50的厚度与重量具有相对固定的关系，因此可根据垂直放置在多个压力检测单元35上每片晶圆50所具有的重量数据换算出对应每片晶圆50的厚度数据并发送至图4所示出的拾取单元，鉴于晶圆重量与厚度之间的关系及换算方法是成熟的现有技术，故在本实施例中不再赘述。
52.结合图2所示，在本实施例中，该晶圆传输系统还包括：光学检测单元30。该光学检测单元30包括沿晶圆厚度方向移动的第一伺服系统及成像单元33，成像单元33受控于第一伺服系统并执行纵向移动，以依次获取每片晶圆50的厚度数据，并将厚度数据发送至拾取单元。成像单元33所执行的纵向移动方向为图4所示出的轴a方向。第一伺服系统由框架30，横置于框架30的导引杆31，以及在导引杆31上作往复运动并内置动力机构的滑动座32组成。动力机构可为微型伺服电机或者微型步进电机。动力机构可通过皮带传动或者齿轮机构整体地驱动滑动座32在导引杆31上作纵向直线运动。
53.同时，通过成像单元33逐一拍摄每片晶圆50，以获得每片晶圆50的厚度数据，并将厚度数据发送至上位机。由于晶圆50减薄后的厚度与正常晶圆的厚度(0.725mm)会发生明显的降低，因此对每片晶圆50的厚度数据予以在线实时检测，以为拾取单元的两个转动式抓取板40选用合适的侧边上的固定叉齿部或者活动叉齿承托晶圆50的边缘提供准确的检测结果(即每片晶圆的厚度数据与重量数据)。成像单元33可采用高精度图像传感器，例如cmos或者ccd芯片及光学镜头组成。
54.尤其需要说明的是，本实施例所示出的晶圆传输系统可以省略配置该光学检测单
元。
55.同时，在晶圆50所历经的各种半导体制程中，晶圆50的厚度也可可能因为薄膜沉积工艺、外延层工艺、晶圆键合工艺(wafer bonding)等情形时，晶圆的厚度也可能发生变化，甚至位于同一个lot中的晶圆50的厚度都可能存在不同。因此，本实施例所揭示的晶圆传输系统，尤其是晶圆传输系统所包含的拾取单元旨在实现对不同厚度的晶圆50实现可靠地抓取，防止晶圆50在被拾取单元抓取并转运至晶圆暂存区(buffer station)的过程中发生掉片或者破片等风险。
56.参图4与图5所示，拾取单元中的转动式抓取板40的两条平行布置的侧边分别形成固定叉齿部42，两条侧边上的固定叉齿部42的开口尺寸可以相同也可不同。其中，开口尺寸为固定叉齿部42的第一缺口420及活动叉齿的第二缺口433,453的开口宽度和/或开口径向深度。上位机接收到每片晶圆50的重量数据、晶圆50是否存在缺失等检测信号后，发送至上位机并由上位机换算出晶圆50的片数、厚度的检测结果，并由拾取单元根据前述检测结果，由第二伺服机构24驱动转轴22同步对向转动两个转动式抓取板40，以确定使用转动式抓取板40的哪一条侧边所形成的固定叉齿部42承托晶圆50的底部边缘。在对于处理不同厚度(或者重量)晶圆50的过程中，则在两条侧边上设置开口尺寸不同的固定叉齿部42，以对不同厚度(或者重量)的晶圆50进行高效的抓取与传输。
57.参图4所示，在本实施例中，该拾取单元还包括：两个平行设置的连接臂10、两根转轴22和安装座21，两个连接臂通过两根转轴22相连，每根转轴22上均配置有安装座21，转动式抓取板40与安装座21固定连接，以及设置于连接臂10的自由端的至少两个用于驱动转轴22的第二伺服机构24。第二伺服机构24驱动转轴22转动，驱动转动式抓取板40同步对向翻转，以通过所述固定叉齿部承托晶圆50的底部边缘。第二伺服机构24驱动转轴22以轴a所示出的轴向方向整体驱动安装座21及转动式抓取板40沿箭头b所示出的转动方向在在设定的转动角度范围内予以枢转。
58.进一步优选的，在本实施例中，安装座21与转动式抓取板40可拆卸式装配，以便于配置固定叉齿部42所具有的不同开口尺寸的转动式抓取板40的更换，从而更好地适应不同尺寸规格的晶圆50的抓取操作。连接臂10分别位于两个平行设置的转轴22的横向端部。
59.结合图5至图11所示，在本实施例中，该拾取单元还包括：至少一排活动叉齿及驱动活动叉齿作伸缩运动的驱动机构，活动叉齿具有与第一缺口420的开口尺寸不同的第二缺口433，453，第二缺口433,453的开口方向与第一缺口420的开口方向呈同向配置。具体的，该驱动机构可为气缸。第二伺服机构24驱动转轴转动，驱动转动式抓取板40同步对向翻转，以通过所述固定叉齿部42或者活动叉齿承托晶圆50的底部边缘。
60.可选地，拾取单元包括两排配置于固定叉齿部42的活动叉齿，两排活动叉齿配置于所述转动式抓取板40的同一侧面。
61.更具体的，参图5、图9及图10所示，每个转动式抓取板40包括呈矩形平面状的基板41，基板41的两条侧边分别形成固定叉齿部42。基板41的一个侧面上设置连接件421与连接件411。一排气缸45固定设置于连接件421，每个气缸45通过伸缩杆451连接具有第二缺口453的活动叉齿452，活动叉齿452的末端形成用于承托晶圆50的边缘的第二缺口453。同时，另一排气缸43固定设置于连接件411，每个气缸43通过伸缩杆431连接具有第二缺口433的活动叉齿432，活动叉齿432的末端形成用于承托晶圆50的边缘的第二缺口433。多片平行设
置的晶圆50的边缘被基板41的侧边区域200与区域300中的固定叉齿部42或者活动叉齿432(或者活动叉齿452)所形成的第二缺口433(或者第二缺口453)共同插取并夹持。该转动式抓取板40中的每一排气缸45或者每一排气缸43中的每个气缸都可以独立地执行伸缩运动。
62.结合图5、图9与图10所示，在本实施例中，气缸45独立地驱动活动叉齿452伸长至图9中所示出的活动叉齿452a所在的状态，气缸43独立地驱动活动叉齿432伸长至图10所示出的活动叉齿432a所在的状态，并通过一个或者多个活动叉齿452a以及一个或者多个活动叉齿432a夹持晶圆50的边缘，或者通过一个或者多个活动叉齿452a以及另一条侧边的固定叉齿部42夹持晶圆50的边缘，或者不伸长气缸而仅通过两条侧边的固定叉齿42夹持晶圆50的边缘。
63.作为本实施例的合理变形，还可仅在转动式抓取板40的一条侧边形成承托晶圆边缘的固定叉齿部42。第二伺服机构24驱动转轴22转动转动式抓取板40，并使用两个转动式抓取板40所配置的固定叉齿部42承托晶圆50的边缘。
64.结合图6所示，在本实施例中，活动叉齿452末端形成的第二缺口453与固定叉齿部42所形成的第一缺口420的开口方向相同。第一缺口420的夹角α的开口角度大于第二缺口453的夹角β的开口角度，从而使得通过两个活动叉齿452所形成的第二缺口453能够夹持减薄后的晶圆50的边缘。每个气缸45可单独推动或者拉伸，从而单独地驱动一个或者多个活动叉齿452伸长或者缩回，以合理地选择第一缺口420或者第二缺口453夹持晶圆50的边缘。在本实施例中，相邻两个活动叉齿452之间形成纵向距离(沿图4中轴a所在的方向上)为d2的间隙455。
65.结合图7所示，在本实施例中，活动叉齿432末端形成的第二缺口433与另一侧的固定叉齿部42所形成的第一缺口420的开口方向相同。第一缺口420的夹角α的开口角度大于第二缺口433的夹角β的开口角度，从而使得通过两个活动叉齿452所形成的第二缺口433能够夹持减薄后的晶圆50的边缘。每个气缸45可单独推动或者拉伸，从而单独地驱动一个或者多个活动叉齿452伸长或者缩回，以合理地选择第一缺口420或者第二缺口433夹持晶圆50的边缘。在本实施例中，另一条侧边所形成的固定叉齿部42形成间距为d1的间隙435，并使得区域300中所配置的活动叉齿432的数量为区域200中所配置的活动叉齿452的数量的一半，由此使得该晶圆传输系统所抓取的晶圆50的最大数量可分别为五十片与二十五片，以便于不同半导体工艺制程的实际需求。尤其的，需要说明的是，还可将第一缺口420的开口尺寸设置为小于第二缺口433(或者第二缺口453)的开口尺寸，从而将通过该转动式抓取板40夹持厚度增加后的晶圆50。
66.基于前述获得的包含重量数据与厚度数据的检测结果，由上位机于转动式抓取板40上设置的不同开口尺寸的固定叉齿部42或者活动叉齿中选择合适的叉齿，并由第二伺服机构24同步驱动两个转轴22转动，从而同步驱动两个转动式抓取板40沿轴a并沿箭头b所示出的方向作枢转运动，使得合适的叉齿承托晶圆50的下侧边缘。然后，由选取的与当前晶圆50的厚度最适配的固定叉齿部42承托晶圆50的下侧边缘并整体提升多个晶圆50。具体地，控制缓存台34向上运动，以带动以垂直姿态放置于压力检测单元35上的晶圆50由位置50a向上运动至预设的中转位置50b。此时，两个转动式抓取板40处于虚线所示出的位置40a。然后对向同步转动两个转动式抓取板40(参图11中箭头b所示出的方向)，使得两个转动式抓取板40上的所选定的合适叉齿开口相向而对，然后控制缓存台34向下运动，以带动以垂直
姿态放置于压力检测单元35上的晶圆50向下运动至所述的合适叉齿卡住晶圆50，从而实现通过拾取单元对已经呈垂直姿态放置在压力检测单元35上的晶圆50进行抓取，并转运到半导体设备的清洗槽(未示出)中以执行湿法蚀刻或者酸液清洗的半导体制程。优选的，两个转动式抓取板40保持垂直状态时相互之间的距离大于晶圆的直径，并且两个转动式抓取板40在晶圆50上升运动过程中保持垂直或者基本垂直状态，以避免触碰损伤晶圆50。通过第二伺服机构24驱动转轴22转动转动式抓取板40，并使得两个转动式抓取板40沿箭头b所示出的逆向方向转动作枢转运动至垂直姿态，然后整体提升该拾取单元，以释放晶圆50。在本实施例中，缓存台34可通过现有技术中的导轨、气缸及伺服机构执行平移运动、上升运动及下降运动。
67.最后，在本实施例中，转动式抓取板沿其延伸方向的两条侧边形成承托晶圆边缘且开口尺寸相同的固定叉齿部，即两条侧边的固定叉齿部的第一缺口420的开口尺寸相同。当然，也可将转动式抓取板沿其延伸方向的两条侧边形成承托晶圆边缘且开口尺寸不同的固定叉齿部。
68.基于本实施例所揭示的晶圆传输系统，解决了采用一个平板状的转动式抓取板40的两条侧边上设置夹持晶圆边缘的固定叉齿部的开口尺寸单一所导致的无法有效适应不同厚度晶圆的夹持需求，其能够适应晶圆50因厚度发生增加或者减少或者同一个lot中的不同晶圆50形成不同厚度的使用场景中对晶圆50执行抓取及转运操作，从而更为有效地提高了本实施例所揭示的晶圆传输系统对晶圆50夹持的可靠性，防止晶圆50因厚度发生变化所可能导致在夹持过程中出现掉片的情形。
69.实施例二：
70.参图12所示，本实施例揭示了一种晶圆传输系统的另一种具体实施方式。本实施例与实施例一所揭示的晶圆传输系统所存在的主要区别在于，在本实施例中，拾取单元包括两排配置于固定叉齿部的活动叉齿，所述两排活动叉齿配置于所述转动式抓取板40的两个相对的不同侧面。
71.具体的，在本实施例中，活动叉齿45a与活动叉齿43a分别位于基板41a的两个相对的不同侧面，并可根据晶圆50的实际厚度数据，驱动活动叉齿45a与活动叉齿43a分别沿箭头d及箭头d’所示出的方向伸长或者缩回，以选择与晶圆50的厚度最匹配的开口尺寸的第一缺口420或者第二缺口433(或者第二缺口453)。
72.在实际使用中，可通过第二伺服机构24驱动转轴22转动，驱动转动式抓取板40同步对向翻转，以通过任何一个与晶圆50的厚度最适配的侧边的固定叉齿部或者活动叉齿共同承托晶圆50的底部边缘，以共同夹持并抓取晶圆50。
73.本实施例所示出的晶圆传输系统与实施例一所示出的晶圆传输系统具有相同部分的技术方案，请参实施例一所示，在此不再赘述。
74.实施例三：
75.参图13所示，本实施例揭示了一种晶圆传输系统的另一种具体实施方式。本实施例与实施例二所揭示的晶圆传输系统所存在的主要区别在于，在本实施例中，拾取单元包括一排配置于固定叉齿部的活动叉齿。
76.具体的，在本实施例中，活动叉齿45a分别位于基板41b的任意一侧，并可根据晶圆50的实际厚度数据，驱动活动叉齿45a分别沿箭头d所示出的方向伸长或者缩回，以选择与
晶圆50的厚度最匹配的开口尺寸的第一缺口420或者第二缺口433共同承托晶圆50的底部边缘，以共同夹持并抓取晶圆50。
77.本实施例所示出的晶圆传输系统与实施例一和/或实施例二所示出的晶圆传输系统具有相同部分的技术方案，请参实施例一和/或实施例二所示，在此不再赘述。
78.实施例四：
79.基于实施例一至实施例三所揭示的一种晶圆传输系统所包含的技术方案，本实施例还揭示了一种半导体设备，包括：
80.半导体设备前端模块；以及置于所述半导体设备前端模块中的如实施例一所揭示的晶圆传输系统。晶圆传输系统可配置于半导体设备前端模块(equipment front end module,efem)中或者传递晶圆的场景中。
81.本实施例所示出的半导体设备至少为执行扩散制程的半导体设备、执行化学机械研磨制程的半导体设备执行槽式清洗制程的半导体设备或者执行湿法蚀刻制程的半导体设备。基于扩散制程、化学机械研磨制程、槽式清洗制程或者湿法蚀刻制程中，晶圆的厚度的重量会发生较大变化，因此使用实施例一至实施例三中任意一种或者几种实施例相互结合的晶圆传输系统，能够显著地提高了传递及夹持晶圆过程中的可靠性，防止发生掉片与破片的发生。
82.本实施例所示出的半导体设备与实施例一至实施例三中具有相同部分的技术方案，请参实施例一至实施例三所示，在此不再赘述。
83.上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
84.对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
85.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。