1.一种芯片的封装结构，其特征在于，其包括第一塑封体、塑封料ⅱ（610）、再布线金属层（710）、钝化层ⅱ（810）和金属连接件ⅱ（900），
所述第一塑封体包括具有有源表面的芯片单元本体（10）和塑封料ⅰ（510），所述芯片单元本体（10）的有源表面设置有若干个芯片电极（113），所述芯片单元本体（10）的有源表面和芯片电极（113）的上表面设置有钝化层ⅰ（210）和钝化层ⅰ开口（213），所述钝化层ⅰ开口（213）内设置绝缘层ⅰ（310）和绝缘层ⅰ开口ⅰ（311），所述绝缘层ⅰ开口ⅰ（311）露出芯片电极（113）的上表面，所述绝缘层ⅰ开口ⅰ（311）内设置金属连接件ⅰ，所述金属连接件ⅰ通过绝缘层ⅰ开口ⅰ（311）与芯片电极（113）连接，所述塑封料ⅰ（510）将金属连接件ⅰ进行塑封，其上表面与金属连接件ⅰ的上表面齐平；
所述塑封料ⅱ（610）包覆第一塑封体的四周和背面，形成第二塑封体，其上表面与第一塑封体的上表面齐平；
所述再布线金属层（710）设置于第二塑封体上方，所述再布线金属层（710）包括若干层金属层和绝缘填充层，上下相邻的金属层之间选择性连接，绝缘填充层设置于金属层之间，所述再布线金属层（710）的最下起始层设置下层焊盘（713）、最上终止层设置上层焊盘（715），所述下层焊盘（713）和上层焊盘（715）均露出绝缘填充层，其中所述下层焊盘（713）与第一塑封体的金属连接件ⅰ的上表面连接；
所述再布线金属层（710）上方设置钝化层ⅱ（810）和钝化层ⅱ开口（813），所述钝化层ⅱ开口（813）露出再布线金属层（710）的上层焊盘（715）；
所述钝化层ⅱ（810）上方设置金属连接件ⅱ（900），所述金属连接件ⅱ（900）与再布线金属层（710）的上层焊盘（715）连接。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属连接件ⅰ由下而上依次设置粘附阻挡层（410）、金属种子层ⅰ和金属凸块（430），所述粘附阻挡层（410）是一层或两层材料构成的复合层。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述金属凸块（430）的横截面形状包括但不限于矩形、圆形或椭圆形。
4.根据权利要求2或3所述的封装结构，其特征在于，所述金属种子层ⅰ和金属凸块（430）为一体结构。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属连接件ⅱ（900）由下而上依次包括粘附层（910）、金属种子层ⅱ、金属柱（920）和焊锡球（950）。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述金属种子层ⅱ和金属柱（920）为一体结构，所述金属柱（920）的横截面形状包括但不限于矩形、圆形或椭圆形。
7.一种芯片的封装结构的封装方法，工艺步骤如下：
步骤一，取一集成电路晶圆（100），其上表面设有芯片电极（113）和钝化层ⅰ（210），芯片电极（113）在集成电路晶圆（100）内实现电通讯并部分露出钝化层ⅰ开口（213），形成芯片电极（113）的输入/输出端；
步骤二，在钝化层ⅰ（210）上通过光刻的方法设置绝缘层ⅰ（310）和绝缘层ⅰ开口ⅰ（311）、划片道（313），绝缘层ⅰ开口ⅰ（311）露出芯片电极（113）的输入/输出端，划片道（313）呈横向和纵向垂直交织，将集成电路晶圆（100）预划分为复数颗阵列排布的芯片单元本体（10）；
步骤三，通过溅射的方法，在绝缘层ⅰ开口ⅰ（311）内设置粘附阻挡层（410）；再依次通过溅射、光刻、电镀、去胶及腐蚀的方法，在粘附阻挡层（410）上依次设置金属种子层ⅰ和金属凸块（430）；
步骤四，于绝缘层ⅰ（310）上方，用塑封料ⅰ（510）将粘附阻挡层（410）、金属种子层ⅰ和金属凸块（430）进行第一次塑封，形成第一塑封体；
步骤五，通过研磨的方式去除晶圆（100）表面多余的塑封料ⅰ（510），露出金属凸块（430）的上表面，形成金属柱的输入/输出端（431）；
步骤六，将晶圆（100）背面减薄并切成复数颗正面受保护的芯片单体（ⅰ）；
步骤七，通过键合方法，将芯片单体（ⅰ）按照一定的顺序倒置排放在贴有临时键合膜（l2）的载片（l1）上；
步骤八，在载片（l1）上使用塑封料ⅱ（610）将芯片单体（ⅰ）进行第二次塑封，形成第二塑封体；
步骤九，通过解键合方法去除载片（l1）及临时键合膜（l2），露出芯片单体（ⅰ）的金属柱的输入/输出端（431），完成重构晶圆；
步骤十，通过金属再布线工艺，在重构晶圆表面设置再布线金属层（710），再布线金属层（710）包括若干层金属层和绝缘填充层，上下相邻的金属层之间选择性连接，绝缘填充层设置于金属层，起绝缘保护作用，再布线金属层（710）的最下起始层设置下层焊盘（713）、最上终止层设置上层焊盘（715），下层焊盘（713）和上层焊盘（715）均露出绝缘层，其中下层焊盘（713）与第一塑封体的金属连接件ⅰ的上表面连接；
步骤十一，通过光刻的方法，在再布线金属层（710）上方设置钝化层ⅱ（810）和钝化层ⅱ开口（813），钝化层ⅱ开口（813）露出再布线金属层（710）的上层焊盘（715）；
步骤十二，再次通过溅射的方法，在钝化层ⅱ开口（813）内设置粘附层（910）；再依次通过溅射、光刻、电镀、去胶及腐蚀的方法，在粘附层（910）上依次设置金属连接件ⅱ（900），金属连接件ⅱ（900）由下而上依次包括金属种子层ⅱ、金属柱（920）和焊锡球（950）；
步骤十三，通过划片的方法，将上述塑封体切割成复数颗芯片封装单体。
8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，步骤三中，所述金属凸块（430）通过化学镀的方法形成。
9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，其步骤四至步骤五中，还包括如下工艺：在步骤四中，对于晶圆（100）中有对位标记的芯片单体（ⅰ），分别在芯片单体（ⅰ）的正面的原有对位标记（120）处设置对位标记保护块（150），再用塑封料ⅰ（510）将对位标记保护块（150）、粘附阻挡层（410）、金属种子层ⅰ和金属凸块（430）进行第一次塑封，形成第一塑封体；在步骤五中，实施研磨工艺去除晶圆（100）表面多余的塑封料ⅰ（510）时，在露出金属凸块（430）的上表面的同时露出对位标记保护块（150）。
10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，步骤十中，对于有对位标记保护块（150）的芯片单体i，设置再布线金属层（710）时，可采用原有对位标记（120）上方的对位标记保护块（150）进行精准对位。