技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成初始第一导电结构；平坦化所述初始第一导电结构，在衬底上形成第一导电结构；采用第一清洁工艺对所述第一导电结构表面进行表面处理；对第一导电结构表面进行表面处理之后，在第一导电结构上形成第二导电结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二导电结构之后，还包括：采用第二清洁工艺对所述第二导电结构表面进行表面处理；对第二导电结构表面进行表面处理之后，在第二导电结构表面上形成第三导电结构。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一清洁工艺包括干法清洁工艺、湿法清洁工艺或热退火工艺；所述第二清洁工艺包括干法清洁工艺、湿法清洁工艺或热退火工艺。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法清洁工艺的气体包括氮气或氩气。5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法清洁工艺的清洗液包括酸性溶液，所述酸性溶液的参数为：溶液包括硝酸溶液、硫酸溶液或氢氟酸溶液；溶液ph范围为4～6.8；溶液浓度范围为5％～30％。6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述热退火工艺的参数为：温度范围为350摄氏度～550摄氏度；时间为60秒～120秒。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在衬底上形成初始第一导电结构之前，还包括：在衬底上形成第一介质层；所述初始第一导电结构位于所述第一介质层内。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电结构包括第一粘附层和位于第一粘附层上的第一金属层；所述第一导电结构的形成方法包括：在第一介质层内形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出衬底表面；在第一介质层上、第一凹槽侧壁表面和底部表面形成第一粘附材料层；在第一粘附材料层上形成第一金属材料层，所述第一粘附材料层和第一金属材料层构成所述初始第一导电结构；平坦化所述初始第一导电结构，直至暴露出第一介质层表面，形成所述第一导电结构。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一粘附层的材料包括氮化钛；所述第一金属层的材料包括钨。10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一金属材料层的工艺包括物理气相沉积工艺、电镀工艺或化学镀工艺。11.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，平坦化所述第一金属材料层和第一粘附材料层的工艺包括化学机械抛光工艺；所述化学机械抛光工艺的抛光液为酸性溶液，所述酸性溶液包括双氧水溶液或柠檬酸溶液。12.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第一导电结构上形成第二导电结构之前，还包括：在第一导电结构上和第一介质层上形成第二介质层；所述第二导电结构位于所述第二介质层内。13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电结构的形
成方法包括：在第二介质层内形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露出所述第一导电结构表面；在第二凹槽内形成第二导电结构材料层；在第二导电结构材料层上和第二介质层上形成平坦化结构，所述平坦化结构包括第二粘附层和位于第二粘附层上的第二金属层；平坦化所述平坦化结构和第二导电结构材料层，直至暴露出第二介质层表面，形成所述第二导电结构。14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电结构的材料包括钨；所述第二粘附层的材料包括氮化钛；所述第二金属层的材料包括钨。15.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二导电结构材料层的工艺包括选择性沉积工艺。16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述选择性沉积工艺的工艺参数包括：反应气体为六氟化钨和氢气的混合气体；腔体压强为5托～15托。17.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，平坦化所述平坦化结构和第二导电结构材料层的工艺包括化学机械抛光工艺；所述化学机械抛光工艺的抛光液为酸性溶液，所述酸性溶液包括双氧水溶液或柠檬酸溶液。18.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三导电结构包括第三粘附层和位于第三粘附层上的第三金属层。19.如权利要求18所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三粘附层的材料包括氮化钽；所述第三金属层的材料包括铜。20.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括基底和位于基底上的器件层，所述器件层包括隔离结构(未图示)和位于隔离结构内的器件结构(未图示)，所述器件结构包括晶体管、二极管、三极管、电容、电感或导电结构；所述第一导电结构与所述器件结构电连接。21.如权利要求20所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括：位于基底上的鳍部结构。
技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成初始第一导电结构；平坦化所述初始第一导电结构，在衬底上形成第一导电结构；采用第一清洁工艺对所述第一导电结构表面进行表面处理；对第一导电结构表面进行表面处理之后，在第一导电结构上形成第二导电结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
技术研发人员：郭雯 于海龙 段超 崔明
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2020.11.24
技术公布日：2022/5/31