技术特征：
1.一种有机薄膜晶体管器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板；在所述基板的一侧形成掩膜层，其中，所述掩膜层包括开口区域和非开口区域；在所述掩膜层上形成有机半导体层；移除所述掩膜层以去除位于所述非开口区域上的有机半导体层，在所述基板上形成有机半导体沟道层。2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管器件制备方法，其特征在于，所述基板包括设置在基板一侧的源电极及漏电极，所述在所述基板的一侧形成掩膜层的步骤，包括：通过所述掩膜层上的对位标记及位于所述基板上的对位标记，将所述掩膜层与所述基板进行对位；将所述掩膜层覆盖在设置有源电极及漏电极的基板一侧；其中，所述开口区域在所述基板上的正投影与所述源电极和漏电极部分重合。3.如权利要求2所述的有机薄膜晶体管器件制备方法，其特征在于，所述在所述掩膜层上形成有机半导体层的步骤，包括：采用沉积法或旋涂法在所述掩膜层上方形成厚度范围为40～200nm的有机半导体层。4.如权利要求3所述的有机薄膜晶体管器件制备方法，其特征在于，所述移除所述掩膜层以去除位于所述非开口区域的有机半导体层，在所述基板上形成有机半导体沟道层的步骤，包括：从所述掩膜层的一侧或边角位置相对于远离所述基板的方向撕扯所述掩膜层，从而将位于所述非开口区域的有机半导体层去除，留下所述开口区域对应有机半导体层作为有机半导体沟道层。5.如权利要求4所述的有机薄膜晶体管器件制备方法，其特征在于，所述在所述基板的一侧形成掩膜层的步骤之前，所述方法还包括：提供一过程膜；采用激光刻蚀所述过程膜，在所述过程膜上刻蚀出开口区域及对位标记，从而得到所述掩膜层，其中，所述过程膜的材质包括pet。6.如权利要求1-5中任意一项所述的有机薄膜晶体管器件制备方法，其特征在于，所述提供一基板的步骤之前，所述方法还包括：提供一衬底；在所述衬底的一侧形成栅电极；在所述衬底及所述栅电极上形成绝缘层；在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成源电极及漏电极。7.如权利要求1-5中任意一项所述的有机薄膜晶体管器件制备方法，其特征在于，所述提供一基板的步骤之前，所述方法还包括：提供一衬底；在所述衬底的一侧形成源电极及漏电极。8.如权利要求7所述的有机薄膜晶体管器件制备方法，其特征在于，在移除所述掩膜层在所述基板上形成有机半导体沟道层的步骤之后，所述方法还包括：形成覆盖所述衬底、源电极、漏电极及有机半导体层的绝缘层；
在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成栅电极。9.如权利要求8所述的有机薄膜晶体管器件制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘层远离所述衬底的一侧形成栅电极的步骤，包括：在所述绝缘层远离所述衬底一侧覆盖一预先制作的阴影膜层，其中，所述阴影膜层包括非开孔区域和为制备所述栅电极预留的开孔区域；在所述阴影膜层上形成栅极金属层；移除所述阴影膜层将位于所述非开孔区域的栅极金属层去除，留下所述开孔区域对应的栅极金属层作为所述栅电极。10.一种显示面板，其特征在于，包括采用权利要求1-9中任意一项所述有机薄膜晶体管器件制备方法制备而成的多个有机薄膜晶体管器件。