技术总结
本申请实施例提供的有机薄膜晶体管器件制备方法及显示面板，涉及半导体器件技术领域。通过在掩膜层上形成有机半导体层，再通过移除该掩膜层的方式形成有机半导体沟道层。上述形成有机半导体沟道层的方式相对于光刻形成有机半导体沟道层的方式，因形成过程不会涉及高温烘烤光刻胶层的工艺步骤，所形成的有机半导体沟道层中载流子的迁移率较高，有机薄膜晶体管器件的电学特性相对稳定。同时，上述形成有机半导体沟道层的方式，有效规避了制程环境因素(光、高温)对有机半导体沟道层形成的影响，有机半导体沟道层图形化过程更加简单，图形化效果更好。形化效果更好。形化效果更好。
技术研发人员：申丽萍 邢汝博 陈伟伟
受保护的技术使用者：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
技术研发日：2020.11.25
技术公布日：2021/2/28