1.一种半导体器件，包括：
基座构件；
多层布线层，形成在所述基座构件上；以及
第一电阻元件，形成在所述多层布线层中，
其中所述第一电阻元件包括：
第一导电部分；
第二导电部分，形成在所述第一导电部分之上；以及
第三导电部分，将所述第一导电部分和所述第二导电部分彼此电连接，并且
其中所述第三导电部分在沿所述基座构件的表面的第一方向上的长度大于所述第三导电部分在沿所述基座构件的所述表面的第二方向上的长度，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括散热部分；
其中所述散热部分的一部分被形成在所述多层布线层中，并且
其中所述散热部分的其余部分被形成在所述基座构件中。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
其中所述散热部分包括：
第一绝缘膜，形成在凹陷部分的底表面和侧表面上，所述凹陷部分形成在所述基座构件的所述表面上；
第一热传导部分，形成在所述第一绝缘膜上，使得所述第一热传导部分掩埋所述凹陷部分。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中所述散热部分包括第一耦合部分，所述第一耦合部分形成在所述多层布线层中，使得所述第一耦合部分将所述第一电阻元件和所述第一热传导部分彼此连接。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中所述散热部分包括第二热传导部分，所述第二热传导部分形成在所述多层布线层中，使得所述第二热传导部分与所述第一电阻元件间隔开、并且与所述第一热传导部分连接。
6.根据权利要求5的半导体器件，
其中所述第二热传导部分在截面图中沿所述第三导电部分延伸。
7.根据权利要求5的半导体器件，
其中所述第二热传导部分的一个端部部分在沿所述基座构件的所述表面的所述第二方向上，面对所述第一电阻元件的一部分，以及
其中所述第二热传导部分的所述一个端部部分在垂直于所述基座构件的所述表面的方向上，面对所述第一电阻元件的另一部分。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，
其中所述第二热传导部分的一个端部部分在沿所述基座构件的所述表面的方向上，面对所述第一导电部分和所述第三导电部分，以及
其中所述第二热传导部分的所述一个端部部分在垂直于所述基座构件的所述表面的方向上，面对所述第二导电部分。
9.根据权利要求1的半导体器件，
其中所述基座构件包括：
半导体衬底；以及
半导体层，形成在所述半导体衬底的表面上，并且
其中所述散热部分穿透所述半导体层，使得所述散热部分到达所述半导体衬底。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，
其中所述半导体层包括：
第一外延层，具有第一导电类型；
第一掩埋层，形成在所述第一外延层上并且具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；以及
第二外延层，形成在所述第一掩埋层上并且具有所述第一导电类型。
11.根据权利要求1的半导体器件，
其中所述多层布线层包括：
保护层，形成在所述多层布线层的最上层中；以及
热应力减轻部分，形成在所述电阻元件与所述保护层之间，并且
其中所述热应力减轻部分在平面图中与所述第一电阻元件重叠。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
第一区域，第一晶体管被形成在所述第一区域中；以及
第二区域，第二晶体管被形成在所述第二区域中，
其中在平面图中，所述第一电阻元件被形成在所述第一区域与所述第二区域之间。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，包括形成在所述多层布线层中的第二电阻元件，
其中所述第二电阻元件包括：
第四导电部分；
第五导电部分，形成在所述第四导电部分之上；以及
第六导电部分，将所述第四导电部分和所述第五导电部分彼此电连接，以及
其中所述第六导电部分在所述第一方向上的长度小于所述第六导电部分在所述第二方向上的长度。
14.根据权利要求1所述的半导体器件，包括形成在所述多层布线层中的第三电阻元件，
其中所述第三电阻元件包括：
第七导电部分；
第八导电部分，形成在所述第七导电部分之上；以及
第九导电部分，将所述第七导电部分和所述第八导电部分彼此电连接，
其中所述第七导电部分、所述第八导电部分和所述第九导电部分在平面图中的所述第一方向上延伸，以及
其中在平面图中，所述第一导电部分邻近所述第八导电部分。