衬底浓度确定方法、装置、计算机设备及可读存储介质与流程

[0001]
本申请涉及半导体制程技术领域，具体而言，涉及一种衬底浓度确定方法、装置、计算机设备及可读存储介质。


背景技术：

[0002]
在半导体器件制程过程中，通常需要在芯片加工完成后对其进行芯片针测，从而及时地将良品与不合格品分辨出来以便于后续的制程处理，而芯片针测操作则通常需要利用针测设备上的探针与位于待测芯片所在晶圆的切割道上的测试键连接来对待测芯片的电气特性进行量测。需要注意的是，在芯片电气特性量测过程中，芯片所具有的静电累积效应能力与衬底掺杂浓度相关联，而芯片的静电累积效应能力大小又会对电气特性量测精准度及稳定性造成明显影响，故而电气特性量测精准度及稳定性通常会受到芯片本身衬底掺杂浓度的影响。


技术实现要素：

[0003]
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种衬底浓度确定方法、装置、计算机设备及可读存储介质，能够针对待测芯片确定出其匹配的对电气特性量测结果影响最小的最佳衬底掺杂浓度，提升待测芯片在最佳衬底掺杂浓度状态下进行电气特性量测时的量测精准度及量测稳定性。
[0004]
为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0005]
第一方面，本申请提供一种衬底浓度确定方法，所述方法包括：
[0006]
获取不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自在电容相同的测试键处量测到的电容量测值，其中每个所述待测芯片组包括具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片；
[0007]
针对每个所述待测芯片组，根据所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值，计算该待测芯片组的电容量测差异度；
[0008]
根据不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度，确定待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系；
[0009]
根据所述特性对应关系确定所述待测芯片的与最小电容量测差异度对应的最佳衬底掺杂浓度。
[0010]
在可选的实施方式中，所述根据所述待测芯片组内每个待测芯片的电容量测值，计算该待测芯片组的电容量测差异度的步骤，包括：
[0011]
对所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行均值运算，得到所述待测芯片组的电容量测均值；
[0012]
根据所述电容量测均值对所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行标准差运算，得到所述电容量测差异度。
[0013]
在可选的实施方式中，所述方法还包括：
[0014]
获取处于所述最佳衬底掺杂浓度的所述待测芯片在电容不同的多个测试键处分
别量测到的静电累积电量；
[0015]
根据在多个所述测试键处分别量测出的静电累积电量，计算所述待测芯片在所述最佳衬底掺杂浓度下对应的静电累积值。
[0016]
在可选的实施方式中，所述根据在多个所述测试键处分别量测出的静电累积电量，计算所述待测芯片在所述最佳衬底掺杂浓度下对应的静电累积值的步骤，包括：
[0017]
根据在多个所述测试键处分别量测出的静电累积电量，确定静电累积电量与测试键电容之间的静电关联关系；
[0018]
根据所述静电关联关系计算具有所述最佳衬底掺杂浓度的所述待测芯片在测试键电容为零时的静电累积值。
[0019]
第二方面，本申请提供一种衬底浓度确定装置，所述装置包括：
[0020]
电容量测获取模块，用于获取不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自在电容相同的测试键处量测到的电容量测值，其中每个所述待测芯片组包括具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片；
[0021]
量测差异计算模块，用于针对每个所述待测芯片组，根据所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值，计算该待测芯片组的电容量测差异度；
[0022]
特性关系确认模块，用于根据不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度，确定待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系；
[0023]
最佳掺杂输出模块，用于根据所述特性对应关系确定所述待测芯片的与最小电容量测差异度对应的最佳衬底掺杂浓度。
[0024]
在可选的实施方式中，所述量测差异计算模块包括：
[0025]
电容均值运算子模块，用于对所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行均值运算，得到所述待测芯片组的电容量测均值；
[0026]
标准差运算子模块，用于根据所述电容量测均值对所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行标准差运算，得到所述电容量测差异度。
[0027]
在可选的实施方式中，所述装置还包括：
[0028]
静电量测获取模块，用于获取处于所述最佳衬底掺杂浓度的所述待测芯片在电容不同的多个测试键处分别量测到的静电累积电量；
[0029]
静电效应运算模块，用于根据在多个所述测试键处分别量测出的静电累积电量，计算所述待测芯片在所述最佳衬底掺杂浓度下对应的静电累积值。
[0030]
在可选的实施方式中，所述静电效应运算模块包括：
[0031]
静电关联确认子模块，用于根据在多个所述测试键处分别量测出的静电累积电量，确定静电累积电量与测试键电容之间的静电关联关系；
[0032]
静电累积计算子模块，用于根据所述静电关联关系计算具有所述最佳衬底掺杂浓度的所述待测芯片在测试键电容为零时的静电累积值。
[0033]
第三方面，本申请提供一种计算机设备，所述计算机设备包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的计算机程序，所述处理器可执行所述计算机程序，以实现前述实施方式中任意一项所述的衬底浓度确定方法。
[0034]
第四方面，本申请提供一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现前述实施方式中任意一项所述的衬底浓度确定方法。
[0035]
本申请实施例的有益效果包括如下内容：
[0036]
本申请通过获取不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自在电容相同的测试键处量测到的电容量测值，并针对每个待测芯片组，根据该待测芯片组内具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片各自的电容量测值，计算该待测芯片组的电容量测差异度，而后根据不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度，确定待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系，从而根据特性对应关系确定出待测芯片的与最小电容量测差异度对应的最佳衬底掺杂浓度，以通过最佳衬底掺杂浓度最大幅度地降低对电气特性量测结果的影响，提升待测芯片在最佳衬底掺杂浓度状态下进行电气特性量测时的量测精准度及量测稳定性。
[0037]
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0038]
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0039]
图1为本申请实施例提供的计算机设备的组成示意图；
[0040]
图2为本申请实施例提供的衬底浓度确定方法的流程示意图之一；
[0041]
图3为图2中的步骤s220包括的子步骤的流程示意图；
[0042]
图4为本申请实施例提供的衬底浓度确定方法的流程示意图之二；
[0043]
图5为图4中的步骤s260包括的子步骤的流程示意图；
[0044]
图6为本申请实施例提供的衬底浓度确定装置的组成示意图之一；
[0045]
图7为图6中的量测差异计算模块的组成示意图；
[0046]
图8为本申请实施例提供的衬底浓度确定装置的组成示意图之二；
[0047]
图9为图8中的静电效应运算模块的组成示意图。
[0048]
图标：10-计算机设备；11-存储器；12-处理器；13-通信单元；100-衬底浓度确定装置；110-电容量测获取模块；120-量测差异计算模块；130-特性关系确认模块；140-最佳掺杂输出模块；121-电容均值运算子模块；122-标准差运算子模块；150-静电量测获取模块；160-静电效应运算模块；161-静电关联确认子模块；162-静电累积计算子模块。
具体实施方式
[0049]
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0050]
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范
围。
[0051]
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0052]
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0053]
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互结合。
[0054]
请参照图1，图1是本申请实施例提供的计算机设备10的组成示意图。在本申请实施例中，所述计算机设备10可以对同一款待测芯片在不同衬底掺杂浓度下的电气特性量测数据进行分析，从而确定出该待测芯片的对最终电气特性量测结果影响最小的最佳衬底掺杂浓度，使针测设备在对处于最佳衬底掺杂浓度状态的待测芯片进行电气特性量测时能够具有更好的量测精准度及量测稳定性。其中，所述计算机设备10可以是，但不限于，平板电脑、笔记本电脑、个人计算机等。
[0055]
在本实施例中，所述计算机设备10包括存储器11、处理器12、通信单元13及衬底浓度确定装置100。所述存储器11、所述处理器12及所述通信单元13各个元件相互之间直接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，所述存储器11、所述处理器12及所述通信单元13这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。
[0056]
在本实施例中，所述存储器11可以是，但不限于，随机存取存储器(random access memory，ram)，只读存储器(read only memory，rom)，可编程只读存储器(programmable read-only memory，prom)，可擦除只读存储器(erasable programmable read-only memory，eprom)，电可擦除只读存储器(electric erasable programmable read-only memory，eeprom)等。其中，所述存储器11用于存储计算机程序，所述处理器12在接收到执行指令后，可相应地执行所述计算机程序。
[0057]
在本实施例中，所述处理器12可以是一种具有信号的处理能力的集成电路芯片。所述处理器12可以是通用处理器，包括中央处理器(central processing unit，cpu)、图形处理器(graphics processing unit，gpu)及网络处理器(network processor，np)、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现成可编程门阵列(fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件中的至少一种。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。
[0058]
在本实施例中，所述通信单元13用于通过网络建立所述计算机设备10与其他电子设备之间的通信连接，并通过所述网络收发数据，其中所述网络包括有线通信网络及无线通信网络。例如，所述计算机设备10可通过所述通信单元13从针测设备处获取该针测设备
从部署在待测芯片周围的测试键处测试得到的电气特性参数。
[0059]
在本实施例中，所述衬底浓度确定装置100包括至少一个能够以软件或固件的形式存储于所述存储器11中或固化在所述计算机设备10的操作系统中的软件功能模块。所述处理器12可用于执行所述存储器11存储的可执行模块，例如所述衬底浓度确定装置100所包括的软件功能模块及计算机程序等。所述计算机设备10通过所述衬底浓度确定装置100针对待测芯片确定出其匹配的对电气特性量测结果影响最小的最佳衬底掺杂浓度，以通过最佳衬底掺杂浓度最大幅度地降低对电气特性量测结果的影响，提升待测芯片在最佳衬底掺杂浓度状态下进行电气特性量测时的量测精准度及量测稳定性。
[0060]
可以理解的是，图1所示的框图仅为所述计算机设备10的一种组成示意图，所述计算机设备10还可包括比图1中所示更多或者更少的组件，或者具有与图1所示不同的配置。图1中所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。
[0061]
在本申请中，为确保所述计算机设备10能够针对待测芯片确定出其匹配的对电气特性量测结果影响最小的最佳衬底掺杂浓度，以确保待测芯片在最佳衬底掺杂浓度状态下进行电气特性量测时的量测精准度及量测稳定性，本申请实施例通过提供衬底浓度确定方法实现前述目的。下面对本申请提供的衬底浓度确定方法进行详细描述。
[0062]
请参照图2，图2是本申请实施例提供的衬底浓度确定方法的流程示意图之一。在本申请实施例中，图2所示的衬底浓度确定方法的具体流程和具体步骤如下文所示。
[0063]
步骤s210，获取不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自在电容相同的测试键处量测到的电容量测值，其中每个待测芯片组包括具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片。
[0064]
在本实施例中，所述计算机设备10可通过所述通信单元13从针测设备处获取同一款待测芯片在不同衬底掺杂浓度下对应的待测芯片组的电容量测值，其中每个待测芯片组的电容量测值是在相同电容的测试键的作用下量测到的，每个待测芯片组包括具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片，所述针测设备在对应测试键上施加的针压相同。因此，所述计算机设备10可相应地获取到多个衬底掺杂浓度不同的待测芯片组中每个待测芯片在电容相同的测试键处量测到的电容量测值。在本实施例的一种实施方式中，为确保所述计算机设备10获取到的电容量测值与待测芯片的真实电容值更为接近，可选取电容值极低的n型/p型mos电容测试键，其电容数值小于1pf。
[0065]
步骤s220，针对每个待测芯片组，根据待测芯片组内各待测芯片的电容量测值，计算该待测芯片组的电容量测差异度。
[0066]
在本实施例中，所述电容量测差异度用于表示相同衬底掺杂浓度的同一款待测芯片在进行电气特性量测时对应表现出的量测数值差异幅度大小。所述计算机设备10在得到一个待测芯片组的电容量测值后，会根据该待测芯片组内各待测芯片的具体电容量测值，确定该待测芯片组内各待测芯片之间的电容量测差异度。其中，所述电容量测差异度可采用标准差计算公式计算得到。
[0067]
请参照图3，图3是图2中的步骤s220包括的子步骤的流程示意图。在本实施例中，所述步骤s220可以包括子步骤s221及子步骤s222。
[0068]
子步骤s221，对待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行均值运算，得到待测芯片组的电容量测均值；
[0069]
子步骤s222，根据电容量测均值对待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行标
准差运算，得到电容量测差异度。
[0070]
由此，所述计算机设备10可针对每个待测芯片组，通过执行上述子步骤s221及子步骤s222的方式，确定不同衬底掺杂浓度的同一款待测芯片在相同电容的测试键处进行电气特性量测时的量测数值差异分布状况。
[0071]
步骤s230，根据不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度，确定待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系。
[0072]
在本实施例中，所述计算机设备10在计算出不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度后，会基于计算出的不同衬底掺杂浓度各自对应的电容量测差异度数据，构建衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间关联关系，从而确定出同一款待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系。在本实施例的一种实施方式中，所述计算机设备10可通过确定计算出的不同衬底掺杂浓度各自对应的电容量测差异度数据之间的拟合曲线的方式，得到与所述待测芯片相匹配的特性对应关系。
[0073]
步骤s240，根据特性对应关系确定待测芯片的与最小电容量测差异度对应的最佳衬底掺杂浓度。
[0074]
在本实施例中，当所述计算机设备10确定出所述待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系，可直接在该特性对应关系所表现出的电容量测差异度随衬底掺杂浓度变化而变化的状况趋势，确定出最小电容量测差异度所对应的目标衬底掺杂浓度，而后将该目标衬底掺杂浓度作为与待测芯片相匹配的最佳衬底掺杂浓度，以通过最佳衬底掺杂浓度最大幅度地降低对电气特性量测结果的影响，提升待测芯片在最佳衬底掺杂浓度状态下进行电气特性量测时的量测精准度及量测稳定性。
[0075]
由此，本申请可通过执行上述步骤s210～步骤s240，为待测芯片确定出其匹配的对电气特性量测结果影响最小的最佳衬底掺杂浓度，以通过最佳衬底掺杂浓度最大幅度地降低对电气特性量测结果的影响，提升待测芯片在最佳衬底掺杂浓度状态下进行电气特性量测时的量测精准度及量测稳定性。
[0076]
可选地，请参照图4，图4是本申请实施例提供的衬底浓度确定方法的流程示意图之二。在本申请实施例中，图4所示的衬底浓度确定方法与图2所示的衬底浓度确定方法相比，图4所示的衬底浓度确定方法还可以包括步骤s250及步骤s260，图4所示的衬底浓度确定方法通过所述步骤s250及步骤s260对处于最佳衬底掺杂浓度状态下的待测芯片的静电累积能力进行定量分析。
[0077]
步骤s250，获取处于最佳衬底掺杂浓度的待测芯片在电容不同的多个测试键处分别量测到的静电累积电量。
[0078]
在本实施例中，当确定出与所述待测芯片相匹配的最佳衬底掺杂浓度后，可从所述针测设备处获取处于最佳衬底掺杂浓度状态下的同款待测芯片在电容不同的多个测试键处分别量测到的静电累积电量。其中所述静电累积电量由对应测试键所累积的静电电量，和待测芯片在最佳衬底掺杂浓度状态下所表现出的静电累积值组合形成。
[0079]
步骤s260，根据在多个测试键处分别量测出的静电累积电量，计算待测芯片在最佳衬底掺杂浓度下对应的静电累积值。
[0080]
在本实施例中，因所述静电累积电量由对应测试键所累积的静电电量和待测芯片在最佳衬底掺杂浓度状态下所表现出的静电累积值组合形成，不同测试键会因电容不同而
具有不同程度的静电累积能力，所以当所述计算机设备10可根据不同试键处分别量测出的静电累积电量之间的组成共性，计算出所述待测芯片在最佳衬底掺杂浓度下对应的静电累积值。
[0081]
进一步地，请参照图5，图5是图4中的步骤s260包括的子步骤的流程示意图。在本实施例中，所述步骤s260可以包括子步骤s261及子步骤s262。
[0082]
子步骤s261，根据在多个所述测试键处分别量测出的静电累积电量，确定静电累积电量与测试键电容之间的静电关联关系。
[0083]
子步骤s262，根据静电关联关系计算具有最佳衬底掺杂浓度的待测芯片在测试键电容为零时的静电累积值。
[0084]
在本实施例中，可通过外插法确定出静电累积电量与测试键电容数值之间的静电关联关系，进而可以确定测试键电容为零时的静电累积电量即为待测芯片在最佳衬底掺杂浓度下本身所具有的表征静电累积能力的静电累积值。
[0085]
由此，本申请可通过执行上述步骤s250、步骤s260及子步骤s261～子步骤s262，对处于最佳衬底掺杂浓度状态下的待测芯片的静电累积能力进行定量分析，以便于提升对待测芯片在最佳衬底掺杂浓度状态下进行电气特性量测时的量测精准度及量测稳定性。
[0086]
在本申请中，为确保所述计算机设备10能够通过所述衬底浓度确定装置100执行上述衬底浓度确定方法，本申请通过对所述衬底浓度确定装置100进行功能模块划分的方式实现前述功能。下面对本申请提供的衬底浓度确定装置100的具体组成进行相应描述。
[0087]
可选地，请参照图6，图6是本申请实施例提供的衬底浓度确定装置100的组成示意图之一。在本申请实施例中，所述衬底浓度确定装置100可以包括电容量测获取模块110、量测差异计算模块120、特性关系确认模块130及最佳掺杂输出模块140。
[0088]
电容量测获取模块110，用于获取不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自在电容相同的测试键处量测到的电容量测值，其中每个待测芯片组包括具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片。
[0089]
量测差异计算模块120，用于针对每个待测芯片组，根据待测芯片组内各待测芯片的电容量测值，计算该待测芯片组的电容量测差异度。
[0090]
特性关系确认模块130，用于根据不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度，确定待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系。
[0091]
最佳掺杂输出模块140，用于根据特性对应关系确定待测芯片的与最小电容量测差异度对应的最佳衬底掺杂浓度。
[0092]
请参照图7，图7是图6中的量测差异计算模块120的组成示意图。在本实施例中，所述量测差异计算模块120可以包括电容均值运算子模块121及标准差运算子模块122。
[0093]
电容均值运算子模块121，用于对待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行均值运算，得到待测芯片组的电容量测均值。
[0094]
标准差运算子模块122，用于根据电容量测均值对待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行标准差运算，得到电容量测差异度。
[0095]
可选地，请参照图8，图8是本申请实施例提供的衬底浓度确定装置100的组成示意图之二。在本申请实施例中，所述衬底浓度确定装置100还可以包括静电量测获取模块150及静电效应运算模块160。
[0096]
静电量测获取模块150，用于获取处于最佳衬底掺杂浓度的待测芯片在电容不同的多个测试键处分别量测到的静电累积电量。
[0097]
静电效应运算模块160，用于根据在多个测试键处分别量测出的静电累积电量，计算待测芯片在最佳衬底掺杂浓度下对应的静电累积值。
[0098]
请参照图9，图9是图8中的静电效应运算模块160的组成示意图。在本实施例中，所述静电效应运算模块160可以包括静电关联确认子模块161及静电累积计算子模块162。
[0099]
静电关联确认子模块161，用于根据在多个测试键处分别量测出的静电累积电量，确定静电累积电量与测试键电容之间的静电关联关系。
[0100]
静电累积计算子模块162，用于根据静电关联关系计算具有最佳衬底掺杂浓度的待测芯片在测试键电容为零时的静电累积值。
[0101]
其中，需要说明的是，本申请实施例所提供的衬底浓度确定装置100，其基本原理及产生的技术效果与前述的衬底浓度确定方法相同，为简要描述，本实施例部分未提及之处，可参考上述的针对衬底浓度确定方法的描述内容。
[0102]
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本申请的实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
[0103]
另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个可读存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个可读存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的可读存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0104]
综上所述，在本申请提供的一种衬底浓度确定方法、装置、计算机设备及可读存储介质中，本申请通过获取不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自在电容相同的测试键处量测到的电容量测值，并针对每个待测芯片组，根据该待测芯片组内具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片各自的电容量测值，计算该待测芯片组的电容量测差异度，而后根据不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度，确定待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系，从而根据特性对应关系确定出待测芯片的与最小电容量测差异度对应的最佳衬底掺杂浓度，以通过最佳衬底掺杂浓度最大幅度地降低对电气特性量
测结果的影响，提升待测芯片在最佳衬底掺杂浓度状态下进行电气特性量测时的量测精准度及量测稳定性。
[0105]
以上所述，仅为本申请的各种实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应当以权利要求的保护范围为准。