1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供初始三维存储器，所述初始三维存储器包括衬底、覆盖所述衬底的堆栈结构、以及贯穿所述堆栈结构的nand串，所述nand串背离所述衬底的一侧具有凹槽；
形成填充所述凹槽的第一插塞层、以及覆盖所述堆栈结构的第二插塞层，所述第一插塞层连接所述第二插塞层；
形成覆盖所述第二插塞层的第一保护层；
去除部分所述第一保护层与部分所述堆栈结构以形成台阶结构；以及
去除所述第一保护层。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“形成填充所述凹槽的第一插塞层、以及覆盖所述堆栈结构的第二插塞层”包括：
采用同一道工艺形成填充所述凹槽的第一插塞层、以及覆盖所述堆栈结构的第二插塞层，所述第一插塞层与所述第二插塞层为一体式结构。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述“形成覆盖所述第二插塞层的第一保护层”之前，保留所述第二插塞层。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一保护层的材质包括氧化铝，所述第一插塞层与所述第二插塞层的材质包括多晶硅。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“去除部分所述第一保护层与部分所述堆栈结构以形成台阶结构”包括：
去除部分所述堆栈结构、部分所述第二插塞层、以及部分所述第一保护层，以使所述堆栈结构形成相连接的台阶部与存储部，所述nand串贯穿所述存储部；
形成覆盖所述衬底、所述台阶部、以及所述第一保护层的平坦部；以及
去除位于所述第一保护层背离所述衬底一侧的所述平坦部，以露出所述第一保护层。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，“去除位于所述第一保护层背离所述衬底一侧的所述平坦部”包括：
采用蚀刻法去除位于所述第一保护层背离所述衬底一侧的部分所述平坦部；
采用化学机械抛光去除位于所述第一保护层背离所述衬底一侧的剩余的所述平坦部。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在“去除所述第一保护层”之后，还包括：
去除所述第二插塞层；
形成覆盖所述堆栈结构的第二保护层。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在“去除所述第二插塞层”之后，还包括：
对所述第一插塞层进行离子注入。
9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述堆栈结构包括多个堆叠对，每个所述堆叠对包括层叠设置的绝缘层与替换层，在“形成覆盖所述堆栈结构的第二保护层”之后，还包括：
形成贯穿所述第二保护层与所述台阶结构的栅缝隙；
去除所述替换层，并形成替换槽；以及
形成位于所述替换槽内的栅极层。
10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述nand串包括存储层、沟道层、以及填充层、所述沟道层设于所述填充层的外周缘，所述存储层设于所述沟道层的外周缘。