建立掩模版缺陷检测程式的方法与流程

本发明涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种建立掩模版缺陷检测程式的方法。

背景技术：

在集成电路制造工艺中，为将集成电路的图案顺利地转移到晶圆上，首先根据设计好的版图制作掩膜版，然后再通过光刻技术将该掩膜版上的图形转移到晶圆上，使得刻蚀、离子注入成为可能，光刻工艺是集成电路制造中一道关键的工艺。

光线透过掩模版上承载的图形将其投射到光刻胶上，掩模的性能将直接决定光刻工艺的质量。然而掩模版的生产以及使用过程中都不可避免的会产生一些缺陷，有些缺陷如果不能及时发现而被曝到晶圆上，则会大幅降低产品良率，造成巨大的损失。

掩模版缺陷检测仪(startlight)能有效检测掩模版上的缺陷，但随着集成电路关键线宽不断减小，掩模版的制作越发复杂，建立掩模版缺陷检测程式(startlightrecipe)的难度也逐渐提高。另掩模版缺陷检测校准点(lightcalibrationpoint)的设置非常重要，掩模版缺陷检测校准点设置不准确时，非常容易扫出错误的缺陷(falsedefect)，或者是漏掉真正的缺陷(truedefect)，这导致大幅降低产品良率的风险增加。而随着集成电路关键线宽不断减小，目前的掩模版缺陷检测程式建立方法就具有在光罩上很难找到一定大小纯石英(quartz)、铬(chrome)或合成化学材料(如mosi)的地方，在寻找掩模版缺陷检测校准点时难度极大，严重增加建立掩模版缺陷检测程式人员的工作量的问题，且目前的掩模版缺陷检测程式无法离线建立掩模版缺陷检测程式(offlinesetuprecipe)，必须将光罩置入(load)进机台中新建，大大降低机台利用效率。

技术实现要素：

本发明在于提供一种建立掩模版缺陷检测程式的方法，包括：s1：提供一批掩模版，其中所述掩模版均为相移掩膜版、均为二元掩模板或为相移掩膜版和二元掩模板的混合；以及s2：在所有掩模版的一相同固定位置设置一预定图形，其中对于相移掩膜版，所述预定图形包括石英图形区域、铬图形区域和合成化学材料图形区域，对于二元掩模板，所述预定图形包括石英图形区域和铬图形区域。

更进一步的，所述固定位置位于掩模版切割道上。

更进一步的，所述石英图形区域、所述铬图形区域和所述合成化学材料图形区域的形状为正方形。

更进一步的，正方形的边长大于2μ。

更进一步的，正方形的边长为2.5μ。

更进一步的，所述石英图形区域、所述铬图形区域和所述合成化学材料图形区域的形状为圆形或长方形。

更进一步的，对于所有掩模版均为相移掩膜版的，石英图形区域、铬图形区域和合成化学材料图形区域形成的所述预定图形的形状均相同。

更进一步的，对于所有掩模版均为二元掩模板的，石英图形区域和铬图形区域形成的所述预定图形的形状均相同。

更进一步的，对于掩模版为相移掩膜版和二元掩模板的混合，石英图形区域、铬图形区域和合成化学材料图形区域形成的所述预定图形的形状以及石英图形区域和铬图形区域形成的所述预定图形的形状均相同。

更进一步的，对于相移掩膜版两个石英图形区域、一个铬图形区域和一个合成化学材料图形区域构成正方形的预定图形；对于二元掩模板，两个石英图形区域和两个铬图形区域构成正方形的预定图形。

附图说明

图1为一掩模版示意图。

图2为本发明一实施例的应用于相移掩膜上的预定图形的示意图。

图3为本发明另一实施例的应用于二元掩模板上的预定图形的示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

应当理解，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大，自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

本发明一实施例中，提出一种建立掩模版缺陷检测程式的方法，包括：s1：提供一批掩模版，其中所述掩模版均为相移掩膜版、均为二元掩模板或为相移掩膜版和二元掩模板的混合；s2：在所有掩模版的一相同固定位置设置一预定图形，其中对于相移掩膜版(psm掩模版)，所述预定图形包括石英图形区域、铬图形区域和合成化学材料图形区域，对于二元掩模板(binary掩模板)，所述预定图形包括石英图形区域和铬图形区域。

如此，在所有掩模版的固定位置设置预定图形，而无需在每个掩模版内寻找一定大小纯石英(quartz)、铬(chrome)或合成化学材料(如mosi)的地方，而可缩减寻找掩模版缺陷检测校准点的时间，建立掩模版缺陷检测程式时无需基于光罩建立而直接将坐标定位到该固定位置即可，而可完成离线建立掩模版缺陷检测程式(offlinesetuprecipe)，从而在降低人员工作量的同时大幅提高机台产能。

具体的，本发明一实施例的建立掩模版缺陷检测程式的方法，包括：

s1：提供一批掩模版，其中所述掩模版均为相移掩膜版、均为二元掩模板或为相移掩膜版和二元掩模板的混合；

具体的，请参阅图1的掩模版110，图1为一掩模版示意图。

s2：在所有掩模版的一相同固定位置设置一预定图形，其中对于相移掩膜版(psm掩模版)，所述预定图形包括石英图形区域、铬图形区域和合成化学材料图形区域，对于二元掩模板(binary掩模板)，所述预定图形包括石英图形区域和铬图形区域。

具体的，如图1所示，在本发明一实施例中，所述固定位置111位于掩模版110切割道上。其可根据掩模版的具体设计确定在掩模版切割道上的具体位置。如图1所示，选择掩模版左下角的切割道上的一点为所述固定位置。

在一实施例中，上述石英图形区域、铬图形区域和合成化学材料图形区域的形状为正方形，如图2所示为本发明一实施例的应用于相移掩膜上的预定图形的示意图，如图3所示为本发明另一实施例的应用于二元掩模板上的预定图形的示意图，图2中的白色区域为石英图形区域211，黑色区域为铬图形区域212，灰色区域为合合成化学材料图形区域213，图3中的白色区域为石英图形区域221，黑色区域为铬图形区域222。在本发明中，所述石英图形区域211和221、铬图形区域212和222以及合合成化学材料图形区域213均为正方形，且正方形的边长大于2μ以利于识别预定图形，当然正方形的边长也不可过大，较优的，正方形的边长为2.5μ。

当然，所述石英图形区域211和221、铬图形区域212和222以及合合成化学材料图形区域213不限于正方形，其还可为长方形或圆形等规则图形。当为长方形时，长方形的短边大于2μ，较优的为2.5μ。当为圆形时，圆形的直径大于2μ，较优的为2.5μ。

在本发明一实施例中，对于所有掩模版均为相移掩膜版的，石英图形区域211、铬图形区域212和合成化学材料图形区域213形成的所述预定图形的形状均相同。在本发明一实施例中，对于所有掩模版均为二元掩模板的，石英图形区域221和铬图形区域222形成的所述预定图形的形状均相同。在本发明一实施例中，对于掩模版为相移掩膜版和二元掩模板的混合，石英图形区域211、铬图形区域212和合成化学材料图形区域213形成的所述预定图形的形状以及石英图形区域221和铬图形区域222形成的所述预定图形的形状均相同。

对于石英图形区域、铬图形区域和合成化学材料图形区域为正方形的实施例，在一实施例中，对于相移掩膜版两个石英图形区域211、一个铬图形区域212和一个合成化学材料图形区域213构成正方形的预定图形；对于二元掩模板，两个石英图形区域221和两个铬图形区域222构成正方形的预定图形，也即对于所有掩模版均为相移掩膜版的，石英图形区域211、铬图形区域212和合成化学材料图形区域213形成的所述预定图形的形状均相同；对于所有掩模版均为二元掩模板的，石英图形区域221和铬图形区域222形成的所述预定图形的形状均相同；对于掩模版为相移掩膜版和二元掩模板的混合，石英图形区域211、铬图形区域212和合成化学材料图形区域213形成的所述预定图形的形状以及石英图形区域221和铬图形区域222形成的所述预定图形的形状均相同。

另预定图形中的不同材质的图形区域的个数并不限定，只要对于相移掩膜版，所述预定图形包括石英图形区域、铬图形区域和合成化学材料图形区域，对于二元掩模板，所述预定图形包括石英图形区域和铬图形区域即可。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。