封装体及其制造方法与流程

1.本技术涉及半导封装领域，特别涉及一种封装体及该封装体的制造方法。


背景技术：

2.qfn封装是常用的封装体结构。图1所示的是一传统qfn封装结构。如图1所示。传统qfn封装体1包括：通过粘合剂2贴装于支撑垫片(基岛)3的芯片4。所述芯片4进而在封装过程中被支撑在所述支撑垫片3上以进行固定，以便于进行形成接合线5的制程。最终以塑封层6封装后获得封装体。
3.目前，针对电子产品趋于轻、薄、小等要求，对于封装体尺寸提出了进一步的要求，尤其是在封装体的厚度方面，提出了更薄的要求。
4.然而，如图1所示的封装体1中，由于所述支撑垫片3的存在，其自身的厚度增加了所述封装体1的整体厚度，也同时抬高了所述接合线5的线弧，致使所述封装体1的厚度无法进一步缩小。
5.并且，由于所述支撑垫片3的存在是在封装体的封装过程中对所述芯片4起到支撑和固定的作用，因而以现有的封装体结构和封装方法无法对图1所示的封装体1的厚度进行进一步的缩小。
6.因此，有必要提供一种新的封装体，以克服上述缺陷。


技术实现要素：

7.本技术的目的在于提供一种封装体及该封装体的制造方法，通过去除所述封装体内芯片的金属芯垫(或称基岛)，以获得超薄封装体。
8.为了达到上述目的，根据本技术的一方面提供一种封装体，包括包封于塑封层的芯片和多个引脚，所述芯片与每一引脚通过一接合线电性连接；所述芯片的一表面上设置一绝缘层，所述塑封层暴露所述绝缘层的一表面及每一引脚的一表面；其中，所述绝缘层的材料为热固性树脂。
9.在一些实施例中，所述热固性树脂为环氧树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂或呋喃树脂中的一种或几种混合。
10.在一些实施例中，所述绝缘层的厚度为15μm～50μm。
11.在一些实施例中，所述多个引脚围绕所述芯片设置，并且，至少一引脚朝向所述芯片的一端朝向所述芯片延伸，以形成一端子；所述端子包封于所述封装层内。
12.根据本技术的另一方面，还提供一种封装体的制造方法，所述制造方法包括：
13.提供一承载基板；
14.在所述承载基板上形成图案化金属层，以构成多个引脚；
15.提供一具有一功能面和与所述功能面相对的背面的晶圆，在所述晶圆的所述背面形成一绝缘层，切割后形成多个设置有绝缘层的芯片；
16.将所述设置有绝缘层的芯片贴附于所述承载基板上；
17.形成多条接合线，以使所述芯片与每一引脚通过一接合线电性连接；以及，
18.形成塑封层以包封所述芯片、所述多条接合线及所述多个引脚，并且，去除所述承载基板，以使所述塑封层暴露所述绝缘层的一表面及每一引脚的一表面。
19.在一些实施例中，在去除所述承载基板的步骤后，所述制造方法还包括：切割步骤，以形成单个封装体。
20.在一些实施例中，在所述承载基板上形成图案化金属层的步骤中，通过电镀形成所述图案化金属层。
21.在一些实施例中，在所述承载基板上形成图案化金属层的步骤中，通过两步电镀形成所述图案化金属层，以构成多个引脚，使得至少一引脚远离所述承载基板的一表面在所述承载基板上的投影面积大于该引脚接触所述承载基板的一表面在所述承办基板上的投影面积。
22.在一些实施例中，在所述晶圆的所述背面形成一绝缘层的步骤中，通过在所述晶圆的所述背面涂覆热固性树脂，经热固化后形成所述绝缘层；所述绝缘层的厚度为15μm～50μm。
23.在一些实施例中，所述热固性树脂为环氧树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂或呋喃树脂中的一种或几种混合。
24.在本技术中，通过设置所述绝缘层及其热固化特性，实现了在所述封装体的封装过程中不需要像常规封装体的封装步骤中利用引线框架的基岛支撑所述芯片，从而取消了最终获得的封装体结构中的基岛，不仅大幅减小封装体本身的厚度，还同时降低了接合线的线弧度，从而可以获得超薄封装体。此外，在本技术的所述封装体的制备方法中，以电镀方式形成所述多个引脚，能够根据需求精确地控制所形成的引脚厚度，更利于超薄封装体的成形。
附图说明
25.为了更清楚地阐述本发明专利的具体实施例的特点，下面将对实施例的附图进行简要介绍。显而易见地，下面描述的附图仅为本发明的一些实施例，对于本领域的普通研究或从业人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他类似的图片。
26.图1是现有的一常规封装产品的结构示意图；
27.图2为根据本技术一实施例的封装体的结构示意图；
28.图3为根据本技术一实施例的封装体的制备方法的流程图；
29.图4a至图4e是对应图3的结构示意图。
具体实施方式
30.下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。显然，所描述的实施例仅为本发明的一部分应用，而并非全部。应理解，这些实施例仅用于说明本发明的特性而并非用于限制本发明的范围。本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
31.如图2所示，在本实施例中，提供一种封装体100，包括：芯片110、多个引脚120，以
及包封所述芯片110和多个引脚120的塑封层130。
32.具体地，如图2所示，在所述封装体100内，所述多个引脚120围绕所述芯片110设置，并且每一引脚120通过一接合线140与所述芯片110电性连接。如图2所示，为了实现锁模效果，每一引脚120朝向所述芯片110的一端朝向所述芯片110延伸，以形成一端子121，且所述端子121也包封于所述封装层130内。
33.在本实施例中，所述封装体100可以是一种qfn封装体。为了获得超薄封装，如图1和图2所示的，本技术所述封装体100取消了用于装贴所述芯片110的基板，并在所述芯片110的一表面110a上设置一绝缘层150。所述绝缘层150的设置满足：所述塑封层130暴露所述绝缘层150的一表面150a及每一引脚120的一表面120a。也就是说，所述封装体100的一表面100a暴露所述绝缘层150的表面150a及每一引脚120的表面120a。如图2所示，所述封装体100的下表面(即所述封装体的安装面)暴露所述绝缘层150的表面150a及每一引脚120的表面120a。
34.出于所述封装体100的厚度考虑，所述绝缘层150的厚度为15μm～50μm。
35.所述绝缘层的材料为热固性树脂，可以是环氧树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂或呋喃树脂中的一种或几种混合。本领域技术人员可以理解的是，在本技术中，所述绝缘层的材料可以是本领域中已知的，经加热后可固化的材料，尤其是加热后可固化的双面黏性材料，例如但不限于loctite ablestik 8006ns环氧树脂。在挑选所述绝缘层的材料时，可以采用那些固化后的绝缘层特性与常规的abf载板(ajinomot build-up film)特性相似的材料。
36.由此，在本技术所述的封装体100，通过设置所述绝缘层及其热固化特性，实现了在所述封装体100的封装过程中不需要像常规封装体的封装步骤中利用引线框架的基岛支撑所述芯片120，从而取消了最终获得的封装体100结构中的基岛，以大幅减小封装体的厚度，获得超薄封装体。
37.以下，结合图3和图4a至图4e，详细描述上述封装体100的制备方法。
38.如图3和图4a所示，封装体100的制备方法包括步骤s1：提供一承载基板sp，并在所述承载基板sp上形成图案化金属层m，以构成多个引脚120。本领域技术人员可以理解的是，在本步骤中，可以通过例如电镀法、沉积法等本领域已知方法在所述载板sp上所述图案化金属层m。所述承载基板sp可以是本领域中用于封装体封装的常规承载基板。作为一个示范例而非对本技术的限定，在本步骤中，以一碳素钢板作为所述承载基板sp。同时，考虑到超薄qfn产品的金属框架(引线框架)相当薄，很难以传统的直接用铜板蚀刻制作成型，因此，在本步骤中，通过在作为承载基板sp的碳素钢板上，通过铜电镀形成所述图案化金属层m。在本步骤中，铜电镀的厚度大约为《＝0.1mm。
39.此外，在本步骤中，为了实现如图1所示的在每一引脚120的一端形成一端子121，在本步骤中，通过两步铜电镀以形成所述端子121。
40.如图3和图4b所示，封装体100的制备方法包括步骤s2：提供贴附有绝缘层150的芯片110。本领域技术人员可以理解的是，可以通过本领域任何已知的方法获得所述贴富有绝缘层150的芯片110。作为一个示范例而非对本技术的限定，在本步骤中，首先提供一具有一功能面s和与所述功能面s相对的背面的晶圆w，在所述晶圆w的所述背面形成一绝缘层150，切割后形成多个设置有绝缘层150的芯片110。
41.如图3和图4c所示，封装体100的制备方法包括步骤s3：将所述设置有绝缘层150的芯片110贴附于所述承载基板sp上。本领域技术人员可以理解的是，可以通过本领域任何已知的方法将所述设置有绝缘层150的芯片110贴附于所述承载基板sp上。例如，在本步骤中，利用现有的黏晶机将芯片110贴在所述承载基板sp上。
42.如图3和图4d所示，封装体100的制备方法包括步骤s4：形成多条接合线140，以使所述芯片110与每一引脚120通过一接合线140电性连接。本领域技术人员可以理解的是，可以通过本领域任何已知的方法形成多条接合线140。
43.如图3和图4e所示，封装体100的制备方法包括步骤s4：形成塑封层130以包封所述芯片110、所述多条接合线140及所述多个引脚120，并且，去除所述承载基板sp，以使所述塑封层130暴露所述绝缘层150的一表面150a及每一引脚120的一表面120a。以常规的切割步骤切割后，即可获得如图2所示的单个封装体100。
44.本技术已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本技术的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本技术的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本技术的范围内。