技术特征：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板，包括导电层；第一电子元件，位于所述导电层上；载体支架，位于所述基板上方，所述载体支架包括第一基岛与第一导电引线，所述第一基岛位于所述第一电子元件远离所述基板的一侧，所述第一基岛与所述第一电子元件之间的距离大于零，所述第一导电引线分别与所述第一基岛、所述导电层连接；第二电子元件，位于所述第一基岛上；所述第二电子元件在工作时的发热量小于所述第一电子元件在工作时的发热量；塑封层，包裹住所述基板、所述第一电子元件、所述载体支架与所述第二电子元件，所述第一导电引线从所述塑封层中露出。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一导电引线包括第一导电部与第一引脚部，所述第一导电部与所述第一引脚部连接，所述第一引脚部与所述第一基岛连接，所述第一导电部位于所述第一引脚部靠近所述基板的一侧，且与所述导电层连接。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一引脚部平行于所述基板，所述第一基岛相对于所述第一引脚部下沉。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第一键合引线，所述第一键合引线分别与所述第一电子元件、所述第二电子元件连接。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述导电层远离所述第一电子元件的一侧。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三电子元件，所述载体支架还包括第二基岛与第二导电引线，所述第二基岛位于所述第一电子元件远离所述基板的一侧，所述第二基岛与所述第一电子元件之间的距离大于零，所述第二导电引线分别与所述第二基岛、所述导电层连接；所述第三电子元件位于所述第二基岛上；所述第三电子元件在工作时的发热量小于所述第一电子元件在工作时的发热量；所述第一基岛与所述基板之间的距离为第一距离，所述第二基岛与所述基板之间的距离为第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同；所述塑封层还包裹住所述第三电子元件，所述第二导电引线从所述塑封层中露出。7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二导电引线包括第二导电部与第二引脚部，所述第二导电部与所述第二引脚部连接，所述第二引脚部与所述第二基岛连接，所述第二导电部位于所述第二引脚部靠近所述基板的一侧，且与所述导电层连接。8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二引脚部平行于所述基板，所述第二基岛相对于所述第二引脚部下沉。9.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第二键合引线，所述第二键合引线分别与所述第一电子元件、所述第三电子元件连接。10.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板为绝缘金属基板或陶瓷覆铜基板；所述第一电子元件包括功率芯片和/或被动元件，所述第二电子元件与所述第三电子
元件分别为控制芯片；当所述第一电子元件包括功率芯片时，所述功率芯片包括绝缘栅双极型晶体管igbt和/或快恢复二极管frd；当所述第一电子元件包括被动元件时，所述被动元件包括电阻、电感和/或电容。11.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至10任一项所述的半导体封装结构，所述方法，包括：将第一电子元件放置于基板的导电层上；将载体支架与所述基板固定在一起；所述载体支架位于所述基板上方，所述载体支架包括第一基岛与第一导电引线，所述第一基岛位于所述第一电子元件远离所述基板的一侧，所述第一基岛与所述第一电子元件之间的距离大于零；所述第一导电引线与所述第一基岛连接；将所述第一电子元件、所述载体支架焊接在所述基板上，所述第一导电引线还与所述导电层连接；将第二电子元件装配于所述第一基岛上；所述第二电子元件在工作时的发热量小于所述第一电子元件在工作时的发热量；形成塑封层，所述塑封层包裹住所述基板、所述第一电子元件、所述载体支架与所述第二电子元件，所述第一导电引线从所述塑封层中露出。12.根据权利要求11所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述形成塑封层之前，还包括：进行引线键合，制备第一键合引线，所述第一键合引线分别与所述第一电子元件、所述第二电子元件连接。
技术总结
本申请提供一种半导体封装结构及其制备方法。本申请中，半导体封装结构包括基板、第一电子元件、载体支架、第二电子元件、第一键合引线与塑封层，基板包括导电层；第一电子元件位于导电层上；载体支架位于基板上方，载体支架包括第一基岛与第一导电引线，第一基岛位于第一电子元件远离基板的一侧，第一基岛与第一电子元件之间的距离大于零，第一导电引线分别与第一基岛、导电层连接；第二电子元件位于第一基岛上；第二电子元件在工作时的发热量小于第一电子元件在工作时的发热量；塑封层包裹住基板、第一电子元件、载体支架与第二电子元件，第一导电引线从塑封层中露出。本申请实施例中，可以减小半导体封装结构的体积。可以减小半导体封装结构的体积。可以减小半导体封装结构的体积。
技术研发人员：张小东 潘效飞 龚平
受保护的技术使用者：无锡华润安盛科技有限公司
技术研发日：2020.12.21
技术公布日：2022/6/21