技术特征：
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层位于所述第一导电类型半导体层的上表面且与所述第一导电类型半导体层相接触以形成pn结，其中，所述第二导电类型半导体层包括局域寿命控制区域和用于与所述第一导电类型半导体层形成所述pn结的区域，所述局域寿命控制区域为由晶格失配材料形成的区域。2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一导电类型半导体层包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型外延过渡层，其中，所述第一导电类型外延过渡层位于所述第一导电类型衬底层的上表面；第一导电类型外延层，其中，所述第一导电类型外延层位于所述第一导电类型外延过渡层的上表面，而且所述第一导电类型外延层的上表面与所述第二导电类型半导体层相接触。3.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述局域寿命控制区域为沟槽结构。4.根据权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于，所述沟槽结构的槽深为1μm～2μm，宽度为1μm～5μm，相邻沟槽结构之间的间距为3μm～5μm。5.根据权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于，所述沟槽结构的形状为圆形、六角形、方形或长条形。6.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述晶格失配材料为多晶硅材料或非晶硅材料。7.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述局域寿命控制区域的深度小于所述pn结的结深。8.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述用于与所述第一导电类型半导体层形成所述pn结的区域是通过在所述第一导电类型外延层的上表面中形成所述局域寿命控制区域之后外延形成第一导电类型第二外延层并在所述第一导电类型第二外延层中进行第二导电类型离子的注入而形成的。9.根据权利要求8所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一导电类型第二外延层的电阻率与所述第一导电类型外延层的电阻率相同。10.一种制备根据权利要求1至9中任一权利要求所述的快恢复二极管的方法，其特征在于，包括：形成所述第一导电类型半导体层；在所述第一导电类型半导体层的上表面上形成所述第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层与所述第一导电类型半导体层相接触以形成pn结，其中，所述第二导电类型半导体层包括局域寿命控制区域和用于与所述第一导电类型半导体层形成所述pn结的区域，所述局域寿命控制区域为由晶格失配材料形成的区域。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述局域寿命控制区域通过以下方式形成：
在所述第一导电类型半导体层的上表面上形成沟槽结构；以及在所述沟槽结构中填充所述晶格失配材料，以形成所述局域寿命控制区域。
技术总结
本公开涉及一种快恢复二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，能够大大降低工艺门槛和价格成本，而且还能够形成更有效的局域寿命控制，提升快恢复二极管的关断软度性能。一种快恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层位于所述第一导电类型半导体层的上表面且与所述第一导电类型半导体层相接触以形成PN结，其中，所述第二导电类型半导体层包括局域寿命控制区域和用于与所述第一导电类型半导体层形成所述PN结的区域，所述局域寿命控制区域为由晶格失配材料形成的区域。区域为由晶格失配材料形成的区域。区域为由晶格失配材料形成的区域。
技术研发人员：曹群 郭小青
受保护的技术使用者：比亚迪半导体股份有限公司
技术研发日：2020.12.21
技术公布日：2022/6/21