1.一种极片涂层定向去除装置，其特征在于，包括按集流体传输方向依次设置的静电发生器、涂层制备组件、静电消除器和负压吸附组件；
所述静电发生器，用于使高分子膜产生静电并附着于所述集流体的表面；
所述涂层制备组件，用于将涂层涂覆于所述集流体和所述高分子膜的表面；
所述静电消除器，用于使所述高分子膜失去静电；
所述负压吸附组件，用于使失去静电的所述高分子膜脱离所述集流体的表面并吸附所述高分子膜。
2.根据权利要求1所述的极片涂层定向去除装置，其特征在于，所述静电发生器包括第一电源和第一离子针，所述第一电源用于令所述第一离子针产生第一电荷并将所述第一电荷附着于所述高分子膜的表面。
3.根据权利要求2所述的极片涂层定向去除装置，其特征在于，所述静电消除器包括第二电源和第二离子针，所述第二电源用于令所述第二离子针产生第二电荷并将所述第二电荷与所述高分子膜表面的第一电荷中和。
4.根据权利要求2所述的极片涂层定向去除装置，其特征在于，所述负压吸附组件包括相互连通的吸附腔和吸附管，所述吸附管与失去静电的所述高分子膜对应设置。
5.根据权利要求4所述的极片涂层定向去除装置，其特征在于，所述吸附管的吸附气流≥2m/s。
6.一种极片涂层定向去除方法，其特征在于，包括以下步骤：
使具有静电的高分子膜吸附在集流体上；
在所述集流体和所述高分子膜的表面涂覆涂层；
消除所述高分子膜的静电；
吸附所述高分子膜使所述高分子膜与所述集流体分离。
7.根据权利要求6所述的极片涂层定向去除方法，其特征在于，所述高分子膜为聚丙烯膜或聚乙烯膜，所述高分子膜的厚度为5～50μm。
8.根据权利要求6所述的极片涂层定向去除方法，其特征在于，所述集流体为铜箔或铝箔，所述涂层为正极涂层或负极涂层。
9.根据权利要求6所述的极片涂层定向去除方法，所述方法通过权利要求1～5任一项所述的装置实现。