技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底上的第一导电结构图案；设置在所述第一导电结构图案上方的磁隧道结阵列，所述磁隧道结阵列包含多个阵列排列的磁隧道结，且每个磁隧道结通过第一接触塞与所述第一导电结构图案电连接；设置在所述磁隧道结阵列上方的第二导电结构图案，且每个磁隧道结通过第二接触塞与所述第二导电结构图案电连接；其中，所述第一导电结构图案、第二导电结构图案、第一接触塞及第二接触塞中的部分或全部结构中包含有磁屏蔽材料。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电结构图案为底金属层阵列，其中，所述底金属层阵列包含多个与所述多个磁隧道结一一对应的底金属层，且每个底金属层通过所述第一接触塞与对应的磁隧道结电连接；所述衬底上还设置有晶体管阵列，且所述晶体管阵列位于所述底金属层阵列的下方；所述晶体管阵列包含多个与所述多个底金属层一一对应的晶体管，且每个晶体管的漏极通过第三接触塞与对应的底金属层电连接；所述底金属层阵列中的每个底金属层为磁屏蔽材料层、或包含有磁屏蔽材料层和低电阻率材料层的复合材料层。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底中还设置有字线图案，所述字线图案位于所述晶体管阵列的上方，且位于所述底金属层阵列的下方；所述字线图案包含多根平行排列并沿第一方向延伸的字线，所述晶体管阵列中的每个晶体管的栅极通过第四接触塞与所述一根字线电连接；所述字线图案中的每根字线为磁屏蔽材料层、或包含有磁屏蔽材料层和低电阻率材料层的复合材料层。4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电结构图案为位线图案，所述位线图案包含多根平行排列且沿第二方向延伸的位线，其中，所述第一方向与所述第二方向不平行；每个磁隧道结通过所述第二接触塞与所述一根位线电连接；且所述位线图案中的每根位线为磁屏蔽材料层、或包含有磁屏蔽材料层和低电阻率材料层的复合材料层。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底上还设置有环绕在所述磁隧道结四周的冗余结构，每个冗余结构包括上下依次排布的至少两层冗余层；任意相邻的两层冗余层间隔设置，且在任意相邻的两层冗余层之间连接有冗余接触塞；其中，每层冗余层均为磁屏蔽材料层、或包含有磁屏蔽材料层和低电阻率材料层的复合材料层；所述冗余接触塞的材料为磁屏蔽材料。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述至少两层冗余层中位于最下层的冗余层与所述底金属层图案位于同一层，位于最上层的冗余层与所述位线图案位于同一层。7.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底中还设置有源极线图案；所述源极线图案位于所述晶体管的上方，且位于所述字线图案的下方；所述源极线图案包含多根平行排列且沿第三方向延伸的源极线，每个晶体管的源极通过第五接触塞与所述一根
源极线电连接；且所述源极线图案中的每根源极线为磁屏蔽材料层、或包含有磁屏蔽材料层和低电阻率材料层的复合材料层。8.如权利要求2～7任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述复合材料层还包含有夹设在所述磁屏蔽材料层和低电阻率材料层之间的阻挡层。9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触塞、第二接触塞、第三接触塞、第四接触塞、第五接触塞中的部分或全部接触塞的材料为低电阻率材料。10.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一接触塞、第二接触塞、第三接触塞、第四接触塞、第五接触塞中的部分或全部接触塞的材料为磁屏蔽材料。11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述磁屏蔽材料为铁、钴、镍中的一种材料或几种材料，所述低电阻率材料为铜、钨、铝中的一种材料或几种材料。12.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为mram。
技术总结
本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括衬底，在衬底上设置有第一导电结构图案、位于第一导电结构图案上方的磁隧道结阵列，且每个磁隧道结通过第一接触塞与第一导电结构图案电连接。在衬底上还设置有第二导电结构图案，第二导电结构图案位于磁隧道结阵列上方的第二导电结构图案，且每个磁隧道结通过第二接触塞与第二导电结构图案电连接。第一导电结构图案、第二导电结构图案、第一接触塞及第二接触塞中的部分或全部结构中包含有磁屏蔽材料。在每个磁隧道结附近区域都有磁屏蔽材料进行磁屏蔽，从而能够提高对每个磁隧道结进行磁屏蔽的效果。且可以在加工导电结构图案和接触塞时，将磁屏蔽材料加入其内，从而能够简化加工工艺。加工工艺。加工工艺。
技术研发人员：韩谷昌 哀立波 杨晓蕾 王明 张恺烨
受保护的技术使用者：浙江驰拓科技有限公司
技术研发日：2020.12.28
技术公布日：2022/7/1