量子点发光器件和显示装置的制作方法

1.本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及量子点发光器件和显示装置。


背景技术：

2.量子点电致发光显示技术，由于其波长可调，色彩饱和度高，材料稳定性高，和制备成本低廉等优点，成为了下一代显示技术的最佳候选者。经过了将近二十几年的发展，量子点发光二极管(qled)的外量子效率已经由0.01％提升至超过20％，从器件效率方面，量子点发光二极管已经相当接近有机发光二极管(oled)。
3.目前qled的器件结构与oled相似，通过空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等构成类似p-i-n结的三明治结构，通过平衡电子和空穴的注入，达到高效发光的效果。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供量子点发光器件和显示装置，旨在提供一种颜色可调的量子点发光器件。
5.本发明的技术方案如下：
6.一种量子点发光器件，其中，包括依次层叠设置的第一电极、第一量子点发光层、第二电极、第二量子点发光层、第三电极，
7.第一量子点发光层和第二量子点发光层能够单独发光或交替发光，
8.第一量子点发光层和第二量子点发光层能够发出的光的颜色不同，
9.第二电极为驱动电极，
10.第一电极、第一量子点发光层和第二电极形成正置型发光器件和倒置型发光器件中的一者，第二电极、第二量子点发光层和第三电极形成正置型发光器件和倒置型发光器件中的同一者。
11.一种显示装置，包括上述任一的量子点发光器件。优选地，显示装置可以为手机、电脑或电视。
12.有益效果：本发明提供了一种颜色可调的量子点发光器件，通过将两种发光波长的量子点发光二极管结合到一个器件结构中，且两个量子点发光二极管互不干扰，使得该量子点发光器件可以发出不同颜色的光，且极大地简化了制备工艺，缩小了器件面积，扩大了应用范围。
附图说明
13.图1为本发明实施例中提供的一种量子点发光器件的结构示意图。
14.图2为本发明实施例中提供的一种量子点发光器件的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
15.本发明提供量子点发光器件和显示装置，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
16.可以理解，本发明所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本发明的范围的情况下，可以将第一电极称为第二电极，且类似地，可将第二电极称为第一电极。第一电极和第二电极两者都是电极，但其不是同一电极。
17.首先需说明的是，本实施例量子点发光器件中，可以是第一电极设置于基板上，也可以是第三电极设置于基板上。
18.下面以第一电极设置于基板上为例，对本实施例量子点发光器件作详细介绍。如图1所示，本发明实施例提供的一种量子点发光器件包括：依次层叠设置的第一电极(形成于基板上)、第一量子点发光层、第二电极、第二量子点发光层、第三电极；
19.当量子点发光器件发出的光从第三电极射出时，第一量子点发光层的发光波长要长于第二量子点发光层的发光波长；
20.当量子点发光器件发出的光从第一电极射出时，第二量子点发光层的发光波长要长于第一量子点发光层的发光波长。
21.也就是说，本实施例提供的量子点发光器件由两种发光波长的量子点发光二极管结合而成：第一量子点发光二极管(由第一电极、第一量子点发光层与第二电极组成)和第二量子点发光二极管(由第三电极、第二量子点发光层与第二电极组成)，第一量子点发光二极管和第二量子点发光二极管通过公用的第二电极结合在一起，所述第一量子点发光层的发光波长和第二量子点发光层的发光波长不同。需说明的是，光的颜色是由光的波长决定的，发光波长不同，对应的发光颜色就不同。因此，也可以说，本实施例提供的量子点发光器件由两种颜色的量子点发光二极管结合而成。
22.本实施例通过将两种颜色的量子点发光二极管结合到一个器件结构中，且两个量子点发光二极管互不干扰，使得该量子点发光器件可以发出不同颜色的光，且极大地简化了制备工艺，缩小了器件面积，扩大了应用范围。
23.本实施例中，量子点发光器件的结构可以有多种形式，这是因为量子点发光二极管的结构可以有多种形式，且量子点发光二极管的结构有两种：正置结构和倒置结构。本实施例中的第一量子点发光二极管的结构与第二量子点发光二极管的结构相同，当第一量子点发光二极管的结构为正置结构时，第二量子点发光二极管的结构也为正置结构；当第一量子点发光二极管的结构为倒置结构时，第二量子点发光二极管的结构也为倒置结构。
24.本实施例该量子点发光器件的工作原理可以为：若第一量子点发光二极管和第二量子点发光二极管均为正置结构，则当第二电极接负电压，第一电极和第三电极接正电压且均与第二电极导通时，则第一量子点发光二极管发光，第二量子点发光二极管不发光；当第二电极接正电压，第一电极和第三电极接负电压且均与第二电极导通时，则第一量子点发光二极管不发光，第二量子点发光二极管发光。
25.若第一量子点发光二极管和第二量子点发光二极管均为倒置结构，则当第二电极接负电压，第一电极和第三电极接正电压且均与第二电极导通时，则第一量子点发光二极
管不发光，第二量子点发光二极管发光；当第二电极接正电压，第一电极和第三电极接负电压端且均与第二电极导通时，则第一量子点发光二极管发光，第二量子点发光二极管不发光。
26.若第二电极接交流电，第一电极和第三电极均与第二电极导通时，则所述第一量子点发光二极管和第二量子点发光二极管交替发光，互不影响。
27.本实施例中，当量子点发光器件为顶发射结构，即量子点发光器件发出的光从第三电极射出时，第一量子点发光层的发光波长要长于第二量子点发光层的发光波长。例如可以是第一量子点发光层发红光，第二量子点发光层发绿光；或者，第一量子点发光层发绿光，第二量子点发光层发蓝光。如此，第一量子点发光层发出的光在经过第二量子点发光层时，不会激发第二量子点发光层发光，从而可以确保量子点发光器件发出的光的纯度。
28.本实施例中，当量子点发光器件为底发射结构，即量子点发光器件发出的光从第一电极射出时，第二量子点发光层的发光波长要长于第一量子点发光层的发光波长。例如可以是第二量子点发光层发红光，第一量子点发光层发绿光；或者，第二量子点发光层发绿光，第一量子点发光层发蓝光。如此，第二量子点发光层发出的光在经过第一量子点发光层时，不会激发第一量子点发光层发光，从而可以确保量子点发光器件发出的光的纯度。
29.当量子点发光器件为顶发射结构时，所述第一电极为全反射电极，所述第二电极为透明电极或半透明电极，所述第三电极为透明电极。在一种实施方式中，所述第二电极为半透明电极。当使用半透明电极的时候，首先该半透明电极和透明电极之间会形成强微腔结构，从而提高了它们之间第二量子点发光层的发光效率；另外，半透明电极可以在一定程度上隔离两个量子点发光层，减少短波长的光激发另一量子点发光层中的发光波长较长的量子点。因此，第二电极采用半透明电极，可以提高量子点发光器件的发光效率，也提高了出光的单色性，使得该发光器件的应用范围更加广泛。
30.当量子点发光器件为底发射结构时，所述第一电极为透明电极，所述第二电极为透明电极或半透明电极，所述第三电极为全反射电极。在一种实施方式中，第二电极为半透明电极。当使用半透明电极的时候，首先该半透明电极和透明电极之间会形成强微腔结构，从而提高了它们之间第二量子点发光层的发光效率；另外，半透明电极可以在一定程度上隔离两个量子点发光层，减少短波长的光激发另一量子点发光层中的发光波长较长的量子点。因此，第二电极采用半透明电极，可以提高量子点发光器件的发光效率，也提高了出光的单色性，使得该发光器件的应用范围更加广泛。
31.需说明的是，所述全反射电极指的是能够将光线全部反射的电极，所述半透明电极指的是能够将部分光线反射、部分光线透射的电极，所述透明电极指的是能够将光线全部透射的电极。
32.在一种实施方式中，所述全反射电极的材料选自al、ag、ag基合金(如mg与ag构成的合金等)等金属及其合金材料中的一种，但不限于此。需说明的是，本发明实施例中，所述全反射电极两侧还可以设置ito电极(透明电极)，如ito/ag/ito、ito/ag基合金/ito，以降低电极的功函数，利于电荷注入。
33.在一种实施方式中，所述半透明电极的材料选自al、ag、ag基合金(如mg与ag构成的合金等)等金属及其合金材料中的一种，但不限于此。需说明的是，本发明实施例中，所述半透明电极两侧或一侧还可以设置izo电极(透明电极)，如izo/ag/izo、ag/izo，以降低电
极的功函数，利于电荷注入。
34.在一种实施方式中，所述透明电极的材料可以选自铟掺杂氧化锡(ito)、氟掺杂氧化锡(fto)、锑掺杂氧化锡(ato)、铟掺杂氧化锌(izo)和铝掺杂氧化锌(azo)等中的一种或多种，但不限于此。
35.需说明的是，上述全反射电极与半透明电极可选的材料范围相同，具体可选相同范围中的同种或不同种材料。通过控制电极层厚度，可以使得该层具有全反射或半透明功能。当金属或金属合金材料制作形成的电极层厚度在80nm以上时，具有全反射功能；当金属或金属合金材料制作形成的电极层厚度在10-30nm时，具有半透明功能。在一种实施方式中，所述全反射电极的厚度为80-200nm，所述半透明电极的厚度为10-30nm。
36.在一种实施方式中，当所述第一量子点发光二极管和第二量子点发光二极管均为正置结构时，则所述量子点发光器件还包括：
37.第一空穴注入层，所述第一空穴注入层设置在所述第一电极和第一量子点发光层之间；
38.第一空穴传输层，所述第一空穴传输层设置在所述第一空穴注入层和第一量子点发光层之间；
39.第一电子传输层，所述第一电子传输层设置在所述第二电极和第一量子点发光层之间；
40.第二空穴注入层，所述第二空穴注入层设置在所述第二电极和第二量子点发光层之间；
41.第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置在所述第二空穴注入层和第二量子点发光层之间；
42.第二电子传输层，所述第二电子传输层设置在所述第二量子点发光层和第三电极之间。
43.在一种实施方式中，当所述第一量子点发光二极管和第二量子点发光二极管均为倒置结构时，则所述量子点发光器件还包括：
44.第一电子传输层，所述第一电子传输层设置在第一电极和第一量子点发光层之间；
45.第一空穴传输层，所述第一空穴传输层设置在第一量子点发光层和第二电极之间；
46.第一空穴注入层，所述第一空穴注入层设置在所述第一空穴传输层和第二电极之间；
47.第二电子传输层，所述第二电子传输层设置在第二电极和第二量子点发光层之间；
48.第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置在第二量子点发光层和第三电极之间；
49.第三空穴注入层，所述第三空穴注入层设置在第二空穴传输层和第三电极之间。
50.在一种实施方式中，所述基板可以为刚性材质的基板，如玻璃等，也可以为柔性材质的基板，如pet或pi等中的一种。
51.在一种实施方式中，所述第一空穴注入层和第二空穴注入层的材料可以独立地选
自peodt：pss、moo3、woo3、nio、hatcn、cuo、v2o5和cus等中的一种或多种。
52.在一种实施方式中，所述第一空穴传输层和第二空穴传输层的材料可以独立地选自tfb、pvk、poly-tbp、poly-tpd、、npb、tcta、tapc、cbp、peodt：pss、moo3、woo3、nio、cuo、v2o5和cus等中的一种或多种。
53.在一种实施方式中，所述第一电子传输层和第二电子传输层的材料可以独立地选自zno、zro、tio2、alq3、taz、tpbi、pbd、bcp、bphen等中的一种或多种。
54.在一种实施方式中，所述第一量子点发光层和第二量子点发光层的材料可以选自ii-vi族化合物、ii-v族化合物、iv-vi族化合物、i-iii-vi族化合物和i-ii-iv-vi族化合物等中的一种或多种。
55.下面以第一电极设置于基板上为例，对本实施例量子点发光器件的制备方法作详细介绍。如图2所示，本发明实施例提供一种量子点发光器件的制备方法，包括步骤：
56.s10、提供第一电极(设置于基板)；
57.s20、在所述第一电极表面形成第一量子点发光层；
58.s30、在所述第一量子点发光层表面形成第二电极；
59.s40、在所述第二电极表面形成第二量子点发光层；
60.s50、在所述第二量子点发光层表面形成第三电极；
61.当量子点发光器件发出的光从第三电极射出时，第一量子点发光层的发光波长要长于第二量子点发光层的发光波长；
62.当量子点发光器件发出的光从第一电极射出时，第二量子点发光层的发光波长要长于第一量子点发光层的发光波长。
63.需说明的是，光的颜色是由光的波长决定的，发光波长不同，对应的发光颜色就不同。因此，也可以说，本实施例提供的量子点发光器件由两种颜色的量子点发光二极管结合而成。本实施例通过将两种颜色的量子点发光二极管结合到一个器件结构中，且两个量子点发光二极管互不干扰，使得该量子点发光器件可以发出不同颜色的光，且极大地简化了制备工艺，缩小了器件面积，扩大了应用范围。
64.本实施例中，当量子点发光器件为顶发射结构，即量子点发光器件发出的光从第三电极射出时，第一量子点发光层的发光波长要长于第二量子点发光层的发光波长。例如可以是第一量子点发光层发红光，第二量子点发光层发绿光；或者，第一量子点发光层发绿光，第二量子点发光层发蓝光。如此，第一量子点发光层发出的光在经过第二量子点发光层时，不会激发第二量子点发光层发光，从而可以确保量子点发光器件发出的光的纯度。
65.本实施例中，当量子点发光器件为底发射结构，即量子点发光器件发出的光从第一电极射出时，第二量子点发光层的发光波长要长于第一量子点发光层的发光波长。例如可以是第二量子点发光层发红光，第一量子点发光层发绿光；或者，第二量子点发光层发绿光，第一量子点发光层发蓝光。如此，第二量子点发光层发出的光在经过第一量子点发光层时，不会激发第一量子点发光层发光，从而可以确保量子点发光器件发出的光的纯度。
66.当量子点发光器件为顶发射结构时，所述第一电极为全反射电极，所述第二电极为透明电极或半透明电极，所述第三电极为透明电极。在一种实施方式中，所述第二电极为半透明电极。当使用半透明电极的时候，首先该半透明电极和透明电极之间会形成强微腔结构，从而提高了它们之间第二量子点发光层的发光效率；另外，半透明电极可以在一定程
度上隔离两个量子点发光层，减少短波长的光激发另一量子点发光层中的发光波长较长的量子点。因此，第二电极采用半透明电极，可以提高量子点发光器件的发光效率，也提高了出光的单色性，使得该发光器件的应用范围更加广泛。
67.当量子点发光器件为底发射结构时，所述第一电极为透明电极，所述第二电极为透明电极或半透明电极，所述第三电极为全反射电极。在一种实施方式中，第二电极为半透明电极。当使用半透明电极的时候，首先该半透明电极和透明电极之间会形成强微腔结构，从而提高了它们之间第二量子点发光层的发光效率；另外，半透明电极可以在一定程度上隔离两个量子点发光层，减少短波长的光激发另一量子点发光层中的发光波长较长的量子点。因此，第二电极采用半透明电极，可以提高量子点发光器件的发光效率，也提高了出光的单色性，使得该发光器件的应用范围更加广泛。
68.需说明的是，所述全反射电极指的是能够将光线全部反射的电极，所述半透明电极指的是能够将部分光线反射、部分光线透射的电极，所述透明电极指的是能够将光线全部透射的电极。
69.在一种实施方式中，所述全反射电极的材料选自al、ag、ag基合金(如mg与ag构成的合金等)等金属及其合金材料中的一种，但不限于此。需说明的是，本发明实施例中，所述全反射电极两侧还可以设置ito电极(透明电极)，如ito/ag/ito、ito/ag基合金/ito，以降低电极的功函数，利于电荷注入。
70.在一种实施方式中，所述半透明电极的材料选自al、ag、ag基合金(如mg与ag构成的合金等)等金属及其合金材料中的一种，但不限于此。需说明的是，本发明实施例中，所述半透明电极两侧或一侧还可以设置izo电极(透明电极)，如izo/ag/izo、ag/izo，以降低电极的功函数，利于电荷注入。
71.在一种实施方式中，所述透明电极的材料可以选自铟掺杂氧化锡(ito)、氟掺杂氧化锡(fto)、锑掺杂氧化锡(ato)、铟掺杂氧化锌(izo)和铝掺杂氧化锌(azo)等中的一种或多种，但不限于此。
72.需说明的是，上述全反射电极与半透明电极可选的材料范围相同，具体可选相同范围中的同种或不同种材料。通过控制电极层厚度，可以使得该层具有全反射或半透明功能。当金属或金属合金材料制作形成的电极层厚度在80nm以上时，具有全反射功能；当金属或金属合金材料制作形成的电极层厚度在10-30nm时，具有半透明功能。在一种实施方式中，所述全反射电极的厚度为80-200nm，所述半透明电极的厚度为10-30nm。
73.在一种实施方式中，量子点发光器件的制备方法，还包括步骤：
74.在所述第一电极表面形成第一空穴注入层；
75.在所述第一空穴注入层表面形成第一空穴传输层；
76.在所述第一空穴传输层表面形成所述第一量子点发光层；
77.在所述第一量子点发光层表面形成第一电子传输层；
78.在所述第一电子传输层表面形成所述第二电极；
79.在所述第二电极表面形成第二空穴注入层；
80.在所述第二空穴注入层表面形成第二空穴传输层；
81.在所述第二空穴传输层表面形成第二量子点发光层；
82.在所述第二量子点发光层表面形成第二电子传输层；
83.在所述第二电子传输层表面形成第三电极。
84.在另一些实施方式中，量子点发光器件的制备方法，还包括步骤：
85.在所述第一电极表面形成第一电子传输层；
86.在所述第一电子传输层表面形成第一量子点发光层；
87.在所述第一量子点发光层表面形成第一空穴传输层；
88.在所述第一空穴传输层表面形成第一空穴注入层；
89.在所述第一空穴注入层表面形成第二电极；
90.在所述第二电极表面形成第二电子传输层；
91.在所述第二电子传输层表面形成第二量子点发光层；
92.在所述第二量子点发光层表面形成第二空穴传输层；
93.在所述第二空穴传输层表面形成第二空穴注入层；
94.在所述第二空穴注入层表面形成第三电极。
95.本实施例中，可以对得到的量子点发光器件进行封装处理。其中所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证器件的稳定性。
96.本实施例中，各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法(如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等)、蒸镀法(如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等)、沉积法(如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等)中的一种或多种。
97.下面通过具体的实施例对本发明进行详细说明。
98.实施列1(正置底发射器件)
99.1)、在基板上蒸镀ito做第一电极，ito的厚度为40nm，之后uvo(紫外光臭氧)清洗15min，清洗表面的同时改善表面浸润度，并提高ito的功函数；
100.2)、在第一电极上旋涂一层pedot:pss做第一空穴注入层，旋涂转速为4000转每分钟，旋涂40s，之后在150℃退火15min，整个步骤在空气中进行；
101.3)、在第一空穴注入层上旋涂一层tfb做第一空穴传输层，tfb溶解在氯苯中，浓度为8mg/ml(浓度可选范围为4-20mg/ml)，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂时间30s，之后在150℃下退火20min，整个步骤在手套箱中进行；
102.4)、在第一空穴传输层上旋涂绿色量子点发光层做第一量子点发光层，量子点溶解在正辛烷中，浓度为20mg/ml，转速为3000转每分钟，旋涂30s，之后在100℃下加热20min，该步骤在手套箱中进行；
103.5)、在第一量子点发光层上旋涂mzo做第一电子传输层，氧化锌溶解在乙醇中，浓度为30mg/ml(可选浓度范围为10-50mg/ml)，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂时间30s，之后在100℃下加热30min，该步骤在手套箱中进行；
104.6)、在第一电子传输层上溅射izo/ito做第二电极，izo电极的厚度为100nm，ito厚度为100nm；
105.7)、在第二电极上上旋涂一层pedot:pss做第二空穴注入层，旋涂转速为4000转每
分钟，旋涂40s，之后在150℃退火15min，整个步骤在空气中进行；
106.8)、在第二空穴注入层上旋涂一层tfb做第二空穴传输层，tfb溶解在氯苯中，浓度为8mg/ml(浓度可选范围为4-20mg/ml)，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂时间30s，之后在150℃下退火20min，整个步骤在手套箱中进行；
107.9)、在第二空穴传输层上旋涂红色量子点发光层做第二量子点发光层，量子点溶解在正辛烷中，浓度为10mg/ml，转速为3000转每分钟，旋涂30s，之后在100℃下加热20min，该步骤在手套箱中进行；
108.10)、在第二量子点发光层上旋涂mzo做第二电子传输层，氧化锌溶解在乙醇中，浓度为30mg/ml(可选浓度范围为10-50mg/ml)，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂时间30s，之后在100℃下加热30min，该步骤在手套箱中进行；
109.11)、在第二电子传输层上蒸镀100nm的银做第三电极。
110.实施列2(正置顶发射器件)
111.1)、在基板上沉积ito/ag/ito做第一电极，ito的厚度为15nm，ag厚度为90nm，之后uvo(紫外光臭氧)清洗15min，清洗表面的同时改善表面浸润度，并提高ito的功函数；
112.2)、在第一电极上旋涂一层pedot:pss做第一空穴注入层，旋涂转速为5000转每分钟，旋涂40s，之后在150℃退火15min，整个步骤在空气中进行；
113.3)、在第一空穴注入层上旋涂一层tfb做第一空穴传输层，tfb溶解在氯苯中，浓度为8mg/ml(浓度可选范围为4-20mg/ml)，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂时间30s，之后在150℃下退火20min，整个步骤在手套箱中进行；
114.4)、在第一空穴传输层上旋涂红色量子点发光层做第一量子点发光层，量子点溶解在正辛烷中，浓度为10mg/ml(可选浓度范围为10-50mg/ml)，转速为5000转每分钟，旋涂30s，之后在100℃下加热20min，该步骤在手套箱中进行；
115.5)、在第一量子点发光层上旋涂mzo做第一电子传输层，氧化锌溶解在乙醇中，浓度为25mg/ml(可选浓度范围为10-50mg/ml)，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂时间30s，之后在100℃下加热30min，该步骤在手套箱中进行；
116.6)、在第一电子传输层上沉积ag/ito做第二电极，ag厚度为30nm，ito电极的厚度100nm；
117.7)、在第二电极上旋涂一层pedot:pss做第二空穴注入层，旋涂转速为4000转每分钟，旋涂40s，之后在150℃退火15min，整个步骤在空气中进行；
118.8)、在空穴注入层上旋涂一层tfb做空穴传输层，tfb溶解在氯苯中，浓度为8mg/ml(浓度可选范围为4-20mg/ml)，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂时间30s，之后在150℃下退火20min，整个步骤在手套箱中进行；
119.9)、在第二空穴传输层上旋涂绿色量子点发光层做第二量子点发光层，量子点溶解在正辛烷中，浓度为20mg/ml(可选浓度范围为10-50mg/ml)，转速为3000转每分钟，旋涂30s，之后在100℃下加热20min，该步骤在手套箱中进行；
120.10)、在第二量子点发光层上旋涂mzo做第二电子传输层，氧化锌溶解在乙醇中，浓度为30mg/ml(可选浓度范围为10-50mg/ml)，旋涂转速为3000转每分钟，旋涂时间30s，之后在100℃下加热30min，该步骤在手套箱中进行；
121.11)、在第二电子传输层上溅射izo做第三电极，izo厚度为100nm。
122.分别对实施例1以及实施例2制备的qled器件的第二电极施加电压，不同驱动模式下测试的发光峰如表1所示：
123.表1实施例1和实施例2中qled器件的发光峰数据
[0124][0125]
上述两个实施例中，实施例1为底发射型qled器件，实施例2为含有微腔结构的顶发射型qled器件，两个实施例中，绿色量子点发光层均设置在远离全反射电极的位置，可以减少其激发红色量子点发光层的比率；特别是在实施例2的顶发射器件结构中，由于第二电极是半反射电极，所以绿光透过第二电极到达红色量子点发光层的比例更小，所以其发出的绿光单色性更高。此外，在实施例2中红色量子点发光层构成微腔结构，所以其红光的出光效率也会越高。
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应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。