1.一种正压偏置发光单元，其特征在于，包括：
衬底（30），其包括顶面及作为地的底面；
第一焊盘，其设置于顶面，其与底面电气连接；
半导体激光二极管（32），其阴极焊接于第一焊盘，其阳极金属焊接面（33）用于与正压偏置电路的正极电气连接。
2.根据权利要求1所述正压偏置发光单元，其特征在于，还包括：
第三焊盘（35），其设置于顶面；
第四焊盘（36），其设置于顶面；
内匹配电路，其设置于顶面，其包括与阳极金属焊接面（33）电气连接的输出端、与第三焊盘（35）电气连接的射频输入端和与第四焊盘（36）电气连接的供电输入端；
其中，供电输入端通过内匹配电路向阳极金属焊接面（33）提供正压。
3.根据权利要求2所述正压偏置发光单元，其特征在于，所述内匹配电路还包括：
第二焊盘（31），其设置于顶面；
第四金丝（44），其设置于顶面，其一端作为所述输出端，其另一端与第二焊盘（31）电气连接；
匹配电阻（34），其设置于顶面，其一端作为所述射频输入端；
匹配电感（37），其设置于顶面，其一端作为所述供电输入端；
其中，匹配电阻（34）、匹配电感（37）的另一端分别与第二焊盘（31）电气连接。
4.根据权利要求3所述正压偏置发光单元，其特征在于，所述匹配电阻（34）的阻值范围为30ω～50ω。
5.根据权利要求3所述正压偏置发光单元，其特征在于，所述匹配电感（37）的感值范围为2nh～10nh。
6.根据权利要求3所述正压偏置发光单元，其特征在于，所述匹配电阻（34）的另一端通过设置于顶面的第一微带线与第二焊盘（31）电气连接，所述匹配电感（37）的另一端通过设置于顶面的第二微带线与第二焊盘（31）电气连接，所述射频输入端通过设置于顶面的第三微带线与第三焊盘（35）电气连接，所述供电输入端通过设置于顶面的第四微带线与第四焊盘（36）电气连接。
7.根据权利要求3所述正压偏置发光单元，其特征在于，所述第四金丝（44）的长度为0.2mm～0.8mm。
8.一种同轴半导体激光器，其特征在于，包括：
金属晶体管座（20）；
权利要求2-7任一项所述正压偏置发光单元，其设置于金属晶体管座（20）内，其衬底（30）的底面通过导电银胶焊接于金属晶体管座（20）的壳体；
第一引脚（21），其设置于金属晶体管座（20），其通过第三金丝（43）与第四焊盘（36）电气连接；
第二引脚（22），其设置于金属晶体管座（20），其与金属晶体管座（20）的壳体电气连接；
第三引脚（23），其设置于金属晶体管座（20），其通过第一金丝（40）与第三焊盘（35）电气连接。
9.根据权利要求8所述同轴半导体激光器，其特征在于，还包括：
探测光电二极管（41），其设置于金属晶体管座（20）内，其用于探测半导体激光二极管（32）光功率大小，其阳极与金属晶体管座（20）壳体电气连接；
第四引脚（24），其设置于金属晶体管座（20），其通过第二金丝（42）与探测光电二极管（41）的阴极电气连接。
10.一种光模块，其特征在于，包括：
金属安装结构（56）；
印刷电路板（54），其安装于金属安装结构（56）内；
权利要求9所述同轴半导体激光器（50），其固定于金属安装结构（56）；
检测电路（55），其安装于印刷电路板（54），其用于对同轴半导体激光器（50）的工作状态进行实时监控并输出所监控到的同轴半导体激光器（50）的工作状态的信号；
射频连接器（53），其固定于金属安装结构（56），其通过印刷电路板（54）上的微带线与同轴半导体激光器（50）的第三引脚（23）电气连接；
控制电路（51），其安装于印刷电路板（54），其用于将同轴半导体激光器（50）的输出光功率实时控制在设定的范围内；
正压电源电路（52），其安装于印刷电路板（54），其用于通过控制电路（51）给同轴半导体激光器（50）的第一引脚（21）提供正偏置电压，其用于给控制电路（51）、检测电路（55）供电。