一种红光LED高压灯珠的制作方法

本实用新型涉及的是led技术领域，具体涉及一种红光led高压灯珠。

背景技术：

随着led在照明方面的大量应用，市场对led颜色的要求越来越复杂，并不单指白光部分，其他例如红、绿、蓝也需要有更多的规格来应对多样化的市场。目前市面上大多数红光led是低压产品，高压规格比较缺乏，如图1所示的普通垂直结构红光芯片的结构示意图，由于普通led红光芯片是垂直结构，无法进行串连，形成高压规格。

为了解决上述问题，设计一种新型的红光led高压灯珠尤为必要。

技术实现要素：

针对现有技术上存在的不足，本实用新型目的是在于提供一种红光led高压灯珠，结构简单，设计合理，通过多晶串连形成多种高压规格，满足市场需求，实用性强，易于推广使用。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种红光led高压灯珠，包括支架碗杯、led红光芯片，支架碗杯中通过固晶胶固定有多个led红光芯片，各led红光芯片依次串联，所述的led红光芯片采用双电极水平结构的红光芯片。

作为优选，所述的led红光芯片设置有多个，分布在支架碗杯中的负极功能区、正极功能区中，各led红光芯片通过引线依次串联接在负极功能区与正极功能区的焊盘之间。

本实用新型的有益效果：本结构的灯珠通过多晶串连形成多种高压规格，满足市场需求，实用可靠，应用前景广阔。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式来详细说明本实用新型；

图1为背景技术中普通垂直结构红光芯片的结构示意图；

图2为本实用新型实施例1中6v规格灯珠的结构示意图；

图3为本实用新型实施例2中8v规格灯珠的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

参照图2-3，本具体实施方式采用以下技术方案：一种红光led高压灯珠，包括支架碗杯1、led红光芯片2，支架碗杯1中通过固晶胶固定有led红光芯片2，所述的led红光芯片2设置有多个，分布在支架碗杯1中的负极功能区、正极功能区中，各led红光芯片2通过引线依次串联接在负极功能区与正极功能区的焊盘之间。

值得注意的是，所述的led红光芯片2采用双电极、水平结构的红光芯片，可以进行多晶串联。

本具体实施方式采用水平结构的双电极红光芯片，通过将芯片多晶串连形成各种高压规格，例如4v、6v、8v、10v灯珠均可满足设计需求，客户使用更方便，有效解决传统灯珠垂直结构芯片不能串联、单颗灯珠电压低的问题，使得高压红光灯珠在终端应用时设计电源更加简单，达到降低成本的效果，具有广阔的市场应用前景。

实施例1：一种6v电压的红光led高压灯珠(图2)，包括支架碗杯1和双电极、水平结构的led红光芯片2，led红光芯片2共设置有三个，每颗红光芯片均为2v，均通过固晶胶固定在支架碗杯1中的正极功能区中，三个2v的led红光芯片2串联设置，通过引线依次串接在正极功能区与负极功能区的焊盘之间，组成6v电压的高压红光led灯珠。

实施例2：一种8v电压的红光led高压灯珠(图3)，包括支架碗杯1和双电极、水平结构的led红光芯片2，led红光芯片2共设置有四个，每颗红光芯片均为2v，其中三个led红光芯片2通过固晶胶固定在支架碗杯1中的正极功能区中，另一个led红光芯片2通过固晶胶固定在支架碗杯1中的负极功能区中，四个2v的led红光芯片2串联设置，通过引线依次串接在正极功能区与负极功能区的焊盘之间，组成8v电压的高压红光led灯珠。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

技术特征：

1.一种红光led高压灯珠，其特征在于，包括支架碗杯(1)、led红光芯片(2)，支架碗杯(1)中通过固晶胶固定有多个led红光芯片(2)，各led红光芯片(2)依次串联，所述的led红光芯片(2)采用双电极水平结构的红光芯片。

2.根据权利要求1所述的一种红光led高压灯珠，其特征在于，所述的led红光芯片(2)设置有多个，分布在支架碗杯(1)中的负极功能区、正极功能区中，各led红光芯片(2)通过引线依次串联接在负极功能区与正极功能区的焊盘之间。

技术总结
本实用新型公开了一种红光LED高压灯珠，它涉及LED技术领域。它包括支架碗杯、LED红光芯片，支架碗杯中通过固晶胶固定有多个LED红光芯片，分布在支架碗杯中的负极功能区、正极功能区中，各LED红光芯片依次串联，通过引线依次串联接在负极功能区与正极功能区的焊盘之间，所述的LED红光芯片采用双电极水平结构的红光芯片。本实用新型通过多晶串连形成多种高压规格，满足市场需求，实用可靠，应用前景广阔。

技术研发人员：黄山虎;杨锦德;黄杰;覃焕松
受保护的技术使用者：深圳市中顺半导体照明有限公司
技术研发日：2020.02.11
技术公布日：2020.07.31