叠层片式磁珠的制作方法

本实用新型涉及电子元器件的技术领域，特别是涉及一种叠层片式磁珠。

背景技术：

磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰。一些rf电路、pll、振荡电路、含超高频存储器电路（ddrsdram，rambus等）都需要在电源输入部分加磁珠，以吸收超高频信号。片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，并构成高体积电阻率的独石结构。片式磁珠有显著的高频特性和阻抗特性，另外还兼具小型化及轻量化的优点。

然而，目前的片式磁珠，其结构稳定性不足。片式磁珠内部堆叠的各磁性层易发生移位，使得结构发生改变，进而影响工作稳定性及安全性。

技术实现要素：

基于此，有必要针对结构稳定性不足的技术问题，提供一种叠层片式磁珠。

一种叠层片式磁珠，该叠层片式磁珠包括：主体部、线圈部以及两个外电极。所述主体部的一侧与一所述外电极连接，所述主体部的另一侧与另一所述外电极连接。所述线圈部设置于所述主体部内，所述线圈部的一引出端与一所述外电极连接，所述线圈部的另一引出端与另一所述外电极连接。所述主体部包括第一覆盖层、若干磁性层以及第二覆盖层，所述第一覆盖层、若干所述磁性层以及所述第二覆盖层依次堆叠连接。所述第一覆盖层的一侧、各个所述磁性层的一侧以及所述第二覆盖层的一侧分别与一所述外电极连接，所述第一覆盖层的另一侧、各个所述磁性层的另一侧以及所述第二覆盖层的另一侧分别与另一所述外电极连接。所述线圈部包括第一引出线圈、若干单元线圈以及第二引出线圈。所述第一引出线圈、若干所述单元线圈以及所述第二引出线圈依次电性连接。所述第一引出线圈夹设于所述第一覆盖层与一所述磁性层之间，每一所述单元线圈夹设于相邻两所述磁性层之间，所述第二引出线圈夹设于所述第二覆盖层与一所述磁性层之间。所述第一引出线圈的引出端与一所述外电极连接，所述第二引出线圈的引出端与另一所述外电极连接。各所述磁性层的内部设置有散热管道，所述散热管道沿所述单元线圈的轮廓开设，所述散热管道两端具有开口，一所述开口位于所述磁性层的一面，另一所述开口位于所述磁性层的另一面，相邻两所述散热管道连通。所述磁性层的一面设置有第一限位块，所述磁性层的另一面开设有第一限位槽。相邻两所述磁性层中，一所述磁性层的所述第一限位块插设于另一所述磁性层的所述第一限位槽中。所述第一覆盖层朝向所述磁性层的一面设置有第二限位块，所述第二限位块插设于邻近所述第一覆盖层的所述磁性层的所述第一限位槽中。所述第二覆盖层朝向所述磁性层的一面设置有第二限位槽，邻近所述第二覆盖层的所述磁性层的所述第一限位块插设于所述第二限位槽中。

在其中一个实施例中，所述磁性层于所述第一限位槽的底部设置有第一紧固块，所述第一限位块的端面开设有第一紧固槽。相邻两所述磁性层中，一所述磁性层的所述第一紧固块插设于另一所述磁性层的所述第一紧固槽中。

在其中一个实施例中，所述第二限位块的端面开设有第二紧固槽，邻近所述第一覆盖层的所述磁性层的所述第一紧固块插设于所述第二紧固槽中。

在其中一个实施例中，所述第二覆盖层于所述第二限位槽的底部设置有第二紧固块，所述第二紧固块插设于邻近所述第二覆盖层的所述磁性层的所述第一紧固槽中。

在其中一个实施例中，所述第一紧固块呈正方体结构，所述第一紧固槽为正方体槽，所述第一紧固块与所述第一紧固槽相适配。

在其中一个实施例中，所述磁性层设置若干所述第一限位块，所述磁性层开设若干所述第一限位槽。相邻两所述磁性层中，一所述磁性层的每一所述第一限位块插设于另一所述磁性层的一所述第一限位槽中。

在其中一个实施例中，各所述第一限位块于所述磁性层边缘处均匀分布。

在其中一个实施例中，所述第一覆盖层设置若干所述第二限位块，每一所述第二限位块插设于邻近所述第一覆盖层的所述磁性层中的一所述第一限位槽中。

在其中一个实施例中，所述第二覆盖层开设若干所述第二限位槽，邻近所述第二覆盖层的所述磁性层的每一所述第一限位块插设于一所述第二限位槽中。

在其中一个实施例中，所述第一限位块呈圆柱体结构，所述第一限位槽为圆柱形槽，所述第一限位块与所述第一限位槽相适配。

上述叠层片式磁珠，通过两个外电极接入外部电路，线圈部导通两个外电极，通过主体部抑制干扰。通过各散热管道导出各单位线圈所散发的热量，叠层片式磁珠内部的热量通过彼此连通的各散热管道导出，透过第一覆盖层及第二覆盖层向外排出，进而提升热量向外排出的效率。通过第一限位槽对第一限位块的限制作用，加强了相邻两磁性层的位置关系。并通过第一限位槽对第二限位块的限制作用、第二限位槽对第一限位块的限制作用，使得第一覆盖层、若干磁性层以及第二覆盖层之间的位置固定，连接关系牢固，进而提升了结构稳定性。该叠层片式磁珠提升了散热效率，增强了结构强度。

附图说明

图1为一个实施例中叠层片式磁珠的结构示意图；

图2为一个实施例中叠层片式磁珠的部分结构拆分示意图；

图3为图2所示实施例中叠层片式磁珠的n部分的放大示意图；

图4为一个实施例中叠层片式磁珠的磁性层的部分结构示意图；

图5为图2所示实施例中叠层片式磁珠的m部分的放大示意图；

图6为一个实施例中叠层片式磁珠的第一覆盖层的部分结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

请一并参阅图1和图6，本实用新型提供了一种叠层片式磁珠10，该叠层片式磁珠10包括：主体部100、线圈部200以及两个外电极300。主体部100的一侧与一外电极300连接，主体部100的另一侧与另一外电极300连接。线圈部200设置于主体部100内，线圈部200的一引出端与一外电极300连接，线圈部200的另一引出端与另一外电极300连接。主体部100包括第一覆盖层110、若干磁性层120以及第二覆盖层130，第一覆盖层110、若干磁性层120以及第二覆盖层130依次堆叠连接。第一覆盖层110的一侧、各个磁性层120的一侧以及第二覆盖层130的一侧分别与一外电极300连接，第一覆盖层110的另一侧、各个磁性层120的另一侧以及第二覆盖层130的另一侧分别与另一外电极300连接。线圈部200包括第一引出线圈210、若干单元线圈220以及第二引出线圈230。第一引出线圈210、若干单元线圈220以及第二引出线圈230依次电性连接。第一引出线圈210夹设于第一覆盖层110与一磁性层120之间，每一单元线圈220夹设于相邻两磁性层120之间，第二引出线圈230夹设于第二覆盖层130与一磁性层120之间。第一引出线圈210的引出端与一外电极300连接，第二引出线圈230的引出端与另一外电极300连接。各磁性层120的内部设置有散热管道121，散热管道121沿单元线圈220的轮廓开设，散热管道121两端具有开口122，一开口122位于磁性层120的一面，另一开口122位于磁性层120的另一面，相邻两散热管道121连通。磁性层120的一面设置有第一限位块123，磁性层120的另一面开设有第一限位槽124。相邻两磁性层120中，一磁性层120的第一限位块123插设于另一磁性层120的第一限位槽124中。第一覆盖层110朝向磁性层120的一面设置有第二限位块111，第二限位块111插设于邻近第一覆盖层110的磁性层120的第一限位槽124中。第二覆盖层130朝向磁性层120的一面设置有第二限位槽131，邻近第二覆盖层130的磁性层120的第一限位块123插设于第二限位槽131中。

上述叠层片式磁珠10，通过两个外电极300接入外部电路，线圈部200导通两个外电极300，通过主体部100抑制干扰。通过各散热管道121导出各单位线圈所散发的热量，叠层片式磁珠内部的热量通过彼此连通的各散热管道121导出，透过第一覆盖层110及第二覆盖层130向外排出，进而提升热量向外排出的效率。通过第一限位槽124对第一限位块123的限制作用，加强了相邻两磁性层120的位置关系。并通过第一限位槽124对第二限位块111的限制作用、第二限位槽131对第一限位块123的限制作用，使得第一覆盖层110、若干磁性层120以及第二覆盖层130之间的位置固定，连接关系牢固，进而提升了结构稳定性。该叠层片式磁珠提升了散热效率，增强了结构强度。

主体部100用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰。主体部100包括第一覆盖层110、若干磁性层120以及第二覆盖层130。第一覆盖层110、若干磁性层120以及第二覆盖层130可分别为包括诸如fe2o3、nio、zno、cuo等的磁性材料层。第一覆盖层110、若干磁性层120以及第二覆盖层130依次堆叠连接，在本实施例中，磁性层120的厚度小于第一覆盖层110以及第二覆盖层130的厚度。这样，优化叠层片式磁珠的结构，提升紧凑性。由于第一覆盖层110与第二覆盖层130为主体部100的外层结构，第一覆盖层110以及第二覆盖层130的厚度比磁性层120的厚度大，进而提升结构强度，提高叠层片式磁珠的抗冲击性能。

线圈部200用于导通两个外电极300并形成高阻抗特性。两个外电极300用于接入外部电路。为了提升叠层片式磁珠的阻抗特性，在其中一个实施例中，单元线圈220呈u型结构。进一步地，线圈部200与空间上呈螺旋管线形态。如此，提高了叠层片式磁珠的阻抗特性。一实施例中，单元线圈220的厚度小于磁性层120的厚度。这样，增强了对单元线圈220的稳固性，并进一步提升了叠层片式磁珠的紧凑性。如此，进一步提升了叠层片式磁珠小型化及轻量化特性。

散热管道121用于提升叠层片式磁珠的散热效率。散热管道121沿单元线圈220开设，以便于单元线圈220所散发热量导向散热管道121。通过各散热管道121导出各单位线圈所散发的热量，叠层片式磁珠内部的热量通过彼此连通的各散热管道121导出，透过第一覆盖层110及第二覆盖层130向外排出，进而提升热量向外排出的效率。相邻两个散热管道121通过开口122彼此连通，在其中一个实施例中，开口122为圆形孔。这样，便于散热管道121的开设，其次，便于将相邻两个散热管道121连通。如此，提升了该叠层片式磁珠的散热性能。

第一限位槽124用于适配第一限位块123，进而对磁性层120的位置起到限定作用。在相邻两个磁性层120中，通过第一限位块123插入第一限位槽124中，加强了两磁性层120的位置关系，使得相邻两个磁性层120之间不易发生移位。在第一覆盖层110与邻近的一磁性层120之间，第二限位块111插设于该磁性层120的第一限位槽124中，从而固定第一覆盖层110与该磁性层120的位置关系，加强连接稳定性，使得第一覆盖层110与该磁性层120之间不易发生移位。进一步地，在第二覆盖层130与邻近的一磁性层120之间，该磁性层120的第一限位块123插设于第二限位槽131中，从而固定第二覆盖层130与该磁性层120的位置关系，加强连接稳定性，使得第二覆盖层130与该磁性层120之间不易发生移位。这样，使得第一覆盖层110、若干磁性层120以及第二覆盖层130之间的位置固定，连接关系牢固，进而提升了叠层片式磁珠的结构稳定性。

为了进一步提升叠层片式磁珠的结构稳定性，在其中一个实施例中，磁性层120设置若干第一限位块123，磁性层120开设若干第一限位槽124。相邻两磁性层120中，一磁性层120的每一第一限位块123插设于另一磁性层120的一第一限位槽124中。本实施例中，各第一限位块123于磁性层120边缘处均匀分布。这样，进一步加强了相邻两个磁性层120之间的结构稳定性。进一步地，在其中一个实施例中，第一覆盖层110设置若干第二限位块111，每一第二限位块111插设于邻近第一覆盖层110的磁性层120中的一第一限位槽124中。第二覆盖层130开设若干第二限位槽131，邻近第二覆盖层130的磁性层120的每一第一限位块123插设于一第二限位槽131中。这样，第一覆盖层110、若干磁性层120以及第二覆盖层130之间的连接关系牢固，进一步提升了叠层片式磁珠的结构稳定性。

一实施例中，第一限位块123呈圆柱体结构，第一限位槽124为圆柱形槽，第一限位块123与第一限位槽124相适配。从而使得相邻两磁性层120之间的位置关系，被第一限位块123与第一限位槽124的插设关系固定。进一步地，第二限位块111呈圆柱体结构，第二限位块111与第一限位槽124相适配，以限定第一覆盖层110与相邻的一磁性层120的位置关系。第二限位槽131为圆柱形槽，第一限位块123与第二限位槽131相适配，以限定第二覆盖层130与相邻的一磁性层120的位置关系。

为了进一步提升相邻两磁性层120之间的连接稳定性，在其中一个实施例中，磁性层120于第一限位槽124的底部设置有第一紧固块126，第一限位块123的端面开设有第一紧固槽125。相邻两磁性层120中，一磁性层120的第一紧固块126插设于另一磁性层120的第一紧固槽125中。通过第一紧固块126与第一紧固槽125的插设关系，进一步加强了相邻两个磁性层120之间的连接关系。进一步地，在其中一个实施例中，第二限位块111的端面开设有第二紧固槽112，邻近第一覆盖层110的磁性层120的第一紧固块126插设于第二紧固槽112中。第二覆盖层130于第二限位槽131的底部设置有第二紧固块132，第二紧固块132插设于邻近第二覆盖层130的磁性层120的第一紧固槽125中。这样，第一覆盖层110、若干磁性层120以及第二覆盖层130之间的连接关系牢固，进一步提升了叠层片式磁珠的结构稳定性。

一实施例中，第一紧固块126呈正方体结构，第一紧固槽125为正方体槽，第一紧固块126与第一紧固槽125相适配。从而使得相邻两磁性层120之间的位置关系，被第一紧固块126与第一紧固槽125的插设关系进一步固定。进一步地，第二紧固块132呈正方体结构，第二紧固块132与第一紧固槽125相适配，以限定第二覆盖层130与相邻的一磁性层120的位置关系。第二紧固槽112为正方体槽，第一紧固块126与第二紧固槽112相适配，以限定第一覆盖层110与相邻的一磁性层120的位置关系。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。