瞬态电压抑制器件的制作方法

本实用新型涉及半导体封装领域，特别涉及一种瞬态电压抑制器件。

背景技术：

7kw左右的大功率tvs产品主要用于车载电控单元的瞬态浪涌电流保护，对产品的可靠性及功率密度要求较高。现有产品存在以下缺陷：其一是产品结构应力较大，对于大尺寸芯片，在严苛的使用条件下，有芯片受应力损伤的风险；其二是产品厚度方向空间小，不利于封装多层芯片叠加的更大功率的产品类型，使得产品功率密度的提升受限。

技术实现要素：

本实用新型目的是提供一种瞬态电压抑制器件，该瞬态电压抑制器件既提高了产品在严苛环境下的稳定性、延长其使用寿命，又提升了产品的最大功率密度。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种瞬态电压抑制器件，包括由环氧封装体包覆的芯片基板、芯片组和连接片，所述连接片的下表面自环氧封装体中裸露出，所述芯片组的下表面与连接片的上表面焊接连接，所述芯片组的上表面与连接片的一端连接，所述连接片的另一端自环氧封装体内延伸出，所述芯片组进一步包括至少两颗芯片和位于相邻芯片之间的金属片；

所述连接片进一步包括与芯片连接的连接主体和一端自环氧封装体内伸出的引脚，所述连接主体、引脚各自的一端之间相互搭接、并通过焊接连接。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1.上述方案中，自环氧封装体内伸出的引脚的一端具有一向下的第一折弯部。

2.上述方案中，所述第一折弯部下端具有一朝向环氧封装体一侧的第二折弯部。

3.上述方案中，所述金属片为铜片或钼片。

4.上述方案中，所述芯片基板的厚度与环氧封装体的厚度比值为1：3~5。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：

本实用新型瞬态电压抑制器件，其通过连接片结构的设置，进一步降低了芯片的热应力，提高了产品在严苛环境下的稳定性、延长其使用寿命；

另外，优化了产品厚度方向的内部空间，通过封装多层叠加的芯片，提升了产品的最大功率密度。

附图说明

附图1为本实用新型瞬态电压抑制器件结构侧剖图。

以上附图中：1、环氧封装体；2、芯片基板；3、芯片组；301、芯片；302、金属片；4、连接片；5、连接主体；6、引脚；601、第一折弯部；602、第二折弯部。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例1：一种瞬态电压抑制器件，包括由环氧封装体1包覆的芯片基板2、芯片组3和连接片4，所述连接片4的下表面自环氧封装体1中裸露出，所述芯片组3的下表面与连接片4的上表面焊接连接，所述芯片组3的上表面与连接片4的一端连接，所述连接片4的另一端自环氧封装体1内延伸出，所述芯片组3进一步包括至少两颗芯片301和位于相邻芯片301之间的金属片302；

所述连接片4进一步包括与芯片301连接的连接主体5和一端自环氧封装体1内伸出的引脚6，所述连接主体5、引脚6各自的一端之间相互搭接、并通过焊接连接。

自环氧封装体1内伸出的引脚6的一端具有一向下的第一折弯部601；上述第一折弯部601下端具有一朝向环氧封装体1一侧的第二折弯部602；上述金属片302为钼片；上述芯片基板2的厚度与环氧封装体1的厚度比值为1：3。

实施例2：一种瞬态电压抑制器件，包括由环氧封装体1包覆的芯片基板2、芯片组3和连接片4，所述连接片4的下表面自环氧封装体1中裸露出，所述芯片组3的下表面与连接片4的上表面焊接连接，所述芯片组3的上表面与连接片4的一端连接，所述连接片4的另一端自环氧封装体1内延伸出，所述芯片组3进一步包括至少两颗芯片301和位于相邻芯片301之间的金属片302；

所述连接片4进一步包括与芯片301连接的连接主体5和一端自环氧封装体1内伸出的引脚6，所述连接主体5、引脚6各自的一端之间相互搭接、并通过焊接连接。

上述金属片302为铜片；上述芯片基板2的厚度与环氧封装体1的厚度比值为1：5。

采用上述瞬态电压抑制器件时，其通过连接片结构的设置，进一步降低了芯片的热应力，提高了产品在严苛环境下的稳定性、延长其使用寿命；

另外，优化了产品厚度方向的内部空间，通过封装多层叠加的芯片，提升了产品的最大功率密度。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：

1.一种瞬态电压抑制器件，其特征在于：包括由环氧封装体（1）包覆的芯片基板（2）、芯片组（3）和连接片（4），所述连接片（4）的下表面自环氧封装体（1）中裸露出，所述芯片组（3）的下表面与连接片（4）的上表面焊接连接，所述芯片组（3）的上表面与连接片（4）的一端连接，所述连接片（4）的另一端自环氧封装体（1）内延伸出，所述芯片组（3）进一步包括至少两颗芯片（301）和位于相邻芯片（301）之间的金属片（302）；

所述连接片（4）进一步包括与芯片（301）连接的连接主体（5）和一端自环氧封装体（1）内伸出的引脚（6），所述连接主体（5）、引脚（6）各自的一端之间相互搭接、并通过焊接连接。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于：自环氧封装体（1）内伸出的引脚（6）的一端具有一向下的第一折弯部（601）。

3.根据权利要求2所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于：所述第一折弯部（601）下端具有一朝向环氧封装体（1）一侧的第二折弯部（602）。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于：所述金属片（302）为铜片或钼片。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器件，其特征在于：所述芯片基板（2）的厚度与环氧封装体（1）的厚度比值为1：3~5。

技术总结
本实用新型公开一种瞬态电压抑制器件，包括由环氧封装体包覆的芯片基板、芯片组和连接片，所述连接片的下表面自环氧封装体中裸露出，所述芯片组的下表面与连接片的上表面焊接连接，所述芯片组的上表面与连接片的一端连接，所述连接片的另一端自环氧封装体内延伸出，所述芯片组进一步包括至少两颗芯片和位于相邻芯片之间的金属片；所述连接片进一步包括与芯片连接的连接主体和一端自环氧封装体内伸出的引脚，所述连接主体、引脚各自的一端之间相互搭接、并通过焊接连接。本实用新型提高了产品在严苛环境下的稳定性、延长其使用寿命，又提升了产品的最大功率密度。

技术研发人员：吴炆皜;何洪运;郝艳霞;沈加勇
受保护的技术使用者：苏州固锝电子股份有限公司
技术研发日：2020.07.22
技术公布日：2021.06.11