一种金属再布线结构及芯片封装结构的制作方法

本实用新型涉及芯片封装技术领域，特别是一种金属再布线结构及芯片封装结构。

背景技术：

在半导体器件封装制程中通常采用再布线技术(redistributionlayer，rdl)以调整组件的输出、输入位置，进而提升组件的结构稳定性。

现有技术中随着对芯片性能要求的不断提高，芯片上也设置有越来越多不同功能性的焊盘，且焊盘之间设置的越来越紧密，导致相邻之间的焊盘之间的间隙越来越小，在间隙越来越小的两个焊盘之间进行重新布线对工艺的要求也越来越高，在操作过程中稍有不慎就会造成相邻的焊盘之间的电连接，从而造成产品的异常。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种芯片封装结构，以解决现有技术中的不足，它能够扩宽不同焊盘各自的尺寸，并且在扩宽焊盘尺寸的过程中能够避免由于空间有限造成的尺寸受限或者不同焊盘之间相互的影响，能够更好的实现封装制程中芯片的再布线。

本实用新型提供了一种金属再布线结构，包括：第一再布线层和第二再布线层，其中部分所述第一再布线层位于所述第二再布线层之上，且所述第一再布线层与所述第二再布线层之间通过绝缘层电性隔离；所述第一再布线层和所述第二再布线层用于与不同的金属焊盘连接。

进一步的，所述金属再布线结构还包括第三再布线层，部分所述第一再布线层位于所述第三再布线层之上，且所述第一再布线层与所述第三再布线层之间也通过绝缘层电性隔离，所述第三再布线层、所述第一再布线层和所述第二再布线层分别用于与不同的金属焊盘连接。

进一步的，所述第二再布线层与所述第三再布线层的上表面位于同一平面。

进一步的，所述绝缘层为聚酰亚胺保护层。

进一步的，所述第一再布线层和所述第二再布线层的材质包括金、银、铜、铝中的任意一种或多种。

一种芯片封装结构，其特征在于，包括：基板、钝化层和上述的金属再布线结构，所述基板上具有相邻设置的第一焊盘和第二焊盘；所述钝化层覆盖在所述基板上并具有若干钝化层开口，所述第一焊盘和所述第二焊盘均通过相应的钝化层开口向外暴露；

所述第二再布线层位于所述钝化层之上，且部分所述第二再布线层覆盖在所述第二焊盘之上并覆盖所述钝化层开口；

所述第一再布线层覆盖在所述第一焊盘之上并覆盖所述钝化层开口。

进一步的，部分所述第一再布线层延伸覆盖在所述第二焊盘之上。

进一步的，所述基板上还设置有第三焊盘，所述金属再布线结构还具有第三再布线层，所述第三再布线层与所述第三焊盘连接，部分所述第一再布线层覆盖在所述第三再布线层之上，并在第一再布线层与所述第三再布线层之间设置绝缘层。

进一步的，所述第一焊盘位于所述第二焊盘与所述第三焊盘之间。

进一步的，所述第一再布线层的两端分别延伸覆盖在所述第二焊盘之上和第三焊盘之上。

与现有技术相比，本实用新型将第一再布线层和第二再布线层呈上下叠置的方式设置，使第一再布线层和第二再布线层位于不同的平面，从而能够有效的避免由于空间有限造成第一再布线层和第二再布线层之间相互干涉。扩宽了不同焊盘各自的尺寸，并且在扩宽焊盘尺寸的过程中能够避免由于空间有限造成的尺寸受限或者不同焊盘之间相互的影响，能够更好的实现封装制程中芯片的再布线。

附图说明

图1是本实用新型公开的芯片封装结构中基板的结构示意图；

图2是本实用新型公开的芯片封装结构中第二焊盘和第三焊盘成型后的结构示意图；

图3是本实用新型公开的芯片封装结构中在第二焊盘和第三焊盘上成型绝缘层后的结构示意图；

图4是本实用新型公开的芯片封装结构成型后的结构示意图；

附图标记说明：1-第一再布线层，2-第二再布线层，3-绝缘层，4-第三再布线层，

-金属焊盘，101-第一焊盘，102-第二焊盘，103-第三焊盘，200-钝化层，201-钝化层开口，300-基板。

具体实施方式

下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。

本实用新型的实施例：如图4所示，公开了一种金属再布线结构，包括：第一再布线层1和第二再布线层2，其中部分所述第一再布线层1位于所述第二再布线层2之上，且所述第一再布线层1与所述第二再布线层2之间通过绝缘层3电性隔离；所述第一再布线层1和所述第二再布线层2用于与不同的金属焊盘连接。

在本实施例中第一再布线层1和第二再布线层2呈上下叠置的方式设置，使第一再布线层1和第二再布线层2位于不同的平面，从而能够有效的避免由于空间有限造成第一再布线层1和第二再布线层2之间相互干涉。由于第一再布线层1与第二再布线层2分别与不同的焊盘连接，因此，第一再布线层1和第二再布线层2采用上述设置能够扩宽不同焊盘各自的尺寸，并且在扩宽焊盘尺寸的过程中能够避免由于空间有限造成的尺寸受限或者不同焊盘之间相互的影响，能够更好的实现封装制程中芯片的再布线。

本实用新型将再布线层在空间上相互交叠从而避免了相邻的焊盘在扩展过程中在平面上的相互竞争和影响，摆脱了再布线层的排布在同一平面层上的局限。在空间上实现了再布线层的拓展和延伸使再布线层在三维空间上进行延伸设置更丰富了再布线层的结构设计，能够满足具有更多焊盘的芯片的需要。

在本实施例中所述金属再布线结构还包括第三再布线层4，部分所述第一再布线层1位于所述第三再布线层4之上，且所述第一再布线层1与所述第三再布线层4之间也通过绝缘层3电性隔离，所述第三再布线层4、所述第一再布线层1和所述第二再布线层2分别用于与不同的金属焊盘连接。当然在另一实施例中还可以设置更多的再布线层，不同再布线层分别与不同的金属焊盘电性连接并在竖向空间上相互交叠。

在本实施例中所述第二再布线层2与所述第三再布线层4的上表面位于同一平面。第一再布线层1的两侧分别位于第二再布线层2的上侧和第三再布线层4的上侧。

在本实施例中所述绝缘层为聚酰亚胺保护层。所述第一再布线层1、所述第二再布线层2和所述第三再布线层4的材质包括金、银、铜、铝中的任意一种或多种。

如图4本实用新型的另一实施例还公开了一种芯片封装结构，包括：基板300、钝化层200和所述的金属再布线结构，所述基板300上具有相邻设置的第一焊盘101和第二焊盘102；所述钝化层200覆盖在所述基板300上并具有若干钝化层开口201，所述第一焊盘101和所述第二焊盘102均通过相应的钝化层开口201向外暴露；

所述第二再布线层2位于所述钝化层200之上，且部分所述第二再布线层2覆盖在所述第二焊盘102之上并覆盖所述钝化层开口201；

所述第一再布线层1覆盖在所述第一焊盘101之上并覆盖所述钝化层开口201。

在本实施例中部分所述第一再布线层1延伸覆盖在所述第二焊盘102之上。采用上述的金属再布线结构能够扩宽金属焊盘的范围，使金属焊盘可以延展到相邻的金属焊盘之上，从而避免了由于相邻焊盘之间的间隔较近造成的金属焊盘在再布线过程中的相互影响。

进一步的，在本实施例中所述基板300上还设置有第三焊盘103，所述金属再布线结构还具有第三再布线层4，所述第三再布线层4与所述第三焊盘103连接，部分所述第一再布线层1覆盖在所述第三再布线层4之上，并在第一再布线层1与所述第三再布线层4之间设置绝缘层3。

在本实施例中所述第一焊盘101位于所述第二焊盘102与所述第三焊盘103之间。当然第一焊盘101周围还可以设置有更多的焊盘以对第一焊盘101进行围绕，因此在现有的再布线技术中在第一焊盘101进行扩展的时候很容易受到周围的其他焊盘的影响，第一焊盘101拓展后的尺寸也受限于周围其它焊盘。而采用本实用新型实施例公开的金属再布线结构，使第一焊盘101引出来的第一再布线层1覆盖在第二焊盘102引出来的第二再布线层2之上，从而使两个再布线层不在同一个平面上，从而也就避免了两者在尺寸上的相互影响竞争关系，使位于中间位置的第一焊盘101的再布线层的尺寸能够进行更大的扩展，甚至延伸到相邻的焊盘的上方。

在本实施例中所述第一再布线层1的两端分别延伸覆盖在所述第二焊盘102之上和第三焊盘103之上。当然第一再布线层1还可以根据实际需要进行更多样化的设计。在第一再布线层1进行拓展的同时相应的位于下部的第二再布线层2和第三再布线层4的尺寸也会进行相应的扩展，且第一再布线层1覆盖在第二再布线层2和第三再布线层4之上也不会对第二再布线层2和第三再布线层4的使用产生影响。

如图1-4所示，本实施例还公开了一种芯片封装方法，包括如下步骤：

如图1所示，提供一基板300，其中所述基板300的上表面形成有第一焊盘101、第二焊盘102、第三焊盘103和钝化层200，所述第一焊盘101、所述第二焊盘102和所述第三焊盘103均自相应的所述钝化层200上的钝化层开口201向外暴露.

如图2所示，在第二焊盘102和第三焊盘103之上分别成型第二再布线层2和第三再布线层4，所述第二再布线层2覆盖所述第二焊盘102相应的钝化层开口201并且部分第二再布线层2覆盖在所述钝化层200之上。所述第三再布线层3覆盖在所述第三焊盘103之上并且所述第三再布线层3覆盖所述第三焊盘103相应的钝化层开口并且部分所述第三再布线层3覆盖在所述钝化层200之上；

如图3所示，在部分第二再布线层2之上及第二再布线层2与第一焊盘101之间形成绝缘层3，同时在部分第三再布线层4之上及第三再布线层3与第一焊盘101之间也形成绝缘层3，相邻两个绝缘层3之间形成焊盘开口以向外暴露第一焊盘101及部分钝化层。如图4所示，在第一焊盘101之上成型第一再布线层1，其中第一再布线层1覆盖所述焊盘开口并且部分第一再布线层1覆盖在第二再布线层2之上的绝缘层之上，且部分第一再布线层1也同时覆盖在第三再布线层4之上的绝缘层之上。

以上依据图式所示的实施例详细说明了本实用新型的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，但本实用新型不以图面所示限定实施范围，凡是依照本实用新型的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本实用新型的保护范围内。