技术特征：
1.一种多层接合型光电变换元件，依次具备：第一电极；包含钙钛矿半导体的第一光活性层；第一钝化层；第一掺杂层；包含硅的第二光活性层；以及第二电极；所述多层接合型光电变换元件还具备光散射层，该光散射层贯通所述钝化层的一部分，将所述第一光活性层与所述第一掺杂层电接合，且由相互分离的多个硅合金层构成。2.根据权利要求1所述的多层接合型光电变换元件，其中，与第一光活性层及第二光活性层的层叠方向平行的截面中的所述硅合金层与所述第一掺杂层之间的边界线的曲率半径不恒定。3.根据权利要求2所述的多层接合型光电变换元件，其中，相对于所述边界线的总长，所述曲率半径为1～100μm的范围内的部分的长度为40％以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的多层接合型光电变换元件，其中，在所述第一光活性层与所述光散射层之间还具备中间透明电极。5.根据权利要求1至3中任一项所述的多层接合型光电变换元件，其中，在第二光活性层侧的邻接层与所述第一光活性层之间存在的界面实质上为平滑面。6.根据权利要求1至5中任一项所述的多层接合型光电变换元件，其中，所述第一电极具备实质上平行地配置有多个金属线的第一金属电极层，所述光散射层具备实质上平行地配置有多个金属线的硅合金层，所述多个金属线的平均间隔比所述多个硅合金层的平均间隔窄。7.一种多层接合型光电变换元件的制造方法，包括下述的工序：(a)在构成第二光活性层的硅晶片的一面形成第一钝化层的工序；(b)在所形成的第一钝化层形成开口部的工序；(c)在形成有开口部的钝化层之上涂布金属糊剂的工序；(d)对涂布有金属糊剂的硅晶片进行加热，形成硅合金层、第一掺杂层的工序；(e)在形成有所述第一钝化层的硅晶片的背面形成第二电极的工序；(f)在所述第一钝化层之上，通过涂布法形成包含钙钛矿的第一光活性层的工序；以及(g)在所述第一光活性层之上形成第一电极的工序。8.根据权利要求7所述的多层接合型光电变换元件的制造方法，其中，工序(g)中的温度低于工序(f)中的温度。
技术总结
本发明提供一种能够高效率地发电并且耐久性高的半导体元件。实施方式的多层接合型光电变换元件(100)，依次具备：第一电极(101)；包含钙钛矿半导体的第一光活性层(103)；第一钝化层(106)；第一掺杂层(108)；包含硅的第二光活性层(109)；以及第二电极(112)。并且，所述多层接合型光电变换元件还具备光散射层，该光散射层贯通所述钝化层(106)的一部分，将所述第一光活性层(103)与所述第一掺杂层(108)电接合，且由相互分离的多个硅合金层(107)构成。该元件能够通过包括如下工序的方法来制造：在形成了包含第二光活性层(109)的底部单元之后通过涂布来形成第一光活性层(103)。过涂布来形成第一光活性层(103)。过涂布来形成第一光活性层(103)。
技术研发人员：五反田武志 户张智博 齐田穣
受保护的技术使用者：东芝能源系统株式会社
技术研发日：2020.11.16
技术公布日：2022/7/28