显示设备及显示设备的制造方法与流程

1.本公开涉及显示设备及显示设备的制造方法。


背景技术：

2.随着多媒体的发展，显示设备的重要性越来越大。因此，正在使用各种类型的显示设备，诸如有机发光显示(oled)设备和液晶显示(lcd)设备。
3.诸如oled面板或lcd面板的显示面板是包括在显示设备中以显示图像的设备。在这种显示面板之中，发光元件可以设置为发光显示面板，并且发光二极管(led)的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机led(oled)和使用无机材料作为荧光材料的无机led。
4.使用无机半导体作为荧光材料的无机led即使在高温环境中也具有耐久性，并且与有机led相比在蓝光中具有更高的效率。在作为现有无机led元件的限制而指出的制造工艺中，已经开发了使用介电电泳(dep)方法的转移方法。因此，对具有比有机发光二极管的耐久性和效率高的耐久性和效率的无机发光二极管进行了持续的研究。


技术实现要素：

5.技术问题
6.本公开旨在提供显示设备，在该显示设备中，省略了定位在相邻像素之间的结构，并且提高了发光元件的对准程度。
7.本公开还涉及提供显示设备的制造方法，其中发光元件选择性地设置在特定区域中。
8.应当注意，本公开的各方面不限于此，并且本文中未提及的其它方面对于本领域普通技术人员而言将从以下描述中显而易见。
9.技术方案
10.根据本公开的实施方式，显示设备包括：衬底；第一电极和第二电极，设置在衬底上以彼此间隔开；第一绝缘层，设置在衬底上以覆盖第一电极的至少一部分和第二电极的一部分；以及至少一个第一发光元件，设置在第一绝缘层上并且在第一电极和第一电极之间，其中，第一绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，第一子绝缘层包括含有亲水性材料的第一部分和作为除了第一部分之外的区域并且含有疏水性材料的第二部分，第二子绝缘层设置在第一子绝缘层下方，并且至少一个第一发光元件的至少一部分设置在第一部分上。
11.第一部分可以定位在第一电极和第二电极之间。
12.第一部分和水之间的接触角可以是5度或更小，并且第二部分和水之间的接触角可以是100度或更大。
13.第一绝缘层可以包括硅碳氧化物，第一部分可以具有比第二部分高的氧原子浓度，并且第二部分可以具有比第一部分高的氟原子浓度。
14.第一部分可以设置成与第一电极和第二电极的相对侧部分地重叠。
15.第二部分可以与第一电极的不与第二电极相对的另一侧和第二电极的不与第一电极面对的另一侧重叠。
16.限定有第一区域和第二区域，第一部分可以定位在第一区域中，第二部分定位在第二区域中，其中，第二区域可以围绕第一区域。
17.第一区域中的至少一个第一发光元件可以具有比第二区域中的至少一个第一发光元件高的密度。
18.可以限定有发射区域，来自至少一个第一发光元件的光被发射到该发射区域，并且发射区域可以包括第一区域。
19.显示设备还可以包括设置在衬底上以彼此间隔开的第三电极和第四电极，其中，第一绝缘层还可以设置在第三电极和第四电极上，第一部分还可以定位在第三电极和第四电极之间，并且第二部分可以定位在第三电极和第二电极之间。
20.显示设备还可以包括至少一个第二发光元件，该至少一个第二发光元件设置在第一部分上并且在第三电极和第四电极之间，其中，该至少一个第二发光元件可以发射具有与第一发光元件的波长带不同的波长带的光。
21.根据本公开的实施方式，显示设备包括：衬底；第一电极，设置在衬底上并且在第一方向上延伸；第二电极，在第一方向上延伸并且在与第一方向不同的第二方向上与第一电极间隔开；第一绝缘层，设置成覆盖第一电极的至少一部分和第二电极的一部分；以及至少一个发光元件，设置在第一绝缘层上并且在第一电极和第二电极之间，其中，第一绝缘层包括第一部分和第二部分，第一部分包括亲水性材料并且定位在第一电极和第二电极之间的区域中，第二部分包括疏水性材料并且是除了第一部分之外的区域。
22.显示设备还可以包括在第二方向上与第一电极间隔开的第三电极，其中，第一绝缘层可以延伸成设置在第三电极上，第二部分定位在第一电极和第三电极之间，并且第一电极和第二电极之间的发光元件可以具有比第二电极和第三电极之间的发光元件的密度高的密度。
23.第一部分和水之间的接触角可以是5度或更小，并且第二部分和水之间的接触角可以是100度或更大。
24.第一绝缘层还可以包括定位在第一部分和第二部分下方的子绝缘层。
25.至少一个第一部分可以在第一方向上彼此间隔开，并且第二部分可以定位在至少一个第一部分之间的区域中。
26.根据本公开的实施方式，显示设备的制造方法包括：形成衬底、设置在衬底上以彼此间隔开的第一电极和第二电极以及覆盖第一电极和第二电极的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成包括亲水性材料的第一部分和包括疏水性材料的第二部分；以及在第一部分上并且在第一电极和第二电极之间设置发光元件。
27.形成第一部分和第二部分可以包括：通过向第一绝缘层发射第一等离子体来形成第一部分；以及通过向第一电极和第二电极之间的第一部分发射第二等离子体来形成第二部分。
28.第一绝缘层可以包括硅碳氧化物，第一等离子体可以包括基于氟(f)的等离子体，并且第二等离子体可以包括基于氧(o)的等离子体。
29.第一绝缘层还可以包括定位在第一部分和第二部分下方的子绝缘层。
30.其它实施方式的细节包括在详细描述和附图中。
31.有益效果
32.根据实施方式的显示设备可以包括第一绝缘层，第一绝缘层包括亲水区域和疏水区域，并且发光元件可以选择性地设置在亲水区域中。在显示设备中，可以最小化除了其中设置发光元件的区域之外的区域中保留的发光元件的数量，并且即使在省略邻近像素之间的结构时，也可以将发光元件对准在特定位置处。因此，在显示设备中，即使当每个像素的尺寸减小时，发光元件也可以在像素中对准以与其它像素区分开。
33.根据实施方式的效果不受以上示例的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
34.图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
35.图2是根据实施方式的显示设备的像素的示意性平面图。
36.图3是沿着图2的线x1
‑
x1'截取的示意性剖视图。
37.图4是图3的部分q的放大视图。
38.图5是示出根据实施方式的油墨被喷射在第一绝缘层上的示意图。
39.图6是沿着图2的线x2
‑
x2'截取的示意性剖视图。
40.图7是示意性地示出根据实施方式的显示设备的部分剖面的剖视图。
41.图8是沿着图2的线xa
‑
xa'、线xb
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xb'和线xc
‑
xc'截取的剖视图。
42.图9是根据实施方式的发光元件的示意图。
43.图10是根据实施方式的显示设备的制造方法的流程图。
44.图11至图18是示出根据实施方式的显示设备的制造工艺的示意图。
45.图19和图20是示出根据其它实施方式的显示设备的子像素的平面图。
46.图21是根据另一实施方式的显示设备的子像素的平面图。
47.图22是示意性地示出图21的显示设备的子像素的剖面的剖视图。
48.图23是根据另一实施方式的显示设备的子像素的平面图。
49.图24是示意性地示出图23的显示设备的子像素的剖面的剖视图。
50.图25是示出图23的显示设备的三个子像素的平面图。
51.图26至图28是示出图25的显示设备的制造工艺的一些操作的示意性剖视图。
52.图29是根据另一实施方式的发光元件的示意图。
具体实施方式
53.现在将在下文中参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施方式。然而，本发明可以以不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并且将本发明的范围全面地传达给本领域的技术人员。
54.还应当理解，当一层被称为在另一层或衬底“上”时，它可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在居间的层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的部件。
55.应当理解，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些
元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本发明的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
56.在下文中，将参考附图描述实施方式。
57.图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
58.参考图1，显示设备10显示视频或静止图像。显示设备10可以指提供显示屏幕的所有类型的电子设备。显示设备10的示例可以包括提供显示屏幕的电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(iot)设备、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书阅读器、便携式多媒体播放器(pmp)、导航设备、游戏控制台、数码相机、可携式摄像机等。
59.显示设备10包括用于提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例包括发光二极管(led)显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。以下将描述应用led显示面板作为显示面板的示例的情况，但是实施方式不限于此，并且可以应用另一种类型的显示面板，只要相同的技术思想可应用于此即可。
60.显示设备10可以实施为各种形状。例如，显示设备10可以具有这样的形状，诸如正方形形状、在水平方向上长的矩形形状、在垂直方向上长的矩形形状、具有圆化拐角(顶点)的四边形、另外的多边形形状或圆形形状。显示设备10的显示区域da的形状可以基本上类似于显示设备10的形状。图1示出了各自具有在水平方向上长的矩形形状的显示设备10和显示区域da。
61.显示设备10可以包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da是其中显示屏幕的区域，并且非显示区域nda是其中不显示屏幕的区域。显示区域da可以被称为有效区域，并且非显示区域nda可以被称为非有效区域。
62.通常，显示区域da可以是显示设备10的中央区域。显示区域da可以包括多个像素px。多个像素px可以布置成矩阵。多个像素px中的每个可以在平面上具有矩形或正方形形状，但不限于此，并且可以是菱形形状，该菱形形状的每一边相对于第一方向dr1倾斜。多个像素px中的每个可以包括发射特定波长带的光以显示特定颜色的至少一个发光元件300。
63.图2是根据实施方式的显示设备的像素的示意性平面图。
64.参考图2，多个像素px中的每个可以包括第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3。第一子像素px1可以发射第一颜色的光，并且第二子像素px2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素px3可以发射第三颜色的光。第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是蓝色，但是实施方式不限于此，并且子像素pxn可以发射相同颜色的光。图2示出了每个像素px包括三个子像素pxn，但不限于此，并且可以包括多于三个子像素pxn。
65.如本文中所使用的，术语“第一”、“第二”等用于简单地将部件彼此区分开，而不是用于限制部件。也就是说，由术语“第一”、“第二”等限定的配置不必限于特定的配置或位置，并且在一些情况下可以向其分配其它的标号。因此，可以参考附图和以下描述来描述本文中分配给每个部件的标号，并且在本公开的技术思想内，下文中所提及的第一部件可以命名为第二部件。
66.显示设备10的子像素pxn中的每个可以包括被限定为发射区域ema的区域。第一子
像素px1可以包括第一发射区域ema1，第二子像素px2可以包括第二发射区域ema2，并且第三子像素px3可以包括第三发射区域ema2。发射区域ema可以被限定为其中包括在显示设备10中的发光元件300设置成发射特定波长带的光的区域。发光元件300可以包括如以下将描述的图9中所示的有源层330，并且有源层330可以无方向性地发射特定波长带的光。也就是说，从发光元件300的有源层330发射的光可以在朝向发光元件300的侧面的方向上发射，以及在朝向发光元件300的两端的方向上发射。每个子像素pxn的发射区域ema可以包括其中设置有发光元件300的区域以及邻近发光元件300定位并且从发光元件300向其发射光的区域。然而，实施方式不限于此，并且发射区域ema还可以包括从发光元件300发射的光被另一构件向其反射或折射的区域。每个子像素pxn中可以设置有多个发光元件300，并且发射区域ema可以形成为包括其中设置多个发光元件300的区域和邻近于该区域的区域。
67.虽然在附图中未示出，但是显示设备10的每个子像素pxn可以包括被限定为除了发射区域ema之外的区域的非发射区域。非发射区域可以被限定为这样的区域，在该区域中没有设置发光元件300，并且因为从发光元件300发射的光没有到达，所以光不发射到该区域。
68.显示设备10的每个子像素pxn可以包括多个电极210和220、发光元件300以及至少一个绝缘层，例如，图8中所示的绝缘层510、520和550。
69.多个电极210和220可以电连接到发光元件300，并且其可以被施加特定电压，使得发光元件300可以发射特定波长带的光。多个电极210和220中的每个的至少一部分可以用于在每个子像素pxn中形成电场，以便对准发光元件300。
70.多个电极210和220可以包括第一电极210和第二电极220。在实施方式中，第一电极210可以是针对子像素pxn而分开的像素电极，并且第二电极220可以是沿着子像素pxn共同连接的公共电极。第一电极210和第二电极220中的一个可以是发光元件300的阳极电极，并且另一个可以是发光元件300的阴极电极。然而，实施方式不限于此，并且反之，第一电极210和第二电极220中的一个可以是发光元件300的阴极电极，并且另一个可以是发光元件300的阳极电极。
71.第一电极210和第二电极220可以包括在第一方向dr1上延伸的电极杆部分210s和220s以及至少一个电极分支部分，例如，分别从电极杆部分210s和220s分支并且在与第一方向dr1交叉的第二方向dr2上延伸的电极分支部分210b和220b。
72.第一电极210可以包括在第一方向dr1上延伸的第一电极杆部分210s和从第一电极杆部分210s分支并且在第一方向dr1上延伸的至少一个第一电极分支部分210b。
73.像素的第一电极杆部分210s可以具有在子像素pxn之间彼此间隔开的两端，并且可以定位在与在同一行中邻近的子像素pxn(例如，在第一方向dr1上邻近的子像素pxn)的第一电极杆部分210s基本上相同的直线。子像素pxn中的每个中的第一电极杆部分210s的两端可以与其它子像素pxn中的第一电极杆部分210s的两端间隔开，以向第一电极分支部分210b提供不同的电信号，并且第一电极分支部分210b可以被单独驱动。
74.第一电极分支部分210b可以从第一电极杆部分210s的至少一部分分支并且在第二方向dr2上延伸，并且其分支可以终止成使得第一电极分支部分210b与面对第一电极杆部分210s的第二电极杆部分220s间隔开。
75.第二电极220可以包括第二电极杆部分220s和第二电极分支部分220b，第二电极
杆部分220s在第一方向dr1上延伸以面对第一电极杆部分210s，同时在第二方向dr2上与第一电极杆部分210s间隔开，并且第二电极分支部分220b从第二电极杆部分220s分支并且在第二方向dr2上延伸。第二电极杆部分220s的一端可以连接到在第一方向dr1上邻近的另一子像素pxn的第二电极杆部分220s。也就是说，与第一电极杆部分210s不同，第二电极杆220s可以在第一方向dr1上延伸以跨过每个子像素pxn。跨过每个子像素pxn的第二电极杆220a可以连接到其中设置每个像素px或每个子像素pxn的显示区域da的外侧或非显示区域nda的在一方向上的延伸部分。
76.第二电极分支部分220b可以与第一电极分支部分210b间隔开，以面对第一电极分支部分210b，并且其分支可以在与第一电极杆部分210s间隔开的同时终止。第二电极分支部分220b可以连接到第二电极杆部分220s，并且其在第二电极分支部分220b延伸的方向上的一端可以定位在子像素pxn中，同时与第一电极杆部分210s间隔开。
77.虽然在附图中两个第一电极分支部分210b定位在每个子像素pxn中，并且一个第二电极分支部分220b定位在两个第一电极分支部分210b之间，但是实施方式不限于此。可替代地，第一电极210和第二电极220可以不必具有在一方向上延伸的形状，并且可以设置成各种结构。例如，第一电极210和第二电极220可以各自具有部分曲形或弯曲的形状，或者第一电极210和第二电极220中的一个可以布置成围绕另一个。其中设置第一电极210和第二电极220的结构或形状不受特别限制，只要其至少一些区域彼此间隔开以彼此面对，以便在它们之间形成其中可以布置发光元件300的空间。
78.第一电极210和第二电极220可以通过接触孔(例如，分别通过第一电极接触孔cntd和第二电极接触孔cnts)电连接到显示设备10的图7的电路元件层pal。在附图中，针对每个子像素pxn的第一电极杆部分210s形成第一电极接触孔cntd，并且针对跨过每个子像素pxn的仅一个第二电极杆部分220s形成第二电极接触孔cnts。然而，实施方式不限于此，并且在一些情况下，可以针对子像素pxn形成第二电极接触孔cnts。
79.多个发光元件300可以设置在第一电极210和第二电极220之间。如附图中所示，多个发光元件300可以设置在第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b之间。多个发光元件300中的至少一些中的每个的一端可以电连接到第一电极210，并且其另一端可以电连接到第二电极220。发光元件300的两端可以分别设置在第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b上，但实施方式不限于此。在一些情况下，发光元件300可以设置在第一电极210和第二电极220之间，使得其两端不与第一电极210和第二电极220重叠。
80.多个发光元件300可以设置在第一电极210和第二电极220之间，以彼此间隔开，并且基本上彼此平行地对齐。多个发光元件300之间的间隙不受特别限制。在一些情况下，多个发光元件300可以在一个方向上定向并对准的同时彼此邻近地布置以聚集在一起，并且多个其它发光元件300可以聚集在一起以彼此隔开一定距离，或者可以以不同的密度布置。在实施方式中，发光元件300可以具有在一个方向上延伸的形状，并且每个电极(例如，第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b)延伸的方向和发光元件300延伸的方向可以基本上彼此垂直。然而，实施方式不限于此，并且发光元件300可以不垂直于第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b延伸的方向，而是可以倾斜于第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b延伸的方向。
81.根据实施方式的显示设备10可以包括覆盖第一电极210的至少一部分和第二电极
220的至少一部分的第一绝缘层510，并且每个子像素pxn可以包括绝缘层510的第一区域ir1和第二区域ir2，第一区域ir1和第二区域ir2包括具有不同极性的材料。
82.第一绝缘层510可以设置在显示设备10的每个子像素pxn上。第一绝缘层510可以设置成基本上完全覆盖每个子像素pxn并延伸至相邻的子像素pxn。第一绝缘层510可以设置成覆盖第一电极210的至少一部分和第二电极220的至少一部分。虽然在图2中未示出，但是第一绝缘层510可以设置成暴露第一电极210的一部分和第二电极220的一部分，并且特别是第一电极分支部分210b的一些区域和第二电极分支部分220b的一些区域。以下将参考其它附图对此进行详细描述。
83.在第一绝缘层510中，可以形成包括亲水性材料的区域和包括疏水性材料的区域。包括亲水性材料的区域可以是第一区域ir1，并且包括疏水性材料的区域可以是第二区域ir2。如图2中所示，第一区域ir1和第二区域ir2可以形成在显示设备10的每个子像素pxn中。
84.第一区域ir1中的每个可以是针对子像素pxn中的一个设置的。第一区域ir1可以与针对每个子像素pxn设置的第一电极210和第二电极220重叠。特别地，第一区域ir1可以定位成包括第一电极分支部分210b、第二电极分支部分220b以及它们之间的区域。可以针对子像素pxn形成多个第一区域ir1，并且因此设置在相邻子像素pxn中的第一区域ir1可以在一方向(例如，第一方向dr1或第二方向dr2)上彼此间隔开。也就是说，第一区域ir1可以在显示设备10的基本上整个区域上形成为岛状或线型图案。
85.第二区域ir2是除了第一区域ir1之外的区域，并且可以形成为围绕第一区域ir1。第二区域ir2可以形成为围绕第一区域ir1并且整体地连接到每个子像素pxn。在实施方式中，第二区域ir2可以定位在相邻子像素pxn的边界处。第二区域ir2可以形成于在第一方向dr1上邻近的子像素(例如，第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3)之间的边界处，以在第二方向dr2上延伸。虽然在附图中未示出，但是第二区域ir2可以形成于第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3之间的边界处以及在第二方向dr2上与第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3邻近的子像素pxn之间的边界处，以在第一方向dr1上延伸。也就是说，第二区域ir2可以在显示设备10的基本上整个区域上形成为网格图案。
86.根据实施方式，显示设备10可以包括第一区域ir1和第二区域ir2，第一区域ir1中的每个是针对子像素pxn中的一个设置的，第二区域ir2是除了第一区域ir1之外的区域，并且针对子像素pxn设置的发光元件300可以设置在第一区域ir1中。第一区域ir1可以定位在第一电极210和第二电极220之间，例如，定位在第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b之间。发光元件300可以在第一区域ir1中并且在第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b之间对准。因此，第一区域ir1可以包括在发射区域ema中，发光元件300布置在发射区域ema中并且来自发光元件300的光被发射到发射区域ema。也就是说，每个子像素pxn的发射区域ema可以具有比第一区域ir1大的面积。然而，实施方式不限于此，并且发射区域ema和第一区域ir1可以具有基本上相同的面积。
87.在实施方式中，可以通过在显示设备10的制造工艺期间将图5的其中分散有发光元件300的油墨s喷射到第一电极210和第二电极220上并且向第一电极210和第二电极220提供对准信号而将发光元件300设置在第一电极210和第二电极220之间。此处，其中分散有发光元件300的油墨s可以喷射到第一电极210和第二电极220上的第一绝缘层510上，并且
可以在第一绝缘层510上具有流动性，并且因此移动到邻近区域。根据实施方式的显示设备10可以包括第一绝缘层510的包括具有不同极性的材料的第一区域ir1和第二区域ir2，并且因此，其中分散有发光元件300的油墨s可以被引导成定位在第一区域ir1中。
88.油墨s可以与包括在第一绝缘层510的第一区域ir1中的材料形成比与包括在第一绝缘层510的第二区域ir2中的材料相对更强的吸引力，并且可以被喷射到第一绝缘层510上以提供给第一区域ir1。由于第一区域ir1形成在其中对准有发光元件300的第一电极210和第二电极220之间，因此其中分散有发光元件300的油墨s设置在第一区域ir1上，并且因此发光元件300的大部分可以在第一电极210和第二电极220之间对准。显示设备10的每个像素px或子像素pxn包括第一区域ir1和第二区域ir2，并且因此，在显示设备10的制造工艺期间，其中分散有发光元件300的油墨s可以被引导成移动到某一区域，并且可以最小化除了第一电极210和第二电极220之间的区域之外的区域中的发光元件300的数量。也就是说，在根据实施方式的显示设备10的制造工艺期间，丢失的发光元件300的数量或者未连接到每个子像素pxn中的电极210和220的有缺陷的发光元件300的数量可以被最小化。
89.在显示设备10的制造工艺中，即使没有在邻近子像素pxn之间设置结构或邻近子像素pxn之间的结构被省略时，也可以防止其中分散有发光元件300的油墨s流至其它子像素pxn。喷射到每个子像素pxn上的油墨s可以被引导成移动到第一区域ir1，并且被阻止从第一区域ir1和第二区域ir2之间的边界流至第二区域ir2。可以在子像素pxn之间的边界处形成第二区域ir2，并且可以防止喷射到一个子像素pxn上的油墨s移动超过子像素pxn与相邻的子像素pxn之间的边界。
90.根据实施方式，显示设备10的第一绝缘层510可以包括第一子绝缘层511和512以及第二子绝缘层513，并且第一子绝缘层511和512可以分别包括第一部分511和第二部分512。其中定位有第一部分511的区域和其中定位有第二部分512的区域可以分别形成以上描述的第一区域ir1和第二区域ir2。其中设置有发光元件300的第一区域ir1可以是其中定位有第一绝缘层510的包括亲水性材料的第一部分511的区域，并且第二区域ir2可以是其中定位有第一绝缘层510的包括疏水性材料的第二部分512的区域。以下将参考其它附图对此进行详细描述。
91.图3是沿着图2的线x1
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x1'截取的示意性剖视图。图4是图3的部分q的放大视图。图5是示出根据实施方式的油墨被喷射到第一绝缘层上的示意图。图6是沿着图2的线x2
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x2'截取的示意性剖视图。
92.图3至图6示意性地示出了一个子像素pxn的剖面，并且因此根据实施方式的显示设备10的结构不限于此。图3至图6仅示出了设置在每个子像素pxn中的第一电极210、第二电极220、第一绝缘层510和发光元件300，但是显示设备10还可以包括多个其它构件。
93.参考图3至图6，根据实施方式的显示设备10可以包括电路元件层pal和定位在电路元件层pal上的发射层eml。以下将详细描述这些部件的结构。发光元件300设置在发射层eml上。发射层eml可以包括第一电极210、第二电极220、第一绝缘层510和发光元件300。第一电极210、第二电极220和发光元件300如上所述。
94.第一绝缘层510可以设置成覆盖第一电极210和第二电极220，并且发光元件300可以设置在第一绝缘层510上并且在第一电极210和第二电极220之间。在附图中，发光元件300的两端定位在分别与第一电极210和第二电极220重叠的位置处，但实施方式不限于此。
95.根据实施方式，第一绝缘层510可以包括第二子绝缘层513、在第二子绝缘层513的区域上的第一部分511以及作为除了第一区域511之外的区域的第二部分512。第二子绝缘层513可以遍及第一区域ir1和第二区域ir2定位，以覆盖第一电极210和第二电极220。第二子绝缘层513可以设置成与第一电极210和第二电极220直接接触，并且延伸至相邻的子像素pxn。
96.第一部分511可以形成在第二子绝缘层513的区域上。第一部分511可以形成在设置在每个子像素pxn中的第一电极210的一部分和第二电极220上。第一部分511可以仅设置在每个子像素pxn中。在附图中，示出了第一部分511与第一电极210的剖面的一区域(即，第一电极210的一半)重叠，并且覆盖第二电极220的整个剖面。也就是说，第一部分511可以设置成仅与第一电极210的面对第二电极220的一侧重叠，并且与第二电极220的面对第一电极210的两侧重叠。然而，实施方式不限于此，并且第一部分511可以形成为与整个第一电极210重叠或者与第二电极220的一部分重叠。其中形成有第一部分511的区域可以形成第一区域ir1。多个发光元件300可以在第一区域ir1中设置在第一部分511上。
97.第二部分512可以设置在第二子绝缘层513的其中没有形成第一部分511的区域中。当第二部分512定位在一个子像素pxn中时，第二部分512可以设置在相邻的子像素pxn的边界上，并且可以延伸至相邻的子像素pxn，以将一个子像素pxn连接到相邻的子像素pxn。如图6中所示，仅第二子绝缘层513和第二部分512可以设置在一个子像素pxn中的第一电极210与另一子像素pxn中的第一电极210之间的区域中。其中形成有第二部分512的区域可以形成第二区域ir2，并且发光元件300可以基本上不设置在第二部分512上。也就是说，在实施方式中，设置在第一区域ir1或第一部分511中的发光元件300的密度可以高于设置在第二区域ir2或第二部分512中的发光元件300的密度。
98.第一部分511可以包括亲水性材料，并且第二部分512可以包括疏水性材料。也就是说，可以在第一绝缘层510的上表面上形成具有不同极性的区域。根据实施方式，在显示设备10的制造工艺期间，其中分散有发光元件300的油墨s可以被引导成仅移动到在第一绝缘层510上具有不同极性的区域之中的特定区域，例如，包括亲水性材料的第一部分511。
99.如图5中所示，在显示设备10的制造工艺中，可以将其中分散有发光元件300的油墨s喷射到第一电极210和第二电极220上。在实施方式中，形成第一区域ir1的第一部分511可以防止油墨s移动到第二部分512。喷射到每个子像素pxn上的油墨s可以喷射到第一区域ir1中并且保持在初始位置处，并且喷射到除了第一区域ir1之外的第二区域ir2中的油墨s可以与包括亲水性材料的第一部分511形成强的吸引力，并且因此移动到第一区域ir1中。因此，分散在油墨s中的发光元件300之中的在第一电极210和第二电极220之间的发光元件300的数量可以增加。
100.通过控制第一绝缘层510的第一部分511和第二部分512与油墨s之间的表面能差，可以得到第一绝缘层510的油墨(s)扩散防止功能。如上所述，第一部分511可以包括亲水性材料，第二部分512可以包括疏水性材料，并且第一部分511和油墨s之间的表面能差可以不同于第二部分512和油墨s之间的表面能差。
101.喷射到第一绝缘层510上的油墨s可以呈适于使表面能最小化的形式。油墨s可以呈球形或半椭圆形的形式以最小化表面能。
102.此处，将作为示例描述在第一部分511上(即，在第一区域ir1中)设置油墨s的情
况。油墨s可以设置在第一部分511和第二部分512之间的边界处，以形成第一部分511和油墨s之间的界面以及油墨s和空气之间的界面。油墨s可以在以上界面处具有表面能，并且可以表现出用于使表面能的值最小化的行为。
103.例如，当油墨s定位在形成第一区域ir1的第一部分511上时，油墨s可以由于流体的运动而具有在随机方向上移动的第一力f1。第一力f1可以是由于包含在油墨s中的流体的运动而产生的力、由于重力作用在油墨s上的力或者为使油墨s的表面能最小化而施加的力。可以施加第一力f1，使得油墨s与第一部分511之间的第一表面能γlv的水平以及油墨s与空气之间的第二表面能γlv的水平之和被最小化。如图5中所示，当油墨s与第一部分511之间的第一表面能γsl的水平小于油墨s与空气之间的第二表面能γlv的水平时，油墨s可以由于施加到其的第一力f1而移动，以增大油墨s与第一部分511之间的界面。
104.当油墨s定位在第一区域ir1与第二区域ir2之间并且通过第一力f1移动到第二区域ir2时，可以在油墨s与第二部分512之间形成新的界面。然而，当在油墨s与第二部分512之间的界面处形成的第三表面能γsl'的水平是大的时，油墨s的表面的总表面能可能增加。为了防止此问题，向油墨s施加被施加的一个力(即，第二力f2)以使油墨s与第二部分512之间的界面最小化。当向油墨s施加的第二力f2大于第一力f1时，油墨s可以不在第一部分511和第二部分512之间的边界处移动。如上所述，在根据实施方式的显示设备10的制造工艺中，其中分散有发光元件300的油墨s可以被引导成定位在特定区域(例如，第一区域ir1)中。也就是说，可以防止喷射到每个子像素pxn上的油墨s扩散到除了第一区域ir1之外的区域。因此，分散在油墨s中的发光元件300可以被引导成仅定位在第一区域ir1中，并且可以增加第一区域ir1中的电极210和220之间的发光元件300的数量。
105.此外，如图6中所示，可以在不同的子像素pxn之间形成第二区域ir2，以即使在不设置将子像素pxn彼此分开的构件时也防止油墨s向相邻子像素pxn扩散。当针对子像素pxn设置不同类型的发光元件300时，在显示设备10的制造工艺中，需要防止要设置在特定子像素pxn中的发光元件300设置在另一子像素pxn中。此处，在根据实施方式的显示设备10中，可以在相邻子像素pxn之间形成第二区域ir2，使得即使在不设置另外的构件时也可以在子像素pxn中设置不同类型的发光元件300。
106.根据实施方式，第一部分511可以包括亲水性材料，并且第二部分512可以包括疏水性材料。当其中分散有发光元件300的油墨s包括亲水性溶剂时，在第一部分511和第二部分512之间的边界处施加到油墨s的第二力f2可以大于第一力f1，并且因此可以防止油墨s扩散到子像素pxn中。然而，包括在第一部分511和第二部分512中的材料的极性不限于此。在显示设备10的制造工艺中，包括在第一部分511和第二部分512中的材料的极性可以根据其中分散有发光元件300的油墨s的极性而反转。
107.在实施方式中，第一部分511可以包括相对于水具有30
°
或更小或者5
°
或更小的接触角的材料，并且第二部分512可以包括相对于水具有80
°
或更大或者150
°
或更大的接触角的材料。当其中分散有发光元件300的油墨s是亲水性的时，第一部分511也可以包括亲水性材料，并且第二部分512可以包括疏水性材料，从而防止油墨s扩散到除了第一区域ir1之外的区域。然而，实施方式不限于此，并且第一部分511的材料和第二部分512的材料的极性可以与以上描述的彼此相反。
108.可替代地，发光元件300也可以设置在每个子像素pxn的除了第一区域ir1之外的
区域上。在一些情况下，一些发光元件300可以仅设置在第二区域ir2上。在根据实施方式的显示设备10中，设置在第一区域ir1中的发光元件300的密度可以高于设置在第二区域ir2上的发光元件300的密度。
109.在显示设备10的制造工艺中，可以通过形成第一绝缘层510并且向第一绝缘层510发射不同类型的等离子体以形成第一部分511、第二部分512和第二子绝缘层513来获得上述结构的第一绝缘层510。可以通过向第一绝缘层510发射第一等离子体(参见图12)来形成第一部分511，可以通过向第一绝缘层510发射第二等离子体(参见图14)来形成第二部分512，并且可以在第一绝缘层510的不被发射等离子体的区域中形成第二子绝缘层513。
110.根据实施方式，第一绝缘层510可以包括无机绝缘材料。例如，第一绝缘层510可以包括硅碳氧化物(sioc
x
)。第一绝缘层510可以包括硅碳氧化物，并且因此包含硅
‑
氧(si
‑
o)键和硅
‑
碳(si
‑
c)键。此处，当发射等离子体时，硅
‑
碳(si
‑
c)键可以被破坏，并且另一键可以通过发射的等离子体形成。在实施方式中，在显示设备10的制造工艺中，发射到第一绝缘层510的第一等离子体和第二等离子体可以分别是基于氟(f)的等离子体和基于氧的等离子体。因此，第一部分511可以包含由于第二等离子体的发射而形成的硅
‑
氧(si
‑
o)键，并且第二部分512可以包含通过第一等离子体的发射而形成的硅
‑
氟甲基(si
‑
cnfm)键。第二子绝缘层513可以是不被发射等离子体并且包括与第一绝缘层510相同的材料的区域。
111.根据实施方式，第一绝缘层510可以包括硅碳氧化物(siocx)，并且因此可以通过发射到硅碳氧化物(siocx)的等离子体形成包含不同键的区域。也就是说，可以通过将第一等离子体发射到硅碳氧化物(siocx)来形成硅
‑
氟甲基(si
‑
cnfm)键，并且可以通过发射第二等离子体来形成硅
‑
氧(si
‑
o)键。包含在硅碳氧化物(siocx)中的硅(si)可以从键中断裂，而与键的元素的类型无关，并且当将等离子体发射到键时可以形成新的键。换句话说，当第一等离子体或第二等离子体被发射到第一绝缘层510时，第一绝缘层510的上表面可以被选择性地或可逆地表面改性。以下将对此进行描述。
112.第一部分511可以包含硅
‑
氧(si
‑
o)键或硅
‑
氢氧(si
‑
oh)键，并且因此可以具有亲水极性和与水小的接触角。相反，第二部分512可以包含硅
‑
氟甲基(si
‑
cnfm)键，并且因此可以具有疏水极性和与水大的接触角。因此，在显示设备10的制造工艺中，喷射到第一绝缘层510上的油墨s可以被引导成定位在其中形成有具有亲水极性的第一部分511的第一区域ir1中。
113.第一绝缘层510可以呈以这样的形式，其中通过向基本上一个绝缘层发射第一等离子体或第二等离子体而在一些区域中形成有包含不同键的第一部分511和第二部分51。虽然在附图中，第一部分511、第二部分512和第二子绝缘层513被示出为不同的层，但是实施方式不限于此。第一绝缘层510可以形成为使得第一部分511、第二部分512和第二子绝缘层513整体地形成，并且材料的组成比或键的类型可以根据其位置而变化。在一些情况下，第一绝缘层510可以包括通过在第二子绝缘层513上设置包括亲水性材料的层而形成的第一部分511，并且包括通过在第二子绝缘层513的除了第一部分511之外的区域上设置包括疏水性材料的层而形成的第二部分512。
114.在实施方式中，第一绝缘层510可以包括第二子绝缘层513、氧(o)原子含量比第二子绝缘层513高的第一部分511以及氟(f)原子含量比第二子绝缘层513和第一部分511高的第二部分512。可替代地，第一绝缘层510的在第一区域ir1中的氧(o)原子的含量可以从下
部区域至上部区域增加，并且第一绝缘层510的在第二区域ir2中的氟(f)原子的含量可以从下部区域至上部区域增加。第一绝缘层510的下部区域可以是第二子绝缘层513。第一绝缘层510的在第一区域ir1中的氧(o)原子含量更高的上部区域可以是第一部分511，并且第一绝缘层510的在第二区域ir2中的氟(f)原子含量更高的上部区域可以是第二部分512。
115.根据实施方式的第一绝缘层510可以包括硅碳氧化物(siocx)，并且包括氧(o)原子含量比其它区域高的第一部分511和氟(f)原子含量比其它区域高的第二部分512。因为氧(o)原子含量更高的第一部分511是亲水性的，并且氟(f)原子含量更高的第二部分512是疏水性的，所以喷射到第一绝缘层510上的油墨s可以被引导成定位在特定区域(例如，第一部分511)上。
116.在一些实施方式中，图7的接触电极260可以设置在第一电极210和第二电极220上。接触电极260可以基本上设置在第一绝缘层510上，并且其至少一部分可以与第一电极210和第二电极220接触，或者电连接到第一电极210和第二电极220。
117.图7是示意性地示出根据实施方式的显示设备的部分剖面的剖视图。
118.参考图7，根据实施方式的第一绝缘层510可以形成为暴露第一电极210的至少一部分和第二电极220的一部分，并且显示设备10还可以包括接触电极260，接触电极260与通过开口暴露的第一电极210和第二电极220接触。第一绝缘层510可以设置成覆盖电极210和220，并且开口可以形成为与电极210和220重叠，以暴露电极210和220的一些区域。如附图中所示，开口可以完全暴露电极210和220的平坦的顶表面，并且部分地暴露电极210和220的倾斜侧。然而，实施方式不限于此。形成在第一绝缘层510中的开口可以仅暴露电极210和220的上表面的一部分。
119.接触电极260设置在电极210和220上。接触电极260可以与电极210和220的通过开口暴露的区域以及发光元件300的至少一端接触。接触电极260包括在第一电极210上的第一接触电极261和在第二电极220上的第二接触电极262。第一接触电极261可以与第一电极210的暴露区域和发光元件300的一端接触，并且第二接触电极262可以与第二电极220的暴露区域和发光元件300的另一端接触。
120.如图7中所示，第一绝缘层510的开口可以暴露第一电极210和第二电极220的侧的至少部分以及第一电极210和第二电极220的上表面。在这种情况下，电极210和220的通过开口暴露的区域可以增大，并且接触电极260可以与电极210和220的更大的区域接触。因此，接触电极260与电极210和220之间的接触电阻可以减小。
121.在显示设备10的制造工艺中，在形成覆盖整个电极210和220的第一绝缘层510之后，发光元件300可以在第一区域ir1内对准。此后，可以在第一绝缘层510中形成用于暴露电极210和220的部分的开口，可以形成与发光元件300的至少一端以及电极210和220的至少区域接触的接触电极260。因为根据实施方式的显示设备10还包括接触电极260，接触电极260与电极210和20的通过开口暴露的区域以及发光元件300接触，所以即使当电极210和220被第一绝缘层510完全覆盖时，电信号也可以通过接触电极260从电极210和220传输至发光元件300。
122.在实施方式中，第一接触电极261可以与发光元件300的一端和第一电极210接触，并且第二接触电极262可以与发光元件300的另一端和第二电极220接触。发光元件300可以呈在一个方向上延伸的形式，并且其在该方向上的两端可以与第一接触电极261和第二接
触电极262接触。接触电极260也可以与发光元件300的邻近于发光元件300的两端的侧面的区域以及发光元件300的两端接触。也就是说，接触电极260可以与发光元件300接触以围绕发光元件300的两端。然而，实施方式不限于此。
123.然而，显示设备10的结构不限于图3至图7中所示的结构，并且显示设备10可以具有与图3至图7中所示的结构不同的结构，或者可以在电路元件层pal上设置更多数量的部件。虽然在附图中未示出，但是显示设备10可以包括电极210和220、在电极210和220下方的电路元件层pal以及图8的设置成覆盖发光元件300的至少一部分的第二绝缘层520以及图8的钝化层550。以下将参考图8详细描述显示设备10的结构。
124.图8是沿着图2的线xa
‑
xa'、线xb
‑
xb'和线xc
‑
xc'截取的剖视图。
125.图8仅示出了第一子像素px1的剖面，但是可以应用于其它像素px或子像素pxn。图8示出了跨过发光元件300的一端和另一端的剖面。
126.参考图2和图8，显示设备10可以包括电路元件层pal和发射层eml。电路元件层pal可以包括衬底110、缓冲层115、光阻挡层bml、第一晶体管120、第二晶体管140等，并且发射层eml可以包括设置在第一晶体管120和第二晶体管140上的多个电极210和220、发光元件300以及多个绝缘层510、520和550等。
127.衬底110可以是绝缘衬底。衬底110可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。衬底110可以是刚性衬底，但是可以是能够弯曲、折叠或卷曲的柔性衬底。
128.光阻挡层bml可以设置在衬底110上。光阻挡层bml可以包括第一光阻挡层bml1和第二光阻挡层bml2。第一光阻挡层bml1可以电连接到将在以下描述的第一晶体管120的第一漏电极123。第二光阻挡层bml2可以电连接到第二晶体管140的第二漏电极143。
129.第一光阻挡层bml1和第二光阻挡层bml2设置成分别与第一晶体管120的第一有源材料层126和第二晶体管140的第二有源材料层146重叠。第一光阻挡层bml1和第二光阻挡层bml2可以包括阻挡光的材料，并且因此防止光入射在第一有源材料层126和第二有源材料层146上。例如，第一光阻挡层bml1和第二光阻挡层bml2可以由能够阻挡光的不透明金属材料形成。然而，实施方式不限于此，并且在一些情况下可以省略光阻挡层bml。
130.缓冲层115设置在光阻挡层bml和衬底110上。缓冲层115可以设置成完全覆盖包括光阻挡层bml的衬底110。缓冲层115可以防止杂质离子的扩散，防止湿气或外部空气的渗透，并且执行表面平坦化功能。此外，缓冲层115可以使光阻挡层bml以及第一有源材料层126和第二有源材料层146彼此绝缘。
131.缓冲层115上设置有半导体层。半导体层可以包括辅助层163、第一晶体管120的第一有源材料层126以及第二有源材料层146的第二有源材料层146。半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。
132.第一有源材料层126可以包括第一掺杂区域126a、第二掺杂区域126b和第一沟道区域126c。第一沟道区域126c可以设置在第一掺杂区域126a和第二掺杂区域126b之间。第二有源材料层146可以包括第三掺杂区域146a、第四掺杂区域146b和第二沟道区域146c。第二沟道区域146c可以设置在第三掺杂区域146a和第四掺杂区域146b之间。第一有源材料层126和第二有源材料层146可以包括多晶硅。多晶硅可以通过使非晶硅结晶来形成。使非晶硅结晶的方法的示例可以包括但不限于快速热退火(rta)方法、固相结晶(spc)方法、准分子激光退火(ela)方法、金属诱导结晶(milc)方法、顺序侧向凝固(sls)方法等。作为另一示
例，第一有源材料层126和第二有源材料层146可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅等。第一掺杂区域126a、第二掺杂区域126b、第三掺杂区域146a和第四掺杂区域146b中的每个可以是第一有源材料层126或第二有源材料层146的掺杂有杂质的区域。然而，实施方式不限于此。
133.半导体层上设置有第一栅极绝缘膜150。第一栅极绝缘膜150可以设置成覆盖包括半导体层的整个缓冲层115。第一栅极绝缘膜150可以用作第一晶体管120和第二晶体管140的栅极绝缘膜。
134.第一栅极绝缘膜150上设置有第一导电层。在第一栅极绝缘膜150上，第一导电层可以包括在第一晶体管120的第一有源材料层126上的第一栅电极121、在第二晶体管140的第二有源材料层146上的第二栅电极141以及在辅助层163上的供电互连件161。第一栅电极121可以与第一有源材料层126的第一沟道区域126c重叠，并且第二栅电极141可以与第二有源材料层146的第二沟道区域146c重叠。
135.第一导电层上设置有层间绝缘膜170。层间绝缘膜170可以执行层间绝缘膜的功能。层间绝缘膜170可以包括有机绝缘材料并且执行表面平坦化功能。
136.层间绝缘膜170上设置有第二导电层。第二导电层包括第一晶体管120的第一漏电极123和第一源电极124、第二晶体管140的第二漏电极143和第二源电极144以及设置在供电互连件161上的电力电极162。
137.第一漏电极123和第一源电极124可以通过穿过层间绝缘膜170和第一栅极绝缘膜150的接触孔分别与第一有源材料层126的第一掺杂区域126a和第二掺杂区域126b接触。第二漏电极143和第二源电极144可以通过穿过层间绝缘膜170和第一栅极绝缘膜150的接触孔分别与第二有源材料层146的第三掺杂区域146a和第四掺杂区域146b接触。第一漏电极123和第二漏电极143可以通过另一接触孔分别电连接到第一光阻挡层bml1和第二光阻挡层bml2。
138.第二导电层上设置有通孔层200。通孔层200可以包括有机绝缘材料并且执行表面平坦化功能。
139.通孔层200上可以设置有多个堤410和420、多个电极210和220以及发光元件300。
140.多个堤410和420可以设置在每个子像素pxn中，以彼此间隔开。多个堤410和420可以包括与每个子像素pxn的中央部分邻近设置的第一堤410和第二堤420。
141.第一堤410和第二堤420布置成彼此面对，同时彼此间隔开。第一电极210可以设置在第一堤410上，并且第二电极220可以设置在第二堤420上。参考图2和图8，可以理解，第一电极分支部分210b设置在第一堤410上，并且第二电极分支部分220b设置在第二堤420上。
142.第一堤410和第二堤420可以设置在每个子像素pxn中，以在第二方向dr2上延伸。虽然在附图中未示出，但是第一堤410和第二堤420可以在第二方向dr2上延伸，并且因此可以朝向在第二方向dr2上邻近的子像素pxn延伸。然而，实施方式不限于此，并且第一堤410和第二堤420可以是针对每个子像素pxn设置的，以在显示设备10的前表面上形成图案。第一堤410和第二堤420可以包括聚酰亚胺(pi)，但不限于此。
143.第一堤410和第二堤420可以各自具有其中至少一部分相对于通孔层200突出的结构。第一堤410和第二堤420可以相对于其中设置有发光元件300的平面向上突出，并且第一堤410和第二堤420的突出部分的至少一部分可以倾斜。第一堤410和第二堤420的突出部分
的形状不受特别限制。
144.根据实施方式，堤410和420可以不设置在相邻子像素pxn之间的边界处。例如，可以在第一子像素px1和第二子像素px2之间形成平坦表面，而不是在第二方向dr2上延伸的堤410和420之间形成平坦表面。如上所述，在每个子像素pxn中，可以设置包括多个子绝缘层511、512和513的第一绝缘层510，并且可以限定具有不同极性的第一区域ir1和第二区域ir2。在显示设备10的制造工艺中，当通过喷墨印刷方法将有机材料或溶剂喷射到每个子像素pxn上时，即使当堤410和402没有设置在子像素pxn之间的边界处时，有机材料或溶剂也可以定位在每个子像素pxn的第一区域ir1中。在每个子像素pxn中，可以设置包括多个子绝缘层511、512和513的第一绝缘层510，并且即使当在相邻子像素pxn之间的边界处没有设置堤410和420时，也可以防止喷射的有机材料或溶剂流入邻近子像素pxn中。这如以上参考图5详细描述的。
145.多个电极210和220可以设置在通孔层200以及堤410和420上。如上所述，电极210和220包括电极杆部分210s和220s以及电极分支部分210b和220b。在图2中，线xa
‑
xa'跨过第一电极杆部分210s，线xb
‑
xb'跨过第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b，并且线xc
‑
xc'跨过第二电极杆部分220s。也就是说，可以理解，设置在由图8的线xa
‑
xa'指示的区域中的第一电极210对应于第一电极杆部分210s，设置在由线xb
‑
xb'指示的区域中的第一电极210和第二电极220分别对应于第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b，并且设置在由线xc
‑
xc'指示的区域中的第二电极220对应于第二电极杆部分220s。电极杆部分210s和220s以及电极分支部分210b和220b可以形成第一电极210和第二电极220。
146.第一电极210的一些区域和第二电极220的一些区域可以设置在通孔层200上，并且它们的一些区域可以设置在第一堤410和第二堤420上。如上所述，第一电极210的第一电极杆部分210s和第二电极220的第二电极杆部分220s可以在第一方向dr1上延伸，并且第一堤410和第二堤420可以在第二方向dr2上延伸，以也被放置在邻近于第二方向dr2的子像素pxn中。虽然在附图中未示出，但第一电极210的在第一方向dr1上延伸的第一电极杆部分210s和第二电极220的在第一方向dr1上延伸的第二电极杆部分220s可以与第一堤410和第二堤420部分地重叠。然而，实施方式不限于此，并且第一电极杆部分210s和第二电极杆部分220s可以不与第一堤410和第二堤420重叠。
147.第一电极210的第一电极杆部分210s中可以形成有穿过通孔层200并且部分地暴露第一晶体管120的第一漏电极123的第一电极接触孔cndt。第一电极210可以通过第一电极接触孔cntd与第一漏电极123接触。第一电极210可以电连接到第一晶体管120的第一漏电极123以接收特定的电信号。
148.第二电极220的第二电极杆部分220s可以在一个方向上延伸，以放置在其中没有设置发光元件300的非发射区域中。第二电极杆部分220s中可以形成有穿过通孔层200并且部分地暴露电力电极162的第二电极接触孔cnts。第二电极220可以经由第二电极接触孔cnts与电力电极162接触。第二电极220可以电连接到电力电极162以从电力电极162接收特定的电信号。
149.第一电极210的一些区域和第二电极220的一些区域(例如，第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b)可以分别定位在第一堤410和第二堤420上。第一电极210的第一电极分支部分210b可以设置成覆盖第一堤410，并且第二电极220的第二电极部分220b
可以设置成覆盖第二堤420。因为第一堤410和第二堤420相对于每个子像素pxn的中央彼此间隔开地设置，所以第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b也可以彼此间隔开。多个发光元件300可以设置在第一电极210和第二电极220之间的区域中，即，彼此面对同时彼此间隔开的第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b之间的空间中。
150.电极210和220可以包括透明导电材料。例如，电极210和220可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)或氧化铟锡锌(itzo)的材料，但实施方式不限于此。在一些实施方式中，电极210和220可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极210和220可以包括诸如银(ag)、铜(cu)、铝(al)的金属作为具有高反射率的材料。在这种情况下，入射在电极210和220上的光可以在每个子像素pxn的向上方向上被反射和发射。
151.可以通过交替地堆叠至少一个透明导电材料和具有较高反射率的至少一个金属层或者在一个层中形成透明导电材料和具有较高反射率的金属层来形成电极210和220。在实施方式中，电极210和220可以具有ito/银(ag)/ito/izo的堆叠结构，或者可以是包含铝(al)、镍(ni)、镧(la)等的合金。然而，实施方式不限于此。
152.第一绝缘层510设置在通孔层200、第一电极210和第二电极220上。第一绝缘层510设置成部分地覆盖第一电极210和第二电极220。第一绝缘层510设置成覆盖第一电极210和第二电极220的上表面的大部分，同时部分地暴露第一电极210和第二电极220。第一绝缘层510可以设置成暴露第一电极210的上表面的部分和第二电极220的上表面的部分，例如，第一电极分支部分210b的上表面的在第一堤410上的部分和第二电极分支部分220b的上表面的在第二堤420上的部分。也就是说，第一绝缘层510可以形成在基本上整个通孔层200上，并且包括开口以部分地暴露第一电极210和第二电极220。第一绝缘层510的开口可以定位成暴露第一电极210的相对平坦的上表面和第二电极220的相对平坦的上表面。
153.在实施方式中，在第一绝缘层510中，平坦的上表面可以设置成将发光元件300设置在第一电极210和第二电极220之间。上表面可以在朝向第一电极210和第二电极220的方向上延伸，并且终止于第一电极210和第二电极220的倾斜侧处。也就是说，第一绝缘层510可以设置在其中电极210和220与第一堤410和第二堤220的倾斜侧重叠的区域中。以下描述的接触电极260可以与第一电极210和第二电极220的暴露区域接触，并且可以与第一绝缘层510的平坦的上表面上的发光元件300的端平滑接触。
154.然而，实施方式不限于此。设置在彼此间隔开的第一电极210和第二电极220之间的第一绝缘层510的上表面可以不是平坦的，而可以是阶梯状的。当发光元件300设置在第一绝缘层510上时，可以在发光元件300的下表面和第一绝缘层510的阶梯状区域之间形成空间。发光元件300可以设置成与第一绝缘层510的上表面部分地间隔开，并且该空间可以填充有将在以下描述的第二绝缘层520的材料。
155.第一绝缘层510可以保护第一电极210和第二电极220，同时使它们彼此绝缘。此外，第一绝缘层510可以防止设置在其上的发光元件300由于与其它构件直接接触而被损坏。然而，第一绝缘层510的形状和结构不限于此。
156.如上所述，第一绝缘层510可以包括第一部分511、第二部分512和第二子绝缘层513。第二子绝缘层513可以设置成覆盖包括通孔层200的第一堤410、第二堤420、第一电极210和第二电极220。也就是说，第二子绝缘层513可以以与第一绝缘层510基本上相同的形式设置。虽然在图8中未示出，但是可以在其中设置有绝缘层510的第一部分511的区域中形
成第一区域ir1，并且可以在其中设置有第二部分512的其余区域中形成第二区域ir2。这是如上所述的，并且因此将省略对其的详细描述。
157.发光元件300可以在电极210和220之间设置在第一绝缘层510上。例如，至少一个发光元件300可以在电极分支部分210b和220b之间设置在第一绝缘层510上，即，设置在形成第一区域ir1的第一部分511上。然而，实施方式不限于此，并且虽然在附图中未示出，但是设置在每个子像素pxn中的发光元件300中的至少一些可以设置在第二区域ir2中。在根据实施方式的显示设备10中，每个子像素pxn中的发光元件300的大部分可以设置在第一区域ir1中，并且只有一些发光元件300可以设置在第二区域ir2中。可替代地，发光元件300的一些区域可以设置在与电极210和220重叠的位置处。发光元件300中的每个可以设置在彼此面对的第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b的端中的一个上，并且可以通过接触电极260电连接到电极210和220。
158.发光元件300包括相对于通孔层200在水平方向上设置的多个层。根据实施方式的显示设备10的发光元件300可以包括在图9中示出并且可以相对于通孔层200在水平方向上顺序布置的第一半导体层310、有源层330和第二半导体层320。如附图中所示，第一半导体层310、有源层330和第二半导体层320可以相对于通孔层200在水平方向上顺序地布置在发光元件300中。然而，实施方式不限于此。布置发光元件300的多个层的顺序可以与上述顺序相反，并且当发光元件300在以下情况下具有不同的结构时，发光元件300的多个层可以在垂直于通孔层200的方向上布置。
159.第二绝缘层520可以部分地设置在发光元件300上。第二绝缘层520可以设置成部分地覆盖发光元件300的外表面。第二绝缘层520可以在显示设备10的制造工艺中执行固定发光元件300的功能，同时保护发光元件300。在实施方式中，第二绝缘层520的一些材料可以设置在发光元件300的下表面和第一绝缘层510之间。如上所述，第二绝缘层520可以形成为填充在显示设备10的制造工艺中在第一绝缘层510和发光元件300之间产生的空间。因此，第二绝缘层520可以形成为覆盖发光元件300的外表面。然而，实施方式不限于此。
160.第二绝缘层520可以在第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b之间在平面上在第二方向dr2上延伸和设置。例如，第二绝缘层520可以在通孔层200上在平面上呈岛状或线型形式。
161.接触电极260设置在电极210和220以及第二绝缘层520上。第一接触电极261和第二接触电极262可以设置在第二绝缘层520上以彼此间隔开。第二绝缘层520可以使第一接触电极261和第二接触电极262彼此绝缘，以便彼此不接触。
162.虽然在附图中未示出，但是多个接触电极260可以在第二方向dr2上在平面上延伸，以在第一方向dr1上彼此间隔开。接触电极260可以与发光元件300的至少一端接触并且电连接到第一电极210或第二电极220以接收电信号。接触电极260可以包括第一接触电极261和第二接触电极262。第一接触电极261可以设置在第一电极分支部分210b上以与发光元件300的一端接触，并且第二接触电极262可以设置在第二电极分支部分220b上以与发光元件300的另一端接触。
163.第一接触电极261可以与第一堤410上的第一电极210的暴露区域接触，并且第二接触电极262可以与第二堤420上的第二电极220的暴露区域接触。接触电极260可以将从电极210和220传输的电信号传输至发光元件300。
164.接触电极260可以包括导电材料。例如，接触电极260可以包括ito、izo、itzo、铝(al)等。然而，实施方式不限于此。
165.钝化层550可以设置在第一接触电极261、第二接触电极262和第二绝缘层520上。钝化层550可以保护设置在通孔层200上的构件免受外部环境的影响。
166.以上描述的第二绝缘层520和钝化层550中的每个可以包括无机或有机绝缘材料。在实施方式中，第二绝缘层520和钝化层550可以包括无机绝缘层，诸如硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sioxny)、氧化铝(al2o3)或氮化铝(aln)。第二绝缘层520和钝化层550可以包括作为有机绝缘材料的丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯
‑
聚碳酸酯合成树脂等。然而，实施方式不限于此。
167.发光元件300可以是发光二极管，并且特别地，由无机材料形成的无机发光二极管。当在具有不同极性的两个相对的电极之间在某一方向上形成电场时，无机发光二极管可以在具有不同极性的两个相对的电极之间对准。发光元件300可以通过在两个相对的电极之间形成的电场而在两个相对的电极之间对准。
168.发光元件300可以呈在一个方向上延伸的形式。发光元件300可以呈棒状、线状、管状等的形式。在实施方式中，发光元件300可以具有圆柱形或棒形形状。然而，发光元件300不限于此，并且可以具有各种形状，例如，多棱柱形状，诸如立方体、矩形平行六面体或六棱柱，或者在一个方向上延伸并且其外侧部分地倾斜的形状。以下将描述的包括在发光元件300中的多个半导体可以在该方向上顺序地布置或堆叠。
169.发光元件300可以包括掺杂有导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体晶体。半导体晶体可以接收从外部电力源提供的电信号并且发射特定波长带的光。
170.图9是根据实施方式的发光元件的示意图。
171.根据实施方式的发光元件300可以发射特定波长带的光。在实施方式中，从有源层330发射的光可以是具有450nm至495nm的中心波长带的蓝光。然而，应当理解，蓝光的中心波长带不限于此，并且包括本领域中的蓝光的波长的所有范围。从发光元件300的有源层330发射的光不限于此，并且可以是495nm至570nm的中心波长带的绿光或者620nm至750nm的中心波长带的红光。
172.参考图9，根据实施方式的发光元件300可以包括第一半导体层310、第二半导体层320、有源层330和绝缘膜380。根据实施方式的发光元件300还可以包括至少一个电极层370。图9示出了发光元件300包括一个电极层370，但实施方式不限于此。在一些情况下，发光元件300可以包括多于一个的电极层370，或者可以省略电极层370。即使当改变电极层370的数量或当发光元件300还包括另一结构时，以下对发光元件300的描述也可同样地适用。
173.第一半导体层310可以是第一导电类型的半导体层，例如，n型半导体。例如，当发光元件300发射蓝色波长带的光时，第一半导体层310可以包括具有al
x
ga
y
in1‑
x
‑
y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如，第一半导体层310可以包括掺杂有n型掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。第一半导体层310可以掺杂有第一导电类型的掺杂剂，并且第一导电类型的掺杂剂可以是例如si、ge、sn等。在实施
方式中，第一半导体层310可以是掺杂有n型硅(si)的n
‑
gan。第一半导体层310的长度可以在1.5μm至5μm的范围内，但实施方式不限于此。
174.第二半导体层320设置在以下将描述的有源层330上。第二半导体层320可以是例如第二导电类型的p型半导体，并且当发光元件300发射例如蓝色或绿色波长带的光时，第二半导体层320可以包括具有al
x
ga
y
in1‑
x
‑
y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如，第二半导体层320可以包括掺杂有p型掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。第二半导体层320可以掺杂有第二导电类型的掺杂剂，并且第二导电类型的掺杂剂可以是例如mg、zn、ca、se、ba等。在实施方式中，第二半导体层320可以是掺杂有p型镁(mg)的p
‑
gan。第二半导体层320的长度可以在0.05μm至0.10μm的范围内，但实施方式不限于此。
175.在附图中，第一半导体层310和第二半导体层320形成为一个层，但实施方式不限于此。在一些情况下，根据有源层330的材料，第一半导体层310和第二半导体层320还可以包括另外的层，例如，包层或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。
176.有源层330设置在第一半导体层310和第二半导体层320之间。有源层330可以包括单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当有源层330包括多量子阱结构的材料时，有源层330可以具有其中量子层和阱层交替地堆叠多次的结构。有源层330可以根据通过第一半导体层310和第二半导体层320施加的电信号在电子
‑
空穴对结合时发射光。例如，当有源层330发射蓝色波长带的光时，有源层330可以包括诸如algan、algainn等材料。特别地，当有源层330具有其中量子层和阱层交替地堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包括诸如algan或algainn的材料，并且阱层可以包括诸如gan或alinn的材料。在实施方式中，有源层330可以包括algainn作为量子层以及alinn作为阱层，并且有源层330可以发射具有如上所述的450nm至495nm的中心波长带的蓝光。
177.然而，实施方式不限于此，并且有源层330可以具有其中具有高带隙能量的半导体材料与具有低带隙能量的半导体材料交替地堆叠的结构，并且可以根据从有源层330发射的光的波长带而包括第iii族至第v族半导体材料。从有源层330发射的光不限于蓝色波长带的光，并且在一些情况下，可以发射红色或绿色波长带的光。有源层330的长度可以在0.05μm至0.10μm的范围内，但实施方式不限于此。
178.可以从有源层330向发光元件300的两侧以及其在纵向方向上的外表面发射光。从有源层330发射的光的方向性不限于一个方向。
179.电极层370可以是欧姆接触电极。然而，电极层370不限于此，并且可以是肖特基接触电极。电极层370可以包括导电金属。例如，电极层370可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟锡锌(itzo)中的至少一种。电极层370还可以包括掺杂有n型或p型的半导体材料。电极层370可以包括相同的材料或不同的材料，但不限于此。
180.绝缘膜380设置成围绕以上描述的多个半导体的外表面。在实施方式中，绝缘膜380可以设置成至少围绕有源层330的外表面，并且可以在发光元件300延伸的方向上延伸。绝缘膜380可以保护以上描述的构件。例如，绝缘膜380可以形成为围绕上述构件的侧面并且暴露发光元件300在纵向方向上的两端。
181.在附图中，示出了绝缘膜380在发光元件300的纵向方向上延伸以覆盖从第一半导
体层310至电极层370的范围，但是实施方式不限于此。绝缘膜380可以仅覆盖包括有源层330的一些导电类型半导体的外表面，或者仅覆盖电极层370的外表面的一部分以部分地暴露电极层370的外表面。可替代地，邻近于发光元件300的至少一端的绝缘膜380的区域的剖面的上表面可以具有圆形形状。
182.绝缘膜380的厚度可以在10nm至1.0μm的范围内，但实施方式不限于此。优选地，绝缘膜380的厚度可以是约40nm。
183.绝缘膜380可以包括具有绝缘性质的材料，例如，硅氧化物(siox)、硅氮化物(siox)、硅氮氧化物(sioxny)、氮化铝(aln)、氧化铝(al2o3)等。因此，可以防止当有源层330与向发光元件300传输电信号的电极直接接触时可能发生的电短路。此外，因为绝缘膜380保护包括有源层330的发光元件300的外表面，所以可以防止发光效率的降低。
184.在一些实施方式中，可以对绝缘膜380的外表面进行表面处理。发光元件300可以以发光元件300分散在特定油墨中的状态在显示设备10的制造工艺期间被喷射并对准到电极上。此处，可以对绝缘膜380的表面进行疏水或亲水处理，使得在油墨中，发光元件300可以保持在分散状态下，而不与其它发光元件300结合。
185.发光元件300的长度可以在1μm至10μm的范围内，或者在2μm至6μm的范围内，并且优选地在3μm至5μm的范围内。发光元件300的直径在300nm至700nm的范围内，并且发光元件300的纵横比可以在1.2至100的范围内。然而，实施方式不限于此，并且包括在显示设备10中的多个发光元件300可以根据有源层330的组成比之间的不同而具有不同的直径。优选地，发光元件300的直径可以是约500nm。
186.以下将描述根据实施方式的显示设备10的制造方法。
187.图10是根据实施方式的显示设备的制造方法的流程图。
188.根据实施方式，在显示设备10的制造工艺中，可以通过等离子体工艺形成第一绝缘层510的第一部分511和第二部分512。可以通过形成第二子绝缘层513的材料并且使用第一等离子体或第二等离子体处理第二子绝缘层513的上表面来形成第一绝缘层510的第一部分511和第二部分512。第一等离子体和第二等离子体可以被选择性地发射到每个像素px或子像素pxn的一些区域，以在这些区域中形成第一部分511和第二部分512。
189.在通过上述工艺形成根据实施方式的第一绝缘层510之后，可以将发光元件300设置在其中设置有第一部分511的第一区域ir1中，从而制造显示设备10。为了更详细的描述，将参考其它附图。在以下描述中，将仅示出第一电极210、第二电极220和第一绝缘层510(不包括设置在电路元件层pal上的堤410和420)以描述显示设备10的制造工艺。然而，将显而易见的是，以下描述也可以适用于第一堤410和第二堤420设置在电路元件层pal上的情况。
190.图11至图18是示出根据实施方式的显示设备的制造工艺的示意图。
191.首先，如图11和图12中所示，可以在电路元件层pal上形成第一电极210、第二电极220以及覆盖第一电极210和第二电极220的第二子绝缘层513(s100)，以及可以通过第一等离子体处理第二子绝缘层513的上表面(s200)，从而形成第一绝缘层510'。第一绝缘材料层510'可以包括第二部分512和第二子绝缘层513。还可以在后续工艺中形成第一绝缘材料层510'的第一部分511，从而获得第一绝缘层510。可以通过形成覆盖第一电极210和第二电极220的第二子绝缘层513并且在第二子绝缘层513的上表面上形成第二部分512来形成第一绝缘材料层510'。在实施方式中，可以通过在第二子绝缘层513上发射第一等离子体来形成
第二部分512。
192.如上所述，当第一等离子体被发射到包括硅碳氧化物(siocx)的第二子绝缘层513时，硅
‑
碳(si
‑
c)键被破坏，并且利用包含在第一等离子体中的气体形成新的键。在实施方式中，第一等离子体可以是基于氟的等离子体。因此，可以在第二子绝缘层513上设置包含硅
‑
氟甲基(si
‑
cnfm)键的第二部分512。
193.接下来，参考图13和图14，通过向第一绝缘层510'的至少一些区域发射第二等离子体来形成第一部分511(s300)。在实施方式中，可以在第一电极210和第二电极220之间将第二等离子体发射到通过发射第一等离子体而形成的第二部分512的上表面的区域。在第二部分512的上表面的被第二等离子体发射的区域中，硅
‑
氟甲基(si
‑
cnfm)键可以被破坏，并且可以利用包含在第二等离子体中的气体形成新的键。在实施方式中，第二等离子体可以是基于氧的等离子体。因此，可以在第二子绝缘层513上形成包含硅
‑
氧(si
‑
o)键的第一部分511。第二子绝缘层513的其上形成有第一部分511的区域可以形成第一区域ir1，并且第二子绝缘层513的其上形成有第二部分512的区域可以形成第二区域ir2。以上已经对此进行了描述。
194.然而，实施方式不限于此。在一些情况下，可以通过在第一绝缘层510的上表面上分别发射第一等离子体和第二等离子体(参见图13)来形成第一部分511、第二部分512和第二子绝缘层513，而不形成第一绝缘层510'。如将在以下参考其它附图所描述的，可以将第一等离子体和第二等离子体发射到特定区域的上表面上，但是在一些情况下可以选择性地仅发射到一些区域。虽然在附图中未示出，但是在一些实施方式中，可以形成包括第一绝缘层510的材料的层，可以通过将第二等离子体发射到对应于第一区域ir1的位置来形成第一部分511，并且可以通过将第一等离子体发射到对应于第二区域ir2的位置来形成第二部分512。
195.接下来，参考图15，将包括发光元件300的油墨s喷射到由第二等离子体处理的区域上，即，第一部分511上(s400)。在实施方式中，可以通过喷墨方法通过喷嘴喷射包括发光元件300的油墨s。然而，实施方式不限于此。
196.油墨s可以包括溶剂和分散在溶剂中的发光元件300。在实施方式中，油墨s可以设置成溶液或胶体状态。例如，溶剂可以是但不限于丙酮、水、乙醇、甲苯、丙二醇(pg)或丙二醇乙酸甲酯(pgma)等。
197.如上所述，油墨s可以被引导成在第一区域ir1中定位在第一部分511上，并且发光元件300中的大部分可以定位在第一区域ir1上，即，在第一电极210和第二电极220之间。油墨s可以仅定位在第一区域ir1上并且可以不移动到第二区域ir2，并且可以增加设置在第一电极210和第二电极220之间的发光元件300的数量，并且可以减少在显示设备10的制造工艺中可能丢失或保持有缺陷的发光元件300的数量。即使当省略相邻子像素pxn的边界处的结构时，也可以防止油墨s流至其它子像素pxn。
198.接下来，在第一电极210和第二电极220之间对准发光元件300(s500)。对准发光元件300(s500)可以包括向第一电极210和第二电极220提供电信号以在油墨s中形成电场，接收通过电场引起的介电泳力以将发光元件300设置在电极210和220上，并从油墨s去除溶剂。
199.可以通过介电电泳(dep)将发光元件300设置在电极210和220上。当将其中分散有
发光元件300的溶液喷射到电极210和220上并且向电极210和220提供交流(ac)电力时，可以在第一电极210和第二电极220之间形成电场，并且可以由于电场而向发光元件300施加介电泳力。可以将在一个方向上移动或旋转的力施加到接收介电泳力的发光元件300，并且最终，发光元件300可以设置在第一电极210和第二电极220之间。油墨s可以被引导成定位在第一区域ir1中，并且多个发光元件300可以设置成在第一电极210和第二电极220之间在一个方向上对准。
200.接下来，如图16中所示，当发光元件300设置在电极210和220上时，从油墨s去除溶剂。可以采用一般的方法来去除溶剂。例如，可以通过诸如热处理或红外照射的方法来去除溶剂。此后，虽然在附图中未示出，但是根据实施方式的显示设备10可以通过执行形成将包括在显示设备10中的多个构件(例如，接触电极260、第二绝缘层520、钝化层550等)的工艺来制造。以下将对此进行详细描述。
201.根据实施方式的显示设备10可以包括多个子像素pxn，并且可以通过由第二等离子体顺序地处理子像素pnx以设置发光元件300来执行显示设备10的制造工艺。此处，在不被发射第二等离子体的区域中，第二等离子体可以被掩模阻挡。在实施方式中，通常，掩模可以是不与等离子体反应的掩模，并且例如可以采用金属掩模、光刻胶(pr)等。然而，实施方式不限于此。
202.参考图17和图18，根据实施方式，在发射第二等离子体以形成第一部分511时，可以将掩模设置在第一子像素px1的除了一些区域之外的区域上，并且可以仅向第一子像素px1发射第二等离子体。因此，第一区域ir1可以仅形成在设置在第一子像素px1中的第一电极210和第二电极220之间，并且喷射到子像素pxn上的发光元件300可以仅定位在第一子像素px1上的第一电极210和第二电极220之间。在发射第二等离子体时，因为第一部分511没有形成在其上设置有掩模的其它子像素pxn中，所以发光元件300可以仅在第一子像素px1中对准。
203.接下来，如图18中所示，当掩模设置在其中对准有发光元件300的第一子像素px1和第二子像素px2上时，第二等离子体可以仅发射到第三子像素px3。此后，发光元件300可以以相同的方式对准在第三子像素px3上。然而，实施方式不限于此，并且如上所述，第一等离子体和第二等离子体可以被选择性地发射到一些区域。也就是说，第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3的第一区域ir1和第二区域ir2可以通过在一个工艺中将第一等离子体和第二等离子体发射到一些区域来形成。在这种情况下，设置在每个子像素pxn中的发光元件300可以不是顺序地设置，而是可以在相同的工艺中同时设置。
204.根据实施方式的制造显示设备10的方法包括通过在第二子绝缘层513上发射等离子体来形成具有不同极性的第一部分511和第二部分512，并且喷射到每个子像素pxn上的油墨s可以被引导成定位在第一区域ir1中。因此，可以增加设置在第一电极210和第二电极220之间的发光元件300的数量，并且可以减少在显示设备10的制造工艺中将丢失或保持有缺陷的发光元件300的数量。此外，即使当省略相邻子像素pxn之间的边界处的结构时，也可以防止油墨s流至其它子像素pxn。
205.以下将参考其它附图进一步描述显示设备10的各种实施方式。
206.图19和图20是示出根据其它实施方式的显示设备的子像素的平面图。
207.根据实施方式的第一区域ir1可以不一定限于图2中所示的形状。在一些情况下，
可以通过在一个子像素pxn中形成多个图案来设置第一区域ir1。
208.参考图19和图20，在根据实施方式的显示设备10_1和10_2中，多个第一区域ir1_1和ir1_2可以设置在一个子像素pxn中，以彼此间隔开。图19和图20中所示的多个第一区域ir1_1和ir1_2可以被理解为其中基本上形成第一绝缘层510的第一部分511的区域。除了多个第一区域ir1_1和ir1_2彼此间隔开之外，图19和图20的显示设备10_1和10_2与图2的显示设备10相同。现在将详细描述设置第一区域ir1_1和ir1_2的形式，并且将省略与以上描述的相同的部分。
209.首先，在图19的显示设备10_1中，在一个方向(即，第二方向dr2)上延伸的两个第一区域ir1_1可以设置成在一个子像素pxn中彼此间隔开。多个第一区域ir1_1可以设置在一个第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b之间，或者设置在第二电极分支部分220b和另一第一电极部分210b之间。多个第一区域ir1_1中的每个可以呈沿着第一电极分支部分210b和第二电极分支部分220b在第二方向dr2上延伸的形式。多个第一区域ir1_1可以在第二电极分支部分220b上在第一方向dr1上彼此间隔开。
210.接下来，在图20的显示设备10_2中，可以在一个子像素pxn中设置多个第一区域ir1_2，以在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此间隔开。除了在每个子像素pxn中设置多于两个的第一区域ir1_2，以在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此间隔开之外，图20的显示设备10_2与图19的显示设备10_1相同。
211.如上所述，显示设备10_1和10_2的第一区域ir1_1和ir1_2可以是其中形成第一绝缘层510的第一部分511的区域，并且第一部分511可以通过发射第二等离子体来形成。在发射第二等离子体时，第二等离子体可以通过在其上放置掩模来部分地发射到每个子像素pxn。根据实施方式，通过部分地发射第二等离子体，可以在一个子像素pxn中部分地形成第一部分511。因此，发光元件300可以集中地设置在每个子像素pxn的特定区域中。
212.图21是根据另一实施方式的显示设备的子像素的平面图。图22是示意性地示出图21的显示设备的子像素的剖面的剖视图。
213.参考图21和图22，根据实施方式的显示设备10_3可以包括更多数量的第一电极分支部分210b_3和第二电极分支部分220b_3。图21和图22示出了第一电极210_3包括三个第一电极分支部分210b_3，并且第二电极220_3包括两个第二电极分支部分220b_3。除了设置有更多数量的电极分支部分210b_3和220b_3之外，图21和图22的显示设备10_3与图2的显示设备10相同。在下文中，将省略冗余描述，并且将描述不同之处。
214.图21和图22的显示设备10_3包括多个第一电极分支部分210b_3和多个第二电极分支部分220b_3，并且因此可以增加一个子像素pxn的其中可以设置发光元件300的区域。因此，可以在一个子像素pxn中设置更多的发光元件300，并且可以增加从每个子像素pxn发射的光的量。此外，还可以增加形成每个子像素pxn的第一部分511_3的区域。与图2的显示设备10不同，在图21和图22的显示设备10_3中，当第一部分511_3是第一电极分支部分210b_3的一部分时，第一部分511_3可以设置成与第二电极分支部分220b_3的面对第一部分511的相对侧重叠。
215.图23是根据另一实施方式的显示设备的子像素的平面图。图24是示意性地示出图23的显示设备的子像素的剖面的剖视图。
216.参考图23和图24，根据实施方式的显示设备10_4可以包括更少数量的第一电极分
支部分210b_4。在图23和图27中，第一电极210_4包括一个第一电极分支部分210b_4，并且第二电极220_4包括一个第二电极分支220b_4。除了设置更少数量的电极分支部分210b_4和220b_4之外，图23和图24的显示设备10_4与图2的显示设备10相同。在下文中，将省略冗余描述，并且将描述不同之处。
217.图23和图24的显示设备10_4可以仅包括一个第一电极分支部分210b_4和一个第二电极分支部分220b_4。在这种情况下，第一部分511_4可以设置成仅与彼此面对的第一电极分支部分210b_4和第二电极分支部分220b_4的相对侧重叠。此外，显示设备10_4可以仅包括一个第一电极分支部分210b_4和一个第二电极分支部分220b_4，从而减小每个子像素pxn的尺寸。因为第一区域ir1_4可以是针对每个子像素pxn形成的以将发光元件300以高密度设置在特定区域中，所以即使在减小一个子像素pxn的尺寸时也可以设置期望数量的发光元件300。此外，随着一个子像素pxn的尺寸减小，包括三个子像素pxn的一个像素px的尺寸也可以减小。在这种情况下，当发光元件300在一个子像素pxn中对准时，在相邻子像素pxn之间的边界处的第二区域ir2_4可以有效地防止油墨s流至其它子像素pxn。
218.在实施方式中，每个子像素pxn可以包括不同类型的发光元件300以发射不同波长带的光。
219.图25是示出图23的显示设备的三个子像素的平面图。图26至图28是示出图25的显示设备的制造工艺的一些操作的示意性剖视图。
220.参考图25至图28，在根据实施方式的显示设备10_5中，第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3可以分别包括彼此不同的第一发光元件301_5、第二发光元件302_5和第三发光元件303_5。由于每个子像素pxn包括一个第一电极分支部分210b_5和一个第二电极分支部分220b_5，因此相邻子像素pxn之间的边界可以显著减小。此外，由于子像素pxn中的每个包括不同的发光元件300_5，因此在显示设备10_5的制造工艺期间，防止喷射到电极上的油墨s流至相邻子像素pxn是重要的。根据实施方式的显示设备10_5包括第一区域ir1_5和第二区域ir2_5，以有效地防止在喷射油墨s时包括发光元件300_5的油墨s流至相邻子像素pxn。
221.如图26至图28中所示，第一绝缘层510_5可以包括硅碳氧化物，并且第一部分511_5和第二部分512_5可以由发射到第一绝缘层510_5的等离子体形成。特别地，即使当将第二等离子体发射到第二部分512_5时，也可以形成第一部分511_5。因此，可以通过向第一子像素px1发射第二等离子体来形成第一部分511_5，可以设置第一发光元件301_5，并且可以通过发射第二等离子体(如图27中所示)来在除了第一发光元件301_5与第一发光元件301_5重叠的区域之外的区域中形成第二部分512_5。
222.根据实施方式，通过反复执行通过向区域发射第二等离子体而形成第一部分511_5的工艺和通过向区域发射第一等离子体而形成第二部分512_5的工艺，可以在特定区域中选择性地形成第一区域ir1_5。其中分散有发光元件300_5的油墨s可以不流至除了第一区域ir1_5之外的第二区域ir2_5，而是可以仅定位在第一区域ir1_5上。因此，当不同的发光元件300_5设置在相对较窄的像素px或子像素pxn中时，即使在省略子像素pxn之间的边界处的单独结构时，也可以防止发光元件300_5(例如，第一发光元件301_5)设置在除了第一子像素px1之外的第二子像素px2或第三子像素px3中。
223.发光元件300的结构不限于图9中所示的结构，并且发光元件300可以具有不同的
结构。
224.图29是根据另一实施方式的发光元件的示意图。
225.参考图29，发光元件300'可以具有在一个方向上延伸的形状，并且该形状的侧面是部分倾斜的。也就是说，根据实施方式的发光元件300'可以具有部分锥形形状。发光元件300'可以形成为使得多个层不在一个方向上堆叠，而是可以各自形成为围绕另一层的外表面。除了层的形状稍微不同之外，图29的发光元件300'与图9的发光元件300相同。将省略对与发光元件300的部分相同的部分的描述，并且以下将描述与发光元件300的不同之处。
226.根据实施方式，第一半导体层310'可以在一个方向上延伸，并且其两端可以朝向其中央倾斜。图29的第一半导体层310'可以包括具有棒状或圆柱形状的主体以及各自具有锥形形状的上端和下端。主体的上端的倾斜度可以高于其下端的倾斜度。
227.有源层330'设置成围绕第一半导体层310'的主体的外表面。有源层330'可以具有在一个方向上延伸的环形形状。有源层330'可以不形成在第一半导体层310'的上端和下端上。也就是说，有源层330'可以仅与第一半导体层310'的平行侧面接触。
228.第二半导体层320'设置成围绕有源层330'的外表面和第一半导体层310'的上端。第二半导体层320'可以包括具有环形形状的主体以及上端，上端的侧面是倾斜的。也就是说，第二半导体层320'可以与有源层330'的平行侧面和第一半导体层310'的倾斜上端直接接触。然而，第二半导体层320'不形成在第一半导体层310'的下端上。
229.电极层370'设置成围绕第二半导体层320'的外表面。也就是说，电极层370'的形状可以与第二半导体层320'的形状基本上相同。也就是说，电极层370'可以与第二半导体层320'的整个外表面接触。
230.绝缘膜380'可以设置成围绕电极层370'和第一半导体层310'的外侧面。绝缘膜380'可以与第一半导体层310'的下端以及有源层330'的暴露的下端和第二半导体层320'暴露的下端直接接触，包括电极层370'。
231.在结束详细描述时，本领域的技术人员将理解，在基本上不背离本发明的原理的情况下，可以对优选实施方式进行许多变化和修改。因此，所公开的本发明的优选实施方式仅在一般性和描述性意义上使用，而不是出于限制的目的。