有机电致绿光发光器件的制作方法

有机电致绿光发光器件
1.本发明涉及有机电致发光器件，其包含至少一个发光层b，该发光层b包含至少一种主体材料hb、至少一种热激活延迟荧光(tadf)材料eb和至少一种小半峰全宽(fwhm))发光体sb，其中eb将能量传递给sb，使sb发光。sb发射窄的绿色光，即表现出较小的半峰全宽(fwhm)，最大发射波长为500nm至560nm。此外，本发明涉及一种利用本发明的有机电致发光器件产生绿光的方法。
2.发明描述
3.含一个或多个基于有机物的发光层的有机电致发光器件变得越来越重要。有机电致发光器件包括，例如，有机发光二极管(oled)、发光电化学电池(lec)和发光晶体管。特别是，oled是用于电子产品如屏幕、显示器和照明设备的有前途的装置。与大多数基于无机物的电致发光器件相比，基于有机物的有机电致发光器件通常相当灵活并且可在特别薄的层中生产。现有的基于oled的屏幕和显示器要么具有良好的效率和长寿命，要么具有良好的色纯度和长寿命，但还不能结合所有三种特性，即良好的效率、长寿命和良好的色纯度。
4.因此，对于具有高量子产率、长寿命和良好色纯度的有机电致发光器件仍然存在未满足的技术需求。
5.oled的色纯度(color purity)或色点(color point)通常由ciex和ciey坐标表示，而下一代显示器的色域(color gamut)则由所谓的bt-2020和dcpi3值表示。通常，为了实现这些色坐标，需要顶部发光器件通过改变腔体来调整色坐标。为了使顶部发光体件在实现这些色域的同时有高的效率，通常需要底部发光器产生窄的发射光谱。
6.最近，已经开发出一些荧光近程电荷转移(nrct)发光器，它们显示出相当窄的发射光谱，其fwhm小于或等于0.25ev，因此更适合实现bt-2020和dcpi3色域。
7.用于产生光的有机电致发光器件的中心元件通常是放置在阳极和阴极之间的至少一个发光层。当向有机电致发光器件施加电压(和电流)时，空穴和电子分别从阳极和阴极注入。通常，空穴传输层通常位于发光层和阳极之间，而电子传输层通常位于发光层和阴极之间。不同层依次设置。然后通过发光层中的空穴和电子的复合产生高能量激子。这样的激发态(例如，单重态，如s1和/或三重态，如t1)衰减到基态(s0)导致发光。
8.令人惊讶的是，已发现包含至少一种tadf材料、至少一种小的半高全宽(fwhm)发光器和至少一种主体材料的有机电致发光器件的发光层提供了具有长寿命、高量子产率和非常适合实现bt-2020和dcpi3色域的窄域光发射。
9.其中，所述至少一种tadf材料将能量传递到所述至少一个小的半峰全宽(fwhm)发光器，该发光器显示出最大发射波长为500nm至560nm的绿色发射。
10.因此，本发明的一个方面涉及一种有机电致发光器件，其包括一个或多个发光层b，每层彼此独立地包括：
11.(i)
12.至少一种主体材料hb，其具有最低激发单重态能级e(s1h)和最低激发三重态能级e(t1h)；
13.(ii)
14.至少一种tadf材料eb，其具有最低激发单重态能级e(s1e)和最低激发三重态能级e(t1e)；和
15.(ii)
16.至少一个小的fwhm发光器sb，其具有最低激发单重态能级e(s1s)和最低激发三重态能级e(t1s)，
17.其中(每个)eb将能量转移到(至少一个)sb，并且(每个)sb发射具有发射最大值在500nm和560nm之间(波长范围内)的绿光；其中由以下公式(1)至(5)表示它们之间的关系：
18.e(s1h)》e(s1e)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
19.e(s1h)》e(s1s)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)
20.e(s1e)》e(s1s)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(3)
21.e(t1h)》e(t1s)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(4)
22.e(t1h)》e(t1e)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(5)。
23.在优选实施例中，所述至少一个小的半峰全宽(fwhm)发光器sb是含硼发光器。在优选实施例中，所述每个小的半峰全宽(fwhm)发光器sb是含硼发光器。
24.因此，主体材料hb的最低激发单重态s1h的能量高于tadf材料eb的最低激发单重态s1e。主体材料hb的最低激发单重态s1h的能量高于任何小的fwhm发光体sb的最低激发单重态s1s。tadf材料eb的最低激发单重态s1e的能量高于任何小的fwhm发光体sb的最低激发单重态s1s。主体材料hb的最低激发三重态t1h的能量高于任何小的fwhm发射体sb的最低激发三重态t1s。主体材料hb的最低激发三重态t1h的能量高于tadf材料eb的最低激发三重态t1e。
25.在本发明的优选实施例中，tadf材料eb的最低激发三重态t1e的能量高于任何小的fwhm发光器sb的最低激发三重态t1s：e(t1e)》e(t1s)。
26.在本发明的一个优选实施例中，根据本发明的电致发光器件包括正好一个发光层b。
27.在本发明的另一个实施例中，根据本发明的电致发光器件包括正好两个发光层b。
28.在本发明的另一个实施方案中，根据本发明的电致发光器件包括多于两个的发光层b。
29.应当理解，根据本发明的相同有机电致发光器件中可选地包括的多个不同的发光层b不一定都包括相同的材料或相同比例的相同材料。
30.在本发明的一个实施例中，所述至少一个发光层b包括至少一种主体材料hb、恰好一种tadf材料eb和恰好一种小的fwhm发光体sb。
31.在本发明的一个优选实施方案中，所述至少一个发光层b包含仅一种主体材料hb。
32.在本发明的一个优选实施例中，所述至少一个发光层b包含仅一种tadf材料eb。
33.在本发明的一个优选实施例中，所述至少一个发光层b包括仅一个小的fwhm发光器sb。在本发明的一个优选实施例中，所述至少一个发光层b包含仅一种主体材料hb和仅一种tadf材料eb。在本发明的一个优选实施例中，所述至少一个发光层b包含仅一种主体材料hb和仅一个fwhm发光器sb。在本发明的一个优选实施例中，所述至少一个发光层b包括仅一种tadf材料eb和仅一个fwhm发光器sb。在本发明的优选实施例中，所述至少一个发光层b包括仅一种主体材料hb、仅一种tadf材料eb和仅一种小的fwhm发光器sb。
34.在一个实施例中，小的fwhm发光器sb呈现热激活延迟荧光(tadf)。在一个实施例
中，tadf材料eb呈现小的fwhm。tadf材料eb可任选地发射可见波长范围内的光，例如在500nm至560nm波长范围内具有发射最大值。在一个实施例中，tadf材料eb显示出小的fwhm(例如，小于或等于0.30ev、小于或等于0.25ev、小于或等于0.20ev、小于或等于0.15ev、或小于或等于0.13ev)。
35.令人惊讶的发现是，本发明的光电器件的发射带的主要成分通常可归因于sb的发射，这表明能量从eb充分转移到sb以及优选地从至少一种主体材料hb转移至eb和/或sb。这表明至少一种tadf材料eb可以作为至少一个小的fwhm发光器sb的能量泵，其主要功能可以是发射绿光。
36.与具有类似器件架构的发光器相比，根据本发明的发光器显示更长的寿命和/或更高的效率，其中所有至少一个发光层包含至少一种主体材料hb与至少一种一种tadf材料eb或至少一种小的fwhm发光体sb(但不能同时使用二者)。
37.特别有趣的是，根据本发明的eb和sb的组合，能量也可以从较低能态转移到其他化合物的较高能态。还因为在tadf材料中发生的反向系间交叉(risc)，本发明的eb和sb的组合可以导致小fwhm发光器sb的特别有效的发射。
38.本发明的另一个实施方案涉及一种电致发光器件(例如oled)，其在1000cd/m2下表现出大于10％、更优选大于13％、更优选大于15，甚至更优选大于18％，或甚至大于20％的外量子效率％，并且在500nm和560nm之间表现出最大发射值。
39.本发明的另一个实施方案涉及一种电致发光器件(例如oled)，其在1000cd/m2下表现出大于10％、更优选大于13％、更优选大于15，甚至更优选大于18％，或甚至大于20％的外量子效率％，并且在510nm和550nm之间表现出最大发射。
40.本发明的另一个实施方案涉及一种电致发光器件(例如oled)，其在1000cd/m2下表现出超过10％、更优选超过13％、更优选超过15％，甚至更优选地大于18％，或甚至大于20％的外量子效率％，并且在520nm和540nm之间表现出最大发射。
41.在一个优选实施例中，电致发光器件(例如，oled)在恒定电流密度j0＝15ma/cm2下表现出的lt95值大于100小时、优选大于200小时、更优选大于400小时、甚至更优选超过750小时，甚至超过1000小时。
42.本发明的另一个实施例涉及一种电致发光器件(例如oled)，其在不同的色点发射光。根据本发明，电致发光器件(例如oled)发射具有窄发射带(小的半峰全宽(fwhm))的光。在一个优选实施例中，根据本发明的电致发光器件(例如，oled)发射的光的主发射峰的fwhm低于0.25ev，更优选低于0.20ev，甚至更优选低于0.15ev或甚至低于0.13ev。
43.本发明的另一个实施例涉及一种电致发光器件(例如，oled)，其发射光的ciex和ciey色坐标接近基色绿色的ciex(＝0.170)和ciey(＝0.797)色坐标(根据itu-r bt.2020即rec.2020版定义)。因此可能适用于超高清(uhd)显示器，例如超高清电视。在此上下文中，术语“接近”是指本段末尾提供的ciex和ciey坐标的范围。在商业应用中，通常使用顶部发射(顶部电极通常是透明的)器件，而贯穿本技术使用的测试器件为底部发光体件(底部电极和基板是透明的)。因此，本发明的另一方面涉及一种电致发光器件(例如，oled)，其发射表现出ciex色坐标在0.15和0.45之间，优选在0.15和0.35之间，更优选在0.15和0.30之间，或者甚至更优选在0.15和0.25之间，或者甚至在0.15和0.20之间，和/或ciey色坐标在0.60和0.92之间，优选在0.65和0.90之间，更优选在0.70和0.88之间或者甚至更优选在
0.75和0.86之间或者甚至在0.79和0.84之间。
44.本发明的另一实施例涉及一种oled，其发射光的ciex和ciey色坐标接近基色绿色的ciex(＝0.265)和ciey(＝0.65)色坐标(根据dcip3定义)。在此上下文中，术语“接近”是指本段末尾提供的ciex和ciey坐标的范围。在商业应用中，通常使用顶部发射(顶部电极通常是透明的)器件，而贯穿本技术使用的测试器件为底部发光体件(底部电极和基板是透明的)。因此，本发明的另一方面涉及一种oled，其底部发射的ciex色坐标在0.2和0.45之间，优选在0.2和0.35之间，或更优选在0.2和0.30之间，或者甚至更优选在0.24和0.28之间或者甚至在0.25和0.27之间，和/或ciey色坐标在0.60和0.9之间，优选在0.6和0.8之间，更优选在0.60和0.70之间，或者甚至更优选在0.62和0.68之间，或者甚至在0.64和0.66之间。
45.有机电致发光器件的目的之一可以是产生光。因此，本发明还涉及一种产生所需波长范围的光的方法，其包括提供根据本发明任一种的有机电致发光器件的步骤。因此，本发明的另一方面涉及一种产生所需波长范围的光的方法，其包括以下步骤：
46.(i)
47.提供根据本发明的有机电致发光器件；和
48.(ii)
49.向所述有机电致发光器件施加电流
50.本发明的另一方面涉及通过组装上述元件来制造有机电致发光器件的方法。本发明还涉及一种产生绿光的方法，特别是通过使用所述有机电致发光器件。
51.本文中实施例和权利要求旨在进一步说明本发明。
52.主体材料hb53.根据本发明，包含在任何至少一个发光层b中的任何一个或多个主体材料hb可以是具有高空穴迁移率的p-主体h
p
、具有高电子迁移率的n-主体hn或同时具有高空穴迁移率和高电子迁移率的双极主体材料h
bp
。
54.在本发明的一个实施方案中，根据本发明的有机电致发光器件的至少一层发光层b包含一个或多个p-主体h
p
。在本发明的一个实施方案中，根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b包含仅一个p-主体h
p
。
55.在本发明的一个实施方案中，根据本发明的有机电致发光器件的至少一层发光层b包含一个或多个n型主体hn。在本发明的另一个实施方案中，根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b包含仅一个n-主体hn。
56.在本发明的一个实施方案中，根据本发明的有机电致发光器件的至少一层发光层b包含一个或多个双极主体h
bp
。在本发明的一个实施例中，根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b包含仅一个双极主体h
bp
。
57.在本发明的另一个实施方案中，根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b包含至少两种不同的主体材料。在这种情况下，存在于至少一个发光层b中的多于一种主体材料可以全部为p-主体或全部为n-主体，或全部为双极性主体，但也可以是它们之间的组合。
58.应该理解，如果根据本发明的有机电致发光器件包含多于一个发光层b，则它们中的任何一个可以独立地包含一种主体材料hb或多于一种主体材料hb，hb符合上述定义。还应理解，包含在本发明的有机电致发光器件中的不同发光层b不一定都包含相同的材料或相
同浓度的相同材料。
59.所述至少一种p-主体h
p
和至少一种n-主体hn，如果包含在本发明有机电致发光器件的相同发光层b中，则可以任选地形成激基复合物(exciplex)。本领域技术人员知道如何选择形成激子复合体的h
p-hn对，并知道包括homo-和/或lumo在内的h
p
和hn的能级要求。这就是说，在可能期望形成激子复合物的情况下，p型主体材料h
p
的最高占据分子轨道(homo)的能量可以比n型主体材料hn的homo高至少0.20ev，且p主体材料h
p
的最低未占分子轨道(lumo)的能量可以比n主体材料hn的lumo至少高0.20ev。
60.在本发明的优选实施方案中，所述至少一种主体材料hb(例如h
p
、hn和/或双极性主体h
bp
)是有机主体材料，在本发明的上下文中，这意味着它不包含任何过渡金属。在本发明的一个优选实施方案中，本发明的电致发光器件中的所有主体材料hb(h
p
、hn和/或双极性主体h
bp
)都是有机主体材料，这在本发明的上下文中意味着它们均不含任何过渡金属。优选地，所述至少一种主体材料hb，优选所有主体材料hb(h
p
、hn和/或双极性主体h
bp
)主要由元素氢(h)、碳(c)和氮(n)组成，但还可以包括例如氧(o)、硼(b)、硅(si)、氟(f)和溴(br)。
61.根据本发明，任选包含在所述有机电致发光器件的至少一个发光层b的任一层的p主体h
p
具有最高占据分子轨道homo(h
p
)，其能量为e
homo
(h
p
)，其中优选：
–
6.1ev≤e
homo
(h
p
)≤
–
5.6ev。
62.根据本发明，任选地包含在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b的任一层的p主体h
p
具有具有能量e
lumo(hp
)的最低未占分子轨道lumo(h
p
)，其中优选：
–
2.6ev≤e
lumo
(h
p
)。
63.根据本发明，任选地包含在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b的任一层的p主体h
p
具有最低激发单重态能级e(s1
p-h
)，其中优选:e(s1
p-h)
≥3.0ev。
64.根据本发明，任选地包含在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b的任一层的p主体h
p
具有最低激发三重态能级e(t1
p-h
)，其中优选:e(t1
p-h)
≥2.7ev。
65.应理解，先前对包含在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b的任一层的主体材料hb定义的任何要求或优选特征优选地也适用于根据以下的p主体hp本发明。因此，在优选实施例中，由以下公式(6)至(9)表示的关系适用：
66.e(s1
p-h
)》e(s1e)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(6)
67.e(s1
p-h
)》e(s1s)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(7)
68.e(t1
p-h
)》e(t1s)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(8)
69.e(t1
p-h
)》e(t1e)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(9)。
70.因此，p主体h
p
的最低激发单重态s1
p-h
的能量优选高于tadf材料eb的最低激发单重态s1e。p主体h
p
的最低激发单重态s1
p-h
的能量优选高于任何小的fwhm发射体sb的最低激发单重态s1s。p主体h
p
的最低激发三重态t1
p-h
优选地在能量上高于任何小的fwhm发射体sb的最低激发三重态t1s。p主体h
p
的最低激发三重态t1
p-h
的能量优选高于tadf材料eb的最低激发三重态t1e。
71.在本发明的一个优选实施方案中，任选地包含在至少一个发光层b的任一层的p-主体h
p
任选地包含或由以下组成：
72.‑‑‑
一个第一化学部分(moiety)，包含或由根据式h
p-i、h
p-ii、h
p-iii、h
p-iv、h
p-v、h
p-vi、h
p-vii、h
p-viii中的任一个的结构组成，hp-ix和hp-x：
[0073][0074][0075]
和
[0076]
‑‑‑
一个或多个第二化学部分，其包含或由根据式h
p-xi、h
p-xii、h
p-xiii、h
p-xiv、h
p-xv、h
p-xvi、h
p-xvii、h
p-xviii中任一个的结构组成，和h
p-xix：
[0077][0078][0079]
其中存在于p-主体材料h
p
中的至少一个第二化学部分中的每一个通过单键连接到第一化学部分，所述单键在上式中由虚线表示；
[0080]
其中
[0081]
z1在每次出现时彼此独立地选自直接键、c(r
ii
)2、c＝c(r
ii
)2、c＝o、c＝nr
ii
、nr
ii
、o、si(r
ii
)2,s,s(o)和s(o)2；
[0082]ri
在每次出现时彼此独立地是连接第一化学部分与第二化学部分的单键的结合位点，或者选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu，其中所述至少一个ri是连接第一化学部分和第二化学部分的单键的结合位点，并且
[0083]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu和ph的取代基取代；
[0084]rii
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu和
[0085]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu和ph的取代基取代；
[0086]
其中两个或更多个相邻的取代基r
ii
可以任选地形成具有3-18个碳原子的芳族或杂芳族环系统。
[0087]
在本发明的甚至更优选的实施方案中，z1在每次出现时是直接键并且相邻的取代基r
ii
不结合形成另外的环系统。
[0088]
在本发明的一个甚至更优选的实施方案中，任选地包含在本发明的有机电致发光器件中的一种或多种p-主体h
p
选自由以下结构组成的组：
[0089]
[0090]
[0091][0092]
根据本发明，任选地包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的n-主体hn具有能量为e
homo
(hn)的最高占据分子轨道homo(hn),其中优选:e
homo
(hn)≤
–
5.9ev。
[0093]
根据本发明，任选地包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的n-主体hn具有能量为e
lumo
(hn)的最低未占分子轨道lumo(hn)，其中优选：
–
3.5ev≤e
lumo
(hn)≤
–
2.9ev。
[0094]
根据本发明，任选地包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的n-主体hn具有最低激发单重态能级e(s1
n-h
)，其中优选:e(s1
n-h
)≥3.0ev。
[0095]
根据本发明，任选地包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的n-主体hn具有最低激发三重态能级e(t1
n-h
)，其中优选:e(t1
n-h
)≥2.7ev。
[0096]
应该理解，先前对包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的主体材料hb定义的任何要求或优选性质也优选地适用于本发明的n-主体hn。因此，在优选实施例中，满足由以下公式(10)至(13)表示的关系：
[0097]
e(s1
n-h
)》e(s1e)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(10)
[0098]
e(s1
n-h
)》e(s1s)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(11)
[0099]
e(t1
n-h)
》e(t1s)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(12)
[0100]
e(t1
n-h
)》e(t1e)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(13)。
[0101]
因此，优选n主体hn的最低激发单重态s1
n-h
的能量高于tadf材料eb的最低激发单重态s1e。n-主体hn的最低激发单重态s1
n-h
优选地在能量上高于任何小的fwhm发光器sb的最低激发单重态s1s。n-主体hn的最低激发三重态t1
n-h
优选地在能量上高于任何小的fwhm发光体sb的最低激发三重态t1s。优选地，任何n-主体hn的最低激发三重态t1
n-h
的能量高于任何tadf材料eb的最低激发三重态t1e。
[0102]
在本发明的优选实施方案中，任选地包含在至少一个发光层b中任一层的n-主体hn包含(或由其组成)根据式h
n-i、h
n-ii和h
n-ii中任一个的结构：
[0103][0104]
其中r
iii
和r
iv
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu和ph的取代基取代；和一个化学结构，其选自式h
n-iv、h
n-v、h
n-vi、h
n-vii、h
n-viii、h
n-ix、h
n-x、h
n-xi、h
n-xii、h
n-xiii和h
n-xiv：
[0105]
[0106][0107]
其中x1是氧(o)、硫(s)或c(rv)2；
[0108]
rv在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu和
[0109]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu和ph的取代基取代；
[0110]
其中两个或更多个相邻的取代基rv可以任选地形成具有3-18个碳原子的芳族或杂芳族环系；和
[0111]
其中在式h
n-i和h
n-ii中，至少一个取代基r
iii
是cn；和
[0112]
虚线表示与式h
n-i、h
n-ii、或h
n-iii的结合位点。
[0113]
在本发明的一个甚至更优选的实施方案中，任选地包含在根据本发明的有机电致发光器件中的一种或多种n-主体hn选自由以下化学结构组成的组：
[0114][0115]
在本发明的一个实施方案中，包含在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的n-主体hn不包含任何氧化膦基团，特别地，没有n-主体hn是双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo)。
[0116]
根据本发明，任选包含在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中
任一层的双极主体h
bp
具有最高占据分子轨道homo(h
bp
)，其能量为e
homo
(h
bp
)，其中优选：
–
6.1ev≤e
homo
(h
bp
)≤
–
5.6ev。
[0117]
根据本发明，任选地包含在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的双极主体h
bp
具有具有能量e
lumo
(h
bp
)的最低未占分子轨道lumo(h
bp
)，其中优选：
–
3.5ev≤e
lumo
(h
bp
)≤
–
2.9ev。
[0118]
根据本发明，任选地包含在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的双极主体h
bp
具有最低激发单重态能级e(s1
bp-h
)，其中优选地：e(s1
bp-h
)≥3.0ev。
[0119]
根据本发明，任选地包含在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的双极主体h
bp
具有最低激发三重态能级e(t1
bp-h
)，其中优选地：e(t1
bp-h
)≥2.7ev。
[0120]
应当理解，先前对包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的主体材料hb所定义的任何要求或优选性质也优选地适用于本发明的双极主体h
bp
。因此，在优选实施例中，满足由以下公式(14)至(17)表示的关系：
[0121]
e(s1
bp-h)
》e(s1e)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(14)
[0122]
e(s1
bp-h
)》e(s1s)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(15)
[0123]
e(t1
bp-h
)》e(t1s)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(16)
[0124]
e(t1
bp-h
)》e(t1e)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(17)。
[0125]
因此，双极主体h
bp
的最低激发单重态s1
bp-h
的能量优选高于tadf材料eb的最低激发单重态s1e。双极主体h
bp
的最低激发单重态s1
bp-h
的能量优选高于任何小的fwhm发光体sb的最低激发单重态s1s。双极主体h
bp
的最低激发三重态t1
bp-h
的能量优选高于任何小的fwhm发光体sb的最低激发三重态t1s。优选地，任何双极主体h
bp
的最低激发三重态t1
bp-h
的能量高于任何tadf材料eb的最低激发三重态t1e。
[0126]
tadf材料eb[0127]
根据本发明，一种或多种热激活延迟荧光(tadf)材料eb中的任一种优选地表现出δest值小于0.4ev，优选小于0.3ev，更优选小于0.2ev，甚至更优选小于0.1ev，或甚至小于0.05ev。因此，根据本发明的tadf材料eb的δest优选足够小，以允许最低激发单重态s1e在室温(rt)。δest值对应于最低激发单重态s1e和最低激发三重态t1e之间的能量差。因此，根据本发明的tadf材料eb的δest优选足够小，以致在室温(rt)下最低激发单重态s1e的热能重新填充到最低激发三重态t1e(也称为向上系统间交叉或反向系统间交叉，up-intersystem crossing or reverse intersystem crossing)。
[0128]
应当理解，包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的小fwhm发光器sb还可以任选地具有小于0.4ev的δest值并且表现出热激活延迟荧光(tadf)。然而，在本发明上下文中，对于任何小fwhm发光器sb，前述特征只是可选的特征。此外，本发明的tadf材料eb优选地不同于本发明的小fwhm发光器sb，因为tadf材料eb主要用作将能量传送到至少一个小fwhm发光体sb的能量泵，而对本发明的光电子器件的发射带的贡献优选地主要归因于所述至少一个小fwhm发光器sb的发射。
[0129]
根据本发明，包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的tadf材料eb具有能量为e
homo
(eb)的最高占据分子轨道homo(eb)，其中最好地：
–
6.0ev≤e
homo
(eb)≤
–
5.8ev。
[0130]
根据本发明，包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的tadf材料eb具有具有能量为e
lumo
(eb)的最低未占分子轨道lumo(eb)，其中最好地：
–
3.4ev≤e
lumo
(eb)≤
–
3.0ev。
[0131]
根据本发明，包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的tadf材料eb具有最低激发单重态能级e(s1e)，其中优选地：2.5ev≤e(s1e)≤2.8ev。
[0132]
根据本发明，包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的tadf材料eb具有最低激发三重态能级e(t1e)，其优选范围可以根据上述单重态能级e(s1e)的优选范围以及上述δest的优选范围。
[0133]
在本发明的优选实施例中，tadf材料eb在480nm至560nm、优选500nm至540nm，的波长范围内具有发射最大值。
[0134]
在本发明的一个优选实施方案中，tadf材料eb是有机tadf材料，这在本发明的上下文中意味着它不包含任何过渡金属。优选地，本发明的tadf材料eb主要由元素氢(h)、碳(c)和氮(n)组成，但还可以包括例如氧(o)、硼(b)、硅(si)、氟(f)和溴(br)。
[0135]
在本发明的一个实施例中，所述至少一种tadf材料eb中的每一种都包含至少一种供电子的部分d(即，供体)和至少一种吸电子的部分a(即，受体)，其中所述至少一种供体d和至少一个受体a共价连接到相同的链接；
[0136]
其中该链接是具有3至30个碳原子的芳族或杂芳族基团，最优选苯或联苯。
[0137]
在本发明的一个优选实施方案中，每个部分d各自包含(或由其组成)以下所示的任何结构式表示的结构：
[0138]
[0139]
[0140][0141]
其中
[0142]
z2在每次出现时彼此独立地选自直接键、cr1r2、c＝cr1r2、c＝o、c＝nr1、nr1、o、sir1r2、s、s(o)和s(o)2；
[0143]
#表示供体部分d与上述链接的结合位点；
[0144]
ra、r1和r2在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、n(r3)2、or3、si(r3)3、b(or3)2、oso2r3、cf3、cn,f,cl,br,i,
[0145]c1-c
40-烷基，
[0146]
其任选地被一个或多个取代基r3和
[0147]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r3c＝cr3、c≡c、si(r3)2、ge(r3)2、sn(r3)2、c＝o、c＝s、c＝取代se、c＝nr3、p(＝o)(r3)、so、so2、nr3、o、s或conr3；
[0148]c1-c
40-烷氧基，
[0149]
其任选地被一个或多个取代基r3和
[0150]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r3c＝cr3、c≡c、si(r3)2、ge(r3)2、sn(r3)2、c＝o、c＝s、c＝取代se、c＝nr3、p(＝o)(r3)、so、so2、nr3、o、s或conr3；
[0151]c1-c
40-硫代烷氧基，
[0152]
其任选地被一个或多个取代基r3和
[0153]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r3c＝cr3、c≡c、si(r3)2、ge(r3)2、sn(r3)2、c＝o、c＝s、c＝取代se、c＝nr3、p(＝o)(r3)、so、so2、nr3、o、s或conr3；
[0154]c2-c
40-烯基，
[0155]
其任选地被一个或多个取代基r3和
[0156]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r3c＝cr3、c≡c、si(r3)2、ge(r3)2、sn(r3)2、c＝o、c＝s、c＝取代se、c＝nr3、p(＝o)(r3)、so、so2、nr3、o、s或conr3；
[0157]c2-c
40-炔基，
[0158]
其任选地被一个或多个取代基r3和
[0159]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r3c＝cr3、c≡c、si(r3)2、ge(r3)2、sn(r3)2、c＝o、c＝s、c＝取代se、c＝nr3、p(＝o)(r3)、so、so2、nr3、o、s或conr3；
[0160]c6-c
60-芳基，
[0161]
其任选被一个或多个取代基r3取代；和
[0162]c3-c
57-杂芳基，
[0163]
其任选被一个或多个取代基r3取代；
[0164]
r3在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、oph、cf3、cn、f、c
1-c
5-烷基，
[0165]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0166]c1-c
5-烷氧基，
[0167]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0168]c1-c
5-硫代烷氧基，
[0169]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0170]c2-c
5-烯基，
[0171]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0172]c2-c
5-炔基，
[0173]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0174]c6-c
18-芳基，
[0175]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0176]c3-c
17-杂芳基，
[0177]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0178]
n(c
6-c
18-芳基)2；
[0179]
n(c
3-c
17-杂芳基)2，和
[0180]
n(c
3-c
17-杂芳基)(c
6-c
18-芳基)；
[0181]
其中，任选地，任何取代基ra、r1和r2可以彼此独立地与一个或多个相邻的取代基ra、r1和r2形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠环系，其中任选如此形成的环系的一个或多个氢原子可以被r3取代。
[0182]
在本发明的一个优选实施方案中，供体部分d不是未取代的咔唑。
[0183]
在本发明的一个优选实施方案中，每个受体部分a各自包含(或由其组成)以下任何结构式表示的化学结构：
[0184]
[0185]
[0186]
[0187][0188]
其中
[0189]
虚线表示将受体部分a连接到上述链接的单键；
[0190]
r4在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、n(r5)2、or5、si(r5)3、b(or5)2、oso2r5、cf3、cn、f、cl、br、i、
[0191]c1-c
40-烷基，
[0192]
其任选被一个或多个取代基r5取代，并且
[0193]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r5c＝cr5、c≡c、si(r5)2、ge(r5)2、sn(r5)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr5、p(＝o)(r5)、so、so2、nr5、o、s或conr5；
[0194]c1-c
40-烷氧基，
[0195]
其任选被一个或多个取代基r5取代，并且
[0196]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r5c＝cr5、c≡c、si(r5)2、ge(r5)2、sn(r5)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr5、p(＝o)(r5)、so、so2、nr5、o、s或conr5；
[0197]c1-c
40-硫代烷氧基，
[0198]
其任选被一个或多个取代基r5取代，并且
[0199]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r5c＝cr5、c≡c、si(r5)2、ge(r5)2、sn(r5)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr5、p(＝o)(r5)、so、so2、nr5、o、s或conr5；
[0200]c2-c
40-烯基，
[0201]
其任选被一个或多个取代基r5取代，并且
[0202]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r5c＝cr5、c≡c、si(r5)2、ge(r5)2、sn(r5)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr5、p(＝o)(r5)、so、so2、nr5、o、s或conr5；
[0203]c2-c
40-炔基，
[0204]
其任选被一个或多个取代基r5取代，并且
[0205]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r5c＝cr5、c≡c、si(r5)2、ge(r5)2、sn(r5)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr5、p(＝o)(r5)、so、so2、nr5、o、s或conr5；
[0206]c6-c
60-芳基，
[0207]
其任选被一个或多个取代基r5取代；和
[0208]c3-c
57-杂芳基，
[0209]
其任选被一个或多个取代基r5取代；
[0210]
r5在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、oph、cf3、cn、f、c
1-c
5-烷基，
[0211]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0212]c1-c
5-烷氧基，
[0213]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0214]c1-c
5-硫代烷氧基，
[0215]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0216]c2-c
5-烯基，
[0217]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0218]c2-c
5-炔基，
[0219]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0220]c6-c
18-芳基，
[0221]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0222]c3-c
17-杂芳基，
[0223]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0224]
n(c
6-c
18-芳基)2；
[0225]
n(c
3-c
17-杂芳基)2，和
[0226]
n(c
3-c
17-杂芳基)(c
6-c
18-芳基)；
[0227]
其中，任选地，两个或更多个相邻的取代基r4可以彼此独立地形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠环系，其中任选地如此形成的环系的一个或多个氢原子可以被r5取代。
[0228]
在本发明的一个甚至更优选的实施方案中，所述至少一种tadf材料eb中的每一种都包含至少一个供电子部分d(即，供体)和至少一个吸电子部分a(即，受体)，其中所有供体d和所有受体a共价连接到相同的链接；
[0229]
其中该链接是具有3至30个碳原子的芳族或杂芳族基团，最优选苯或联苯；
[0230]
其中，上述供体部分d各自包含(或由其组成)以上所示任一结构式表示的化学结构；和
[0231]
其中，上述受体部分a各自包含(或由其组成)以上所示任一结构式表示的化学结构；和
[0232]
其中r1和r2在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、cn、cf3、c
1-c
5-烷基，
[0233]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0234]c6-c
18-芳基，
[0235]
其任选被一个或多个取代基r3取代；和
[0236]c3-c
17-杂芳基，
[0237]
其任选被一个或多个取代基r3取代；
[0238]
r4在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、cn、cf3、c
1-c
5-烷基，
[0239]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0240]c6-c
18-芳基，
[0241]
其任选被一个或多个取代基r5取代；和
[0242]c3-c
17-杂芳基，
[0243]
其任选被一个或多个取代基r5取代；
[0244]
r3和r5在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和
[0245]
苯基，其任选被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代；和
[0246]
ra在每次出现时彼此独立地选自：氢、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、
[0247]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0248]
吡啶基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0249]
嘧啶基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0250]
咔唑基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0251]
三嗪基，其任选被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代；和
[0252]
n(ph)2；
[0253]
在本发明的一个甚至更优选的实施方案中，所述至少一种tadf材料eb中的每一种都包含至少一种给电子部分d(即，供体)和至少一种吸电子部分a(即，受体)，其中所有供体d和所有受体a共价连接到相同的链接；
[0254]
其中该链接是具有3至30个碳原子的芳族或杂芳族基团，最优选苯或联苯；
[0255]
其中，上述供体部分d各自包含(或由其组成)以上所示任一结构式表示的结构；和
[0256]
其中，上述受体部分a各自包含(或由其组成)以上所示任一结构式表示的结构；和
[0257]
其中r1、r2、r3和r4在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和
[0258]
苯基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代；
[0259]
ra在每次出现时彼此独立地选自：氢、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、
[0260]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代；和
[0261]
三嗪基，其任选被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代。
[0262]
在本发明的一个实施例中，所述至少一种tadf材料eb中的每一个是有机tadf材料，其包括：
[0263]
‑‑‑
一个或多个第一化学部分r6，每个独立地包含式e
b-i的结构或由其组成，
[0264][0265]
和
[0266]
‑‑‑
任选地一个第二化学部分，其包含式e
b-ii或式e
b-iii的结构或由其组成，
[0267][0268]
其中每个第二化学部分(如果存在)通过单键连接到第一化学部分r6；
[0269]
其中
[0270]
#代表第一化学部分r6与第二化学部分的结合位点或者是氢；
[0271]
k在每次出现时彼此独立地为0、1、2、3或4；
[0272]
m在每次出现时彼此独立地为0、1或2；
[0273]
n在每次出现时彼此独立地为0、1或2；
[0274]
o在每次出现时彼此独立地为0或1；
[0275]
p在每次出现时彼此独立地为0、1或2；
[0276]
q在每次出现时彼此独立地为0、1或2；
[0277]
r在每次出现时彼此独立地为0、1、2、3、4或5；
[0278]
q1在每次出现时彼此独立地选自n、cr6和cr7；
[0279]
q2在每次出现时彼此独立地选自c-ar
ewg
和cr
q2
；
[0280]
q3在每次出现时彼此独立地选自n、c-ar
ewg
和cr
q2
；
[0281]
q4在每次出现时彼此独立地选自cr6、c-ar
ewg
和cr
q2
；
[0282]
x2在每次出现时彼此独立地选自ar
ewg
、cn和cf3；
[0283]
ar
ewg
在每次出现时彼此独立，由以下任何结构式的结构表示：ar
ewg-i、ar
ewg-ii、ar
ewg-iii、ar
ewg-iv、ar
ewg-v、ar
ewg-vi、ar
ewg-vii、ar
ewg-viii、ar
ewg-ix、ar
ewg-x、ar
ewg-xi、ar
ewg-xii、ar
ewg-xiii和ar
ewg-xiv，
[0284][0285]
其通过虚线标记的位置与核心结构(这里优选式e
b-i)键合；
[0286]rz1
在每次出现时彼此独立地选自cn和cf3；
[0287]
z3在每次出现时彼此独立地选自直接键、cr9r
10
、c＝cr9r
10
、c＝o、c＝nr9、nr9、o、sir9r
10
、s、s(o)和s(o)2；
[0288]
re在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、f、cl、br和i，
[0289]c1-c
5-烷基，
[0290]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0291]c6-c
18-芳基，
[0292]
其任选被一个或多个彼此独立地选自下组的取代基取代：氘、c
1-c
5-烷基、c
6-c
18-芳基、f、cl、br和i；
[0293]
r7在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、cn、cf3、
[0294]c1-c
5-烷基，
[0295]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0296]c6-c
18-芳基，
[0297]
其任选被一个或多个取代基r
11
取代；和
[0298]c3-c
17-杂芳基，
[0299]
其任选被一个或多个取代基r
11
取代；
[0300]
r8在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、cn、cf3、
[0301]c1-c
5-烷基，
[0302]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0303]c6-c
18-芳基，
[0304]
其任选被一个或多个取代基r
11
取代；和
[0305]c3-c
17-杂芳基，
[0306]
其任选被一个或多个取代基r
11
取代；
[0307]rq2
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、ph和咔唑基，其任选被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3、ph和n(ph)2的取代基取代；
[0308]
rb、rc、rd、r9和r
10
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、n(r
12
)2、or
12
、si(r
12
)3、b(or
12
)2、oso2r
12
,cf3,cn,f,br,i,
[0309]c1-c
40-烷基，
[0310]
其任选被一个或多个取代基r
12
取代，并且
[0311]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r12c＝cr
12
、c≡c、si(r
12
)2、ge(r
12
)2、sn(r
12
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
12
、p(＝o)(r
12
)、so、so2、nr
12
、o、s或conr
12
；
[0312]c1-c
40-烷氧基，
[0313]
其任选被一个或多个取代基r
12
取代，并且
[0314]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r12c＝cr
12
、c≡c、si(r
12
)2、ge(r
12
)2、sn(r
12
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
12
、p(＝o)(r
12
)、so、so2、nr
12
、o、s或conr
12
；
[0315]c1-c
40-硫代烷氧基，
[0316]
其任选被一个或多个取代基r
12
取代，并且
[0317]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r12c＝cr
12
、c≡c、si(r
12
)2、ge(r
12
)2、sn(r
12
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
12
、p(＝o)(r
12
)、so、so2、nr
12
、o、s或conr
12
；
[0318]c2-c
40-烯基，
[0319]
其任选被一个或多个取代基r
12
取代，并且
[0320]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r12c＝cr
12
、c≡c、si(r
12
)2、ge(r
12
)2、sn(r
12
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
12
、p(＝o)(r
12
)、so、so2、nr
12
、o、s或conr
12
；
[0321]c2-c
40-炔基，
[0322]
其任选被一个或多个取代基r
12
取代，并且
[0323]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r12c＝cr
12
、c≡c、si(r
12
)2、ge(r
12
)2、sn(r
12
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
12
、p(＝o)(r
12
)、so、so2、nr
12
、o、s或conr
12
；
[0324]c6-c
60-芳基，
[0325]
其任选被一个或多个取代基r
12
取代；和
[0326]c3-c
57-杂芳基，
[0327]
其任选被一个或多个取代基r
12
取代；
[0328]r11
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和苯基，其任选被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代；
[0329]r12
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、oph、cf3、cn、f、c
1-c
5-烷基，
[0330]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0331]c1-c
5-烷氧基，
[0332]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0333]c1-c
5-硫代烷氧基，
[0334]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0335]c2-c
5-烯基，
[0336]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0337]c2-c
5-炔基，
[0338]
其中一个或多个氢原子任选地彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0339]c6-c
18-芳基，
[0340]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0341]c3-c
17-杂芳基，
[0342]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0343]
n(c
6-c
18-芳基)2；
[0344]
n(c
3-c
17-杂芳基)2,
[0345]
n(c
3-c
17-杂芳基)(c
6-c
18-芳基)，和
[0346]
脂肪族环状氨基，包含5至8个碳原子(优选吡咯烷基和哌啶基)；
[0347]
其中，任选地，任何相邻的取代基rb、rc、rd、r9和r
10
彼此独立地形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠环系；其中任选地如此形成的环系的一个或多个氢原子可以被r
12
取代；和
[0348]
其中至少一个，但不超过三个基团q1是氮(n)，但在式e
b-ii中两个相邻的基团q1不都是n；且
[0349]
至少一个，但不多于三个基团q1为cr6，但在式e
b-ii中，两个相邻基团q1不都是cr6；和
[0350]
其中式e
b-iii中，至少一个基团q3为氮(n)；和
[0351]
其中优选：1≤(m+p)≤4；且
[0352]
1≤(n+q)≤4；和
[0353]
1≤(m+n+o)≤5。
[0354]
在本发明的优选实施方案中，只要z3是直接键，rb、rc和rd中的至少一个取代基不是氢，因此tadf材料eb中的供体部分优选地不是未取代的咔唑基.
[0355]
在本发明的一个优选实施例中，
[0356]
r7在每次出现时彼此独立地选自氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和
[0357]
ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和苯基的取代基取代；
[0358]
r8在每次出现时彼此独立地选自由氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和
[0359]
ph，其任选被一个或多个彼此独立地选自氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和苯基的取代基取代；
[0360]rq2
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、ph、
[0361]
咔唑基，其任选被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3、ph和n(ph)2的取代基取代；
[0362]
rb、rc和rd在每次出现时独立于选自氢、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、
[0363]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0364]
吡啶基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0365]
嘧啶基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0366]
咔唑基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0367]
三嗪基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0368]
和n(ph)2；
[0369]
re在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、
[0370]c1-c
5-烷基，
[0371]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0372]c6-c
18
芳基，
[0373]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基和/或一个或多个c
6-c
18-芳基取代；
[0374]
其中，任选地，任何相邻的取代基rb、rc、rd、r9和r
10
彼此独立地形成包含3至30个碳原子的单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠环系；和
[0375]
其中除此之外，前面所述的定义适用。
[0376]
在本发明的一个甚至更优选的实施方案中，z3在每次出现时都是直接键；和r7在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、cn、cf3、
[0377]c1-c
5-烷基，
[0378]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0379]c6-c
18-芳基，
[0380]
其任选被一个或多个取代基r
11
取代；和
[0381]c3-c
17-杂芳基，
[0382]
其任选被一个或多个取代基r
11
取代；
[0383]
r8在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、cn、cf3、
[0384]c1-c
5-烷基，
[0385]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0386]c6-c
18-芳基，
[0387]
其任选地被一个或多个取代基r
11
取代；和
[0388]c3-c
17-杂芳基，
[0389]
其任选地被一个或多个r
11
取代基取代，其在每次出现时彼此独立地选自氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和
[0390]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和苯基的取代基取代；
[0391]rq2
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、ph和
[0392]
咔唑基，其任选被一个或多个彼此独立地选自ph和n(ph)2的取代基取代；
[0393]
rb、rc和rd在每次出现时彼此独立地选自氢、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和
[0394]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取
代；
[0395]
咔唑基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代；
[0396]
三嗪基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代；和
[0397]
re在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu，和
[0398]c6-c
18-芳基，
[0399]
其任选被一个或多个选自氘、me、ipr、
t
bu的取代基取代；
[0400]
其中，任选地，任何相邻的取代基rb、rc、rd、r9和r
10
彼此独立地形成包含3至18个碳原子的单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠环系；和
[0401]
其中除此之外，前面所述的定义适用。
[0402]
在本发明的一个甚至更优选的实施方案中，z3在每次出现时都是直接键；和
[0403]
r7在每次出现时彼此独立地选自氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和
[0404]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和苯基的取代基取代；
[0405]
r8在每次出现时彼此独立地选自由氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和
[0406]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和苯基的取代基取代；
[0407]rq2
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘和
[0408]
咔唑基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自ph和n(ph)2的取代基取代；
[0409]
rb在每次出现时为氢；
[0410]
rc和rd在每次出现时彼此独立地选自：氢、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、
[0411]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0412]
吡啶基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0413]
嘧啶基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0414]
咔唑基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0415]
三嗪基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0416]
和n(ph)2；
[0417]
re在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu和
[0418]
ph，其任选地被一个或多个选自氘、me、ipr、
t
bu的取代基取代；和
[0419]
其中除此之外，前面所述的定义适用。
[0420]
在本发明的一个特别优选的实施方案中，z3在每次出现时都是直接键；和ar
ewg
在每次出现时彼此独立选自式ar
ewg-i、ar
ewg-vii、ar
ewg-viii、ar
ewg-ix、ar
ewg-x、ar
ewg-xi、ar
ewg-xii和ar
ewg-xiii的结构；
[0421]
r7在每次出现时彼此独立地选自氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和
[0422]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和苯基的取代基取代；
[0423]
r8在每次出现时彼此独立地选自由氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和
[0424]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和苯基的取代基取代；
[0425]rq2
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘和
[0426]
咔唑基，其任选被一个或多个彼此独立地选自ph和n(ph)2的取代基取代；
[0427]
rb在每次出现时为氢；
[0428]
rc和rd在每次出现时彼此独立地选自：氢、me、ipr、
t
bu、cn、cf3和
[0429]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0430]
咔唑基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代；
[0431]
re在每次出现时是氢；和
[0432]
其中除此之外，前面所述的定义适用。
[0433]
在本发明的一个实施方案中，一种或多种tadf材料eb中的每一种具有式e
b-i-1、e
b-i-2、e
b-i-3、e
b-i-4、e
b-i-5、e
b-i-6、e
b-i-7和e
b-i-8中的任一个所表示的结构：
[0434]
[0435]
[0436][0437]
其中
[0438]
y1在每次出现时为氮(n)或ch，并且至少一个y1为n；
[0439]r13
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、cn、cf3、ar
ewg
、c
1-c
5-烷基，
[0440]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0441]c6-c
18-芳基，
[0442]
其任选地被一个或多个彼此独立地选自氘、c
1-c
5-烷基和c
6-c
18-芳基的取代基取代；和
[0443]r14
和r
15
在每次出现时彼此独立地选自c-ar
ewg
和cr
q2
；
[0444]r16
在每次出现时彼此独立地选自cr6、c-ar
ewg
和cr
q2
组成的组；
[0445]
其中不超过两个基团r
13
是cn、cf3或ar
ewg
；和
[0446]
其中除此之外，前面所述的定义适用。
[0447]
在本发明的一个优选实施方案中，所述一种或多种tadf材料eb中的每一种具有式e
b-i-1a、e
b-i-2a、e
b-i-3a、e
b-i-4a，e
b-i-5a、e
b-i-6a、e
b-i-7(见上文)和e
b-i-8(见上文)中的任一个所表示的结构，
[0448]
[0449]
[0450]
[0451][0452]
其中r
13
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、ar
ewg
和
[0453]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自氘、me、ipr、
t
bu和ph的取代基取代；
[0454]
其中不超过两个基团r
13
是cn、cf3或ar
ewg
；和
[0455]
其中除此之外，前面所述的定义适用。
[0456]
任选地，任何相邻取代基rb、rc、rd、r9和r
10
可以彼此独立地形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠环系；其中任选地如此形成的环系的一个或多个氢原子可以被r
12
取代。
[0457]
在一个优选的实施方案中，不超过两个基团r
13
是cn、cf3或ar
ewg
。
[0458]
在一个优选实施方案中：1≤(m+p)和/或1≤(n+q)。
[0459]
在本发明的甚至更优选的实施方案中，一种或多种tadf材料eb中的每一种都具有式e
b-i-1a-1、e
b-i-2a-1、e
b-i-3a-1、e
b-i-4a-1、e
b-i-5a-1、e
b-i-6a-1、e
b-i-7(见上文)和e
b-i-8(见上文)中的任一个表示的结构。
[0460]
[0461]
[0462]
[0463][0464]
其中r
13
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、ar
ewg
和
[0465]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自氘、me、ipr、
t
bu和ph的取代基取代；其中不超过两个连接在同一苯环上的基团r
13
是cn、cf3或ar
ewg
；和
[0466]
其中除此之外，前面所述的定义适用。
[0467]
在本发明的一个甚至更优选的实施方案中，一种或多种tadf材料eb中的每一种都具有式e
b-i-1a-1、e
b-i-2a-1、e
b-i-3a-1、e
b-i-4a-1、e
b-i-5a-1、e
b-i-6a-1、e
b-i-7(见上文)和e
b-i-8中的任一个所表示的结构，
[0468]
其中z3在每次出现时是直接键；和
[0469]
其中除此之外，前面所述的定义适用。
[0470]
在本发明的一个优选实施例中，x2在每次出现时彼此独立地选自cn，
[0471][0472]
其通过虚线标出的位置结合。
[0473]
在本发明的一个优选实施方案中，y1在每次出现时为氮(n)。
[0474]
在本发明的一个特别优选的实施方案中，一种或多种tadf材料eb中的每一种具有
式e
b-i-3a-1a、e
b-i-3a-1b、e
b-i-4a-1a和e
b-i-4a-1b中的任一个所表示的结构：
[0475]
[0476][0477]
其中优选地r
ewg
在每次出现时彼此独立地选自：氢、cn和
[0478][0479]
其中，优选地，在式e
b-i-3a-1a和e
b-i-4a-1a中，与同一苯环连接的两个r
ewg
中恰好一个是氢。
[0480]
下面列举一些用于本发明的有机电致发光器件的tadf材料eb的实例，当然本发明
不仅限于包含这些分子的器件。
[0481]
式e
b-i-3a-1a的tadf材料eb的特别优选的例子：
[0482][0483]
式e
b-i-3a-1b的tadf材料eb的特别优选的例子：
[0484][0485]
下面列出了根据式e
b-i-4a-1a的tadf材料eb的特别优选的例子：
[0486]
[0487]
[0488]
[0489][0490]
式e
b-i-4a-1b的tadf材料eb的特别优选的例子：
[0491][0492]
本发明使用的tadf材料eb的其他实例：
[0493]
[0494]
[0495]
[0496]
[0497]
[0498]
[0499]
3a-1的tadf材料eb的合成中：
[0502][0503]
e1可以是任何硼酸(rb＝h)或等效的硼酸酯(rb＝烷基或芳基)，特别是两个rb形成一个环而产生例如氟-(三氟甲基)苯基，二氟-(三氟甲基)苯基，氟-(氰基)苯基或二氟-(氰基)苯基的硼酸频哪醇酯。e2作为第二反应物，其中hal是指卤素，可以是i、br或cl，但优选br。这种钯催化的偶联反应的反应条件是本领域技术人员已知的，例如参见wo 2017/005699，已知e1和e2的反应基团可以如下所示互换以优化反应产率：
[0504][0505]
在第二步中，通过芳基卤与氮杂环的亲核芳族取代反应获得式e
b-1-3a-1的分子。所述芳基卤优选芳基氟化物，或芳基二卤化物，优选芳基二氟化物，e3。典型的条件包括使用碱，例如磷酸三钾或氢化钠，在非质子极性溶剂例如二甲亚砜(dmso)或n，n-二甲基甲酰胺(dmf)中，例如：
[0506][0507]
特别地，供体分子e4是3,6-取代咔唑(例如，3,6-二甲基咔唑，3,6-二苯基咔唑、3,6-二叔丁基咔唑),2,7-取代咔唑(例如，2,7-二甲基咔唑、2,7-二苯基咔唑、2,7-二叔丁基咔唑)，1,8-取代咔唑(例如，1,8-二甲基咔唑、1,8-二苯基咔唑、1,8-二叔丁基咔唑)，1-取代咔唑(例如，1-甲基咔唑、1-苯基咔唑、1-叔丁基咔唑)，2-取代的咔唑(例如，2-甲基咔唑、2-苯基咔唑、2-叔丁基咔唑)，或3-取代咔唑(例如，3-甲基咔唑、3-苯基咔唑、3-叔丁基咔唑)。可选地，卤素取代的咔唑，特别是3-溴咔唑，也可用作为e4。
[0508]
在随后的反应中，可以在经e4引入的一个或多个卤素取代基的位置示引入硼酸酯官能团或硼酸官能团，以产生相应的咔唑-3-基硼酸酯或咔唑-3-基硼酸，例如通过与双(频哪醇)二硼(cas no.73183-34-3)反应。随后，可以通过与相应的卤代反应物(例如r
c-hal，优选r
c-cl和r
c-br)的偶联反应引入一个或多个取代基rb、rc或rd来取代硼酸酯基团或硼酸基团。
[0509]
或者，可以与取代基rb[r
b-b(oh)2]、rc[r
c-b(oh)2]或rrd[r
d-b(oh)2]的硼酸或相应的硼酸酯反应，在经d-h引入的一个或多个卤素取代基的位置引入一个或多个取代基rb、rc或rd。
[0510]
可以用类似上述的方法地获得另外的tadf发射体材料eb。tadf发射体材料eb也可以根据需要采用任何适合的替代合成途径获得。
[0511]
所为另一种合成路线的步骤，可以通过铜或钯催化的偶联反应，将氮杂环引入芳基卤化物或芳基拟卤化物(aryl pseudohalide)，优选芳基溴化物、芳基碘化物、芳基三氟甲磺酸酯或芳基甲苯磺酸酯。
[0512]
小fwhm发光体sb[0513]
在本发明的上下文中，小半高全宽(fwhm)发光器sb是具有如下fwhm值发射光谱的任何发光器，即在室温(即，约20℃)下，用1-5重量％，特别是1重量％，的发光器物质在聚(甲基丙烯酸甲酯)pmma中测量，fwhm的值小于或等于0.25ev(≤0.25ev)。
[0514]
在本发明的优选实施例中，本发明的小fwhm发光器sb是具有如下fwhm值发射光谱的任何发光器，即在室温(即，约20℃)下，用1-5重量％，特别是1重量％，的发光器物质在聚(甲基丙烯酸甲酯)pmma中测量，fwhm的值为≤0.24ev、更优选≤0.23ev、甚至更优选≤0.22ev、≤0.21ev或≤0.20ev。在本发明的其他实施例中，所述至少一个小fwhm发光器sb中的任何一个具有fwhm值≤0.19ev,≤0.18ev,≤0.17ev,≤0.16ev,≤0.15ev,≤0.14ev,≤0.13ev,≤0.12ev,或≤0.11ev。
[0515]
此外，本发明中，小fwhm发光器sb在500nm至560nm的波长范围内显示出发射最大值，测量在室温下，用1-5重量％，特别是1重量％，的发光器物质在聚(甲基丙烯酸甲酯)pmma中进行。
[0516]
在本发明的一个优选实施例中，至少一个小的fwhm发光体sb中的一个或多个在520nm至540nm的波长范围内表现出发射最大值，测量在室温下，用1-5重量％，特别是1重量％，的发光器物质在聚(甲基丙烯酸甲酯)pmma中进行。
[0517]
应当理解，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的tadf材料eb任选地是具有fwhm值小于或等于0.25ev的发射光谱的发光体。任选地，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的tadf材料eb任选地在500nm至560nm的波长范围内呈现发射最大值。本发明的tadf材料eb与本发明的任何小fwhm发光体sb的不同之处在于，eb通常主要用作将能量传输到所述至少一个小fwhm发光体sb的能量泵，而本发明的光电子器件的发射带的主要贡献优选归因于所述至少一个小fwhm发光体sb的发射。
[0518]
在本发明的一个优选实施方案中，任何小fwhm发光体sb均为有机发光体，这在本发明的上下文中意味着其不包含任何过渡金属。优选地，本发明的任何小fwhm发光体sb主要由元素氢(h)、碳(c)、氮(n)和硼(b)组成，但也可以包括例如氧(o)、硅(si)、氟(f)和溴(br)。
[0519]
在本发明的优选实施例中，本发明小fwhm发光体sb是近程电荷转移(nrct)发光体。
[0520]
hatakeyama等人在文献中描述了典型的nrct发光体。(《高级材料》advanced materials,2016,28(14):2777-2781,doi:10.1002/adma.201505491)，显示时间分辨光致发光光谱中的延迟成分，并表现出近程homo-lumo分离。
[0521]
典型的nrct的发光体在发射光谱中仅显示一个发射带，而典型的荧光发光体由于振动进展而显示几个不同的发射带。
[0522]
根据本发明，包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的任何小fwhm发光体sb具有能量为e
homo
(sb)的最高占据分子轨道homo(sb)，其中优选：
–
5.6ev≤e
homo
(sb)≤
–
5.4ev。
[0523]
根据本发明，包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的任何小fwhm发光体sb具有能量为e
lumo
(sb)的最低未占分子轨道lumo(sb)，其中优选：
–
3.1ev≤e
lumo
(sb)≤
–
2.9ev。
[0524]
根据本发明，包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的任何小fwhm发光体sb具有最低激发单重态能级e(s1s)，其中优选地：2.4ev≤e(s1s)≤2.6ev。
[0525]
根据本发明，包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中任一层的任何小fwhm发光体sb具有最低激发三重态能级e(t1s)，其优选范围取决于上述单重态能级e(s1s)的优选范围和小fwhm发光体sb的δe
st
，优选地，所述δe
st
小于或等于0.5ev。
[0526]
在本发明的一个优选实施例中，所述至少一个小fwhm发光体sb中的每一个均为含硼(b)发光体。
[0527]
含硼(b)的小fwhm发光体的已知实例包括具有硼-二吡咯亚甲基核的结构(boron-dipyrromethene core)，其中通常地硼原子进一步被两个氟取代基或两个烷氧基取代基取代，后者中的一个或多个氢原子可以被取代氟(f)或两个芳氧基取代基。此类发光体的具体示例如下：
[0528][0529]
在一个实施例中，所述至少一个小fwhm发光体sb中的每一个都包括多环芳族化合物或由多环芳族化合物组成。
[0530]
在本发明的一个实施例中，所述至少一个小fwhm发光体sb中的每一个包括(或由其组成)式b-i的结构：
[0531][0532]
其中b是硼，
[0533]
ar1、ar2和ar3在每次出现时彼此独立地选自芳环和杂芳环，并且ar1、ar2、ar3可以任选地彼此连接以形成一个或多个额外的环。
[0534]
通式bi的ar1、ar2、ar3的芳香环的例子是碳原子数为6～30的芳环，优选碳原子数6～16的芳环，更优选芳环具有6至12个碳原子，特别优选具有6至10个碳原子的芳环。
[0535]
通式b-i的ar1、ar2、ar3的芳香环的具体实例：苯环，其为单环系统；联苯环，其为双环系统；萘环，其为稠合双环系统；三联苯环(间三联苯、邻三联苯或对三联苯)，其为三环体系；苊环、芴环、苯环和菲环，其为稠合三环体系；并苯环、芘环和并四苯环，其为稠合四环体系；和苝环和并五苯环，其为稠合的五环系统
[0536]
通式bi的ar1、ar2、ar3的杂芳环的例子是碳原子数为2～30的杂芳环，优选为碳原子数为2～25的杂芳环，更优选为杂芳环具有2～20个碳原子的杂芳环，进一步优选具有2～15个碳原子的杂芳环，特别优选具有2～10个碳原子的杂芳环。此外，作为通式b-1的ar1、ar2、ar3的杂芳环可以是，例如，除了碳作为成环原子之外还含有1-5个选自氧、硫和氮的杂原子的杂环。
[0537]
通式bi的ar1、ar2、ar3的杂芳环的具体实例：吡咯环、恶唑环、异恶唑环、噻唑环、异噻唑环、咪唑环、恶二唑环、噻二唑环、三唑环、四唑环、吡唑环、吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三嗪环、吲哚环、异吲哚环、1h-吲唑环、苯并咪唑环、苯并恶唑环、苯并噻唑环、1h-苯并三唑环、喹啉环、异喹啉环、吖啶环、喹唑啉环、喹喔啉环、酞嗪环、萘啶环、嘌呤环、蝶啶环、咔唑环、吖啶环、吩噻嗪环、吩恶嗪环、吩噻嗪环、吩嗪环、中氮茚环、呋喃环、苯并呋喃环、异苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、呋喃环、恶二唑环和噻蒽环。
[0538]
通式bi的ar1、ar2、ar3的上述芳环或杂芳环中的一个或多个氢原子可以被取代基rf取代，
[0539]
其中rf在每次出现时独立地选自：氢、氘、n(r
17
)2、or
17
、sr
17
、si(r
17
)3、b(or
17
)2、oso2r
17
、cf3、cn、卤素，
[0540]c1-c
40-烷基，
[0541]
其任选被一个或多个取代基r
17
取代，并且
[0542]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
17
c＝cr
17
、c≡c、si(r
17
)2、ge(r
17
)2、sn(r
17
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
17
、p(＝o)(r
17
)、so、so2、nr
17
、o、s或conr
17
；
[0543]c1-c
40-烷氧基，
[0544]
其任选被一个或多个取代基r
17
取代，并且
[0545]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
17
c＝cr
17
、c≡c、si(r
17
)2、ge(r
17
)2、sn(r
17
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
17
、p(＝o)(r
17
)、so、so2、nr
17
、o、s或conr
17
；
[0546]c1-c
40-硫代烷氧基，
[0547]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
17
c＝cr
17
、c≡c、si(r
17
)2、ge(r
17
)2、
sn(r
17
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
17
、p(＝o)(r
17
)、so、so2、nr
17
、o、s或conr
17
；
[0548]c2-c
40-烯基，
[0549]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
17
c＝cr
17
、c≡c、si(r
17
)2、ge(r
17
)2、sn(r
17
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
17
、p(＝o)(r
17
)、so、so2、nr
17
、o、s或conr
17
；
[0550]c2-c
40-炔基，
[0551]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
17
c＝cr
17
、c≡c、si(r
17
)2、ge(r
17
)2、sn(r
17
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
17
、p(＝o)(r
17
)、so、so2、nr
17
、o、s或conr
17
；
[0552]c6-c
60-芳基，
[0553]
其任选被一个或多个取代基r
17
取代；和
[0554]c3-c
57-杂芳基，
[0555]
其任选被一个或多个取代基r
17
取代；
[0556]r17
在每次出现时独立地选自：氢、氘、oph、sph、cf3、cn、f、si(c
1-c
5-烷基)3、si(ph)3、
[0557]c1-c
5-烷基，
[0558]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0559]c1-c
5-烷氧基，
[0560]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0561]c1-c
5-硫代烷氧基，
[0562]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0563]c2-c
5-烯基，
[0564]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0565]c2-c
5-炔基，
[0566]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0567]c6-c
18-芳基，
[0568]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0569]c3-c
17-杂芳基，
[0570]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0571]
n(c
6-c
18-芳基)2,
[0572]
n(c
3-c
17-杂芳基)2；和
[0573]
n(c
3-c
17-杂芳基)(c
6-c
18-芳基)；其中
[0574]
任何取代基rf和r
17
可以任选地和相互独立地与一个或多个取代基rf、r
17
和/或芳族或杂芳族环ar1、ar2和ar3形成单环或多环、脂族、芳族、杂芳族和/或苯并稠合环系、其中如此形成的环系可以任选地被一个或多个取代基rf取代。
[0575]
在本发明的一个实施例中，所述至少一个小fwhm发光体sb中的每一个包括(或由其组成)式s
b-ii、s
b-iii和s
b-iv中的任一个结构：
[0576][0577]
其中
[0578]
对于ar1、ar2、ar3、rf和r
17
，前面所述的定义适用；
[0579]
y2、y3和y4在每次出现时彼此独立地选自：
[0580]
nr
18
、o、c(r
18
)2、s或si(r
18
)2；其中
[0581]r18
在每次出现时彼此独立地选自：
[0582]c1-c
5-烷基，其任选地被一个或多个取代基r
19
取代；
[0583]c6-c
60-芳基，其任选地被一个或多个取代基r
19
取代；和
[0584]c3-c
57-杂芳基，其任选地被一个或多个取代基r
19
取代；
[0585]r19
在每次出现时独立地选自：氢、氘、n(r
20
)2、or
20
、sr
20
、si(r
20
)3、b(or
20
)2、oso2r
20
、cf3、cn、卤素、
[0586]c1-c
40-烷基，
[0587]
其任选被一个或多个取代基r
20
取代，并且
[0588]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r2oc＝cr
20
、c≡c、si(r
20
)2、ge(r
20
)2、sn(r
20
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
20
、p(＝o)(r
20
)、so、so2、nr
20
、o、s或conr
20
；
[0589]c1-c
40-烷氧基，
[0590]
其任选被一个或多个取代基r
20
取代，并且
[0591]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r2oc＝cr
20
、c≡c、si(r
20
)2、ge(r
20
)2、sn(r
20
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
20
、p(＝o)(r
20
)、so、so2、nr
20
、o、s或conr
20
；
[0592]c1-c
40-硫代烷氧基，
[0593]
其任选被一个或多个取代基r
20
取代，并且
[0594]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r2oc＝cr
20
、c≡c、si(r
20
)2、ge(r
20
)2、sn(r
20
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
20
、p(＝o)(r
20
)、so、so2、nr
20
、o、s或conr
20
；
[0595]c2-c
40-烯基，
[0596]
其任选被一个或多个取代基r
20
取代，并且
[0597]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r2oc＝cr
20
、c≡c、si(r
20
)2、ge(r
20
)2、sn(r
20
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
20
、p(＝o)(r
20
)、so、so2、nr
20
、o、s或conr
20
；
[0598]c2-c
40-炔基，
[0599]
其任选被一个或多个取代基r
20
取代，并且
[0600]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r2oc＝cr
20
、c≡c、si(r
20
)2、ge(r
20
)2、sn(r
20
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
20
、p(＝o)(r
20
)、so、so2、nr
20
、o、s或conr
20
；
[0601]c6-c
60-芳基，
[0602]
其任选被一个或多个取代基r
20
取代；和
[0603]c3-c
57-杂芳基，
[0604]
其任选被一个或多个取代基r
20
取代；
[0605]r20
在每次出现时独立地选自下组：氢、氘、oph、sph、cf3、cn、f、si(c
1-c
5-烷基)3、si(ph)3、
[0606]c1-c
5-烷基，
[0607]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0608]c1-c
5-烷氧基，
[0609]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0610]c1-c
5-硫代烷氧基，
[0611]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0612]c2-c
5-烯基，
[0613]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0614]c2-c
5-炔基，
[0615]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0616]c6-c
18-芳基，
[0617]
其任选地被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0618]c3-c
17-杂芳基，
[0619]
其任选地被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0620]
n(c
6-c
18-芳基)2,
[0621]
n(c
3-c
17-杂芳基)2；和
[0622]
n(c
3-c
17-杂芳基)(c
6-c
18-芳基)；其中
[0623]
任何取代基rf、r
17
、r
18
和r
19
彼此独立地可以任选地与一个或多个取代基rf、r
17
、r
18
、r
19
和/或芳环或杂芳环ar1、ar2和ar3形成单环或多环、脂族、芳族、杂芳族和/或苯并稠合环系，其中如此形成的环可以任选地被一个或多个取代基rf取代。
[0624]
在本发明的一个实施例中，所述至少一个小fwhm发光体sb中的每一个包括(或由其组成)一个式s
b-iii-3a的结构：
[0625][0626]
其中r
vi
、r
vii
、r
viii
、r
ix
、r
x
、r
xi
、r
xii
、r
xiii
、r
xiv r
xv
、r
xv
i、r
xvii
、r
xviii r
xix
、r
xx
、r
xxi
、r
xxii
和r
xxiii
彼此独立地选自：氢、氘,n(r
21
)2,or
21
,sr
21
,si(r
21
)3,b(or
21
)2,oso2r
21
,cf3,cn,卤素,
[0627]c1-c
40-烷基，
[0628]
其任选被一个或多个取代基r
21
取代，并且
[0629]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
21
c＝cr
21
、c≡c、si(r
21
)2、ge(r
21
)2、sn(r
21
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
21
、p(＝o)(r
21
)、so、so2、nr
21
、o、s或conr
21
；
[0630]c1-c
40-烷氧基，
[0631]
其任选被一个或多个取代基r
21
取代，并且
[0632]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
21
c＝cr
21
、c≡c、si(r
21
)2、ge(r
21
)2、sn(r
21
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
21
、p(＝o)(r
21
)、so、so2、nr
21
、o、s或conr
21
；
[0633]c1-c
40-硫代烷氧基，
[0634]
其任选被一个或多个取代基r
21
取代，并且
[0635]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
21
c＝cr
21
、c≡c、si(r
21
)2、ge(r
21
)2、sn(r
21
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
21
、p(＝o)(r
21
)、so、so2、nr
21
、o、s或conr
21
；
[0636]c2-c
40-烯基，
[0637]
其任选被一个或多个取代基r
21
取代，并且
[0638]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
21
c＝cr
21
、c≡c、si(r
21
)2、ge(r
21
)2、sn(r
21
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
21
、p(＝o)(r
21
)、so、so2、nr
21
、o、s或conr
21
；
[0639]c2-c
40-炔基，
[0640]
其任选被一个或多个取代基r
21
取代，并且
[0641]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
21
c＝cr
21
、c≡c、si(r
21
)2、ge(r
21
)2、sn(r
21
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
21
、p(＝o)(r
21
)、so、so2、nr
21
、o、s或conr
21
；
[0642]c6-c
60-芳基，
[0643]
其任选地被一个或多个取代基r
21
取代；和
[0644]c3-c
57-杂芳基，
[0645]
其任选地被一个或多个取代基r
21
取代；
[0646]
其中任选地一对或多对相邻基团r
vi
和r
vii
、r
vii
和r
viii
、r
viii
和r
ix
、r
x
和r
xi
、r
x
i和r
xii
、r
xii
和r
xiii
、r
xiv
和r
xv
、r
xv
和r
xvi
、r
xv
i和r
xvii
、r
xvii
和r
xviii
、r
xix r
xx
、r
xx
和r
xxi
、r
xxi
和r
xxii
、r
xxii
和r
xxiii
形成芳环体系，并稠合到相邻的通式s
b-iii-3a的苯环a、b、c或d上，且其任选地被一个或更多取代基r
21
取代；
[0647]
其中任选地r
vi
和r
xxiii
、r
xiii
和r
xiv
的一对或两对连接以形成基团z4，其在每次出现时彼此独立地选自：直接键、cr
22r23
、c＝cr
22r23
、c＝o、c＝nr
22
、nr
22
、o、sir
22r23
、s、s(o)和s(o)2；
[0648]r21
在每次出现时独立地选自：氢、氘、oph、sph、cf3、cn、f、si(c
1-c
5-烷基)3、si(ph)3、
[0649]c1-c
5-烷基，
[0650]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0651]c1-c
5-烷氧基，
[0652]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0653]c1-c
5-硫代烷氧基，
[0654]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0655]c2-c
5-烯基，
[0656]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0657]c2-c
5-炔基，
[0658]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0659]c6-c
18-芳基，
[0660]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0661]c3-c
17-杂芳基，
[0662]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0663]
n(c
6-c
18
芳基)2,
[0664]
n(c
3-c
17-杂芳基)2；和
[0665]
n(c
3-c
17-杂芳基)(c
6-c
18-芳基)；
[0666]r22
和r
23
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、n(r
24
)2、or
24
、si(r
24
)3、b(or
24
)2、oso2r
24
、cf3、cn、f、br、i，
[0667]c1-c
40-烷基，
[0668]
其任选地被一个或多个取代基r
24
取代，并且
[0669]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
24
c＝cr
24
、c≡c、si(r
24
)2、ge(r
24
)2、sn(r
24
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
24
、p(＝o)(r
24
)、so、so2、nr
24
、o、s或conr
24
；
[0670]c1-c
40-烷氧基，
[0671]
其任选地被一个或多个取代基r
24
取代，并且
[0672]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
24
c＝cr
24
、c≡c、si(r
24
)2、ge(r
24
)2、sn(r
24
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
24
、p(＝o)(r
24
)、so、so2、nr
24
、o、s或conr
24
；
[0673]c1-c
40-硫代烷氧基，
[0674]
其任选地被一个或多个取代基r
24
取代，并且
[0675]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
24
c＝cr
24
、c≡c、si(r
24
)2、ge(r
24
)2、sn(r
24
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
24
、p(＝o)(r
24
)、so、so2、nr
24
、o、s或conr
24
；
[0676]c2-c
40-烯基，
[0677]
其任选地被一个或多个取代基r
24
取代，并且
[0678]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
24
c＝cr
24
、c≡c、si(r
24
)2、ge(r
24
)2、sn(r
24
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
24
、p(＝o)(r
24
)、so、so2、nr
24
、o、s或conr
24
；
[0679]c2-c
40-炔基，
[0680]
其任选地被一个或多个取代基r
24
取代，并且
[0681]
其中一个或多个不相邻的ch
2-基团任选地被r
24
c＝cr
24
、c≡c、si(r
24
)2、ge(r
24
)2、sn(r
24
)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr
24
、p(＝o)(r
24
)、so、so2、nr
24
、o、s或conr
24
；
[0682]c6-c
60-芳基，
[0683]
其任选地被一个或多个取代基r
24
取代；和
[0684]c3-c
57-杂芳基，
[0685]
其任选地被一个或多个取代基r
24
取代；
[0686]r24
在每次出现时独立地选自：氢、氘、oph、sph、cf3、cn、f、si(c
1-c
5-烷基)3、si(ph)3、
[0687]c1-c
5-烷基，
[0688]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0689]c1-c
5-烷氧基，
[0690]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0691]c1-c
5-硫代烷氧基，
[0692]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0693]c2-c
5-烯基，
[0694]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0695]c2-c
5-炔基，
[0696]
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、cn、cf3或f取代；
[0697]c6-c
18-芳基，
[0698]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0699]c3-c
17-杂芳基，
[0700]
其任选被一个或多个c
1-c
5-烷基取代基取代；
[0701]
n(c
6-c
18-芳基)2,
[0702]
n(c
3-c
17-杂芳基)2；和
[0703]
n(c
3-c
17-杂芳基)(c
6-c
18-芳基)；
[0704]
ra选自由以下组成的组：氢，
[0705]c3-c
15-杂芳基，其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、卤素、c
1-c
5-烷基、cn、cf3、sime3、siph3(ph＝苯基)、c
3-c
15-杂芳基取代，和c
6-c
18-芳基，其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被c
1-c
5-烷基、cn、cf3和ph取代；
[0706]
和
[0707]c6-c
18-芳基，其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被选自以下的取代基取代：c
1-c
5-烷基、cn、cf3和
[0708]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，
[0709]
吡啶基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自由me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph组成的组的取代基取代，
[0710]
嘧啶基，其任选被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代，和
[0711]
三嗪基，其任选被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代。
[0712]
在本发明的一个高度优选的实施方案中，ra选自：
[0713]c3-c
15-杂芳基，其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、卤素、c
1-c
5-烷基、cn、cf3、sime3、siph3(ph＝苯基)、c
3-c
15-杂芳基取代，和
[0714]c6-c
18-芳基，其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被c
1-c
5-烷基、cn、cf3和ph取代；
[0715]
在本发明的一个特别优选的实施方案中，ra选自：
[0716]c3-c
15-杂芳基，其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、卤素、c
1-c
5-烷基、cn、cf3、sime3、siph3(ph＝苯基)、c
3-c
15-杂芳基取代，和
[0717]c6-c
18-芳基，其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被c
1-c
5-烷基、cn、cf3和ph
取代，
[0718]
其中根据式s
b-iii-3a的ra的结合位点是c
3-c
15-杂芳基的c
3-c
15-碳原子之一。
[0719]
在本发明的一个实施例中，所述至少一个小fwhm发光体sb中的每一个都包含(或由其组成)式s
b-iii-3a-1、s
b-iii-3a-2、s
b-iii-3a-3、s
b-iii-3a-4、s
b-iii-3a-5、s
b-iii-3a-6、s
b-iii-3a-7、s
b-iii-3a-8、s
b-iii-3a-9,s
b-iii-3a-10,s
b-iii-3a-11,s
b-iii-3a-12,s
b-iii-3a-13,s
b-iii-3a-14,s
b-iii-3a-15,s
b-iii-3a-16、s
b-iii-3a-17、s
b-iii-3a-18、s
b-iii-3a-19、s
b-iii-3a-20、s
b-iii-3a-21、s
b-iii-3a-22、s
b-iii-3a-23、s
b-iii-3a-24、s
b-iii-3a-25、s
b-iii-3a-26、s
b-iii-3a-27、s
b-iii-3a-28、s
b-iii-3a-29、s
b-iii-3a-30中的任一结构：
[0720]
[0721]
[0722]
[0723][0724]
在本发明的优选实施例中，所述至少一个小fwhm发光体sb中的每一个都包含(或由其组成)式s
b-iii-3a-1、s
b-iii-3a-2、s
b-iii-3a-3、s
b-iii-3a-4、s
b-iii-3a-5、s
b-iii-3a-6、s
b-iii-3a-9和s
b-iii-3a-10中的任一结构：
iii-3a-18、s
b-iii-3a-19、s
b-iii-3a-20、s
b-iii-3a-21、s
b-iii-3a-22、s
b-iii-3a-23、s
b-iii-3a-24、s
b-iii-3a-25、s
b-iii-3a-26、s
b-iii-3a-27、s
b-iii-3a-28、s
b-iii-3a-29、s
b-iii-3a-30中的任一个的结构，其中ra是氢或具有由式r
a-i、r
a-ii、r
a-iii、r
a-iv、r
a-v、r
a-vi、r
a-vii、r
a-viii、r
a-ix、r
a-x、r
a-xi、r
a-xii和r
a-xiii中的任一个所表示的结构，
[0727][0728][0729]
其中
[0730]
虚线表示与核心结构的结合位点；
[0731]
q5在每次出现时彼此独立地选自氮(n)和r
25
；
[0732]
x3在每次出现时彼此独立地选自氧(o)、硫(s)、c(r
25
)2和nr
25
；
[0733]r25
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、卤素、c
1-c
5-烷基、cn、cf3、sime3、siph3(ph＝苯基)，和
[0734]c6-c
18-芳基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自c
1-c
5-烷基、cn、cf3、c
6-c
18-芳基和c
3-c
15-杂芳基的取代基取代；
[0735]c3-c
15-杂芳基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自c
1-c
5-烷基、cn、cf3、c
6-c
18-芳基和c
3-c
15-杂芳基的取代基取代；
[0736]r26
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、卤素、c
1-c
5-烷基、cn、cf3、sime3、siph3(ph＝苯基)，和
[0737]c6-c
18-芳基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自c
1-c
5-烷基、cn、cf3、c
6-c
18-芳基和c
3-c
15-杂芳基的取代基取代；
[0738]c3-c
15-杂芳基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自c
1-c
5-烷基、cn、cf3、c
6-c
18-芳基和c
3-c
15-杂芳基的取代基取代；
[0739]
其中两个或更多个相邻的取代基r
25
和/或r
26
可以任选地形成c
3-c
30-芳族环系或c
3-c
15-杂芳族环系；和
[0740]
其中在式r
a-iii、r
a-iv、r
a-v和r
a-vi中，至少一个q5是n；和
[0741]
其中在式r
a-iii、r
a-iv、r
a-v和r
a-vi中，两个相邻的基团q5不都是n。
[0742]
在本发明的甚至更优选的实施例中，所述至少一个小fwhm发光体sb中的每一个都包括(或由其组成)式s
b-iii-3a、s
b-iii-3a-1、s
b-iii-3a-2、s
b-iii-3a-3、s
b-iii-3a-4、s
b-iii-3a-5、s
b-iii-3a-6、s
b-iii-3a-7、s
b-iii-3a-8、s
b-iii-3a-9、s
b-iii-3a-10、s
b-iii-3a-11、s
b-iii-3a-12、s
b-iii-3a-13、s
b-iii-3a-14、s
b-iii-3a-15、s
b-iii-3a-16、s
b-iii-3a-17、s
b-iii-3a-18、s
b-iii-3a-19、s
b-iii-3a-20、s
b-iii-3a-21、s
b-iii-3a-22、s
b-iii-3a-23、s
b-iii-3a-24、s
b-iii-3a-25、s
b-iii-3a-26、s
b-iii-3a-27、s
b-iii-3a-28、s
b-iii-3a-29、s
b-iii-3a-30中的任一结构，其中ra是氢或具有式r
a-i、r
a-ii、r
a-iii、r
a-iv、r
a-v、r
a-vi、r
a-vii、r
a-viii、r
a-ix，r
a-x、r
a-xi、r
a-xii和r
a-xiii中的任一个所表示的结构；和
[0743]
其中r
26
在每次出现时为氢。
[0744]
在本发明的又一更优选的实施例中，所述至少一个小fwhm发光体sb中的每一个包括(或由其组成)式s
b-iii-3a、s
b-iii-3a-1、s
b-iii-3a-2、s
b-iii-3a-3、s
b-iii-3a-4、s
b-iii-3a-5、s
b-iii-3a-6、s
b-iii-3a-7、s
b-iii-3a-8、s
b-iii-3a-9、s
b-iii-3a-10、s
b-iii-3a-11、s
b-iii-3a-12、s
b-iii-3a-13、s
b-iii-3a-14,s
b-iii-3a-15,s
b-iii-3a-16,s
b-iii-3a-17,s
b-iii-3a-18,s
b-iii-3a-19,s
b-iii-3a-20,s
b-iii-3a-21、s
b-iii-3a-22、s
b-iii-3a-23、s
b-iii-3a-24、s
b-iii-3a-25、s
b-iii-3a-26、s
b-iii-3a-27、s
b-iii-3a-28、s
b-iii-3a-29、s
b-iii-3a-30中的任一结构，其中ra是氢或具有式r
a-ia、r
a-ib、r
a-ic、r
a-id、r
a-ie、r
a-if、r
a-ig、r
a-iiia、r
a-iiib，r
a-iva、r
a-ivb、r
a-va、r
a-vb、r
a-vc、r
a-vd、r
a-ve、r
a-vf、r
a-via、r
a-vib、r
a-vic、r
a-vid、r
a-vie、r
a-vif、r
a-vii、r
a-viiia、r
a-viiib、r
a-viiic、r
a-ixa、r
a-ixb和r
a-ixc中的任一个所表示的结构：
[0745]
[0746]
[0747][0748]
其中，虚线表示与核心结构的结合位点；
[0749]r25
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、c
1-c
5-烷基、cn、cf3、sime3、siph3(ph＝苯基)，和
[0750]c6-c
18-芳基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自c
1-c
5-烷基、cn、cf3、c
6-c
18-芳基和c
3-c
15-杂芳基的取代基取代；
[0751]c3-c
15-杂芳基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自c
1-c
5-烷基、cn、cf3、c
6-c
18-芳基和c
3-c
15-杂芳基的取代基取代；并且其中
[0752]
相邻基团r
25
不结合形成任何类型的额外环系统。
[0753]
在本发明的一个甚至更优选的实施方案中，r
25
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、sime3、siph3(ph＝苯基)，和
[0754]c6-c
18-芳基，其任选地被一个或多个彼此独立地选自me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph的取代基取代；
[0755]c3-c
15-杂芳基，其任选地地被一个或多个彼此独立地选自下组的取代基取代：me、ipr、
t
bu、cn、cf3、c
6-c
18-芳基和ph；并且其中
[0756]
相邻基团r
25
不结合形成任何类型的额外环系统。
[0757]
在本发明的一个甚至更优选的实施方案中，r
25
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、sime3、siph3(ph＝苯基)，和
[0758]
ph，其任选地被一个或多个彼此独立地选自由以下组成的组的取代基取代：me、ipr、
t
bu、cn、cf3和ph；并且其中
[0759]
相邻基团r
25
不结合形成任何类型的额外环系统。
[0760]
在一个实施方案中，r
vi
、r
vii
、r
viii
、r
ix
、r
x
、r
xi
、r
xii
、r
xiii
、r
xiv r
xv
、r
xvi
、r
xvii
、r
xviii
、r
xix
、r
xx
、r
xxi
、r
xxii
和r
xxiii
彼此独立地选自：氢、卤素、cn、cf3、sime3、siph3、
[0761]c1-c
5-烷基，
[0762]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0763]c6-c
18-芳基，
[0764]
其中任选地一个或多个氢原子独立地被c
1-c
5-烷基、c
6-c
18-芳基、c
3-c
17-杂芳基、cn或cf3取代；
[0765]c3-c
15-杂芳基，
[0766]
其中任选地一个或多个氢原子独立地被c
1-c
5-烷基、c
6-c
18-芳基、c
3-c
17-杂芳基、cn或cf3取代；和
[0767]
n(ph)2；
[0768]
其中，任选地，r
vi
和r
vii
、r
vii
和r
viii
、r
viii
和r
ix
中至少一对相邻的基团形成芳环系统，其稠合到式s
b-iii-3a的相邻苯环a，和/或任选地，r
x
和r
x
i、r
x
i和r
x
ii、r
x
ii和r
xiii
中至少一对相邻的基团形成芳环体系，其与式s
b-iii-3a的相邻苯环b稠合；
[0769]
其中每个如此任选地形成的芳环系统包含3至30个碳原子并且任选被一个或多个取代基r
21
取代；和
[0770]
其中特别优选地，如此任选地形成的两个芳环系统是相同的；和
[0771]
其中任选地，r
vi
和r
xxiii
、r
xiii
和r
xiv
中的一对或两对连接以形成基团z4，其在每次出现时彼此独立地选自：直接键、cr
22r23
、c＝cr
22r23
、c＝o、c＝nr
22
、nr
22
、o、sir
22r23
、s、s(o)和s(o)2；
[0772]
其中r
21
、r
22
和r
23
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、卤素、cn、cf3、sime3、siph3、
[0773]c1-c
5-烷基，
[0774]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0775]c6-c
18-芳基，
[0776]
其中任选地一个或多个氢原子独立地被c
1-c
5-烷基、c
6-c
18-芳基、c
3-c
17-杂芳基、cn或cf3取代；
[0777]c3-c
15-杂芳基，
[0778]
其中任选地一个或多个氢原子独立地被c
1-c
5-烷基、c
6-c
18-芳基、c
3-c
17-杂芳基、cn或cf3取代；和
[0779]
n(ph)2。
[0780]
在本发明的一个更优选的实施例中，至少一个小fwhm发光体sb中的每一个包括(或由其组成)式s
b-iii-3a、s
b-iii-3a-1、s
b-iii-3a-2、s
b-iii-3a-3、s
b-iii-3a-4、s
b-iii-3a-5、s
b-iii-3a-6、s
b-iii-3a-9、s
b-iii-3a-10中的任一结构；
[0781]
其中r
vi
、r
vii
、r
viii
、r
ix
、r
x
、r
x
i、r
xii
、r
xiii
、r
xiv r
xv
、r
xvi
、r
xvii
、r
xviii r
xix
、r
xx
、r
xxi
、r
xxii
和r
xxiii
彼此独立地选自：氢、氘,卤素,cn,cf3,sime3,siph3,
[0782]c1-c
5-烷基，
[0783]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0784]c6-c
18-芳基，其中任选地一个或多个氢原子独立地被c
1-c
5-烷基、c
6-c
18-芳基、c
3-c
17-杂芳基、cn或cf3取代；
[0785]c3-c
15-杂芳基，其中任选地一个或多个氢原子独立地被c
1-c
5-烷基、c
6-c
18-芳基、c
3-c
17-杂芳基、cn或cf3取代；和
[0786]
n(ph)2；
[0787]
其中，任选地，至少一对相邻基团r
vi
和r
vii
、r
vii
和r
viii
、r
viii
和r
ix
形成芳环系统，其稠合到式s
b-iii-3a的相邻苯环a，和/或任选地，至少一对相邻基团r
x
和r
xi
、r
xi
和r
xii
、r
xii
和r
xiii
形成芳环系统，其与通式s
b-iii-3a的相邻苯环b稠合；
[0788]
其中每个如此任选形成的芳环系统包含3至30个碳原子并且任选被一个或多个取代基r
21
取代；和
[0789]
其中特别优选地，如此任选地形成的两个芳环系统是相同的；和
[0790]
其中任选地，r
vi
和r
xxiii
、r
xiii
和r
xiv
的一对或两对连接以形成基团z4，其在每次出现时彼此独立地选自：直接键、cr
22r23
、c＝cr
22r23
、c＝o、c＝nr
22
、nr
22
、o、sir
22r23
、s、s(o)和s(o)2；
[0791]
其中r
21
、r
22
和r
23
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、卤素、cn、cf3、sime3、
siph3、
[0792]c1-c
5-烷基，
[0793]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0794]c6-c
18-芳基，其中任选地一个或多个氢原子独立地被c
1-c
5-烷基、c
6-c
18-芳基、c
3-c
17-杂芳基、cn或cf3取代；
[0795]c3-c
15-杂芳基，其中任选地一个或多个氢原子独立地被c
1-c
5-烷基、c
6-c
18-芳基、c
3-c
17-杂芳基、cn或cf3取代；和
[0796]
n(ph)2。
[0797]
在本发明的甚至更优选的实施例中，所述至少一个小fwhm发光体sb中的每一个都包括(或由其组成)式s
b-iii-3a、s
b-iii-3a-1、s
b-iii-3a-2、s
b-iii-3a-3、s
b-iii-3a-4、s
b-iii-3a-5、s
b-iii-3a-6、s
b-iii-3a-9、s
b-iii-3a-10中的任一结构；
[0798]
其中r
vi
、r
vii
、r
viii
、r
ix
、r
x
、r
xi
、r
xii
、r
xiii
、r
xiv r
xv
、r
xvi
、r
xvii
、r
xviii r
xix
、r
xx
、r
xxi
、r
xxii
和r
xxiii
彼此独立地选自：氢、氘,cn,cf3,sime3,siph3,n(ph)2,
[0799]c1-c
5-烷基，
[0800]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0801]c6-c
18-芳基，
[0802]
其中任选地一个或多个氢原子独立地被me、ipr、
t
bu、cn、cf3或ph取代；
[0803]c3-c
15-杂芳基，
[0804]
其中任选地一个或多个氢原子独立地被me、ipr、
t
bu、cn、cf3或ph取代；和其中，任选地，至少一对相邻基团r
vi
和r
vii
、r
vii
和r
viii
、r
viii
和r
ix
形成芳环系统，并稠合到式s
b-iii-3a的相邻苯环a，和/或任选地，至少一对相邻基团r
x
和r
xi
、r
xi
和r
xii
、r
xii
和r
xiii
形成芳环系统，并与通式s
b-iii-3a的相邻苯环b稠合；
[0805]
其中每个如此任选地形成的芳环系统包含3至30个碳原子；和
[0806]
其中特别优选地，如此任选地形成的两个芳环系统是相同的；和
[0807]
其中任选地，r
vi
和r
xxiii
、r
xiii
和r
xiv
中的一对或两对连接以形成基团z4，其在每次出现时彼此独立地选自：直接键、cr
22r23
、c＝cr
22r23
、c＝o、c＝nr
22
、nr
22
、o、sir
22r23
、s、s(o)和s(o)2；
[0808]
其中r
22
和r
23
在每次出现时彼此独立地选自：氢、氘、cn、cf3、sime3、siph3、c
1-c
5-烷基，
[0809]
其中一个或多个氢原子任选地被氘取代；
[0810]c6-c
18-芳基，
[0811]
其中任选地一个或多个氢原子独立地被me、ipr、
t
bu、cn、cf3或ph取代；
[0812]c3-c
15-杂芳基，
[0813]
其中任选一个或多个氢原子独立地被me、ipr、
t
bu、cn、cf3或ph取代。
[0814]
在本发明的一个优选实施方案中，r
vi
、r
vii
、r
viii
、r
ix
、r
x
、r
xi
、r
xii
、r
xiii
、r
xiv r
xv
、r
xvi
、r
xvii
、r
xviii
、r
xix
、r
xx
、r
xxi
、r
xxii
和r
xxiii
彼此独立地选自由以下组成的组：氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、n(ph)2和
[0815]
ph，其中一个或多个氢原子任选地被氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3取代；和
[0816]
其中任选一对或两对r
vi
和r
xxiii
、r
xiii
和r
xiv
连接形成基团z4，其在每次出现时为直
接键。
[0817]
在本发明的一个特别优选的实施例中，所述至少一个小fwhm发光体sb中的每一个都包括(或由其组成)式s
b-iii-3a、s
b-iii-3a-1、s
b-iii-3a-2、s
b-iii-3a-3、s
b-iii-3a-4、s
b-iii-3a-5、s
b-iii-3a-6、s
b-iii-3a-9、s
b-iii-3a-10中的任一结构；
[0818]
其中r
vi
、r
vii
、r
viii
、r
ix
、r
x
、r
xi
、r
xii
、r
xiii
、r
xiv r
xv
、r
xvi
、r
xvii
、r
xviii
、r
xix
、r
xx
、r
xxi
、r
xxii
和r
xxiii
彼此独立地选自：氢、氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3、n(ph)2和
[0819]
ph，其中一个或多个氢原子任选地被氘、me、ipr、
t
bu、cn、cf3取代；和
[0820]
其中任选一对或两对r
vi
和r
xxiii
、r
xiii
和r
xiv
连接形成基团z4，其在每次出现时为直接键。
[0821]
以下将列举本发明有机电致发光器件的小fwhm发光体sb的示例。当然，本发明不仅限于包含这些发光体分子之一的器件。
[0822]
式s
b-iii-3a-1的小fwhm发光体sb的示例：
[0823][0824]
式s
b-iii-3a-2的小fwhm发光体sb的示例：
[0825]
[0826][0827]
式s
b-iii-3a-3、s
b-iii-3a-4、s
b-iii-3a-5和s
b-iii-3a-6的小fwhm发光体sb的示例：
[0828][0829]
式s
b-iii-3a-9的小fwhm发光体sb的示例：
[0830][0831]
小fwhm发光体sb的合成可以采用技术人员已知的标准反应和反应条件来完成。包含式s
b-iii-3a的结构或由其组成的小fwhm发光体sb的典型反应方案的示例描述如下，其中r
xviii
＝r
xix
，r
xvii
＝r
xx
，r
xvi
＝r
xxi
，r
xv
＝r
xxii
，r
xiv
＝r
xxiii
、r
xiii
＝r
vi
、r
xii
＝r
vii
、r
xi
＝r
viii
和r
x
＝r
ix
：
[0832][0833]
1,3-二溴-2,5-二氯苯(cas：81067-41-6，1.00当量)、e1(2.20当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯pd2(dba)3(0.02当量；cas：51364-51-3)、三叔丁基膦(p(
t
bu)3，cas：13716-12-6，0.08当量)和叔丁醇钠(nao
t
bu；6.00当量)在氮气气氛下于甲苯中80℃下搅拌2小时。冷却至室温(rt)后，将反应混合物用甲苯和盐水萃取并分离各相。合并有机层，用mgso4干燥，然后减压除去溶剂。得到的粗产物通过重结晶或柱色谱法纯化，得到固体i1。
[0834][0835]
i1(1.00当量)，e2(2.20当量，三(二亚苄基丙酮)二钯pd2(dba)3(0.02当量；cas：51364-51-3)，三叔丁基膦(0.08当量，p(
t
bu)3,cas:13716-12-6)和叔丁醇钠(nao
t
bu；5.00当量)在氮气气氛下于甲苯中100℃下搅拌5小时。冷却至室温(rt)后，将反应混合物用甲苯和盐水萃取并分离各相。合并有机层，用mgso4干燥，然后减压除去溶剂。得到的粗产物通过重结晶或柱色谱法纯化，得到固体形式的i2。
[0836][0837]
在氮气气氛下将i2(1当量)溶解在thf中并冷却至-20℃或在叔丁基苯中冷却至-10℃后，加入
t
buli(2当量，cas：594-19-4)在0℃下搅拌反应混合物。在完全锂化后，将反应淬灭并加入1,3,2-二氧硼杂环戊烷(2当量，cas：61676-62-8)，将反应混合物在回流下于70℃搅拌2小时。冷却至室温(rt)后，将反应混合物用甲苯和盐水萃取并分离各相。合并有机层，用mgso4干燥，然后减压除去溶剂。获得的粗产物通过重结晶或柱色谱法纯化，获得固体形式的i3。
[0838][0839]
i3(1当量)、n,n-二异丙基乙胺(10当量，cas：7087-68-5)和alcl3(10当量，cas：7446-70-0)在氮气氛下于氯苯中120℃下搅拌16h。冷却至室温(rt)后，将反应混合物用甲苯和盐水萃取并分离各相。合并有机层，用mgso4干燥，然后减压除去溶剂。获得的粗产物通过重结晶或柱色谱法纯化，获得固体形式的i4。
3a-3、s
b-iii-3a-4、s
b-iii-3a-5、s
b-iii-3a-6、s
b-iii-3a-9和s
b-iii-3a-10中的任一结构。
[0849]
在本发明的一个特别优选的实施方案中，包含在所述至少一个发光层b中的每个tadf材料eb具有根据本文所示的任何特别优选示例的结构，且包含在所述至少一个发光层b中的每个fwhm发射体sb具有根据本文所示的任何特别优选示例的结构。发光层b内各组分的homo-能级和lumo-能级的关系
[0850]
在本发明的一个优选实施方式中，只要发光层b中存在至少一种p型主体hp(p-hosthp)，则优选地满足适用下式(20)至(22)所表示的关系中的一种或多种或全部：e
lumo
(h
p
)》e
lumo
(eb)
ꢀꢀ
(20)
[0851]ehomo
(h
p
)≤e
homo
(sb)
ꢀꢀ
(21)
[0852]elumo
(h
p
)》e
lumo
(sb)
ꢀꢀ
(22)。
[0853]
在本发明的一个优选实施例中，只要发光层b中存在至少一种p型主体hp和至少一种n型主体hn，则优选地满足适用下式(18)至(22)所表示的关系中的一种或多种或全部：
[0854]ehomo
(h
p
)》e
homo
(hn)
ꢀꢀ
(18)
[0855]elumo
(h
p
)》e
lumo
(hn)
ꢀꢀ
(19)
[0856]elumo
(h
p
)》e
lumo
(eb)
ꢀꢀ
(20)
[0857]ehomo
(h
p
)≤e
homo
(sb)
ꢀꢀ
(21)
[0858]elumo
(h
p
)》e
lumo
(sb)
ꢀꢀ
(22)。
[0859]
在本发明的一个优选实施例中，只要至少一种p-主体hp和至少一种n-主体hn和至少一种双极主体hbp存在于发光层b中，则优选地满足适用下式(18)至(23)所表示的关系中的一种或多种或全部：
[0860]ehomo
(h
p
)》e
homo
(hn)
ꢀꢀ
(18)
[0861]elumo
(h
p
)》e
lumo
(hn)
ꢀꢀ
(19)
[0862]elumo
(h
p
)》e
lumo
(eb)
ꢀꢀ
(20)
[0863]ehomo
(h
p
)≤e
homo
(sb)
ꢀꢀ
(21)
[0864]elumo
(h
p
)》e
lumo
(sb)
ꢀꢀ
(22)
[0865]elumo
(h
p
)》e
lumo
(h
bp
)
ꢀꢀ
(23)。
[0866]
因此，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中任选的p主体h
p
具有最高占据分子轨道homo(h
p
)，其能量e
homo
(h
p
)优选地高于包含在所述至少一个发光层b中任选的n-主体hn的最高占据分子轨道homo(hn)的能量e
homo
(hn)。
[0867]
此外，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中任选的p主体h
p
具有最低未占分子轨道lumo(h
p
)，其能量e
lumo
(h
p
)优选地高于包含在所述至少一个发光层b中任选的n-主体hn的最低未占分子轨道lumo(hn)的能量e
lumo
(hn)。
[0868]
此外，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中任选的p主体h
p
具有最低的未占分子轨道lumo(h
p
)，其能量e
lumo
(h
p
)优选地高于包含在所述至少一个发光层b中的tadf材料eb的最低未占分子轨道lumo(eb)的能量e
lumo
(eb)。
[0869]
任选地，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中任选的p主体h
p
具有最高占据分子轨道homo(h
p
)，其能量e
homo
(h
p
)优选地低于或等于包含在所述至少一个发光层b中的小fwhm发射体sb的最高占据分子轨道homo(sb)的能量e
homo
(sb)。
[0870]
此外，任选地，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中任选的p主
体h
p
具有最低未占分子轨道lumo(h
p
)，其能量e
lumo
(h
p
)优选地高于包含在所述至少一个发光层b中的小fwhm发射体sb的最低未占分子轨道lumo(sb)的能量e
lumo
(sb)。此外，任选地，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中任选的p主体h
p
具有最低的未占分子轨道lumo(h
p
)，其能量e
lumo
(h
p
)优选地高于包含在所述至少一个发光层b中的双极主体h
bp
的最低未占分子轨道lumo(h
bp
)的能量e
lumo
(h
bp
)。
[0871]
在本发明的一个优选实施方案中，只要发光层eb中存在一种p型主体h
p
，则优选地满足下式(26)和/或(27)所表示的关系中的一种或全部：
[0872]
–
0.3ev≤e
homo
(h
p
)
–ehomo
(eb)≤0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(26)
[0873]elumo
(h
p
)
–elumo
(eb)≥0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(27)
[0874]
在本发明的一个优选实施方案中，只要p-主体h
p
和n-主体hn存在于发光层eb中，则优选地满足下式(24)至(27)所表示的关系中的一种，多种或全部：
[0875]ehomo
(h
p
)
–ehomo
(hn)≥0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(24)
[0876]elumo
(h
p
)
–elumo
(hn)≥0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(25)
[0877]
–
0.3ev≤e
homo
(h
p
)
–ehomo
(eb)≤0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(26)
[0878]elumo
(h
p
)
–elumo
(eb)≥0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(27)
[0879]
在本发明的一个优选实施方案中，只要p-主体h
p
和n-主体hn和双极主体h
bp
均存在于发光层eb中，则优选地满足下式(24)至(28)所表示的关系中的一种，多种或全部：
[0880]ehomo
(h
p
)
–ehomo
(hn)≥0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(24)
[0881]elumo
(h
p
)
–elumo
(hn)≥0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(25)
[0882]
–
0.3ev≤e
homo
(h
p
)
–ehomo
(eb)≤0.3ev(26)
[0883]elumo
(h
p
)
–elumo
(eb)≥0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(27)
[0884]elumo
(h
p
)
–elumo
(hbp)≥0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(28)
[0885]
因此，在本发明的一个优选实施方案中，任选地包含在所述至少一个发光层b中的p主体h
p
具有最高占据分子轨道homo(h
p
)，其能量为e
homo
(h
p
)。任选地包含在所述至少一个发光层b中的n-主体hn具有能量为e
homo
(hn)的最高占据分子轨道homo(hn)，其中优选地:e
homo
(h
p
)
–ehomo
(hn)≥0.3ev。即，e
homo
(h
p
)与e
homo
(hn)的能量差优选为0.3ev以上。
[0886]
在本发明的一个优选实施方案中，任选地包含在所述至少一个发光层b中的p主体h
p
具有最低未占分子轨道lumo(h
p
)，其能量为e
lumo
(h
p
)。任选地包含在所述至少一个发光层b中的n-主体hn具有具有能量e
lumo
(hn)的最低未占分子轨道lumo(hn)，其中优选地：e
lumo
(h
p
)
–elumo
(hn)≥0.3ev。即，e
lumo
(h
p
)与e
lumo
(hn)的能量差优选为0.3ev以上。
[0887]
在本发明的一个优选实施方案中，任选地包含在所述至少一个发光层b中的p主体h
p
具有最高占据分子轨道homo(h
p
)，其能量为e
homo
(h
p
)。包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的tadf材料eb具有能量为e
homo
(eb)的最高占据分子轨道homo(eb)，其中优选地：
–
0.3ev≤e
homo
(h
p
)
–ehomo
(eb)≤0.3ev。换言之，包含在所述至少一个发光层b中的p主体hp的homo(h
p
)的能量可以高于或低于包含在所述至少一个发光层b中的tadf发射体eb的homo(eb)的能量，但二者能量差优选不超过0.3ev。
[0888]
在本发明的一个优选实施方案中，任选地包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的p主体h
p
具有最低未占分子轨道lumo(h
p
)，其具有能量为e
lumo
(h
p
)，且包含在所述至少一个发光层b中的tadf材料eb具有能量为e
lumo
(eb)的最低未占分子轨道lumo
(eb)，其中优选地：e
lumo
(h
p
)
–elumo
(eb)≥0.3ev。即，e
lumo
(h
p
)与e
lumo
(eb)的能量差优选为0.3ev以上。
[0889]
在本发明的一个优选实施方案中，任选地包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的p主体h
p
具有最低未占分子轨道lumo(h
p
)，其具有能量为e
lumo
(h
p
)，且包含在所述至少一个发光层b中的的双极主体h
bp
具有具有能量e
lumo
(h
bp
)的最低未占分子轨道lumo(h
bp
)，其中优选地：e
lumo
(h
p
)
–
[0890]elumo
(h
bp
)≥0.3ev。即，e
lumo
(h
p
)与e
lumo
(hbp)的能量差优选为0.3ev以上。
[0891]
在本发明的优选实施方式中，只要在发光层eb中存在n型主体hn，则优选地满足下式(29)至(32)所表示的关系中的一种，多种或全部：
[0892]ehomo
(hn)≤e
homo
(eb)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(29)
[0893]elumo
(hn)≤e
lumo
(eb)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(30)
[0894]ehomo
(hn)《e
homo
(sb)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(31)
[0895]elumo
(hn)《e
lumo
(sb)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(32)
[0896]
在本发明的优选实施方式中，只要在发光层eb中存在n型主体hn和双极型主体h
bp
，则优选地满足下式(29)至(33)所表示的关系中的一种，多种或全部：
[0897]ehomo
(hn)≤e
homo
(eb)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(29)
[0898]elumo
(hn)≤e
lumo
(eb)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(30)
[0899]ehomo
(hn)《e
homo
(sb)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(31)
[0900]elumo
(hn)《e
lumo
(sb)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(32)
[0901]ehomo
(hn)《e
homo
(hbp)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(33)
[0902]
因此，任选地包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的n-主体hn具有最高占据分子轨道homo(hn)，其能量e
homo
(hn)优选地低于或等于本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中包含的tadf材料eb的最高占据分子轨道homo(eb)的能量e
homo
(eb)。
[0903]
此外，任选地包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的n-主体hn具有最低未占分子轨道lumo(hn)，其能量e
lumo
(hn)优选地等于或低于本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中包含的tadf材料eb的最低未占分子轨道lumo(eb)的能量e
lumo
(eb)。
[0904]
此外，任选地包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的n-主体hn具有最高占据分子轨道homo(hn)，其能量e
homo
(hn)优选地低于包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的小fwhm发射体sb的最高占据分子轨道homo(sb)的能量e
homo
(sb)。
[0905]
任选地包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的n-主体hn具有最低未占分子轨道lumo(hn)，其能量e
lumo
(hn)优选地低于包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的小fwhm发射体sb的最低未占分子轨道lumo(sb)的能量e
lumo
(sb)。
[0906]
此外，任选地包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的n-主体hn具有最高占据分子轨道homo(hn)，其能量e
homo
(hn)优选地低于包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中任选的双极主体h
bp
的最高占据分子轨道homo(h
bp
)的能量e
homo
(h
bp
)。
[0907]
在本发明的优选实施方式中，只要发光层eb中存在n型主体hn，则优选地满足下式(34)至(36)所表示的关系中的一种，多种或全部：
[0908]ehomo
(eb)
–ehomo
(hn)≥0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(34)
[0909]elumo
(eb)
–elumo
(hn)≥0.2ev
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(35)
[0910]elumo
(sb)
–elumo
(hn)≥0.2ev
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(36)
[0911]
在本发明的优选实施方式中，只要在发光层eb中存在n型主体hn和双极型主体h
bp
，则优选地满足下式(34)至(37)所表示的关系中的一种，多种或全部：
[0912]ehomo
(eb)
–ehomo
(hn)≥0.3ev
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(34)
[0913]elumo
(eb)
–elumo
(hn)≥0.2ev
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(35)
[0914]elumo
(sb)
–elumo
(hn)≥0.2ev
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(36)
[0915]ehomo
(hbp)
–ehomo
(hn)≥0.3ev
ꢀꢀꢀ
(37)
[0916]
因此，在本发明的一个优选实施方案中，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的tadf材料eb具有能量为e
homo
(eb)的最高占据分子轨道homo(eb)，且包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的n-主体hn具有具有能量为e
homo
(hn)的最高占据分子轨道homo(hn)，其中优选地：e
homo
(eb)
–ehomo
(hn)≥0.3ev。即，e
homo
(eb)与e
homo
(hn)的能量差优选为等于或大于0.3ev。
[0917]
在本发明的一个优选实施方案中，包含在本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b中的tadf材料eb具有能量为e
lumo
(eb)的最低未占分子轨道lumo(eb)，且包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中任选的n-主体hn具有能量为e
lumo
(hn)的最低未占分子轨道lumo(hn)，其中优选地：e
lumo
(eb)
–elumo
(hn)≥0.2ev。即，e
lumo
(eb)与e
lumo
(hn)的能量差优选为等于或大于0.2ev。
[0918]
在本发明的一个优选实施方案中，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的小fwhm发射体sb具有能量为e
lumo
(sb)的最低未占分子轨道lumo(sb)，且包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中任选的n-主体hn具有能量为e
lumo
(sb)的最低未占分子轨道lumo(sb)，且包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中任选的n-主体hn具有能量为e
lumo
(hn)的最低未占分子轨道lumo(hn)，其中优选地：e
lumo
(sb)
–elumo
(hn)≥0.2ev。即，e
lumo
(sb)与e
lumo
(hn)的能量差优选为等于或大于0.2ev。
[0919]
在本发明的优选实施方案中，任选包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的双极主体h
bp
具有最高占据分子轨道homo(hbp)，其能量为e
homo
(hbp)，且任选地包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的n-主体hn具有能量为e
homo
(hn)的最高占据分子轨道homo(hn)，其中优选地：e
homo
(h
bp
)
–ehomo
(hn)≥0.3ev。即，e
homo
(h
bp
)与e
homo
(hn)的能量差优选为等于或大于0.3ev。
[0920]
在本发明的一个优选实施方案中，只要双极性主体h
bp
存在于发光层b中，则优选地满足下式(38)至(40)所表示的关系中的一种，多种或全部：
[0921]ehomo
(hbp)≤e
homo
(sb)
ꢀꢀ
(38)
[0922]elumo
(hbp)≤e
lumo
(eb)
ꢀꢀ
(39)
[0923]elumo
(hbp)《e
lumo
(sb)
ꢀꢀ
(40)
[0924]
因此，任选包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的双极主体h
bp
具有最高占据分子轨道homo(h
bp
)，其能量e
homo
(h
bp
)优选地低于或等于本发明有机电致发光
器件的至少一个发光层b中包含的小fwhm发射体sb的最高占据分子轨道homo(sb)的能量e
homo
(sb)。
[0925]
此外，任选包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的双极主体h
bp
具有最低未占分子轨道lumo(h
bp
)，其能量e
lumo
(h
bp
)优选地低于或等于本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中包含的tadf材料eb的最低未占分子轨道lumo(eb)的能量e
lumo
(eb)。
[0926]
此外，任选包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的双极主体h
bp
具有最低未占分子轨道lumo(h
bp
)，其能量e
lumo
(h
bp
)优选低于本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中包含的小fwhm发射体sb的最低未占分子轨道lumo(sb)的能量e
lumo
(sb)。
[0927]
在本发明的一个优选实施方案中，只要双极性主体h
bp
存在于发光层b中，则优选地满足下式(41)至(43)所表示的关系中的一种，多种或全部：
[0928]
–
0.3ev≤e
homo
(hbp)
–ehomo
(eb)≤0.3ev
ꢀꢀ
(41)
[0929]elumo
(eb)
–elumo
(hbp)≥0.2ev
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(42)
[0930]elumo
(hbp)
–elumo
(sb)≥0.2ev
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(43)
[0931]
因此，在本发明的一个优选实施方案中，任选地包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的双极主体h
bp
具有最高占据分子轨道homo(h
bp
)，其能量为e
homo
(h
bp
)，且包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的tadf材料eb具有能量为e
homo
(eb)的最高占据分子轨道homo(eb)，其中优选：
–
0.3ev≤e
homo
(h
bp
)
–ehomo
(eb)≤0.3ev。换言之，所述双极主体h
bp
的homo(h
bp
)的能量可以高于或低于所述tadf发射体eb的homo(eb)，但能量差优选不超过0.3ev。
[0932]
此外，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的tadf材料eb具有能量为e
lumo
(eb)的最低未占分子轨道lumo(eb)，且包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中任选的双极主体h
bp
具有能量为e
lumo
(h
bp
)的最低未占分子轨道lumo(h
bp
)，其中优选地：e
lumo
(eb)-e
lumo
(hbp)≥0.2ev。即，e
lumo
(eb)与e
lumo
(h
bp
)的能量差优选为等于或大于0.2ev。
[0933]
此外，任选地包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的双极主体h
bp
具有能量为e
lumo
(h
bp
)的最低未占分子轨道lumo(h
bp
)，且包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的tadf材料eb，具有能量为e
lumo
(eb)的最低未占分子轨道lumo(eb)，其中优选地：e
lumo
(hbp)-e
lumo
(sb)≥0.2电子伏特。即，e
lumo
(h
bp
)与e
lumo
(eb)的能量差优选为等于或大于0.2ev。
[0934]
在本发明的一个优选实施例中，满足由以下公式(44)和(45)所表示的关系：
[0935]ehomo
(eb)≤e
homo
(sb)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(44)
[0936]elumo
(eb)《e
lumo
(sb)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(45)
[0937]
因此，在本发明的一个优选实施方案中，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的tadf材料eb具有能量为e
homo
(eb)的最高占据分子轨道homo(eb)，所述e
homo
(eb)优选地等于或低于所述发光层b中包含的小fwhm发射体sb的最高占据分子轨道homo(sb)的能量e
homo
(sb)。
[0938]
在本发明的一个优选实施方案中，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的tadf材料eb具有最低未占分子轨道lumo(eb)，其能量e
lumo
(eb)小于所述发光层b
中的小fwhm发射体sb的最低未占分子轨道lumo(sb)的能量e
lumo
(sb)。
[0939]
在本发明的一个优选实施例中，满足下式(46)表示的关系：
[0940]elumo
(eb)
–elumo
(sb)≥0.2ev
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(46)
[0941]
因此，在本发明的一个优选实施方案中，包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中的tadf材料eb具有能量为e
lumo
(eb)的最低未占分子轨道lumo(eb)，且包含在所述发光层b中的小fwhm发射体sb具有能量为e
lumo
(sb)的最低未占分子轨道lumo(sb)，其中优选地：e
lumo
(eb)
–elumo
(sb)≥0.2ev。即，e
lumo
(eb)与e
lumo
(sb)的能量差优选为等于或大于0.2ev。
[0942]
在本发明的更优选的实施方式中，满足上述式(1)至(23),(29)至(33),(38)至(40),(44),和(45)所表示的关系中的两个、三个、多于三个或全部，其中这并不意味着在这些关系中提及的所有组件优选地包含在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中。例如，如果在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层b的任一个中不包含n-主体hn，则可以理解，涉及n-主体hn的关系不适用在这种特殊情况下，它们只在包含n-主体hn时应用。
[0943]
在本发明的一个特别优选的实施方案中，满足上述式(1)至(46)所表示的关系中的两个、三个、多于三个或全部，其中这并不意味着这些关系中所指的所有组件都是优选的包括在本发明有机电致发光器件的至少一个发光层b中，但是特别优选的是，选自涉及任何包含的组件的关系组中的所有关系都适用。
[0944]
发光层b的组成
[0945]
本发明有机电致发光器件可以任何数量和任何比例包含一种或多种主体hb(例如一种或多种p主体h
p
和/或一种或多种n主体hn和/或一种或多种双极主体h
bp
)、一种或多种tadf发射体eb以及一种或多种fwhm发光体sb。
[0946]
在本发明的一个优选实施方案中，本发明的有机电致发光器件中的至少一层发光层b中的每一层包含的主体材料hb(更具体地：h
p
和/或hn和/或h
bp
)，多于(重量比)所述至少一种tadf材料eb。
[0947]
在本发明的一个优选实施方案中，本发明的有机电致发光器件中的至少一个发光层b中的每一层包含的所述的至少一种tadf材料eb多于(重量比)所述的至少一个小的fwhm发射体sb。
[0948]
在一个优选的实施方案中，在本发明有机电致发光器件中，所述至少一个发光层b的每一层包含(或由以下组成)：
[0949]
(i)30-89.9重量％的一种或多种主体化合物hb；
[0950]
(ii)10-60重量％的一种或多种tadf材料eb；和
[0951]
(iii)0.1-10重量％的一种或多种小fwhm发光体sb；以及可选的
[0952]
(iv)0-72重量％的一种或多种溶剂。
[0953]
在一个优选的实施方案中，其中hn是可选的，在本发明有机电致发光器件中，所述至少一个发光层b的每一层包含(或由以下组成)：
[0954]
(i)10-89.9重量％的一种或多种p-主体化合物h
p
；
[0955]
(ii)0-79.9重量％的一种或多种可选的n-主体化合物hn；
[0956]
(iii)10-50重量％的一种或多种tadf材料eb；和
[0957]
(iv)0.1-10重量％的一个或多个小fwhm发光体sb；以及可选的
[0958]
(v)0-72重量％的一种或多种溶剂。
[0959]
在一个甚至更优选的实施方案中，其中hn是可选的，在本发明有机电致发光器件中，所述至少一个发光层b的每一层包含(或由以下组成)：
[0960]
(i)22-87.5重量％的一种或多种p-主体化合物h
p
；
[0961]
(ii)0-65.5重量％的一种或多种可选的n-主体化合物hn；
[0962]
(iii)12-40％重量的一种或多种tadf材料eb；和
[0963]
(iv)0.5-5重量％的一种或多种小fwhm发光体sb；以及可选的
[0964]
(v)0-65.5重量％的一种或多种溶剂。
[0965]
在另一个优选的实施方案中，其中hn是必要的，在本发明有机电致发光器件中，所述发光层b包含(或由以下组成)：
[0966]
(i)10-30重量％的一种或多种p-主体化合物h
p
；
[0967]
(ii)40-79.9重量％的一种或多种n-主体化合物hn；
[0968]
(iii)10-49重量％的一种或多种tadf材料eb；和
[0969]
(iv)0.1-10重量％的一个或多个小fwhm发光体sb；以及可选的
[0970]
(v)0-34重量％的一种或多种溶剂。
[0971]
在另一个优选的实施方案中，其中hn是必要的，在本发明有机电致发光器件中，所述发光层b包含(或由以下组成)：
[0972]
(i)40-74重量％的一种或多种p-主体化合物h
p
；
[0973]
(ii)10-30重量％的一种或多种n-主体化合物hn；
[0974]
(iii)10-49重量％的一种或多种tadf材料eb；和
[0975]
(iv)0.1-10重量％的一个或多个小fwhm发光体sb；以及可选的
[0976]
(v)0-34重量％)的一种或多种溶剂。
[0977]
如前所述，应当理解，根据本发明的同一有机电致发光器件中可选地包括的不同发光层b，其各层不一定都包括相同的材料或者甚至相同比例的相同材料。
[0978]
在一个实施方案中，所述发光层不仅包含根据本发明的有机分子，还包含主体材料，其三重态(t1)和单重态(s1)能级在能量上高于所述有机分子，特别是所述至少一种tadf材料eb和/或至少一种fwhm发光体sb，的三重态(t1)和单重态(s1)。
[0979]
本发明的另一方面涉及一种组合物，其包含(或由以下组成)：
[0980]
(a)至少一个根据本发明的fwhm发光体sb，特别是以发光体和/或主体的形式，和
[0981]
(b)一种或多种发光体(包括tadf材料eb)和/或主体材料hb，其不同于根据本发明的有机分子，和
[0982]
(c)任选的一种或多种染料和/或一种或多种溶剂。
[0983]
在一个实施方案中，所述发光层包含(或基本上由其组成)一种组合物，该组合物包含(或由以下组成)：
[0984]
(a)至少一个根据本发明的fwhm发光体sb，特别是以发光体和/或主体的形式，和
[0985]
(b)一种或多种发射体(包括tadf材料eb)和/或主体材料hb，其不同于根据本发明的有机分子，和
[0986]
(c)任选的一种或多种染料和/或一种或多种溶剂。
[0987]
在一个实施例中，所述发光层eml包含(或基本上由其组成)一种组合物，该组合物包含(或由以下组成)：
[0988]
(i)0.1-10重量％，优选0.5-5重量％，特别是1-3重量％的根据本发明的一种或多种fwhm发光体sb；
[0989]
(ii)5-99重量％，优选15-85重量％，特别是20-75重量％的至少一种主体化合物hb；和
[0990]
(iii)0.9-94.9重量％，优选14.5-80重量％，特别是24-77重量％的至少一种其结构不同于根据本发明的分子的结构的其他主体化合物d；和
[0991]
(iv)任选0-94重量％，优选0-65重量％，特别是0-50重量％的溶剂；和
[0992]
(v)多至30重量％，特别是多至20重量％，优选多至5重量％的至少一种其结构不同于本发明所述分子结构的其他发射体f(包括tadf材料eb)。
[0993]
优选地，能量可以从主体化合物hb转移到本发明的一个或多个fwhm发射体sb，特别是从主体化合物hb的第一激发三重态t1(hb)转移到根据本发明的一种或多种有机分子sb的第一激发三重态t1(sb)，和/或从主体化合物hb的第一激发单重态s1(hb)转移到根据本发明的一种或多种有机分子sb的第一激发单重态s1(sb)。
[0994]
发光器件的架构
[0995]
本领域技术人员会了解，所述至少一层发光层b通常会结合到本发明的有机电致发光器件中。优选地，该有机电致发光器件至少包括以下的层：至少一层发光层b、至少一层阳极层a和至少一层阴极层c。
[0996]
优选地，至少一个发光层b位于阳极层a和阴极层c之间。因此，一般设置优选为a-b-c。这当然不排除存在一种或多种可选的其他层。这些可以存在于a、b和/或c的每一侧。
[0997]
优选地，阳极层a位于基板的表面上。基板可以由任何材料或材料组合物形成。通常，以玻片作为基板。或者，可以使用薄金属层(例如，铜、金、银或铝膜)或塑料膜或塑料片。如此，有更高的灵活性。因为两个电极中的至少一个应该是(基本上)透明，以允许从电致发光器件(例如，oled)发出光。通常，阳极层a主要由能够制造成(基本上)透明膜的材料组成。优选地，阳极层a主要或甚至全部由透明导电氧化物(tco)组成。
[0998]
这种阳极层a可以示例性地包括氧化铟锡、氧化铝锌、氧化氟锡、氧化铟锌、pbo、sno、氧化锆、氧化钼、氧化钒、氧化钨、石墨、掺杂si、掺杂ge、掺杂gaas、掺杂的聚苯胺、掺杂的聚吡咯和/或掺杂的聚噻吩及其两种或更多种的混合物。
[0999]
特别优选地，阳极层a(基本上)由氧化铟锡(ito)(例如(ino3)
0.9
(sno2)
0.1
)组成。可以通过使用空穴注入层(hil)来补偿由透明导电氧化物(tco)引起的阳极层a的粗糙度。此外，hil可以促进准电荷载流子(即空穴)的注入，即促进准电荷载流子从tco到空穴传输层(htl)的传输。空穴注入层(hil)可以包括聚3,4-亚乙基二氧基噻吩(pedot)、聚苯乙烯磺酸盐(pss)、moo2、v2o5、cupc或cui，特别是pedot和pss的混合物。空穴注入层(hil)还可以防止金属从阳极层a扩散到空穴传输层(htl)中。hil可以示例性地包括pedot:pss(聚-3,4-亚乙基二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸盐)、pedot(聚-3,4-亚乙基二氧基噻吩)、mmtdata(4,4',4
”‑
三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺),spiro-tad(2,2',7,7'-四(n,n-二苯氨基)-9,9'-螺二芴),dntpd(n1,n1'-(联苯-4,4'-二基)双(n1-苯基-n4,n4-二间甲苯基苯-1,4-二胺)),npb(n,n'-nis-(1-萘基)-n,n'-双-苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺),npnpb(n,n'-二苯基-n,
2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝),nbphen(
[1006]
2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉),alq3(三(8-羟基喹啉)铝),tspo1(二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基氧化膦),t2t(2,4,6-三(联苯-3-基)-1,3,5-三嗪),t3t(2,4,6-三(三苯基-3-基)-1,3,5-三嗪),tst(2,4,6-三(9,9'-螺二芴-2-基)-1,3,5-三嗪),dtst(2,4-二苯基-6-(3'-三苯基甲硅烷基苯基)-1,3,5-三嗪)、dtdbf(2,8-双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)二苯并呋喃)和/或tcb/tcp(1,3,5-三(n-咔唑基)苯/1,3,5-三(咔唑)-9-基)苯)。
[1007]
相邻于电子传输层(etl)，可以设置阴极层c。示例性地，阴极层c可以包括(或可以由其组成)一种金属(例如，al、au、ag、pt、cu、zn、ni、fe、pb、lif、ca、ba、mg、in、w或pd)或金属合金。出于实用的原因，阴极层c也可以由(基本上)不透明的金属如mg、ca或al组成。替代地或额外地，阴极层c也可以包括石墨和/或碳纳米管(cnt)。或者，阴极层c也可以由纳米级银线组成。
[1008]
在一个优选实施例中，本发明有机电致发光器件至少包括以下层：
[1009]
a)阳极层a，其含有至少一个成分选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、pbo、sno、石墨、掺杂硅、掺杂锗、掺杂gaas、掺杂聚苯胺、掺杂聚吡咯、掺杂聚噻吩和其两种或多种的混合物；
[1010]
b)所述根据本发明的发光层b；和
[1011]
c)阴极层c，其含有至少一个成分选自al、au、ag、pt、cu、zn、ni、fe、pb、in、w、pd、lif、ca、ba、mg和其两种或多种的混合物或合金，其中发光层b位于阳极层a与阴极层c之间。
[1012]
在一个实施例中，当所述有机电致发光器件为oled时，它可以可选地包括以下层结构：
[1013]
a)阳极层a，示例性地包括氧化铟锡(ito)；
[1014]
htl)空穴传输层htl；
[1015]
b)所述根据本发明的发光层b；
[1016]
etl)电子传输层etl；和
[1017]
c)阴极层，示例性地包含al、ca和/或mg。
[1018]
优选地，这里的层顺序是a-htl-b-etl-c。
[1019]
此外，有机电致发光器件可任选地包括一个或多个保护层，以保护该器件免受环境中有害物质的破坏，包括例如湿气、蒸汽和/或气体物质。
[1020]
电致发光器件(例如oled)还可以任选地在电子传输层(etl)d和阴极层c之间设置一保护层(其可以称为电子注入层(eil)。该保护层可以包含氟化锂、氟化铯、银、liq(8-羟基喹啉代锂)、li2o、baf2、mgo和/或naf。
[1021]
除非另有说明，否则各种实施例的任何层都可以通过任何合适的方法来制备。本发明上下文中的层，包括发光层b，可以任选地通过液体处理工艺(也称为“薄膜处理”、“流体处理”、“溶液处理”或“溶剂处理”，“film processing”,“fluid processing”,“solution processing”或“solvent processing”)来制备。这意味着包含在相应层中的组分以液态施加到器件部件的表面上。优选地，本发明上下文中的层，包括发光层b，可以通过旋涂(spin-coating)来制备。本领域技术人员熟知采用这种方法可以获得薄且(基本上)均匀的层。
[1022]
或者，本发明上下文中的层，包括至少一个发光层b，可以通过基于液体处理工艺的其他方法制备，例如浇铸(如滴铸)和轧制方法，和印刷方法(例如，喷墨印刷、凹版印刷、
刮刀涂布)。这可以任选地在惰性气氛中(例如，在氮气氛中)进行。
[1023]
在另一个优选实施例中，本发明上下文中的层，包括至少一个发光层b，可以通过本领域已知的任何其他方法制备，包括但不限于本领域技术人员周知的真空处理方法，例如热(共)蒸发、有机气相沉积(ovpd)和有机蒸汽喷射印刷沉积(ovjp)。
[1024]
当通过液体处理制备层时，含有层的组分的溶液(即，对于本发明的发光层b而言，其包含至少一种主体化合物hb，至少一种tadf材料eb，以及至少一个小fwhm发光体sb)可以进一步包含挥发性有机溶剂。所述挥发性有机溶剂可以任选地选自四氢呋喃、二恶烷、氯苯、二甘醇二乙醚、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇、γ-丁内酯、n-甲基吡咯烷酮、乙氧基乙醇、二甲苯、甲苯、苯甲醚、苯酚、乙腈、四氢噻吩、苯甲腈、吡啶、三氢呋喃、三芳胺、环己酮、丙酮、碳酸丙烯酯、乙酸乙酯、苯和pgmea(丙二醇单乙醚乙酸酯)。也可以使用两种或更多种溶剂的组合。在以液态形成层后，其可以随后通过本领域的任何方式进行干燥和/或硬化，例如在环境条件下、在升高的温度(例如，约50℃或约60℃)下或在减压下进行。
[1025]
本发明有机电致发光器件作为一个整体可以是一个薄层，厚度不大于5mm、不大于2mm、不大于1mm、不大于0.5mm、不大于0.25mm、不大于100μm或甚至不大于10微米。
[1026]
有机电致发光器件(例如，oled)可以是小型尺寸的(例如，具有不大于5mm2或什至不大于1mm2的表面)、中型尺寸的(例如，具有在0.5至20cm2的表面)，或大型尺寸的(例如，具有大于20cm2的表面)。根据本发明的有机电致发光器件(例如oled)可以任选地用于产生屏幕、作为大面积照明器件、作为发光壁纸、发光窗框或玻璃、发光标签、发光标牌或柔性屏幕或显示器。.除了常见用途之外，有机电致发光器件(例如，oled)还可以用作发光膜、“智能包装”标签或创新设计元素等。此外，它们可用于细胞检测和检查(例如，作为生物标记)。
[1027]
进一步的定义和信息
[1028]
如本文通篇所用，本发明上下文中的术语“层”优选地指平面为主导的几何形态。
[1029]
如本文所用，术语有机电致发光器件和光电发光器件可以在最广义上理解为包括一个或多个发光层b的任何器件，每个发光层b包括至少一种主体材料hb、至少一种tadf材料eb，以及至少一个小fwhm发光体sb，所有这些都适用上述定义。
[1030]
有机电致发光器件可以广义地理解为任何基于有机发光材料的器件，只要其发射可见光或超近紫外(uv)范围内的光，即波长范围为380-800nm。更优选地，有机电致发光器件能够发射可见光范围内的光，即波长范围为400至800nm。
[1031]
在本发明的一个优选实施方案中，有机电致发光器件选自有机发光二极管(oled)、发光电化学电池(lec)和发光晶体管的器件。
[1032]
特别优选地，所述有机电致发光器件是有机发光二极管(oled)。可选地，有机电致发光器件作为一个整体可以是不透明的、半透明的或(基本上)透明的。
[1033]
如贯穿本技术所使用的，术语“芳环系”可以在最广义上理解为任何双环或多环芳族部分(bi-or polycyclic aromatic moiety)，其满足以下定义。
[1034]
如贯穿本技术所使用的，术语“芳基的”和“芳族的”("aryl"and"aromatic")可以在最广义上理解为任何单环、双环或多环芳族部分。因此，芳基含有6～60个芳环原子，杂芳基含有5～60个芳环原子，其中至少一个是杂原子。尽管如此，穿本技术，芳环原子的数目可以在某些取代基的定义中作为下标数字给出。特别地，杂芳环包括一到三个杂原子。再次，术语“杂芳基”和“杂芳族”可以在最广义上理解为包括至少一个杂原子的任何单环、双环或
多环杂芳族部分。杂原子在每次出现时可以相同或不同，且独立地选自n、o和s。因此，术语“亚芳基”是指二价取代基，其具有两个可以与其他分子结构结合的位点，并因此可用作连接结构。如果示例性实施方案的定义与此处给出的定义不同，例如，芳环原子的数目或杂原子的数目的不同定义，则采用示例性实施方案中的定义。根据本发明，缩合的(annulated)芳族或杂芳族多环由两个或多个单芳族或杂芳环组成，它们通过缩合反应形成多环。
[1035]
特别地，如本技术通篇所用，术语“芳基团”或“杂芳基团”("aryl group"or"heteroaryl group")包括可以与芳族或杂芳族基团的任何位置结合的基团，所述芳族或杂芳族基团衍生自苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、苝、二萘嵌苯、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩；吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩恶嗪、吡唑、吲唑、咪唑,苯并咪唑,萘咪唑,菲咪唑,吡啶咪唑,吡嗪咪唑,喹喔啉咪唑,恶唑,苯并恶唑,萘恶唑,蒽恶唑,菲恶唑,异恶唑,1,2-噻唑,1,3-噻唑,苯并噻唑,哒嗪,苯并哒嗪,嘧啶,苯并嘧啶,1,3,5-三嗪、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、咔啉、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-恶二唑、1,2、4-恶二唑、1,2,5-恶二唑、1,2,3,4-四嗪、嘌呤、蝶啶、中氮茚和苯并噻二唑或上述基团的组合。
[1036]
如贯穿本技术所使用的，术语“环状基团”可以在最广义上理解为任何单环、双环或多环部分(moieties)。
[1037]
如上文和本文所用，术语“烷基”可在最广义上理解为任何直链、支链或环状烷基取代基。特别地，术语烷基包括取代基甲基(me)、乙基(et)、正丙基(npr)、异丙基(ipr)、环丙基、正丁基(nbu)、异丁基(ibu)、s-丁基(sbu)、叔丁基(ibu)、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔-己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-双环[2,2,2]辛基、2-双环[2,2,2]-辛基，2-(2,6-二甲基)辛基，3-(3,7-二甲基)辛基，金刚烷基，2,2,2-三氟乙基，1,1-二甲基-n-己-1-基，1,1-二甲基-n-庚-1-基，1,1-二甲基-n-辛-1-基，1,1-二甲基-n-dec-1-基，1,1-二甲基-n-十二烷基-1-基，1,1-二甲基-n-十四烷基-1-基，1,1-二甲基-n-hexadec-1-yl,1,1-二甲基-n-octadec-1-yl,1,1-二乙基-n-hex-1-yl,1,1-二乙基-n-庚-1-基，1,1-二乙基-n-辛-1-基，1,1-二乙基-n-癸-1-基，1,1-二乙基-n-十二烷基-1-基，1,1-二乙基-n-十四烷基-1-基，1,1-二乙基-n-十六烷基-1-基，1,1-二乙基-n-octadec-1-yl,1-(正丙基)-环己-1-基，1-(正丁基)-环己-1-基，1-(n-己基)-环己-1-基，1-(n-辛基)-环己-1-基和1-(n-癸基)-环己-1-基。
[1038]
如上文和这里所用，术语“烯基”包括直链、支链和环状烯基取代基。术语烯基包括取代基：乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基等。
[1039]
如上文和这里所用，术语“炔基”包括直链、支链和环状炔基取代基。术语炔基包括乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基等。
[1040]
如上文和这里所用，术语“烷氧基”包括直链、支链和环状烷氧基取代基。术语烷氧基包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基和2-甲基丁氧基等。
[1041]
如上文和这里所用，术语“硫代烷氧基”包括直链、支链和环状硫代烷氧基取代基，其中，示例性地，烷氧基的o被s取代。
[1042]
如上文和本文所用，术语“卤素”和“卤代”可在最广义上理解为优选氟、氯、溴或碘。
[1043]
每当本文提到氢(h)时，它也可以在每次出现时被氘代替。
[1044]
应当理解，当分子片段被描述为取代基或以其他方式连接到另一个部分(moiety)时，它的名称可以写成好像它是一个片段(例如萘基、二苯并呋喃基)或好像它是整个分子(例如萘、二苯并呋喃)。如本文所用，指定取代基或连接片段的这些不同方式被认为是等同的。
[1045]
如果没有另外说明，百分比是指重量百分比(重量/重量，w/w，wt.％)。
[1046]
对于主体化合物hb(更具体地：h
p
和hn)，第一个激发三重态t1的能量的确定，是在77k的时间门控发射光谱开始时，通常具有1ms的延迟时间和1ms的积分时间，如果没有另外说明，在主体材料hb的纯薄膜中测量
[1047]
对于tadf材料eb，第一个激发三重态t1的能量的确定，是在77k的时间门控发射光谱开始时，通常具有1ms的延迟时间和1ms的积分时间，如果没有另外说明，在10％(重量)发射体eb的聚(甲基丙烯酸甲酯，pmma)薄膜中测量。
[1048]
对于小半高全宽(fwhm)发光体sb，第一个激发三重态t1的能量的确定，是在77k的时间门控发射光谱开始时，通常具有1ms的延迟时间和1ms的积分时间，如果没有另外说明，在具有1至5％(重量)，特别是1％(重量)，的发光体sb的聚(甲基丙烯酸甲酯，pmma)薄膜中测得。
[1049]
轨道和激发态能量可以通过本领域技术人员已知的实验方法来确定。实验上，最高占据分子轨道e
homo
的能量通过本领域技术人员已知的方法从循环伏安测量(cyclic voltammetry measurements)中确定，其精度为0.1ev。最低未占分子轨道e
lumo
的能量计算为e
homo
+e
gap
，其中e
gap
确定如下：
[1050]
对于主体化合物hb(更具体地：h
p
和hn)，除非另有说明，将主体材料的纯薄膜的发射开启用作e
gap
，其对应于第一个激发单重态s1的能量。
[1051]
对于tadf材料eb，除非另有说明，将tadf材料的薄膜(10％重量在聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)中)的发射开启用作e
gap
，其对应于第一个激发单重态s1的能量。
[1052]
对于小fwhm)发光体sb，将发光体sb的薄膜(1至5％重量，特别是1％重量在聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)中)的发射开启用作e
gap
，其对应于第一个激发单重态s1的能量。
[1053]
如本文所用，如果在特定上下文中没有更具体地定义，发射和/或吸收光的颜色的指定如下：
[1054]
紫色：波长范围》380-420nm；
[1055]
深蓝色：波长范围》420-475nm；
[1056]
天蓝色：波长范围》475-500nm；
[1057]
绿色：波长范围》500-560nm；
[1058]
黄色：波长范围》560-580nm；
[1059]
橙色：波长范围》580-620nm；
[1060]
红色：波长范围》620-800nm。
[1061]
如果没有另外说明，对于小fwhm发光体sb，此类颜色指的是在聚(甲基丙烯酸甲酯)即pmma中2％重量的发光体sb薄膜的最大发射值λ
maxpmma
。对于tadf材料eb，此类颜色指的是在聚(甲基丙烯酸甲酯)即pmma中10％tadf材料eb薄膜的最大发射值λ
maxpmma
。
实施例
[1062]
循环伏安法(cyclic voltammetry)
[1063]
测量有机分子浓度为10-3mol/l的溶液的循环伏安图，其溶剂是二氯甲烷或合适的溶剂，并包括合适的支持性电解质(例如0.1mol/l的四丁基铵六氟磷酸盐)。测量在室温和氮气氛下使用三电极组件进行(工作电极和对电极：pt线，参比电极：pt线)，并使用fecp2/fecp2+作为内标进行校准。homo数据使用二茂铁作为内标针对sce进行校正。
[1064]
密度泛函理论计算(density functional theory calculation)
[1065]
使用bp86功能和同一性方法(ri)分辨(bp86functional and the resolution of identity approach)优化分子结构。使用时间相关dft(td-dft)方法计算经(bp86)优化的结构的激发能量。使用b3lyp泛函法对轨道和激发态能量进行计算。采用def2-svp基组(以及数值积分的m4网格)。所有计算均使用turbomole程序包。
[1066]
光物理测量(photophysical measurements)
[1067]
样品预处理：旋涂
[1068]
仪器：spin150，sps euro。
[1069]
样品浓度为10mg/ml，溶解在合适的溶剂中。
[1070]
程序：1)3秒，400u/min；2)20秒，1000u/min，1000upm/s。3)10秒，4000u/min，1000upm/s。涂布后，将薄膜在70℃下干燥1分钟。
[1071]
光致发光光谱和tcspc(time-correlated single-photon counting)
[1072]
使用horiba scientific modell fluoromax-4仪记录稳态发射光谱。该仪器配备有150w氙弧灯、激发和发射单色器和hamamatsu r
92
8光电倍增管，以及时间相关单光子计数选项。
[1073]
使用fm-2013设备和horiba yvon tcspc集线器，根据tcspc方法确定激发态寿命。
[1074]
激发源：
[1075]
nanoled 370(波长：371nm，脉冲持续时间：1.1ns)
[1076]
nanoled 290(波长：294nm，脉冲持续时间：《1ns)
[1077]
spectraled 310(波长：314nm)
[1078]
spectraled 355(波长：355nm)。
[1079]
使用软件套件datastation和das6分析软件进行数据分析(指数拟合)。使用卡方检验(chi-squared-test)拟合。
[1080]
光致发光量子产率测量
[1081]
使用绝对pl量子产率测量c9920-03g系统(hamamatsu photonics)测量光致发光量子产率(plqy)。使用软件u6039-05版本3.6.0确定量子产率和cie坐标。
[1082]
发射最大值以nm为单位，量子产率φ以％为单位，cie坐标为x,y值。
[1083]
plqy使用以下协议确定：
[1084]
1)质量保证：以乙醇中的蒽(已知浓度)作为参考
[1085]
2)激发波长：确定有机分子的吸收最大值，利用该波长激发分子
[1086]
3)测量
[1087]
在氮气氛下测量溶液或薄膜样品的量子产率。使用以下等式计算产量：
[1088][1089]
其中n
photon
表示光子计数，int.表示强度。
[1090]
有机电致发光器件的生产和表征
[1091]
通过真空沉积(vacuum-deposition)方法，可以生产包含本发明的有机分子的oled器件。如果某一层包含多于一种化合物，则一种或多种化合物的重量百分比以％表示。总重量百分比值为100％，因此如果对某一化合物未给出％值，则该化合物的分数等于给定值与100％之间的差值。
[1092]
未完全优化的oled的表征：使用标准方法，测量电致发光光谱、依赖于强度的外部量子效率(以％为单位)根据光电二极管检测到的光和电流计算。oled器件的寿命是从在恒定电流密度下工作期间的亮度变化进行推断。lt50值对应于测量的亮度降低到初始亮度的50％的时间，类似地，lt80对应于测量的亮度降低到初始亮度的80％的时间，lt97对应于测量的亮度降低到初始亮度的97％的时间，以此类推。
[1093]
加速寿命测量的操作(例如应用增加的电流密度)。示例性地，500cd/m2下的lt80值使用以下等式确定：
[1094][1095]
其中l0表示施加该电流密度下的初始亮度。
[1096]
几个像素(通常为2到8个)的这个值的平均值，作为这些像素之间的标准偏差。图中显示了一个oled像素的数据系列。
[1097]
实验结果
[1098]
材料
[1099]
hbm1(堵孔材料)
[1100][1101]
主体材料hb(此处示例为p-主体h
p
)
[1102][1103]
表1h.主体材料的特性
[1104][1105]
其中lumo
cv
是最低未占分子轨道的能量，由循环伏安法测定。
[1106]
tadf材料eb[1107]
[1108][1109]
表1e.tadf材料eb的特性
[1110][1111]
其中lumo
cv
是最低未占分子轨道的能量，由循环伏安法测定。
[1112]
小fwhm发光体sb[1113]
[1114][1115]
表1s.小fwhm发光体sb的特性
[1116][1117]
*于dcm(0.01mg/ml)中测量。
[1118]
表2.示例性有机电致发光器件(oled)h和对比示例oled t的设置。
[1119]
层厚度th10100nmalal92nmliqliq820nmnbphennbphen710nmhbm1hbm1650nmh
p
:ebh
p
:eb:sb510nmhphp410nmtctatcta350nmnpbnpb25nmhat-cnhat-cn150nmitoito基板 玻璃玻璃
[1120]
为了评价本发明的效果，进行了比较实验，其中仅改变发光层(6)的组成。
[1121]
结果i：主体hb(以p-主体h
p
为例)和发光体sb的变化
[1122]
发光层b的组成(百分比指重量百分比)：
[1123]
层th发光层(6a)h
p
(85％)∶eb(15％)h
p
(84％)∶eb(15％)∶sb(1％)
[1124]
其中e
b-10用作tadf材料eb，小fwhm发射器sb变化在于使用不同的p-主体h
p
。
[1125]
eb＝eb-10和hp＝mcbp的设置结果：
[1126][1127]
结果ii：主体hb和tadf eb的变化
[1128]
发光层b的设置(百分比指重量百分比)：
[1129]
层th发光层(6a)h
p
(85％)∶eb(15％)h
p
(84％)∶eb(15％)∶sb(1％)
[1130]
其中s
b-1用作小fwhm发光体sb，tadf材料eb变化在于使用不同的p-主体h
p
。
[1131]
sb＝s
b-1和h
p
＝mcbp的设置结果：
[1132][1133]
sb＝s
b-1和h
p
＝pyd2的设置结果：
[1134][1135][1136]
对于使用了主体、tadf发射器和fwhm发射器(h型器件)组合的所有电致发光器件，其mcbp作为h
p
和e
b-10作为eb，与对比t型器件相比，可以观察到发射器s
b-1的相对寿命延长了374％(从1.00到4.74)，并可以观察到发射器s
b-2的相对寿命延长188％(从1.00到2.88)，且可以观察到发射器s
b-3的相对寿命延长193％(从1.00到2.93)，而同时效率(eqe)几乎保持不变。
[1137]
此外，对于使用了mcbp作为h
p
和使用e
b-10作为eb的所有h型器件，与对比t型器件相比，可以观察到发光体s
b-1的半峰全宽(fwhm)减小了47％(从76nm到36nm)，发光体s
b-2的半峰全宽(fwhm)减小了47％(从76nm到36nm)，且发光体s
b-3的半峰全宽(fwhm)减小了47％(从76nm到40nm)。使用mcbp作为h
p
、e
b-10作为eb和s
b-1、s
b-2或s
b-3作为sb的所有h型和t型器件，都在所需的500nm至560nm的绿色波长范围内表现出发射最大值，甚至在更优选的510nm至550nm范围内表现出发射最大值。
[1138]
对于所有使用pyd2作为h
p
和e
b-10作为eb的h型器件，与对比t型器件相比，可以观察到发光体s
b-1的相对寿命延长了603％(从1.00到7.03)，发光体s
b-2的相对寿命延长了303％(从1.00到4.03)，发光体s
b-3的相对寿命延长了58％(从1.00到1.58)，而同时效率
(eqe)几乎保持不变。此外，对于使用pyd2作为h
p
和使用e
b-10作为eb的所有h型器件，与对比t型器件相比，可以观察到发光体s
b-1的半峰全宽(fwhm)减少了46％(从78nm到42nm)，发光体s
b-2的fwhm降低46％(从78nm到42nm)，且发光体s
b-3的fwhm降低46％(从78nm到42nm)。使用pyd2作为h
p
、e
b-10作为eb以及s
b-1、s
b-2或s
b-3作为sb的所有h型和t型器件均在所需的500nm至560nm的绿色波长范围内表现出发射最大值，甚至在更优选的510nm至550nm范围内表现出发射最大值。
[1139]
对于所有使用mcbp作为h
p
和s
b-1作为sb的h型器件，与对比t型器件相比，可以观察到使用e
b-1时相对寿命延长了89％(从1.00到1.89)，使用e
b-3时相对寿命延长了120％(从0.59到1.79)，使用e
b-4时相对寿命延长了120％(从1.09到2.29)，使用e
b-8时相对寿命延长了700％(从2.20到9.20)，且使用e
b-10时相对寿命延长了859％(从2.29到10.88)，而同时效率(eqe)几乎保持不变。此外，对于所有使用mcbp作为h
p
和s
b-1作为sb的h型器件，与相应的对比t型器件相比，可以观察到e
b-1的半峰全宽(fwhm)降低了23％(从86nm到68nm)，e
b-3的fwhm降低了53％(从76nm到36nm)，e
b-4的fwhm降低了50％(从80nm到40nm)，e
b-8的fwhm降低了46％(从78nm到42nm)，e
b-10的fwhm降低了53％(从76nm到36nm)。使用mcbp作为h
p
、s
b-1作为sb和e
b-1、e
b-3、e
b-4、e
b-8或e
b-10作为eb的所有h型和t型器件均在所需的500nm至560nm的绿色波长范围内表现出发射最大值，甚至在更优选的510nm至550nm范围内表现出发射最大值。
[1140]
对于所有使用pyd2作为h
p
和s
b-1作为sb的h型器件，与对比t型器件相比，可以观察到使用e
b-3时相对寿命延长了399％(从1.00到4.99)，使用e
b-4时相对寿命延长了590％(从1.86到7.76)，使用e
b-5时相对寿命延长了120％(从0.44到2.37)，使用e
b-6时相对寿命延长了136％(从1.08到2.44)，使用e
b-8时相对寿命延长了781％(从2.56到10.37)，使用e
b-10时相对寿命延长了981％(从1.63到11.44)，而同时效率(eqe)没有显着变化。此外，对于所有使用pyd2作为h
p
和s
b-1作为sb的h型器件，与相应的对比t型器件相比，可以观察到e
b-3的半峰全宽(fwhm)降低了47％(从76nm到40nm)，e
b-4的fwhm降低了48％(从80nm到42nm)，e
b-5的fwhm降低了46％(从78nm到42nm)，e
b-6的fwhm降低了47％(从75nm到40nm)，e
b-8的fwhm降低了45％(从76nm到42nm)，e
b-10的fwhm降低了47％(从78nm到42nm)。使用pyd2作为h
p
、s
b-1作为sb和e
b-3、e
b-4、e
b-5、e
b-5、e
b-8或e
b-10作为eb的所有h型和t型器件均在所需的500nm至560nm的绿色波长范围内表现出发射最大值，甚至在更优选的510nm至550nm范围内表现出发射最大值。
[1141]
本发明的有机电致发光器件的其他示例：
[1142]
示例d1
[1143]
小fwhm发光体s
b-1也在oled d1中进行了测试，其具有如下层结构：
[1144]
层#厚度d110100nmal92nmliq820nmnbphen710nmhbm1650nmmcbp(79％):e
b-11(20％):s
b-1(1％)510nmmcbp
410nmtcta350nmnpb25nmhat-cn150nmito基板 玻璃
[1145][1146]
oled d1在1000cd/m2时的外量子效率(eqe)为16.1％。其最大发射波长为532nm，在7.6v时的fwhm为38nm。相应的ciex值为0.32，ciey值为0.65。在1200cd/m2条件小测得lt95值为1522小时。
[1147]
示例d2
[1148]
小fwhm发光体s
b-1也在oled d2中进行了测试，其具有如下层结构：
[1149]
层#厚度d210100nmal92nmliq820nmnbphen710nmhbm1650nmmcbp(84％):e
b-11(15％):s
b-1(1％)510nmpyd2＝h
p-2410nmtcta350nmnpb25nmhat-cn150nmito基板 玻璃
[1150]
在1000cd/m2时，oled d2的外量子效率(eqe)为17.7％。其最大发射波长为532nm，在7.6v时fwhm为36nm。相应的ciex值为0.31，ciey值为0.65。在1200cd/m2条件小测得lt95值为2006小时。
[1151]
示例d3
[1152]
小型fwhm发光体s
b-1也在oled d3中进行了测试，其具有以下层结构：
[1153]
层#厚度d210100nmal92nmliq820nmnbphen710nmhbm1650nmmcbp(75％):pyd2＝h
p-2(5％):e
b-11(15％):s
b-1(1％)510nmpyd2＝h
p-2410nmtcta350nmnpb25nmhat-cn150nmito基板 玻璃
[1154]
在1000cd/m2时，oled d3产生20.2％的外量子效率(eqe)。其最大发射波长为532nm，在7.6v时fwhm为38nm。相应的ciex值为0.32，ciey值为0.65。在1200cd/m2条件小测得lt95值为1866小时。
[1155]
示例d4
[1156]
小型fwhm发光体s
b-3也在oled d4中进行了测试，其具有以下层结构：
[1157][1158][1159]
在1000cd/m2时，oled d4的外量子效率(eqe)为16.3％。其最大发射波长为516nm，在7.0v时fwhm为40nm。相应的ciex值为0.27，ciey值为0.65。在1200cd/m2条件小测得lt95值为1162小时。