显示装置及用于制造显示装置的方法与流程

1.本公开涉及一种显示装置及制造显示装置的方法。


背景技术：

2.随着对信息显示的兴趣增加以及对使用便携式信息媒介的需求增加，对显示装置的需求和商业化成为焦点。


技术实现要素：

3.技术问题
4.本公开的目的是提供具有改善的光输出效率的显示装置以及制造该显示装置的方法。
5.技术方案
6.根据本公开的实施例，显示装置可以包括：基底，包括显示区域和非显示区域，显示区域包括均包括发射区域的多个像素区域；以及像素，设置在所述多个像素区域中的每个中。
7.在本公开的实施例中，像素可以包括：第一电极；第二电极，与第一电极间隔开并围绕第一电极的外围；第三电极，与第二电极间隔开并围绕第二电极的外围；第四电极，与第三电极间隔开并围绕第三电极的外围；多个发光元件，设置在第一电极至第四电极之间；以及第一导电线和第二导电线，设置在第一电极至第四电极下方，且绝缘层置于第一导电线和第二导电线与第一电极至第四电极之间。这里，第一导电线可以电连接到第一电极，并且第二导电线可以电连接到第四电极。
8.在本公开的实施例中，当在平面图中观看时，第二电极至第四电极中的每个可以具有环形状，并且第一电极可以具有由第二电极至第四电极围绕的孤立的圆形岛形状。
9.在本公开的实施例中，发光元件可以包括：第一发光元件，设置在第一电极与第二电极之间；第二发光元件，设置在第二电极与第三电极之间；以及第三发光元件，设置在第三电极与第四电极之间。
10.在本公开的实施例中，第一发光元件可以沿着以第一电极为中心的圆周方向设置在第一电极与第二电极之间，第二发光元件可以沿着以第二电极为中心的圆周方向设置在第二电极与第三电极之间，并且第三发光元件可以沿着以第三电极为中心的圆周方向设置在第三电极与第四电极之间。
11.在本公开的实施例中，第一导电线和第二导电线可以设置在同一层。
12.在本公开的实施例中，第一导电线和第二导电线可以设置在不同的层。
13.在本公开的实施例中，绝缘层可以包括顺序地堆叠在基底上的第一绝缘层和第二绝缘层。
14.在本公开的实施例中，第一导电线可以设置在第一绝缘层和第二绝缘层中的一个上，并且第二导电线可以设置在第一绝缘层和第二绝缘层中的另一个上。
15.在本公开的实施例中，像素还可以包括：第三导电线，连接到第二电极，且绝缘层置于第三导电线与第二电极之间；以及第四导电线，连接到第三电极，且绝缘层置于第四导电线与第三电极之间。这里，第三导电线和第四导电线可以处于浮置状态。
16.在本公开的实施例中，第三导电线和第四导电线可以与第一导电线和第二导电线设置在同一层。
17.在本公开的实施例中，第三导电线和第四导电线可以设置在不同的层。
18.在本公开的实施例中，第一发光元件可以形成并联连接在第一电极与第二电极之间的第一级，第二发光元件可以形成并联连接在第二电极与第三电极之间的第二级，并且第三发光元件可以形成并联连接在第三电极与第四电极之间的第三级。
19.在本公开的实施例中，像素还可以包括：堤图案，设置在第一电极至第四电极中的每个下方；以及接触电极，分别设置在第一电极至第四电极上。
20.在本公开的实施例中，第二电极可以包括围绕第一电极的一个区域的第2-1电极和与第2-1电极间隔开并围绕第一电极的另一区域的第2-2电极。第三电极可以包括围绕第二电极的一个区域的第3-1电极和与第3-1电极间隔开并围绕第二电极的另一区域的第3-2电极。
21.在本公开的实施例中，第2-2电极和第3-2电极可以处于浮置状态。
22.在本公开的实施例中，第2-2电极可以连接到第二导电线，并且第3-2电极可以连接到第一导电线。
23.在本公开的实施例中，第一导电线和第二导电线可以设置在同一层。
24.在本公开的实施例中，像素还可以包括像素电路部，像素电路部包括电连接到第四电极的至少一个晶体管。这里，第一电极可以是像素的阴电极，并且第四电极可以是像素的阳电极。
25.上述显示装置可以通过设置包括像素区域的像素来制造。设置像素的步骤可以包括形成像素电路部和形成显示元件部。
26.形成像素电路部的步骤包括：在基底上形成至少一个晶体管以及彼此间隔开的第一导电线至第四导电线；以及在晶体管和第一导电线至第四导电线上形成保护层。
27.形成显示元件部的步骤可以包括：在保护层上形成连接到第一导电线的第一电极、与第一电极间隔开并连接到第二导电线的第二电极、与第二电极间隔开并连接到第三导电线的第三电极以及与第三电极间隔开并连接到第四导电线的第四电极；通过经由施加与第一导电线至第四导电线中的每条对应的对准信号而在第一电极与第二电极之间、在第二电极与第三电极之间以及在第三电极与第四电极之间形成电场，在第一电极至第四电极之间对准多个发光元件；以及在第一电极至第四电极中的每个上形成接触电极。
28.在本公开的实施例中，所述方法还可以包括在形成接触电极之后去除第二导电线和第三导电线中的每条的一部分。
29.在本公开的实施例中，第一电极可以位于像素区域的中心处，第二电极可以围绕第一电极的外围，第三电极可以围绕第二电极的外围，并且第四电极可以围绕第三电极的外围。
30.有益效果
31.根据本公开的实施例，可以提供一种显示装置以及制造该显示装置的方法，所述
显示装置以及制造该显示装置的方法通过经由在设置有一个像素的像素区域中的像素区域的中心处设置圆形状的电极并且设置围绕圆形状的电极的至少一个环形状的电极而充分地确保发光元件的对准区域而有利于用于实现高分辨率并且能够改善光输出效率。
32.根据本公开的实施例的效果不受以上例示的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本说明书中。
附图说明
33.图1a是示意性地示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图。
34.图1b是图1a的发光元件的剖视图。
35.图2a是示意性地示出根据本公开的另一实施例的发光元件的透视图。
36.图2b是图2a的发光元件的剖视图。
37.图3a是示意性地示出根据本公开的另一实施例的发光元件的透视图。
38.图3b是图3a的发光元件的剖视图。
39.图4a是示意性地示出根据本公开的又一实施例的发光元件的透视图。
40.图4b是图4a的发光元件的剖视图。
41.图5是示出根据本公开的实施例的显示装置的图，并且特别地是使用图1a、图1b、图2a、图2b、图3a、图3b、图4a和图4b中所示的发光元件之中的任一发光元件作为发光源的显示装置的示意性平面图。
42.图6a至图6e是示出根据各种实施例的包括在图5中所示的一个像素中的组件之间的电连接关系的电路图。
43.图7a至图7c是示出根据另一实施例的包括在图5中所示的一个像素中的组件的电连接关系的电路图。
44.图8是示意性地示出图5中所示的像素之中的一个像素的平面图。
45.图9是沿着图8的线i～i’截取的剖视图。
46.图10是沿着图8的线ii～ii’截取的剖视图。
47.图11是根据另一实施例的作为图10中所示的第一堤的实现方式的与图8的线ii～ii’对应的剖视图。
48.图12是作为图10中所示的显示元件层的实现方式的与图8的线ii～ii’对应的剖视图。
49.图13是沿着图8的线iii～iii’和线iv～iv’截取的剖视图。
50.图14是根据另一实施例的作为图9中所示的第四导电线的实现方式的与图8的线i～i’对应的剖视图。
51.图15是根据另一实施例的作为图13中所示的第二导电线的实现方式的与图8的线iii～iii’和线iv～iv’对应的剖视图。
52.图16是示出根据本公开的实施例的流过像素的驱动电流的平面图，并且作为示例，示出了流过图8的像素的驱动电流的流动。
53.图17a至图17f是顺序地示出制造图8中所示的像素的方法的示意性平面图。
54.图18a至图18h是顺序地示出制造图9中所示的像素的方法的剖视图。
55.图19是示出根据另一实施例的图8的像素的图，并且是仅包括显示元件部的部分
构造的像素的示意性平面图。
56.图20是示出根据又一实施例的根据本公开的实施例的像素的示意性平面图。
57.图21是沿着图20的线v～v’截取的剖视图。
58.图22是示出根据本公开的实施例的流过像素的驱动电流的平面图，并且例如示出了流过图20的像素的驱动电流的流动。
59.图23是示出当发光元件在图20的像素中对准时的形状的图，并且是仅包括显示元件部的部分构造的像素的示意性平面图。
具体实施方式
60.由于本公开可以以各种方式修改并且具有各种形式，因此将在附图中示出并且将在说明书中详细地描述具体实施例。然而，应当理解的是，本公开不旨在限于所公开的具体形式，并且本公开包括在本公开的技术范围内的所有修改、等同物和替换。
61.在描述每个附图时，相似的附图标记用于相似的组件。在附图中，为了本公开的清楚起见，结构的尺寸从实际尺寸被放大示出。术语“第一”、“第二”等可以用来描述各种组件，但是组件不应受术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开的目的。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，并且相似地，第二组件也可以被称为第一组件。除非上下文另外明确指出，否则单数表述包括复数表述。
62.应当理解的是，在本技术中，术语“包括”、“具有”等用于指定存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、组件、部或它们的组合，但是不排除预先存在或添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、操作、组件、部或它们的组合的可能性。另外，层、膜、区域、板等的一部分被称为在另一部分“上”的情况，不仅包括该部分“直接在”另一部分“上”的情况，而且还包括在该部分与另一部分之间还有另一部分的情况。另外，在本说明书中，当层、膜、区域、板等的一部分形成在另一部分上时，形成方向不限于上方向，而是包括在侧面上或者在下方向上形成该部分。相反，当层、膜、区域、板等的一部分形成在另一部分“下方”时，这不仅包括该部分“直接在”另一部分“下方”的情况，而且包括在该部分与另一部分之间还存在另一部分的情况。
63.在下文中，将参照附图详细地描述本公开的优选实施例和本领域技术人员容易理解本公开的内容所需的其他事项。在下面的描述中，除非上下文另外清楚地指出，否则单数表述包括复数表述。
64.图1a是示意性地示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图，图1b是图1a的发光元件的剖视图，图2a是示意性地示出根据本公开的另一实施例的发光元件的透视图，图2b是图2a的发光元件的剖视图，图3a是示意性地示出根据本公开的另一实施例的发光元件的透视图，图3b是图3a的发光元件的剖视图，图4a是示意性地示出根据本公开的又一实施例的发光元件的透视图，并且图4b是图4a的发光元件的剖视图。
65.为了方便起见，在描述示出通过蚀刻方法制造的发光元件的图1a、图1b、图2a、图2b、图3a和图3b之后，描述示出通过生长方法制造的发光元件的图4a和图4b。在本公开的实施例中，发光元件的类型和/或形状不限于图1a、图1b、图2a、图2b、图3a、图3b、图4a和图4b中示出的实施例。
66.首先，参照图1a、图1b、图2a、图2b、图3a和图3b，发光元件ld可以包括第一半导体
层11、第二半导体层13和置于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12。例如，发光元件ld可以实现为其中第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13顺序地堆叠的发光堆叠体。
67.根据本公开的实施例，发光元件ld在一方向上延伸。当发光元件ld的延伸方向被称为纵向方向时，发光元件ld可以具有沿着延伸方向的一个侧端和另一个侧端。第一半导体层11和第二半导体层13中的任一个可以设置在发光元件ld的一侧端处，并且第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件ld的另一侧端处。
68.发光元件ld可以以各种形状设置。例如，发光元件ld可以具有在纵向方向上长(即，纵横比大于1)的棒状形状或条状形状。在本公开的实施例中，发光元件ld在纵向方向上的长度l可以大于发光元件ld的直径d(或剖面的宽度)。发光元件ld可以包括例如被制造为极小以具有大约微米级或纳米级的直径d和/或长度l的发光二极管。在本公开的实施例中，可以改变发光元件ld的尺寸以符合照明装置或自发光显示装置的要求条件(或设计条件)。
69.第一半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的任一种半导体材料，并且可以包括掺杂有第一导电掺杂剂(诸如si、ge或sn)的n型半导体层。然而，构成第一半导体层11的材料不限于此，各种其他材料可以构成第一半导体层11。
70.活性层12可以设置在第一半导体层11上，并且可以以单量子阱结构或多量子阱结构形成。活性层12的位置可以根据发光元件ld的类型而不同地改变。活性层12可以发射波长为400nm至900nm的光，并且可以具有双异质结构。在本公开的实施例中，可以在活性层12上和/或下方形成掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)。例如，包覆层可以由algan层或inalgan层形成。根据实施例，可以使用诸如algan或alingan的材料来形成活性层12，并且各种其他材料可以构成活性层12。
71.当将预定电压或更高电压的电场施加到发光元件ld的两端时，电子-空穴对在活性层12中组合的同时发光元件ld发射光。通过使用这种原理控制发光元件ld的发光，发光元件ld可以用作包括显示装置的像素的各种发光装置的光源。
72.第二半导体层13可以设置在活性层12上，并且可以包括与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如mg的第二导电掺杂剂的p型半导体层。然而，构成第二半导体层13的材料不限于此，并且各种其他材料可以构成第二半导体层13。
73.在本公开的实施例中，第一半导体层11和第二半导体层13可以在发光元件ld的长度l方向上具有彼此不同的宽度(或厚度)。例如，沿着发光元件ld的长度l方向，第一半导体层11可以具有比第二半导体层13的宽度(或厚度)相对宽的宽度(或厚的厚度)。因此，如图1a至图3b中所示，与距离第一半导体层11的下表面相比，发光元件ld的活性层12可以定位为靠近第二半导体层13的上表面。
74.根据本公开的实施例，除了上述第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13之外，发光元件ld还可以包括设置在第二半导体层13上的附加电极15。另外，根据实施例，如图3a和图3b中所示，发光元件ld还可以包括设置在第一半导体层11的一端处的另一附加电
极16。
75.附加电极15和16可以是欧姆接触电极，但是不限于此，并且根据实施例可以是肖特基接触电极。附加电极15和16可以包括金属或金属氧化物，例如，可以单独或组合使用铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、金(au)、镍(ni)、ito、其氧化物或合金等，但是本公开不限于此。
76.附加电极15和16中的每个中包括的材料可以彼此相同或不同。附加电极15和16可以是基本上透明的或半透明的。因此，由发光元件ld产生的光可以穿过附加电极15和16，并且可以发射到发光元件ld的外部。根据实施例，当由发光元件ld产生的光不穿过附加电极15和16并且通过除了发光元件ld的两端之外的区域发射到发光元件ld的外部时，附加电极15和16可以包括不透明金属。
77.在本公开的实施例中，发光元件ld还可以包括绝缘膜14。然而，根据实施例，绝缘膜14可以被省略，并且可以设置为覆盖第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13的仅一部分。
78.绝缘膜14可以防止在活性层12与除了第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料接触时可能发生的电短路。另外，通过形成绝缘膜14，可以通过使发光元件ld的表面缺陷最小化来改善发光元件ld的寿命和效率。另外，当多个发光元件ld紧密地设置时，绝缘膜14可以防止发光元件ld之间可能发生的不希望的短路。当活性层12可以防止与外部导电材料发生短路时，绝缘膜14的存在或不存在不受限制。
79.如图1a和图1b中所示，绝缘膜14可以以完全围绕包括第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和附加电极15的发光堆叠体的外圆周表面的形式设置。为了便于描述，在图1a中去除了绝缘膜14的一部分，并且包括在实际的发光元件ld中的第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和附加电极15可以被绝缘膜14围绕。
80.在上述实施例中，绝缘膜14完全围绕第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和附加电极15中的每个的外圆周表面，但是本公开不限于此。
81.根据实施例，如图2a和图2b中所示，绝缘膜14可以围绕第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13中的每个的外圆周表面，并且可以不完全围绕设置在第二半导体层13上的附加电极15的外圆周表面，或者可以围绕附加电极15的外圆周表面的仅一部分并且可以不围绕附加电极15的外圆周表面的剩余部分。然而，绝缘膜14可以使发光元件ld的至少两端暴露，例如，绝缘膜14可以使第一半导体层11的一端与设置在第二半导体层13的一端侧处的附加电极15一起暴露。另外，根据实施例，如图3a和图3b中所示，当附加电极15和16设置在发光元件ld的两端处时，绝缘膜14可以使附加电极15和16中的每个的至少一个区域暴露。可选地，在另一实施例中，可以不设置绝缘膜14。
82.根据本公开的实施例，绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可以包括从由sio2、si3n4、al2o3和tio2组成的组中选择的一种或更多种绝缘材料，但是不限于此，可以使用具有绝缘性质的各种材料。
83.当将绝缘膜14设置到发光元件ld时，可以防止活性层12与第一电极和/或第二电极(未示出)之间的短路。另外，通过形成绝缘膜14，可以通过使发光元件ld的表面缺陷最小化来改善发光元件ld的寿命和效率。另外，当多个发光元件ld紧密地设置时，绝缘膜14可以防止发光元件ld之间可能发生的不希望的短路。
84.上述发光元件ld可以用作各种显示装置的发光源。发光元件ld可以通过表面处理
工艺制造。例如，当多个发光元件ld在流体溶液(或溶剂)中混合并且被供应到每个发射区域(例如，每个像素的发射区域或每个子像素的发射区域)时，可以对发光元件ld中的每个执行表面处理，使得发光元件ld可以被均匀地喷射而不是不均匀地聚集在溶液中。
85.包括上述发光元件ld的发光装置可以用于需要光源的各种类型的装置(包括显示装置)中。例如，当多个发光元件ld设置在显示面板的每个像素的发射区域中时，发光元件ld可以用作像素中的每个的光源。然而，发光元件ld的应用领域不限于上述示例。例如，发光元件ld可以用于需要光源的其他类型的装置(诸如照明装置)中。
86.接下来，参照图4a和图4b描述通过生长方法制造的发光元件ld。
87.在描述通过生长方法制造的发光元件ld时，基于与上述实施例不同的点来描述本公开，并且在通过生长方法制造的发光元件ld中未具体描述的部分遵循上述实施例，并且相同的附图标记被赋予与上述实施例的组件相似和/或相同的组件。
88.参照图4a和图4b，根据本公开的实施例的发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13和置于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12。根据实施例，发光元件ld可以包括包含位于中心处的第一半导体层11、围绕第一半导体层11的至少一侧的活性层12、围绕活性层12的至少一侧的第二半导体层13以及围绕第二半导体层13的至少一侧的附加电极15的核-壳结构的发光图案10。
89.发光元件ld可以设置为在一方向上延伸的多边形喇叭形状。例如，发光元件ld可以以六边形喇叭形状设置。当发光元件ld的延伸方向被称为长度l方向时，发光元件ld可以具有沿着长度l方向的一端(或下端)和另一端(或上端)。第一半导体层11和第二半导体层13中的一个半导体层的一部分可以在发光元件ld的一端(或下端)处暴露，并且第一半导体层11和第二半导体层13中的另一半导体层的一部分可以在发光元件ld的另一端(上端)处暴露。例如，第一半导体层11的一部分可以在发光元件ld的一端(或下端)处暴露，并且第二半导体层13的一部分可以在发光元件ld的另一端(或上端)处暴露。在这种情况下，当将发光元件ld应用为显示装置的光源时，第一半导体层11的暴露的部分可以与驱动发光元件ld的驱动电极中的一个驱动电极接触，并且第二半导体层13的暴露的部分可以与另一驱动电极接触。
90.根据实施例，当发光元件ld包括附加电极15时，围绕第二半导体层13的至少一侧的附加电极15的一部分可以在发光元件ld的另一端(或上端)处暴露。在这种情况下，当将发光元件ld应用为显示装置的光源时，附加电极15的暴露的部分可以与另一驱动电极接触，并且可以电连接到所述一个电极。
91.在本公开的实施例中，第一半导体层11可以位于核心(即，发光元件ld的中心)处。发光元件ld可以以与第一半导体层11的形状对应的形状设置。例如，当第一半导体层11具有六边形喇叭形状时，发光元件ld和发光图案10也可以具有六边形喇叭形状。
92.活性层12可以以在发光元件ld的长度l方向上围绕第一半导体层11的外圆周表面的形状设置和/或形成。具体地，活性层12可以以围绕除了在发光元件ld的在长度l方向上设置在第一半导体层11的两端的下侧处的另一端之外的剩余区域的形状设置和/或形成。
93.第二半导体层13可以以在发光元件ld的长度l方向上围绕活性层12的形状设置和/或形成，并且可以包括与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。
94.在本公开的实施例中，发光元件ld可以包括围绕第二半导体层13的至少一侧的附加电极15。附加电极15可以是电连接到第二半导体层13的欧姆接触电极或肖特基接触电极，但是不限于此。
95.如上所述，发光元件ld可以被构造为具有其中两端突出的形状的六边形喇叭形状，并且可以被实现为包括设置在其中心处的第一半导体层11、围绕第一半导体层11的活性层12、围绕活性层12的第二半导体层13和围绕第二半导体层13的附加电极15的核-壳结构的发光图案10。第一半导体层11可以设置在具有六边形喇叭形状的发光元件ld的一端(或下端)处，并且附加电极15可以设置在发光元件ld的另一端(或上端)处。
96.另外，根据实施例，发光元件ld还可以包括设置在核-壳结构的发光图案10的外圆周表面上的绝缘膜14。绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。
97.图5是示出根据本公开的实施例的显示装置的图，并且特别地是使用图1a、图1b、图2a、图2b、图3a、图3b、图4a和图4b中所示的发光元件之中的任一个发光元件作为发光源的显示装置的示意性平面图。
98.在图5中，为了方便起见，基于显示图像的显示区域简要地示出了显示装置的结构。然而，根据实施例，未示出的至少一个驱动电路单元(例如，扫描驱动器、数据驱动器等)和/或多条信号线还可以设置在显示装置中。
99.参照图1a、图1b、图2a、图2b、图3a、图3b、图4a、图4b和图5，根据本公开的实施例的显示装置可以包括基底sub、设置在基底sub上并包括至少一个发光元件ld的多个像素pxl、设置在基底sub上并驱动像素pxl的驱动器(未示出)、将像素pxl和驱动器彼此连接的线单元(未示出)。
100.可以根据驱动发光元件ld的方法将显示装置分类为无源矩阵型显示装置和有源矩阵型显示装置。例如，当显示装置被实现为有源矩阵型时，像素pxl中的每个可以包括控制供应到发光元件ld的电流量的驱动晶体管、将数据信号传输到驱动晶体管的开关晶体管等。
101.近来，在分辨率、对比度和操作速度方面选择和点亮每个像素pxl的有源矩阵型显示装置已经成为主流，但是本公开不限于此，并且其中对于每个像素pxl组执行点亮的无源矩阵型显示装置也可以使用用于驱动发光元件ld的组件(例如，第一电极和第二电极等)。
102.基底sub可以包括显示区域da和非显示区域nda。
103.根据实施例，显示区域da可以设置在显示装置的中心区域中，并且非显示区域nda可以设置在显示装置的边缘区域中以围绕显示区域da。然而，显示区域da和非显示区域nda的位置不限于此，并且显示区域da和非显示区域nda的位置可以改变。
104.显示区域da可以是设置有显示图像的像素pxl的区域。非显示区域nda可以是设置有用于驱动像素pxl的驱动器以及将像素pxl与驱动器彼此连接的线单元的一部分的区域。
105.显示区域da可以具有各种形状。例如，显示区域da可以设置为包括由直线形成的边的闭合形状的多边形。另外，显示区域da可以设置为包括由曲线形成的边的圆形形状和/或椭圆形形状。另外，显示区域da可以设置为包括由直线和曲线形成的边的各种形状(诸如半圆形、半椭圆形等)。
106.非显示区域nda可以设置在显示区域da的至少一侧处。在本公开的实施例中，非显示区域nda可以围绕显示区域da的外围(或边缘)。
107.基底sub可以包括透明绝缘材料并且可以透射光。
108.基底sub可以是刚性基底。例如，刚性基底可以是玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底和结晶玻璃基底中的一种。
109.另外，基底sub可以是柔性基底。这里，柔性基底可以是包括聚合物有机材料的膜基底和塑料基底中的一种。例如，柔性基底可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。
110.然而，构成基底sub的材料可以不同地改变，并且可以包括纤维增强塑料(frp)等。
111.可以将基底sub上的一个区域设置作为显示区域da以设置像素pxl，并且可以提供基底sub上的剩余区域作为非显示区域nda。例如，基底sub可以包括显示区域da和非显示区域nda，显示区域da包括其中设置有每个像素pxl的像素区域，非显示区域nda设置在显示区域da周围。
112.像素pxl中的每个可以在基底sub上设置在显示区域da中。在本公开的实施例中，像素pxl可以以条带或pentile阵列结构布置在显示区域da中，但是本公开不限于此。
113.像素pxl中的每个可以包括由对应的扫描信号和数据信号驱动的至少一个发光元件ld。发光元件ld可以具有小至微米级或纳米级的尺寸，并且可以与相邻的发光元件并联连接，但是本公开不限于此。发光元件ld可以构成每个像素pxl的光源。
114.像素pxl中的每个可以包括由预定信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或预定电源(例如，第一驱动电源和第二驱动电源)驱动的至少一个光源。例如，每个像素pxl可以包括具有图1a至图4b的实施例中的每个中所示的约纳米级至微米级的小尺寸的至少一个超小发光元件ld。然而，可以用作每个像素pxl的光源的发光元件ld的类型不限于此。
115.在本公开的实施例中，像素pxl的颜色、类型、数量等不受特别地限制，例如，从每个像素pxl发射的光的颜色可以不同地改变。
116.驱动器可以通过线单元向每个像素pxl提供预定信号和预定电源，从而控制像素pxl的驱动。在图5中，为了便于描述，省略了线单元。
117.驱动器可以包括通过扫描线向像素pxl提供扫描信号的扫描驱动器、通过发射控制线向像素pxl提供发射控制信号的发射驱动器、通过数据线向像素pxl提供数据信号的数据驱动器以及时序控制器。时序控制器可以控制扫描驱动器、发射驱动器和数据驱动器。
118.图6a至图6e是示出根据各种实施例的图5中所示的一个像素中包括的组件之间的电连接关系的电路图。
119.例如，图6a至图6e示出了根据不同实施例的可以应用于有源型显示装置的像素pxl中包括的组件之间的电连接关系。然而，可以应用本公开的实施例的像素pxl中包括的组件的类型不限于此。
120.在图6a至图6e中，不仅包括在图5中所示的像素中的每个中的组件而且设置有组件的区域被称为像素pxl。根据实施例，图6a至图6e中所示的每个像素pxl可以是包括在图5的显示装置中的像素pxl中的任一个，并且像素pxl可以具有基本上相同或相似的结构。
121.参照图1a至图4b、图5以及图6a至图6e，一个像素pxl(在下文中称为“像素”)可以包括产生与数据信号对应的亮度的光的发光单元emu。另外，像素pxl还可以选择性地包括用于驱动发光单元emu的像素电路144。
122.根据实施例，发光单元emu可以包括并联连接在被施加第一驱动电源vdd的第一电源线pl1与被施加第二驱动电源vss的第二电源线pl2之间的多个发光元件ld。例如，发光单元emu可以包括经由像素电路144和第一电源线pl1而连接到第一驱动电源vdd的第一电极el1(或“第一对准电极”)、经由第二电源线pl2而连接到第二驱动电源vss的第二电极el2(或“第二对准电极”)以及在相同方向上并联连接的多个发光元件ld。在本公开的实施例中，第一电极el1可以是阳电极，并且第二电极el2可以是阴电极。
123.在本公开的实施例中，包括在发光单元emu中的发光元件ld中的每个可以包括通过第一电极el1连接到第一驱动电源vdd的第一端和通过第二电极el2连接到第二驱动电源vss的第二端。第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss可以具有不同的电位。例如，第一驱动电源vdd可以设定为高电位电源，并且第二驱动电源vss可以设定为低电位电源。此时，在像素pxl的发光时段期间，第一驱动电源vdd与第二驱动电源vss之间的电位差可以设定为发光元件ld的阈值电压或更高。
124.如上所述，在被供应不同电位的电压的第一电极el1和第二电极el2之间在相同的方向(例如，正向方向)上并联连接的相应的发光元件ld可以构成相应的有效光源。这样的有效光源可以被聚集为形成像素pxl的发光单元emu。
125.发光单元emu的发光元件ld可以发射具有与通过对应的像素电路144供应的驱动电流对应的亮度的光。例如，像素电路144可以在每个帧时段期间向发光单元emu供应与对应的帧数据的灰度值对应的驱动电流。供应到发光单元emu的驱动电流可以被分流并且流到在相同的方向上连接的发光元件ld。因此，发光元件ld中的每个可以发射具有与流过发光元件ld的电流对应的亮度的光，因此发光单元emu可以发射与驱动电流对应的亮度的光。
126.同时，图6a至图6e示出了其中发光元件ld在第一驱动电源vdd与第二驱动电源vss之间在相同的方向上连接的实施例，但是本公开不限于此。根据实施例，除了构成每个有效光源的发光元件ld之外，发光单元emu还可以包括至少一个无效光源。例如，至少一个反向发光元件ldr还可以连接在发光单元emu的第一电极el1和第二电极el2之间，如图6d和图6e中所示。反向发光元件ldr可以与构成有效光源的发光元件ld一起并联连接在第一电极el1与第二电极el2之间，并且可以在与发光元件ld相反的方向上连接在第一电极el1与第二电极el2之间。尽管在第一电极el1与第二电极el2之间施加预定驱动电压(例如，正向方向的驱动电压)，反向发光元件ldr也保持非激活状态，因此电流基本上不流过反向发光元件ldr。
127.像素电路144可以连接到对应的像素pxl的扫描线si和数据线dj。例如，当像素pxl设置在显示区域da的第i(i是自然数)行第j(j是自然数)列时，像素pxl的像素电路144可以连接到显示区域da的第i扫描线si和第j数据线dj。根据实施例，像素电路144可以包括第一晶体管t1和第二晶体管t2以及存储电容器cst，如图6a和图6b中所示。然而，像素电路144的结构不限于图6a和图6b中所示的实施例。
128.首先，参照图6a，像素电路144可以包括第一晶体管t1和第二晶体管t2以及存储电容器cst。
129.第二晶体管t2(开关晶体管)的第一端子可以连接到数据线dj，并且第二端子可以连接到第一节点n1。这里，第二晶体管t2的第一端子和第二端子可以是不同的端子，例如，当第一端子是源电极时，第二端子可以是漏电极。另外，第二晶体管t2的栅电极可以连接到
扫描线si。
130.当从扫描线si供应可以使第二晶体管t2导通的电压(例如，低电压)的扫描信号时，第二晶体管t2可以导通，以将数据线dj和第一节点n1彼此电连接。此时，对应的帧的数据信号被供应到数据线dj，因此数据信号被传输到第一节点n1。传输到第一节点n1的数据信号被充电在存储电容器cst中。
131.第一晶体管t1(驱动晶体管)的第一端子可以连接到第一驱动电源vdd，并且第二端子可以电连接到发光元件ld中的每个的第一电极el1。第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管t1响应于第一节点n1的电压来控制供应到发光元件ld的驱动电流的量。
132.存储电容器cst的一个电极可以连接到第一驱动电源vdd，并且另一电极可以连接到第一节点n1。存储电容器cst充电与供应到第一节点n1的数据信号对应的电压并且保持充电电压直到下一帧的数据信号被供应。
133.图6a和图6b中的每个示出了像素电路144，像素电路144包括用于将数据信号传输到像素pxl中的第二晶体管t2、用于存储数据信号的存储电容器cst和用于将与数据信号对应的驱动电流供应到发光元件ld的第一晶体管t1。
134.然而，本公开不限于此，并且可以不同地修改并实现像素电路144的结构。例如，像素电路144还可以包括其他电路元件，诸如至少一个晶体管元件(诸如用于补偿第一晶体管t1的阈值电压的晶体管元件、用于初始化第一节点n1的晶体管元件和/或用于控制发光元件ld的发光时间的晶体管元件)或者用于使第一节点n1的电压升压的升压电容器。
135.另外，在图6a中，像素电路144中包括的晶体管(例如，第一晶体管t1和第二晶体管t2)是p型晶体管，但是本公开不限于此。也就是说，包括在像素电路144中的第一晶体管t1和第二晶体管t2中的至少一个可以改变为n型晶体管。
136.接下来，参照图1a至图4b、图5和图6b，根据本公开的实施例，第一晶体管t1和第二晶体管t2可以被实现为n型晶体管。除了由于晶体管类型变化所导致的一些组件的连接位置变化之外，图6b中所示的像素电路144的构造或操作与图6a的像素电路144的构造或操作相同。因此，将简要地提供其描述。
137.在本公开的实施例中，图6b中所示的像素电路144可以包括由n型晶体管形成的第一晶体管t1和第二晶体管t2以及存储电容器cst。当第一晶体管t1和第二晶体管t2由n型晶体管形成时，发光单元emu可以连接在第一驱动电源vdd与像素电路144之间，用于充电与供应到第一节点n1的数据信号对应的电压的存储电容器cst的稳定。然而，本公开不限于此，根据实施例，图6b中所示的发光单元emu可以连接在像素电路144与第二驱动电源vss之间。在本公开的实施例中，像素电路144的构造不限于图6a和图6b中所示的实施例。例如，像素电路144可以如图6c和图6d中所示的实施例中构造。
138.如图6c和图6d中所示，像素电路144可以连接到像素pxl的扫描线si和数据线dj。例如，当像素pxl设置在显示区域da的第i行第j列中时，对应的像素pxl的像素电路144可以连接到显示区域da的第i扫描线si和第j数据线dj。
139.另外，根据实施例，像素电路144还可以连接到至少另一扫描线。例如，设置在显示区域da的第i行中的像素pxl还可以连接到第i-1扫描线si-1和/或第i+1扫描线si+1。另外，根据实施例，除了第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss之外，像素电路144还可以连接到第
三电源。例如，像素电路144还可以连接到初始化电源vint。
140.像素电路144可以包括第一晶体管t1至第七晶体管t7和存储电容器cst。
141.第一晶体管t1(驱动晶体管)的一个电极(例如，源电极)可以经由第五晶体管t5连接到第一驱动电源vdd，并且另一电极(例如，漏电极)可以经由第六晶体管t6连接到发光元件ld的一侧端。另外，第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管t1响应于第一节点n1的电压而控制经由发光元件ld在第一驱动电源vdd与第二驱动电源vss之间流动的驱动电流。
142.第二晶体管t2(开关晶体管)可以连接在连接到像素pxl的第j数据线dj与第一晶体管t1的源电极之间。另外，第二晶体管t2的栅电极可以连接到与像素pxl连接的第i扫描线si。当从第i扫描线si供应栅极导通电压(例如，低电压)的扫描信号时，第二晶体管t2可以导通，以将第j数据线dj电连接到第一晶体管t1的源电极。因此，当第二晶体管t2导通时，从第j数据线dj供应的数据信号被传输到第一晶体管t1。
143.第三晶体管t3可以连接在第一晶体管t1的漏电极与第一节点n1之间。另外，第三晶体管t3的栅电极可以连接到第i扫描线si。当从第i扫描线si供应栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管t3可以导通以将第一晶体管t1的漏电极和第一节点n1彼此电连接。
144.第四晶体管t4可以连接在第一节点n1与被施加初始化电源vint的初始化电源线之间。另外，第四晶体管t4的栅电极可以连接到前一扫描线，例如，第i-1扫描线si-1。当栅极导通电压的扫描信号被供应到第i-1扫描线si-1时，第四晶体管t4可以导通，以将初始化电源vint的电压传输到第一节点n1。这里，初始化电源vint可以具有等于或小于数据信号的最低电压的电压。
145.第五晶体管t5可以连接在第一驱动电源vdd与第一晶体管t1之间。另外，第五晶体管t5的栅电极可以连接到对应的发射控制线，例如，第i发射控制线ei。第五晶体管t5可以在栅极截止电压的发射控制信号被供应到第i发射控制线ei时截止，并且可以在其他情况下导通。
146.第六晶体管t6可以连接在第一晶体管t1与发光元件ld的一端之间。另外，第六晶体管t6的栅电极可以连接到第i发射控制线ei。第六晶体管t6可以在栅极截止电压的发射控制信号被供应到第i发射控制线ei时截止，并且可以在其他情况下导通。
147.第七晶体管t7可以连接在发光元件ld的一端与初始化电源线之间。另外，第七晶体管t7的栅电极可以连接到下一扫描线中的任一条，例如，第i+1扫描线si+1。当栅极导通电压的扫描信号被供应到第i+1扫描线si+1时，第七晶体管t7可以导通，以将初始化电源vint的电压供应到发光元件ld的一端。
148.存储电容器cst可以连接在第一驱动电源vdd与第一节点n1之间。存储电容器cst可以在每个帧时段期间存储供应到第一节点n1的数据信号和与第一晶体管t1的阈值电压对应的电压。
149.在图6c和图6d中，像素电路144中包括的晶体管(例如，第一晶体管t1至第七晶体管t7)是p型晶体管，但是本公开不限于此。例如，第一晶体管t1至第七晶体管t7中的至少一个可以改变为n型晶体管。
150.在本公开的实施例中，像素电路144的构造不限于图6a至图6d中示出的实施例。例如，像素电路144可以如图6e中所示的实施例中构造。
151.如图6e中所示，像素电路144还可以连接到控制线cli和感测线senj。例如，设置在显示区域da的第i行第j列的像素pxl的像素电路144可以连接到显示区域da的第i控制线cli和第j感测线senj。除了图6a和图6b中示出的第一晶体管t1和第二晶体管t2之外，上述像素电路144还可以包括第三晶体管t3。
152.第三晶体管t3连接在第一晶体管t1与感测线senj之间。例如，第三晶体管t3的一个电极可以连接到第一晶体管t1的与第一电极el1连接的一个端子(例如，源电极)，并且第三晶体管t3的另一电极可以连接到感测线senj。同时，当感测线senj被省略时，第三晶体管t3的栅电极可以连接到数据线dj。
153.根据实施例，第三晶体管t3的栅电极连接到控制线cli。同时，当省略控制线cli时，第三晶体管t3的栅电极可以连接到扫描线si。第三晶体管t3可以在预定感测时段期间通过供应到控制线cli的栅极导通电压(例如，高电平)的控制信号而导通，以将感测线senj和第二晶体管t2彼此电连接。
154.根据实施例，感测时段可以是用于提取设置在显示区域da中的像素pxl中的每个的特性信息(例如，第一晶体管t1的阈值电压等)的时段。在上述感测时段期间，可以通过将可以使第一晶体管t1导通的预定参考电压通过数据线dj和第二晶体管t2供应到第一节点n1，或者将每个像素pxl连接到电流源等来使第一晶体管t1导通。另外，通过将栅极导通电压的控制信号供应到第三晶体管t3以使第三晶体管t3导通，第一晶体管t1可以连接到感测线senj。因此，可以通过感测线senj提取每个像素pxl的包括第一晶体管t1的阈值电压等的特性信息。提取的特性信息可以用于转换图像数据，从而补偿像素pxl之间的特性偏差。
155.同时，图6e公开了其中第一晶体管t1至第三晶体管t3中的全部都是n型晶体管的实施例，但是本公开不限于此。例如，上述第一晶体管t1至第三晶体管t3中的至少一个可以改变为p型晶体管。另外，图6e公开了其中发光单元emu连接在像素电路144与第二驱动电源vss之间的实施例，但是发光单元emu也可以连接在第一驱动电源vdd与像素电路144之间。
156.另外，图6a至图6e示出了其中构造每个发光单元emu的发光元件ld中的全部并联连接的实施例，但是本公开不限于此。根据实施例，发光单元emu可以被构造为包括至少一个串联级，至少一个串联级包括彼此并联连接的多个发光元件ld。也就是说，发光单元emu可以以串联/并联混合结构来构造。这将在后面参照图7a至图7c进行描述。
157.可以应用于本公开的像素pxl的结构不限于图6a至图6e中示出的实施例，并且对应的像素可以具有各种结构。另外，在本公开的另一实施例中，每个像素pxl可以被构造在无源型发光显示装置等内部。在这种情况下，可以省略像素电路144，并且包括在发光单元emu中的发光元件ld的两端中的每个可以直接连接到扫描线si-1、si、si+1、数据线dj、被施加第一驱动电源vdd的第一电源线pl1、被施加第二驱动电源vss的第二电源线pl2、预定控制线等中的每条。
158.图7a至图7c是示出根据另一实施例的包括在图5中所示的一个像素中的组件的电连接关系的电路图。在图7a至图7c中，每个像素pxl的发光单元emu可以被构造为包括彼此连续连接的多个串联级。在描述图7a至图7c的实施例时，为了避免重复描述，将省略与图6a至图6e的实施例的构造(例如，像素电路144)相似或相同的构造的详细描述。
159.首先，参照图7a，发光单元emu可以包括彼此串联连接的多个发光元件。例如，发光单元emu可以包括在第一驱动电源vdd与第二驱动电源vss之间在正向方向上串联连接的第
一发光元件ld1、第二发光元件ld2、第三发光元件ld3和第四发光元件ld4以构造有效光源。在下面的实施例中，第一发光元件ld1至第四发光元件ld4之中的至少一个随机发光元件或综合的第一发光元件ld1至第四发光元件ld4可以被称为发光元件ld或多个发光元件ld。
160.第一发光元件ld1的一端(例如，第二半导体层)可以通过第一电极el1连接到第一驱动电源vdd，并且第一发光元件ld1的另一端(例如，第一半导体层)可以通过连接在第一串联级与第二串联级之间的第一中间电极cte1而连接到第二发光元件ld2的一端(例如，第二半导体层)。
161.第二发光元件ld2的所述一端(例如，第二半导体层)可以连接到第一中间电极cte1，并且第二发光元件ld2的另一端(例如，第一半导体层)可以通过连接在第二串联级与第三串联级之间的第二中间电极cte2而连接到第三发光元件ld3的一端(例如，第二半导体层)。
162.第三发光元件ld3的所述一端可以连接到第二中间电极cte2，并且第三发光元件ld3的另一端(例如，第一半导体层)可以通过连接在第三串联级与第四串联级之间的第三中间电极cte3而连接到第四发光元件ld4的一端(例如，第二半导体层)。
163.第四发光元件ld4的所述一端可以连接到第三中间电极cte3，并且第四发光元件ld4的另一端(例如，第一半导体层)可以通过第二电极el2连接到第二驱动电源vss。
164.如上所述，第一发光元件ld1至第四发光元件ld4可以串联连接在像素pxl的发光单元emu的第一电极el1和第二电极el2之间。
165.在具有其中发光元件ld串联连接的结构的发光单元emu的情况下，与具有其中发光元件ld并联连接的结构的发光单元emu相比，施加在第一电极el1与第二电极el2之间的电压可以增大，并且流过发光单元emu的驱动电流的大小可以减小。因此，当每个像素pxl的发光单元emu被构造为串联结构时，可以降低显示装置的功耗。
166.根据实施例，可以以包括彼此并联连接的多个发光元件ld的形式设置至少一个串联级。在这种情况下，每个像素pxl的发光单元emu可以以串联/并联混合结构来构造。例如，发光单元emu可以被构造为如图7b和图7c中所示。
167.接下来，参照图7b和图7c，像素pxl的发光单元emu可以包括顺序地连接在第一驱动电源vdd与第二驱动电源vss之间的多个串联级。另外，每个串联级可以包括在构成对应的串联级的电极对的两个电极之间在正向方向上连接的一个或更多个发光元件ld。例如，发光单元emu可以包括顺序地连接在第一驱动电源vdd与第二驱动电源vss之间的第一串联级set1至第三串联级set3。第一串联级set1至第三串联级set3中的每个可以包括构成对应的串联级的电极对的两个电极el1和el2a、el2b和el3a以及el3b和el4，以及在两个电极el1和el2a、el2b和el3a以及el3b和el4中的每对之间在正向方向上(例如，在相同的方向上)并联连接的多个发光元件ld。
168.第一串联级set1可以包括形成包括在发光单元emu中的电极对的两个电极el1和el2a、el2b和el3a以及el3b和el4之中的第一电极el1和第2a电极el2a，并且可以包括连接在第一电极el1与第2a电极el2a之间的至少一个第一发光元件ld1。例如，第一串联级set1可以包括经由像素电路144连接到第一驱动电源vss的第一电极el1、连接到第二驱动电源vss的第2a电极el2a以及连接在第一电极el1与第2a电极el2a之间的多个第一发光元件ld1。每个第一发光元件ld1的一端(例如，第二半导体层)电连接到第一串联级set1的第一
电极el1，并且其另一端(例如，第一半导体层)电连接到第一串联级set1的第2a电极el2a。第一发光元件ld1可以并联连接在第一串联级set1的第一电极el1和第2a电极el2a之间，并且可以在相同的方向(例如，正向方向)上连接在第一电极el1与第2a电极el2a之间。根据实施例，如图7c中所示，至少一个反向发光元件ldr还可以连接到第一串联级set1。反向发光元件ldr可以与构成有效光源的第一发光元件ld1一起并联连接在第一电极el1与第2a电极el2a之间，并且可以在与第一发光元件ld1的方向相反的方向上连接在第一电极el1与第2a电极el2a之间。例如，反向发光元件ldr的第一半导体层可以连接到第一电极el1，并且其第二半导体层可以连接到第2a电极el2a。尽管在第一电极el1与第2a电极el2a之间施加预定驱动电压(例如，正向方向的驱动电压)，反向发光元件ldr也保持非激活状态，因此电流基本上不流过反向发光元件ldr。
169.第二串联级set2可以包括形成包括在发光单元emu中的电极对的两个电极el1和el2a、el2b和el3a以及el3b和el4之中的第2b电极el2b和第3a电极el3a，并且可以包括连接在第2b电极el2b与第3a电极el3a之间的至少一个第二发光元件ld2。例如，第二串联级set2可以包括经由第一串联级set1连接到第一驱动电源vdd的第2b电极el2b、连接到第二驱动电源vdd的第3a电极el3a以及连接在第2b电极el2b与第3a电极el3a之间的多个第二发光元件ld2。每个第二发光元件ld2的一端(例如，第二半导体层)电连接到第二串联级set2的第2b电极el2b，并且其另一端(例如，第一半导体层)电连接到第二串联级set2的第3a电极el3a。第二发光元件ld2可以并联连接在第二串联级set2的第2b电极el2b和第3a电极el3a之间，并且可以通过第2b电极el2b和第3a电极el3a在相同的方向(例如，正向方向)上连接在第一驱动电源vdd与第二驱动电源vss之间。根据实施例，如图7c中所示，至少一个反向发光元件ldr还可以连接在第2b电极el2b与第3a电极el3a之间。反向发光元件ldr可以与构成有效光源的第二发光元件ld2一起并联连接在第2b电极el2b与第3a电极el3a之间，并且可以在与第二发光元件ld2的方向相反的方向上连接在第2b电极el2b与第3a电极el3a之间。例如，反向发光元件ldr的第一半导体层可以连接到第2b电极el2b，并且其第二半导体层可以连接到第3a电极el3a。
170.在公开的实施例中，第一串联级set1的第2a电极el2a和第二串联级set2的第2b电极el2b可以一体地设置并彼此连接。也就是说，第一串联级set1的第2a电极el2a和第二串联级set2的第2b电极el2b可以构造将第一串联级set1和第二串联级set2彼此电连接的第二电极el2。如上所述，当第一串联级set1的第2a电极el2a和第二串联级set2的第2b电极el2b一体地设置时，第2a电极el2a和第2b电极el2b可以是第二电极el2的不同区域。
171.第三串联级set3可以包括形成包括在发光单元emu中的电极对的两个电极el1和el2a、el2b和el3a以及el3b和el4之中的第3b电极el3b和第四电极el4，并且可以包括连接在第3b电极el3b与第四电极el4之间的至少一个第三发光元件ld3。例如，第三串联级set3可以包括经由像素电路144和先前的串联级(例如，第一串联级set1和第二串联级set2)连接到第一驱动电源vdd的第3b电极el3b、连接到第二驱动电源vss的第四电极el4以及连接在第3b电极el3b与第四电极el4之间的多个第三发光元件ld3。每个第三发光元件ld3的一端(例如，第二半导体层)电连接到第三串联级set3的第3b电极el3b，并且其另一端(例如，第一半导体层)电连接到第三串联级set3的第四电极el4。第三发光元件ld3可以并联连接在第三串联级set3的第3b电极el3b和第四电极el4之间，并且可以通过第3b电极el3b和第
四电极el4在相同的方向(例如，正向方向)上连接在第一驱动电源vdd与第二驱动电源vss之间。根据实施例，如图7c中所示，至少一个反向发光元件ldr还可以连接在第3b电极el3b与第四电极el4之间。反向发光元件ldr可以与构成有效光源的第三发光元件ld3一起并联连接在第3b电极el3b与第四电极el4之间，并且可以在与第三发光元件ld3的方向相反的方向上连接在第3b电极el3b与第四电极el4之间。例如，反向发光元件ldr的第一半导体层可以连接到第3b电极el3b，并且其第二半导体层可以连接到第四电极el4。
172.在公开的实施例中，第二串联级set2的第3a电极el3a和第三串联级set3的第3b电极el3b可以一体地设置并彼此连接。也就是说，第二串联级set2的第3a电极el3a和第三串联级set3的第3b电极el3b可以构造将第二串联级set2和第三串联级set3彼此电连接的第三电极el3。如上所述，当第二串联级set2的第3a电极el3a和第三串联级set3的第3b电极el3b一体地设置时，第3a电极el3a和第3b电极el3b可以是第三电极el3的不同区域。
173.在上述实施例中，第一串联级set1的第一电极el1可以是每个像素pxl的发光单元emu的阳电极，并且第三串联级set3的第四电极el4可以是发光单元emu的阴电极。
174.如上所述，像素pxl的包括以串联/并联混合结构连接的发光元件ld的发光单元emu可以根据应用的产品规格容易地调整驱动电流/电压条件。
175.特别地，与其中发光元件ld并联连接的结构的发光单元emu相比，像素pxl的包括以串联/并联混合结构连接的发光元件ld的发光单元emu可以减小驱动电流。另外，与其中发光元件ld中的全部串联连接的结构的发光单元emu相比，像素pxl的包括以串联/并联混合结构连接的发光元件ld的发光单元emu可以降低施加到发光单元emu的两端的驱动电压。另外，在发光元件ld中的全部串联连接的情况下，当串联连接的发光元件ld中的至少一个未在正向方向上完全连接(或包括反向发光元件ldr)时，通过其驱动电流可以在像素pxl中流动的路径被阻挡，因此会导致暗点缺陷。另一方面，在发光元件ld以串联/并联混合结构连接的情况下，即使一些发光元件ld未在正向方向上连接(或者包括反向发光元件ldr)或者在每个串联级中的一些发光元件ld中发生缺陷，驱动电流也可以流过对应的串联级的另一发光元件ld。因此，可以防止或减少像素pxl的缺陷。
176.图8是示意性地示出图5中所示的像素之中的一个像素的平面图，图9是沿着图8的线i～i’截取的剖视图，图10是沿着图8的线ii～ii’截取的剖视图，图11是根据另一实施例的作为图10中所示的第一堤的实现方式的与图8的线ii～ii’对应的剖视图，图12是作为图10中所示的显示元件层的实现方式的与图8的线ii～ii’对应的剖视图，图13是沿着图8的线iii～iii’和线iv～iv’截取的剖视图，图14是根据另一实施例的作为图9中所示的第四导电线的实现方式的与图8的线i～i’对应的剖视图，并且图15是根据另一实施例的作为图13中所示的第二导电线的实现方式的与图8的线iii～iii’和线iv～iv’对应的剖视图。
177.图8中所示的像素可以是图6a至图6e以及图7a至图7c中的每个中所示的像素中的任一个。例如，图8中所示的像素可以是图7a和/或图7c中所示的像素。
178.在图8中，为了方便起见，省略了连接到发光元件的晶体管和连接到晶体管的信号线。
179.图8至图15简化并示出了一个像素pxl的结构，诸如将每个电极示出为单个电极层并且将每个绝缘层示出为单个绝缘层，但是公开不限于此。
180.另外，在公开的实施例中，“形成和/或设置在同一层”可以指形成在同一工艺中，
并且“形成和/或设置在不同层”可以指形成在不同工艺中。
181.参照图1a至图5、图7b、图7c和图8至图15，根据实施例的显示装置可以包括基底sub、线单元和多个像素pxl。
182.基底sub可以包括透明绝缘材料并且可以透射光。基底sub可以是刚性基底或柔性基底。在显示装置的制造工艺期间，施用到基底sub的材料可以优选地具有对高工艺温度的耐受性(或耐热性)。基底sub可以包括显示区域da和非显示区域nda，显示区域da包括其中设置有像素pxl的至少一个像素区域pxa，非显示区域nda设置在显示区域da周围。
183.像素pxl可以在基底sub上在显示区域da中沿着在第一方向dr1上延伸的多个像素行和在与第一方向dr1交叉的第二方向dr2上延伸的多个像素列以矩阵形式和/或条带形式布置，但是公开不限于此。根据实施例，像素pxl可以以各种布置形式在基底sub上设置在显示区域da中。
184.其中设置(或布置)有每个像素pxl的像素区域pxa可以包括其中发射光的发射区域ema和围绕发射区域ema的外围的外围区域。在公开的实施例中，外围区域可以包括其中不发射光的非发射区域。
185.每个像素pxl可以包括像素电路部pcl和显示元件部dpl，像素电路部pcl包括像素电路144，显示元件部dpl包括多个发光元件ld。发光元件ld可以位于每个像素pxl的像素区域pxa的发射区域ema中。
186.像素电路部pcl可以包括缓冲层bfl、包括至少一个晶体管t的像素电路144以及保护层psv。显示元件部dpl可以包括第一堤图案bnk1和第二堤图案bnk2、第一电极el1至第四电极el4、发光元件ld和接触电极cne。
187.为了方便起见，首先描述像素电路部pcl，然后描述显示元件部dpl。
188.缓冲层bfl可以防止杂质扩散到晶体管t中。缓冲层bfl可以设置为单层，但是可以设置为至少两层的多层。当缓冲层bfl以多层设置时，每个层可以由相同的材料或不同的材料形成。可以根据基底sub的材料、工艺条件等省略缓冲层bfl。
189.晶体管t可以包括作为控制供应到发光元件ld的驱动电流的量的驱动晶体管的第一晶体管t1和作为开关晶体管的第二晶体管t2。在本公开的实施例中，第一晶体管t1可以是参照图6a、图7b和图7c描述的像素电路144的第一晶体管t1，并且第二晶体管t2可以是参照图6a、图7b和图7c描述的像素电路144的第二晶体管t2。在下面的实施例中，第一晶体管t1和第二晶体管t2中的随机一个或综合的第一晶体管t1和第二晶体管t2被称为晶体管t或多个晶体管t。
190.第一晶体管t1和第二晶体管t2中的每个可以包括晶体管半导体图案scl、栅电极ge、第一端子se和第二端子de。第一端子se可以是源电极和漏电极中的任一个，并且第二端子de可以是另一电极。例如，当第一端子se是源电极时，第二端子de可以是漏电极。
191.晶体管半导体图案scl可以设置和/或形成在缓冲层bfl上。晶体管半导体图案scl可以包括接触第一端子se的第一接触区和接触第二端子de的第二接触区。第一接触区与第二接触区之间的区域可以是沟道区。晶体管半导体图案scl可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体面板。沟道区是未掺杂杂质的半导体图案，并且可以是本征半导体。第一接触区和第二接触区可以是掺杂有杂质的半导体图案。
192.栅电极ge可以设置和/或形成在晶体管半导体图案scl上，且栅极绝缘层gi置于栅
电极ge与晶体管半导体图案scl之间。
193.相应的第一端子se和第二端子de可以通过穿过第一层间绝缘层ild1和栅极绝缘层gi的接触孔而与晶体管半导体图案scl的第一接触区和第二接触区接触。
194.在上述实施例中，第一晶体管t1和第二晶体管t2中的每个的第一端子se和第二端子de被描述为电连接到晶体管半导体图案scl的单独电极，但是本公开不限于此。根据实施例，第一晶体管t1和第二晶体管t2中的每个的第一端子se可以是与对应的晶体管半导体图案scl的沟道区相邻的第一接触区和第二接触区中的一个，并且第一晶体管t1和第二晶体管t2中的每个的第二端子de可以是与对应的晶体管半导体图案scl的沟道区相邻的第一接触区和第二接触区中的另一个。在这种情况下，第一晶体管t1和第二晶体管t2中的每个的第二端子de可以通过诸如桥电极或接触电极的单独的连接方式电连接到对应的像素pxl的发光元件ld。
195.在本公开的实施例中，像素电路部144中包括的晶体管t可以由ltps薄膜晶体管构成，但是本公开不限于此，像素电路部144中包括的晶体管t可以由根据实施例的氧化物半导体薄膜晶体管构成。另外，作为示例描述了晶体管t是具有顶栅结构的薄膜晶体管的情况，但是本公开不限于此。根据实施例，晶体管t可以是具有底栅结构的薄膜晶体管。
196.第二层间绝缘层ild2可以设置在上述晶体管t上。第二层间绝缘层ild2可以覆盖晶体管t。第二层间绝缘层ild2可以是包括无机材料的无机绝缘层或者包括有机材料的有机绝缘层。
197.保护层psv可以设置在第二层间绝缘层ild2上。保护层psv可以以包括有机绝缘层、无机绝缘层或设置在无机绝缘层上的有机绝缘层的形式设置。这里，无机绝缘层可以包括氧化硅(siox)和氮化硅(sinx)中的至少一种。有机绝缘层可以包括能够透射光的有机绝缘材料。有机绝缘层可以包括丙烯酸树脂(聚丙烯酸酯树脂)、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
198.同时，像素电路部pcl可以包括第一导电线cl1至第四导电线cl4。
199.第一导电线cl1至第四导电线cl4之中的第一导电线cl1和第四导电线cl4可以在基底sub上具有在第二方向dr2上(例如，在竖直方向上)延伸的条形状，并且第二导电线cl2和第三导电线cl3可以在基底sub上具有在与第二方向dr2交叉的第一方向dr1上(例如，在水平方向上)延伸的条形状。第一导电线cl1至第四导电线cl4中的每条的延伸方向和形状不限于上述实施例。根据实施例，第一导电线cl1和第四导电线cl4可以在基底sub上在第一方向dr1上或在相对于第一方向dr1倾斜的方向上延伸，并且第二导电线cl2和第三导电线cl3可以在基底sub上在第二方向dr2上或在相对于第二方向dr2倾斜的方向上延伸。另外，根据实施例，第一导电线cl1至第四导电线cl4可以在相同的方向上(例如，在第一方向dr1和/或第二方向dr2上)延伸。
200.第一导电线cl1至第四导电线cl4可以与第一晶体管t1和第二晶体管t2中的每个的第一端子se和第二端子de设置在同一层，并且可以包括相同的材料。例如，第一导电线cl1至第四导电线cl4可以设置和/或形成在第一层间绝缘层ild1上。
201.第一导电线cl1可以设置和/或形成在第一层间绝缘层ild1上。第一导电线cl1可以与第一晶体管t1的第二端子de一体地设置，以连接到第一晶体管t1的第二端子de。当第
一导电线cl1和第一晶体管t1的第二端子de一体地设置时，第一导电线cl1可以被认为是第一晶体管t1的第二端子de的一个区域，或者第一晶体管t1的第二端子de可以被认为是第一导电线cl1的一个区域。根据实施例，第一导电线cl1可以与第一晶体管t1的第二端子de非一体地设置，并且可以通过诸如接触孔和桥电极的单独的连接方式电连接到第一晶体管t1的第二端子de。
202.第一导电线cl1可以通过顺序地穿过第二层间绝缘层ild2和保护层psv的第一接触孔ch1电连接到显示元件部dpl的部分构造(例如，第一电极)。在本公开的实施例中，当发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准时，第一导电线cl1可以将预定对准信号(或对准电压)传输到第一电极el1，以允许第一电极el1用作第一对准电极(或第一对准线)。另外，在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之后，第一导电线cl1可以电连接到第一晶体管t1，以允许第一电极el1用作发光元件ld的驱动电极。
203.第二导电线cl2可以设置和/或形成在第一层间绝缘层ild1上，并且可以与第一导电线cl1间隔开以与第一导电线cl1电分离和/或物理分离。第二导电线cl2可以通过顺序地穿过第二层间绝缘层ild2和保护层psv的第二接触孔ch2电连接到显示元件部dpl的部分构造(例如，第二电极el2)。在本公开的实施例中，当发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准时，第二导电线cl2可以将预定对准信号(或对准电压)传输到第二电极el2，以允许第二电极el2用作第二对准电极(或第二对准线)。另外，在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之后，可以去除或断开第二导电线cl2的一部分，并且第二导电线cl2可以处于浮置状态。稍后将提供与其相关的详细描述。
204.第三导电线cl3可以设置和/或形成在第一层间绝缘层ild1上，并且可以与第一导电线cl1和第二导电线cl2间隔开，以与第一导电线cl1和第二导电线cl2电分离和/或物理分离。第三导电线cl3可以通过顺序地穿过第二层间绝缘层ild2和保护层psv的第三接触孔ch3电连接到显示元件部dpl的部分构造(例如，第三电极el3)。在本公开的实施例中，当发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准时，第三导电线cl3可以将预定对准信号(或对准电压)传输到第三电极el3，以允许第三电极el3用作第三对准电极(或第三对准线)。另外，在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之后，可以去除或断开第三导电线cl3的一部分，并且第三导电线cl3可以处于浮置状态。稍后将提供与其相关的详细描述。
205.第四导电线cl4可以设置和/或形成在第一层间绝缘层ild1上，并且可以与第一导电线cl1、第二导电线cl2和第三导电线cl3间隔开，以与第一导电线cl1、第二导电线cl2和第三导电线cl3电分离和/或物理分离。第四导电线cl4可以通过顺序地穿过第二层间绝缘层ild2和保护层psv的第四接触孔ch4电连接到显示元件部dpl的部分构造(例如，第四电极el4)。在本公开的实施例中，第四导电线cl4可以是在图7b和图7c中所示的像素pxl中的被施加第二驱动电源vss的第二电源线pl2。当发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准时，第四导电线cl4和pl2可以将预定对准信号(或对准电压)传输到第四电极el4，以允许第四电极el4用作第四对准电极(或第四对准线)。另外，在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之后，第四导电线cl4和pl2可以将第二驱动电源vss传输到第四电极el4，以允许第四电极el4用作发光元件ld的驱动电极。
206.在上述实施例中，第一导电线cl1至第四导电线cl4设置和/或形成在第一层间绝缘层ild1上，因此第一导电线cl1至第四导电线cl4设置在同一层，但是本公开不限于此。根
据实施例，第一导电线cl1至第四导电线cl4可以设置在不同的层。例如，如图14和图15中所示，第一导电线cl1和第三导电线cl3可以设置和/或形成在第一层间绝缘层ild1上，并且第二导电线cl2和第四导电线cl4可以设置和/或形成在第二层间绝缘层ild2上。另外，在相反的情况下，第二导电线cl2和第四导电线cl4可以设置和/或形成在第一层间绝缘层ild1上，并且第一导电线cl1和第三导电线cl3可以设置和/或形成在第二层间绝缘层ild2上。第一导电线cl1至第四导电线cl4中的每条的位置不限于上述实施例。当第二导电线cl2和第四导电线cl4设置和/或形成在第二层间绝缘层ild2上时，第二导电线cl2可以通过穿过保护层psv的第二接触孔ch2电连接到第二电极el2，并且第四导电线cl4可以通过穿过保护层psv的第四接触孔ch4电连接到第四电极el4。
207.接下来，描述显示元件部dpl。
208.第一堤图案bnk1可以是支撑构件或绝缘图案，其支撑第一电极el1至第四电极el4中的每个以改变第一电极el1至第四电极el4中的每个的表面轮廓，使得从发光元件ld发射的光在显示装置的图像显示方向上进一步行进。
209.第一堤图案bnk1可以在每个像素pxl的发射区域ema中设置和/或形成在保护层psv与第一电极el1至第四电极el4之间。例如，第一堤图案bnk1可以设置和/或形成在保护层psv与第一电极el1之间、保护层psv与第二电极el2之间、保护层psv与第三电极el3之间以及保护层psv与第四电极el4之间。
210.第一堤图案bnk1可以包括由无机材料形成的无机绝缘层或者由有机材料形成的有机绝缘层。根据实施例，第一堤图案bnk1可以包括单层有机绝缘层和/或单层无机绝缘层，但是本公开不限于此。根据实施例，第一堤图案bnk1可以以其中堆叠有至少一个有机绝缘层和至少一个无机绝缘层的多层的形式设置。
211.第一堤图案bnk1可以具有从保护层psv的一个表面朝向上部变窄的梯形形状的剖面，但本公开不限于此。根据实施例，如图11中所示，第一堤图案bnk1可以包括具有其中宽度从保护层psv的一个表面朝向上部变窄的半椭圆形状、半圆形状等的剖面的曲面。当在剖面中观看时，第一堤图案bnk1的形状不限于上述实施例，并且可以在能够改善从发光元件ld中的每个发射的光的效率的范围内不同地改变。相邻的第一堤图案bnk1可以在保护层psv上设置在同一平面，并且可以具有相同的高度(或厚度)。
212.第二堤图案bnk2可以围绕每个像素pxl的外围区域的至少一侧。第二堤图案bnk2是限定(或分割)每个像素pxl和与其相邻的像素pxl中的每个的发射区域ema的结构，并且可以是例如像素限定层。第二堤图案bnk2可以被构造为包括至少一种光阻挡材料和/或反射材料，以防止其中光(或光线)在每个像素pxl和与其相邻的像素pxl之间泄漏的漏光缺陷。根据实施例，可以在第二堤图案bnk2上形成反射材料层，以进一步改善从每个像素pxl发射的光的效率。第二堤图案bnk2可以形成和/或设置在与第一堤图案bnk1的层不同的层，但是本公开不限于此，根据实施例，第二堤图案bnk2可以与第一堤图案bnk1形成和/或设置在同一层。在本公开的实施例中，第二堤图案bnk2可以形成在与第一堤图案bnk1的层不同的层，并且可以位于第一绝缘层ins1上。
213.包括在每个像素pxl中的第一电极el1、第二电极el2、第三电极el3和第四电极el4可以彼此间隔开。第二电极el2和第三电极el3可以设置在第一电极el1与第四电极el4之间。例如，第二电极el2可以设置在第一电极el1与第三电极el3之间，并且第三电极el3可以
设置在第二电极el2与第四电极el4之间。当在平面图中观看时，第一电极el1、第二电极el2、第三电极el3和第四电极el4可以彼此间隔开。
214.在本公开的实施例中，第一电极el1和第二电极el2可以彼此间隔开预定距离，第二电极el2和第三电极el3可以彼此间隔开预定距离，并且第三电极el3和第四电极el4可以彼此间隔开预定距离。在每个像素pxl的发射区域ema中，第一电极el1与第二电极el2之间的距离、第二电极el2与第三电极el3之间的距离以及第三电极el3与第四电极el4之间的距离可以相同。因此，发光元件ld可以在每个像素pxl的发射区域ema中更均匀地对准。然而，本公开不限于此，根据实施例，第一电极el1与第二电极el2之间的距离、第二电极el2与第三电极el3之间的距离以及第三电极el3与第四电极el4之间的距离可以彼此不同。
215.第一电极el1至第四电极el4中的每个可以设置和/或形成在第一堤图案bnk1上，以具有与第一堤图案bnk1的形状对应的表面轮廓。例如，第一电极el1至第四电极el4中的每个可以包括与第一堤图案bnk1对应的突起部分和与保护层psv对应的平坦部分。第一电极el1至第四电极el4中的每个可以由具有恒定反射率的材料形成，以允许从发光元件ld中的每个发射的光在显示装置的图像显示方向上行进。
216.第一电极el1至第四电极el4中的每个可以由具有恒定反射率的导电材料形成。导电材料可以包括有利于在显示装置的图像显示方向上反射从发光元件ld发射的光的不透明金属。不透明金属可以包括以诸如ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、ti及其合金为例的金属。根据实施例，第一电极el1至第四电极el4中的每个可以包括透明导电材料。透明导电材料可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)和氧化铟锡锌(itzo)的导电氧化物、诸如pedot的导电聚合物等。当第一电极el1至第四电极el4中的每个包括透明导电材料时，还可以包括由不透明金属形成的单独的导电层，不透明金属用于在显示装置的图像显示方向上反射从发光元件ld发射的光。然而，第一电极el1至第四电极el4中的每个的材料不限于上述材料。
217.另外，第一电极el1至第四电极el4中的每个可以设置和/或形成为单层，但是公开不限于此。根据实施例，第一电极el1至第四电极el4中的每个可以设置和/或形成为其中堆叠有金属、合金、导电氧化物和导电聚合物中的至少两种或更多种材料的多层。第一电极el1至第四电极el4中的每个可以形成为至少两层的多层，以便最小化在信号(或电压)被传输到发光元件ld中的每个的两端时由于信号延迟引起的失真。例如，第一电极el1至第四电极el4中的每个可以由其中顺序地堆叠有ito/ag/ito的多层形成。
218.如上所述，由于第一电极el1至第四电极el4中的每个具有与设置在其下方的第一堤图案bnk1的形状对应的表面轮廓，因此从发光元件ld中的每个发射的光可以被第一电极el1至第四电极el4中的每个反射，以在显示装置的图像显示方向上进一步行进。最后，可以进一步改善从发光元件ld中的每个发射的光的效率。
219.第一堤图案bnk1以及第一电极el1至第四电极el4中的每个可以用作反射构件，反射构件用于通过在期望的方向上引导从发光元件ld发射的光来改善显示装置的光效率。也就是说，第一堤图案bnk1以及第一电极el1至第四电极el4中的每个可以用作使从发光元件ld发射的光在显示装置的图像显示方向上行进的反射构件，以改善发光元件ld的光输出效率。
220.在本公开的实施例中，第一电极el1至第四电极el4之中的第四电极el4可以位于
每个像素pxl的发射区域ema中的中心(例如，核心)处，并且可以具有圆形形状，但是本公开不限于此。根据实施例，第四电极el4可以具有包括具有预定曲率的曲线的椭圆形状、圆环形状等。另外，根据实施例，第四电极el4可以具有诸如四边形形状、三角形形状或八边形形状的多边形形状。第四电极el4可以通过第四接触孔ch4电连接到像素电路部pcl的第四导电线cl4和pl2。
221.第三电极el3可以具有沿着第四电极el4的圆周方向围绕第四电极el4的外围的形状。例如，第三电极el3可以具有围绕第四电极el4的至少一侧的环形状(或闭环形状)。第三电极el3可以具有圆环形状，但是本公开不限于此。根据实施例，第三电极el3不限于圆环形状，并且可以具有形成闭合电路的多边形环形状(包括四边形形状的矩形环形状和八边形形状的八边形环形状等)。在上述实施例中，第三电极el3具有完全围绕第四电极el4的外围的形状，但是本公开不限于此。根据实施例，第三电极el3可以具有仅围绕除了第四电极el4的至少一个区域之外的剩余区域的形状，例如，可以具有其中任一部分是开放的而不形成正圆的c形状。第四电极el4可以设置为由第三电极el3围绕的孤立的圆形岛形状，但是本公开不限于此。第三电极el3和第四电极el4可以设置在对应的第一堤图案bnk1上以彼此间隔开预定距离。
222.第二电极el2可以具有沿着第三电极el3的圆周方向围绕第三电极el3的外围的形状。例如，第二电极el2可以具有围绕第三电极el3的至少一侧的环形状(或闭环形状)。第二电极el2可以具有圆环形状，但是本公开不限于此。根据实施例，第二电极el2不限于圆环形状，并且可以具有形成闭合电路的四边形形状、八边形形状等的多边形环形状。在上述实施例中，第二电极el2具有完全围绕第三电极el3的外围的形状，但是本公开不限于此。根据实施例，第二电极el2可以具有仅围绕除了第三电极el3的至少一个区域之外的剩余区域的形状，例如，可以具有其中任一部分是开放的而不形成正圆的c形状。第三电极el3可以设置为由第二电极el2围绕的孤立的环形状，但是本公开不限于此。第二电极el2和第三电极el3可以设置在对应的第一堤图案bnk1上以彼此间隔开预定距离。
223.第一电极el1可以具有沿着第二电极el2的圆周方向围绕第二电极el2的外围的形状。例如，第一电极el1可以具有围绕第二电极el2的至少一侧的环形状(或闭环形状)。第一电极el1可以具有围绕第二电极el2并且包括由具有预定曲率的曲线形成的内表面和由直线形成的外表面的闭环形状，但是本公开不限于此。根据实施例，第一电极el1可以具有其中内表面和外表面中的两者都由曲线形成的圆环形状，或者可以具有形成闭合电路的四边形形状、八边形形状等的多边形环形状。在上述实施例中，第一电极el1具有完全围绕第二电极el2的外围的形状，但是本公开不限于此。根据实施例，第一电极el1可以具有仅围绕除了第二电极el2的至少一个区域之外的剩余区域的形状，例如，可以具有其中任一部分是开放的而不形成正圆的c形状。第二电极el2可以设置为由第一电极el1围绕的孤立的环形状，但是本公开不限于此。第一电极el1和第二电极el2可以设置在对应的第一堤图案bnk1上以彼此间隔开预定距离。
224.如上所述，当第四电极el4位于每个像素pxl的发射区域ema的中心处，第三电极el3围绕第四电极el4的外围，第二电极el2围绕第三电极el3的外围，并且第一电极el1围绕第二电极el2的外围时，第一电极el1至第四电极el4可以形成同心圆结构。
225.在每个像素pxl的发射区域ema中，多个发光元件ld可以对准和/或设置在第一电
极el1与第二电极el2之间、第二电极el2与第三电极el3之间以及第三电极el3与第四电极el4之间。在发射区域ema中，第一电极el1至第四电极el4以及发光元件ld可以构成每个像素pxl的发光单元emu。第一电极el1可以是每个像素pxl的发光单元emu的阳电极，并且第四电极el4可以是每个像素pxl的发光单元emu的阴电极。
226.在本公开的实施例中，第一电极el1可以通过第一接触孔ch1电连接到像素电路部pcl。例如，第一电极el1可以通过第一接触孔ch1电连接到像素电路部pcl的第一导电线cl1和第一晶体管t1。因此，施加到第一晶体管t1的信号(或电压)可以被传输到第一电极el1。
227.第二电极el2可以通过第二接触孔ch2连接到像素电路部pcl。例如，第二电极el2可以通过第二接触孔ch2电连接到像素电路部pcl的第二导电线cl2。在本公开的实施例中，由于第二导电线cl2在发光元件ld的对准之后处于浮置状态，因此来自第二导电线cl2的任何信号(或电压)可以不施加到第二电极el2。
228.第三电极el3可以通过第三接触孔ch3连接到像素电路部pcl。例如，第三电极el3可以通过第三接触孔ch3电连接到像素电路部pcl的第三导电线cl3。在本公开的实施例中，由于第三导电线cl3在发光元件ld的对准之后处于浮置状态，因此来自第三导电线cl3的任何信号(或电压)可以不施加到第三电极el3。
229.第四电极el4可以通过第四接触孔ch4电连接到像素电路部pcl。例如，第四电极el4可以通过第四接触孔ch4电连接到第四导电线cl4和pl2。因此，施加到第四导电线cl4和pl2的第二驱动电源vss可以被传输到第四电极el4。
230.在上述实施例中，发光元件ld中的每个可以是使用无机晶体结构材料的例如具有小到纳米级至微米级的尺寸的超小发光元件。例如，发光元件ld中的每个可以是通过蚀刻方法制造的超小发光元件或通过生长方法制造的超小发光元件。然而，发光元件ld的类型、尺寸、形状等可以不同地改变。至少两个至数十个发光元件ld可以对准和/或设置在每个像素pxl的发射区域ema中，但是发光元件ld的数量不限于此。根据实施例，可以不同地改变在每个像素pxl的发射区域ema中对准和/或设置的发光元件ld的数量。
231.在发射区域ema中，发光元件ld可以相对于第四电极el4径向地对准和/或设置。例如，发光元件ld中的一部分可以沿着第四电极el4的圆周方向对准和/或设置在第四电极el4与第三电极el3之间，发光元件ld中的另一部分可以沿着第三电极el3的圆周方向对准和/或设置在第三电极el3与第二电极el2之间，并且发光元件ld中的又一部分可以沿着第二电极el2的圆周方向对准和/或设置在第二电极el2与第一电极el1之间。
232.发光元件ld可以以分散形式设置在溶液中，并且可以注入到像素pxl的发射区域ema。
233.在公开的实施例中，可以通过喷墨印刷方法、狭缝涂覆方法或其他各种方法将发光元件ld注入到每个像素pxl的发射区域ema。例如，发光元件ld可以与挥发性溶剂混合，并且通过喷墨印刷方法或狭缝涂覆方法被供应到每个像素pxl的发射区域ema。此时，当施加与位于每个像素pxl的发射区域ema中的第一电极el1至第四电极el4中的每个对应的对准信号(或对准电压)时，可以在第一电极el1与第二电极el2之间、在第二电极el2与第三电极el3之间以及在第三电极el3与第四电极el4之间形成电场。因此，发光元件ld可以在第一电极el1与第二电极el2之间、在第二电极el2与第三电极el3之间以及在第三电极el3与第四电极el4之间对准。此时，由于第一电极el1至第四电极el4的形状，发光元件ld可以沿着位
于每个像素pxl的发射区域ema的中心(或中间)(例如，核心)处的第四电极el4的圆周方向以径向形状(或径向地)对准和/或设置。
234.在发光元件ld对准之后，可以以其他方法蒸发或去除溶剂，因此发光元件ld可以最终对准和/或设置在每个像素pxl的发射区域ema中。
235.发光元件ld可以包括第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3。例如，发光元件ld包括设置在第一电极el1与第二电极el2之间的多个第一发光元件ld1、设置在第二电极el2与第三电极el3之间的多个第二发光元件ld2以及设置在第三电极el3与第四电极el4之间的多个第三发光元件ld3。
236.当发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准时，第一电极el1至第四电极el4中的每个可以从对应的导电线接收预定对准信号(或对准电压)，以用作用于对准发光元件ld的对准电极(或对准线)。例如，第一电极el1可以是从第一导电线cl1接收第一对准信号(或第一对准电压)的第一对准电极(或第一对准线)，并且第二电极el2可以是从第二导电线cl2接收第二对准信号(或第二对准电压)的第二对准电极(或第二对准线)。另外，第三电极el3可以是从第三导电线cl3接收第三对准信号(或第三对准电压)的第三对准电极(或第三对准线)，并且第四电极el4可以是从第四导电线cl4接收第四对准信号(或第四对准电压)的第四对准电极(或第四对准线)。在本公开的实施例中，第一对准信号至第四对准信号可以具有不同的电压电平。第一对准信号至第四对准信号可以是具有发光元件ld可以在第一电极el1至第四电极el4之间对准的程度的电压差和/或相位差的信号。上述第一对准信号至第四对准信号中的至少一些可以是ac信号，但是本公开不限于此。
237.当将对应的对准信号施加到第一电极el1至第四电极el4中的每个时，可以在第一电极el1与第二电极el2之间、在第二电极el2与第三电极el3之间以及在第三电极el3与第四电极el4之间形成电场。发光元件ld可以通过在两个相邻电极之间形成的电场对准和/或设置在每个像素pxl的发射区域ema中。
238.在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之后，可以去除或断开第二导电线cl2和第三导电线cl3中的每条的一部分，并且第二导电线cl2和第三导电线cl3中的每条可以处于浮置状态。例如，在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之后，第二导电线cl2可以通过去除其一侧(例如，不与第二电极el2接触的部分或连接到被施加第二对准信号(或第二对准电压)的对准垫(pad，或称为“焊盘”)(未示出)的部分)而处于浮置状态。另外，在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之后，第三导电线cl3可以通过去除其一侧(例如，不与第三电极el3接触的部分或连接到被施加第三对准信号(或第三对准电压)的对准垫(未示出)的部分)而处于浮置状态。
239.在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之后，第一电极el1至第四电极el4可以用作用于驱动发光元件ld的驱动电极。
240.在本公开的实施例中，当在每个像素pxl的发射区域ema中对准发光元件ld时，可以通过控制施加到第一电极el1至第四电极el4中的每个的对准信号(或对准电压)或形成磁场来控制供应到发射区域ema的发光元件ld被对准为相对偏转。
241.发光元件ld中的每个可以包括通过蚀刻方法制造的发光元件或通过生长方法制造的核-壳结构的发光元件。当发光元件ld中的每个是通过蚀刻方法制造的发光元件时，每个发光元件ld可以包括其中顺序地堆叠有第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和
附加电极15的发光堆叠体(或堆叠图案)。另外，当发光元件ld中的每个是通过生长方法制造的核-壳结构的发光元件时，每个发光元件ld可以包括发光图案10，发光图案10包括位于中心(例如，核心)处的第一半导体层11、围绕第一半导体层11的至少一侧的活性层12、围绕活性层12的至少一侧的第二半导体层13以及围绕第二半导体层13的至少一侧的附加电极15。
242.发光元件ld中的每个可以包括第一端ep1和第二端ep2，第一端ep1电连接到在发射区域ema中彼此相邻的两个电极中的一个电极，第二端ep2电连接到所述两个相邻电极中的剩余的电极。在公开的实施例中，每个发光元件ld的第一端ep1可以是包括n型半导体层的第一半导体层11，并且第二端ep2可以是包括p型半导体层的第二半导体层13。也就是说，在像素pxl的发射区域ema中，每个发光元件ld可以在正向方向上以预定距离连接在两个相邻电极之间。如上所述，在正向方向上连接在两个相邻电极之间的发光元件ld可以构成每个像素pxl的发光单元emu。
243.发光元件ld可以包括对准和/或设置在第一电极el1与第二电极el2之间的第一发光元件ld1、对准和/或设置在第二电极el2与第三电极el3之间的第二发光元件ld2以及对准和/或设置在第三电极el3与第四电极el4之间的第三发光元件ld3。
244.在本公开的实施例中，第一发光元件ld1中的每个的两端ep1和ep2中的一端ep1可以电连接到第二电极el2，并且其另一端ep2可以电连接到第一电极el1。第二发光元件ld2中的每个的两端ep1和ep2中的一端ep1可以电连接到第三电极el3，并且其另一端ep2可以电连接到第二电极el2。第三发光元件ld3中的每个的两端ep1和ep2中的一端ep1可以电连接到第四电极el4，并且其另一端ep2可以电连接到第三电极el3。
245.在每个像素pxl的发射区域ema中，第一电极el1和第二电极el2可以与并联连接在第一电极el1与第二电极el2之间的第一发光元件ld1一起构成一个串联级(在下文中称为“第一串联级”)。在每个像素pxl的发射区域ema中，第二电极el2和第三电极el3可以与并联连接在第二电极el2与第三电极el3之间的第二发光元件ld2一起构成另一串联级(在下文中称为“第二串联级”)。在每个像素pxl的发射区域ema中，第三电极el3和第四电极el4可以与并联连接在第三电极el3与第四电极el4之间的第三发光元件ld3一起构成又一串联级(在下文中称为“第三串联级”)。在本公开的实施例中，第一串联级至第三串联级可以设置在每个像素pxl的发射区域ema中，并且第一串联级至第三串联级可以构成对应的像素pxl的发光单元emu。包括在每个像素pxl的第一串联级中的第一电极el1可以是对应的像素pxl的发光单元emu的阳电极，并且包括在第三串联级中的第四电极el4可以是发光单元emu的阴电极。
246.根据实施例，还可以在每个串联级处的两个相邻电极之间设置在反向方向上连接的至少一个反向发光元件ldr，或者还可以在每个串联级处的两个相邻电极之间设置未连接到两个电极的至少一个有缺陷的发光元件(例如，无效光源(未示出))。例如，在第一串联级中，可以在第一电极el1与第二电极el2之间设置在与第一发光元件ld1相反的方向上对准和/或设置的至少一个反向发光元件ldr。在第二串联级中，可以在第二电极el2与第三电极el3之间设置在与第二发光元件ld2相反的方向上对准和/或设置的至少一个反向发光元件ldr。在第三串联级中，可以在第三电极el3与第四电极el4之间设置在与第三发光元件ld3相反的方向上对准和/或设置的至少一个反向发光元件ldr。
247.上述发光元件ld可以在每个像素pxl的发射区域ema中设置和/或形成第一绝缘层ins1上。
248.第一绝缘层ins1可以形成和/或设置在发光元件ld中的每个下方，发光元件ld中的每个在每个像素pxl的发射区域ema中对准和/或设置在构成每个串联级的两个电极之间。第一绝缘层ins1可以填充发光元件ld中的每个与保护层psv之间的空间，以稳定地支撑发光元件ld，并且防止发光元件ld与保护层psv分离。
249.另外，在每个像素pxl的发射区域ema中，第一绝缘层ins1可以使构成每个串联级的两个电极中的每个的一个区域暴露，并且可以覆盖除了所述一个区域之外的剩余区域。这里，接触电极cne可以设置和/或形成在暴露的电极中的每个的一个区域上，因此电极和接触电极cne中的每个可以彼此电连接和/或物理连接。
250.第一绝缘层ins1可以包括由无机材料形成的无机绝缘层或者由有机材料形成的有机绝缘层。在公开的实施例中，第一绝缘层ins1可以由有利于保护发光元件ld免受每个像素pxl的像素电路部pcl的影响的无机绝缘层形成，但是公开不限于此。根据实施例，第一绝缘层ins1可以由有利于使发光元件ld的支撑表面平坦化的有机绝缘层形成。
251.第二绝缘层ins2可以设置和/或形成在发光元件ld中的每个上。第二绝缘层ins2可以设置和/或形成在发光元件ld中的每个上以覆盖发光元件ld中的每个的上表面的一部分，并且使发光元件ld中的每个的两端ep1和ep2暴露于外部。第二绝缘层ins2可以在每个像素pxl的发射区域ema中以独立的图案形成，但是公开不限于此。
252.第二绝缘层ins2可以由单层或多层构成，并且可以包括包含至少一种无机材料的无机绝缘层或包含至少一种有机材料的有机绝缘层。第二绝缘层ins2还可以将在每个像素pxl的发射区域ema中对准的发光元件ld中的每个固定。在公开的实施例中，第二绝缘层ins2可以包括有利于保护发光元件ld中的每个的活性层12免受外部氧气、湿气等的影响的无机绝缘层。然而，公开不限于此。第二绝缘层ins2可以根据应用了发光元件ld的显示装置的设计条件等而包括包含有机材料的有机绝缘层。
253.在公开的实施例中，在每个像素pxl的发射区域ema中完成发光元件ld的对准之后，可以通过在发光元件ld上形成第二绝缘层ins2来防止发光元件ld与对准位置分离。同时，如图12中所示，当在形成第二绝缘层ins2之前在第一绝缘层ins1与发光元件ld之间存在间隙(或空间)时，可以在形成第二绝缘层ins2的工艺中用第二绝缘层ins2填充间隙。因此，发光元件ld可以由有利于填充第一绝缘层ins1与发光元件ld之间的间隙的有机绝缘层来构造。
254.在公开的实施例中，第二绝缘层ins2可以形成在发光元件ld上，以防止发光元件ld中的每个的活性层12与外部导电材料接触。第二绝缘层ins2可以仅覆盖发光元件ld中的每个的表面的一部分，以使发光元件ld中的每个的两端ep1和ep2暴露于外部。
255.接触电极cne可以设置在第一电极el1至第四电极el4中的每个上。接触电极cne可以是用于将第一电极el1至第四电极el4中的每个与对应的发光元件ld更稳定地电连接的构造。
256.接触电极cne可以由各种透明导电材料形成。例如，接触电极cne可以包括包含ito、izo和itzo的各种透明导电材料中的至少一种，并且可以是基本上透明或半透明的以满足预定透光率。然而，接触电极cne的材料不限于上述实施例，并且根据实施例，接触电极
cne可以由各种不透明导电材料形成。在本公开的实施例中，接触电极cne可以包括设置在第一电极el1上的第一接触电极cne1、设置在第二电极el2上的第二接触电极cne2、设置在第三电极el3上的第三接触电极cne3以及设置在第四电极el4上的第四接触电极cne4。
257.第一接触电极cne1可以在每个像素pxl的发射区域ema中将第一电极el1与第一发光元件ld1中的每个的两端ep1和ep2中的一端连接。当在平面图中观看时，第一接触电极cne1可以与第一发光元件ld1中的每个的一端和第一电极el1中的每者叠置，并且可以以圆环形状设置。第一接触电极cne1的形状不限于上述实施例。第一接触电极cne1可以在能够覆盖第一发光元件ld1中的每个的所述一端和第一电极el1的范围内以包括椭圆环形状、多边形环形状等的各种形状设置。
258.第二接触电极cne2可以在每个像素pxl的发射区域ema中将第二电极el2的一侧与第一发光元件ld1中的每个的两端ep1和ep2中的剩余端连接。另外，第二接触电极cne2可以在每个像素pxl的发射区域ema中将第二电极el2的另一侧与第二发光元件ld2中的每个的两端ep1和ep2中的一端连接。当在平面图中观看时，第二接触电极cne2可以与第一发光元件ld1中的每个的剩余端、第二发光元件ld2中的每个的所述一端以及第二电极el2中的每者叠置，并且可以充分地覆盖第二电极el2、第一发光元件ld1中的每个的剩余端以及第二发光元件ld2中的每个的所述一端。第二接触电极cne2可以设置为围绕第三接触电极cne3的外围的圆环形状。第二接触电极cne2的形状不限于上述实施例。第二接触电极cne2可以在能够覆盖第一发光元件ld1中的每个的剩余端、第二发光元件ld2中的每个的所述一端以及第二电极el2的范围内以包括椭圆环形状、多边形环形状等的各种形状设置。
259.第三接触电极cne3可以在每个像素pxl的发射区域ema中将第三电极el3的一侧与第二发光元件ld2中的每个的两端ep1和ep2中的剩余端连接。另外，第三接触电极cne3可以在每个像素pxl的发射区域ema中将第三电极el3的另一侧与第三发光元件ld3中的每个的两端ep1和ep2中的一端连接。当在平面图中观看时，第三接触电极cne3可以与第二发光元件ld2中的每个的剩余端、第三发光元件ld3中的每个的所述一端以及第三电极el3中的每者叠置，并且可以充分地覆盖第三电极el3、第二发光元件ld2中的每个的剩余端以及第三发光元件ld3中的每个的所述一端。第三接触电极cne3可以以围绕第四接触电极cne4的外围的圆环形状设置。第三接触电极cne3的形状不限于上述实施例。第三接触电极cne3可以在能够覆盖第三电极el3、第二发光元件ld2中的每个的剩余端以及第三发光元件ld3中的每个的所述一端的范围内以包括椭圆环形状、多边形环形状等的各种形状设置。
260.第四接触电极cne4可以在每个像素pxl的发射区域ema中将第四电极el4与第三发光元件ld3中的每个的剩余端连接。当在平面图中观看时，第四接触电极cne4可以与第四电极el4和第三发光元件ld3中的每个的剩余端中的每者叠置，并且可以充分地覆盖第四电极el4和第三发光元件ld3中的每个的剩余端。第四接触电极cne4可以以由第三接触电极el3围绕的孤立的圆形岛形状设置。第四接触电极cne4的形状不限于上述实施例。第四接触电极cne4可以在能够覆盖第四电极el4、第三发光元件ld3中的每个的剩余端的范围内以包括椭圆形形状、多边形形状等的各种形状设置。
261.如上所述，当具有圆环形状的第一接触电极cne1围绕具有圆环形状的第二接触电极cne2的外围，具有圆环形状的第二接触电极cne2围绕具有圆环形状的第三接触电极cne3的外围，并且第三接触电极cne3围绕具有圆形形状的第四接触电极的外围时，第一接触电
极cne1至第四接触电极cne4可以在每个像素pxl的发射区域ema中构造同心圆结构。
262.在本公开的实施例中，封装层enc可以设置和/或形成在第一接触电极cne1至第四接触电极cne4上。封装层enc可以是包括无机材料的无机绝缘层或者包括有机材料的有机绝缘层。例如，封装层enc可以具有其中交替地堆叠有至少一个无机绝缘层或至少一个有机绝缘层的结构。封装层enc可以完全覆盖显示元件部dpl，以防止水或湿气从外部流到包括发光元件ld的显示元件部dpl中。
263.盖层(未示出)可以设置和/或形成在每个像素pxl的发射区域ema中。盖层可以设置和/或形成在第一电极el1至第四电极el4中的每个与形成在第一电极el1至第四电极el4中的每个上的接触电极cne之间。例如，盖层可以设置和/或形成在第一电极el1与第一接触电极cne1之间、第二电极el2与第二接触电极cne2之间、第三电极el3与第三接触电极cne3之间以及第四电极el4与第四接触电极cne4之间。上述盖层可以防止由于在显示装置的制造工艺期间发生的缺陷等而对第一电极el1至第四电极el4中的每个的损坏，并且还可以增强第一电极el1至第四电极el4中的每个与保护层psv之间的粘合力。盖层可以由诸如氧化铟锌(izo)的透明导电材料形成，以最小化从发光元件ld中的每个发射并且被第一电极el1至第四电极el4中的每个反射到显示装置的图像显示方向的光的损失。
264.根据上述实施例，将圆形的第四电极el4设置在每个像素pxl的发射区域ema的中心(或中间)(例如，核心)处，设置围绕第四电极el4的第三电极el3，设置围绕第三电极el3的第二电极el2，并且设置围绕第二电极el2的第一电极el1。另外，通过将预定对准信号经由单独的(或对应的)导电线施加到第一电极el1至第四电极el4中的每个，在第一电极el1至第四电极el4之中的两个相邻电极之间形成电场。由于在两个相邻电极之间形成的电场，发光元件ld可以在第一电极el1至第四电极el4之间对准。
265.此时，发光元件ld可以相对于形成为圆形岛形状的第四电极el4以径向形状(或径向地)对准和/或设置，第四电极el4位于每个像素pxl的发射区域ema中的中心(或中间)(例如，核心)处。因此，发光元件ld可以在每个像素pxl的发射区域ema中不被对准和/或设置为在特定方向上偏置。因此，从发光元件ld中的每个发射的光可以不集中在特定方向上。因此，从每个像素pxl的发射区域ema发射的光的量(或强度)可以与从相邻像素pxl的发射区域ema发射的光的量(或强度)相似或基本上相同。最后，根据本公开实施例的显示装置可以具有遍及其中显示图像的整个显示区域da的均匀的光输出分布。
266.根据上述实施例，彼此间隔开的第一电极el1和第二电极el2以及并联连接在第一电极el1与第二电极el2之间的第一发光元件ld1构成第一串联级，彼此间隔开的第二电极el2和第三电极el3以及并联连接在第二电极el2与第三电极el3之间的第二发光元件ld2构成第二串联级，并且彼此间隔开的第三电极el3和第四电极el4以及并联连接在第三电极el3与第四电极el4之间的第三发光元件ld3构成第三串联级。包括在两个连续的串联级中的每个中的发光元件ld可以共享一个电极以彼此电连接。也就是说，包括在第一串联级中的第一发光元件ld1和包括在第二串联级中的第二发光元件ld2可以共享第二电极el2以彼此电连接。另外，包括在第二串联级中的第二发光元件ld2和包括在第三串联级中的第三发光元件ld3可以共享第三电极el3以彼此电连接。以这样的方法，每个像素pxl的发光单元emu可以通过将在每个像素pxl的发射区域ema中对准的发光元件ld以串联/并联的混合结构连接来构造。
267.根据上述实施例，可以通过构造串联/并联混合结构的发光单元emu来稳定地驱动每个像素pxl，因此可以减小流过显示装置的显示面板的驱动电流，从而改善功耗效率。
268.根据上述实施例，可以将第四电极el4设置在每个像素pxl的发射区域ema的中心处，可以设置围绕第四电极el4的第三电极el3，可以设置围绕第三电极el3的第二电极el2，可以设置围绕第二电极el2的第一电极el1，因此第一电极el1至第四电极el4可以具有同心圆结构。在这种情况下，可以改善对准和/或设置在每个像素pxl的发射区域ema中的发光元件ld的集成度，因此可以进一步确保发光元件ld的对准区域。因此，根据本公开的实施例的显示装置可以更容易地实现高分辨率。
269.图16是示出根据本公开的实施例的流过像素的驱动电流的平面图，并且作为示例，示出了流过图8的像素的驱动电流的流动。在图16中，当图8的像素pxl响应于预定灰度的数据信号而被驱动以发光时，流过像素pxl的驱动电流的流动由虚线箭头示出。
270.参照图1a至图5、图7b、图7c和图8至图16，当假设驱动电流通过包括在每个像素pxl中的像素电路部pcl的第一晶体管t1(例如，通过驱动晶体管)从第一电源线pl1流到第四导电线cl4和pl2时，驱动电流可以通过第一导电线cl1和第一接触孔ch1流到每个像素pxl的发光单元emu中。例如，驱动电流通过第一导电线cl1和第一接触孔ch1被供应到第一电极el1，并且驱动电流经由第一发光元件ld1流到第二电极el2。因此，设置在第一电极el1与第二电极el2之间的第一发光元件ld1可以发射具有与分配给第一发光元件ld1中的每个的电流对应的亮度的光。流过第二电极el2的驱动电流经由设置在第二电极el2与第三电极el3之间的第二发光元件ld2流到第三电极el3。因此，第二发光元件ld2可以发射具有与分配给第二发光元件ld2中的每个的电流对应的亮度的光。流过第三电极el3的驱动电流经由设置在第三电极el3与第四电极el4之间的第三发光元件ld3流到第四电极el4。因此，第三发光元件ld3可以发射具有与分配给第三发光元件ld3中的每个的电流对应的亮度的光。
271.在上述方法中，每个像素pxl的驱动电流可以在顺序地穿过设置在第一电极el1与第二电极el2之间的第一发光元件ld1、设置在第二电极el2与第三电极el3之间的第二发光元件ld2以及设置在第三电极el3与第四电极el4之间的第三发光元件ld3的同时流动。因此，每个像素pxl可以发射具有与在每个帧时段期间供应的数据信号对应的亮度的光。
272.图17a至图17f是顺序地示出制造图8中所示的像素的方法的示意性平面图，图18a至图18h是顺序地示出制造图9中所示的像素的方法的剖视图。
273.在下文中，根据结合图17a至图17f以及图18a至图18h的制造方法顺序地描述图8和图9中所示的根据本公开的实施例的像素。
274.参照图1a至图4b、图5、图7b、图7c、图8至图17a和图18a，在基底sub上形成包括在每个像素pxl中的像素电路部pcl。其中设置(或制备)有像素pxl的像素区域pxa可以包括发射光的发射区域ema和围绕发射区域ema的外围的外围区域。
275.像素电路部pcl可以包括像素电路144，像素电路144包括至少一个晶体管t、第一导电线cl1至第四导电线cl4以及至少一个绝缘层。这里，至少一个绝缘层可以包括顺序地形成在基底sub上的缓冲层bfl、栅极绝缘层gi、第一层间绝缘层ild1和第二层间绝缘层ild2以及保护层psv。
276.第二层间绝缘层ild2和保护层psv中的每个可以包括使与包括在像素电路144中的第一晶体管t1的第二端子de一体地设置的第一导电线cl1的一部分暴露的第一接触孔
ch1、使第二导电线cl2的一部分暴露的第二接触孔ch2、使第三导电线cl3的一部分暴露的第三接触孔ch3以及使第四导电线cl4的一部分暴露的第四接触孔ch4。
277.第一导电线cl1至第四导电线cl4中的每个可以形成在第一层间绝缘层ild1上。当在平面图中观看时，第一导电线cl1至第四导电线cl4中的每个可以在一方向上延伸并且可以彼此间隔开以彼此电分离和/或物理分离。例如，第一导电线cl1和第四导电线cl4可以沿着第二方向dr2(例如，竖直方向)延伸，并且第二导电线cl2和第三导电线cl3可以沿着与第二方向dr2交叉(例如，与第二方向dr2正交)的第一方向dr1延伸。
278.在本公开的实施例中，第一导电线cl1至第四导电线cl4中的每条可以电连接到设置在显示装置dd的非显示区域nda中的不同对准垫(未示出)。例如，第一导电线cl1可以电连接到第一对准垫，第二导电线cl2可以电连接到第二对准垫，第三导电线cl3可以电连接到第三对准垫，并且第四导电线cl4可以电连接到第四对准垫。可以将不同的对准信号(或对准电压)施加到相应的第一对准垫至第四对准垫。
279.参照图1a至图4b、图5、图7b、图7c、图8至图16、图17b、图18a和图18b，在保护层psv上形成第一堤图案bnk1。在保护层psv上，第一堤图案bnk1可以与相邻的第一堤图案bnk1间隔开预定距离。第一堤图案bnk1可以包括由无机材料形成的无机绝缘层或者由有机材料形成的有机绝缘层。
280.当在平面图中观看时，第一堤图案bnk1可以形成为圆环形状(或闭环形状)，并且可以在每个发射区域ema中与相邻的第一堤图案bnk1一起形成同心圆结构。第一堤图案bnk1的形状不限于上述实施例，并且可以在能够进一步确保通过第一电极el1至第四电极el4在显示装置的图像显示方向上行进的光量的范围内以各种形状设置。
281.参照图1a至图4b、图5、图7b、图7c、图8至图16、图17c以及图18a至图18c，在包括第一堤图案bnk1的保护层psv上形成包括具有高反射率的导电材料(或物质)的第一电极el1至第四电极el4。
282.可以在第一堤图案bnk1上形成第一电极el1至第四电极el4中的每个。
283.可以使第四电极el4位于每个像素pxl的发射区域ema的中心(或中间)(例如，核心)处，并且第四电极el4可以形成孤立的圆形岛形状。可以将第三电极el3形成为沿着第四电极el4的圆周方向围绕第四电极el4的外围的圆环形状。可以将第二电极el2形成为沿着第三电极el3的圆周方向围绕第三电极el3的外围的圆环形状。可以使第一电极el1位于每个像素pxl的发射区域ema的最外面的部分处，并且可以将第一电极el1形成为沿着第二电极el2的圆周方向围绕第二电极el2的外围的多边形环形状。
284.在本公开的实施例中，第一电极el1可以通过第一接触孔ch1电连接到第一导电线cl1，第二电极el2可以通过第二接触孔ch2电连接到第二导电线cl2，第三电极el3可以通过第三接触孔ch3电连接到第三导电线cl3，并且第四电极el4可以通过第四接触孔ch4电连接到第四导电线cl4。
285.参照图1a至图4b、图5、图7b、图7c、图8至图16以及图18a至图18d，在包括第一电极el1至第四电极el4的保护层psv上形成绝缘材料层insm。绝缘材料层insm可以包括由无机材料形成的无机绝缘层或者由有机材料形成的有机绝缘层。
286.随后，在每个像素pxl的外围区域中形成第二堤图案bnk2。此时，可以在绝缘材料层insm上形成第二堤图案bnk2。第二堤图案bnk2可以是在每个像素pxl和与每个像素pxl相
邻的像素pxl之间限定(或分割)发射区域ema的结构(例如，像素限定层)。
287.参照图1a至图4b、图5、图7b、图7c、图8至图16、图17d以及图18a至图18e，通过经由第一导电线cl1至第四导电线cl4向第一电极el1至第四电极el4中的每个施加对应的对准信号(或对准电压)，在第一电极el1至第四电极el4之间形成电场。例如，当将具有预定电压和周期的ac电源或dc电源重复地施加到第一电极el1至第四电极el4中的每个若干次时，可以在第一电极el1至第四电极el4之中的两个相邻电极之间形成根据两个相邻电极的电位差的电场。
288.在本公开的实施例中，第一电极el1可以通过第一导电线cl1从第一对准垫接收第一对准信号，第二电极el2可以通过第二导电线cl2从第二对准垫接收第二对准信号，第三电极el3可以通过第三导电线cl3从第三对准垫接收第三对准信号，并且第四电极el4可以通过第四导电线cl4从第四对准垫接收第四对准信号。第一对准信号至第四对准信号可以具有不同的电压电平。
289.如上所述，在其中第一电极el1至第四电极el4之间形成电场的状态下，使用喷墨印刷方法等将包括发光元件ld的混合溶液注入(或供应)到每个像素pxl的发射区域ema。例如，可以在绝缘材料层insm上设置喷墨喷嘴，并且可以通过喷墨喷嘴将其中混合有多个发光元件ld的溶剂注入(或供应)到每个像素pxl的发射区域ema。这里，溶剂可以是丙酮、水、乙醇和甲苯中的任一种或更多种，但是本公开不限于此。例如，溶剂可以呈墨或糊剂的形式。将发光元件ld注入(或供应)到每个像素pxl的发射区域ema的方法不限于上述实施例，并且注入(或供应)发光元件ld的方法可以不同地改变。
290.在将发光元件ld注入(或供应)到每个像素pxl的发射区域ema之后，可以去除溶剂。
291.当将发光元件ld注入到发射区域ema时，可以通过在第一电极el1与第二电极el2之间、在第二电极el2与第三电极el3之间以及在第三电极el3与第四电极el4之间形成的电场引起发光元件ld的自对准。因此，发光元件ld可以在第一电极el1与第二电极el2之间、在第二电极el2与第三电极el3之间以及在第三电极el3与第四电极el4之间对准。此时，可以在每个像素pxl的发射区域ema中使发光元件ld在两个对应的相邻电极之间的绝缘材料层insm上对准和/或设置。例如，第一发光元件ld1可以在第一电极el1与第二电极el2之间的绝缘材料层insm上对准，第二发光元件ld2可以在第二电极el2与第三电极el3之间的绝缘材料层insm上对准，并且第三发光元件ld3可以在第三电极el3与第四电极el4之间的绝缘材料层insm上对准。
292.根据实施例，发光元件ld可以包括至少一个反向发光元件ldr，所述至少一个反向发光元件ldr在每个像素pxl的发射区域ema中根据施加到第一电极el1至第四电极el4中的每个的对准信号的波形、强度等在与正向方向相反的方向上连接。
293.如上所述，通过经由调整在对准发光元件ld的步骤中施加的对准信号来控制在第一电极el1至第四电极el4之间形成的电场的方向或强度的方法，可以调整每个像素pxl的发射区域ema中连接到与正向方向的发光元件ld相反的方向的发光元件(例如，反向发光元件ldr)的比例，或者可以将正向方向的发光元件ld密集地设置在特定位置处。
294.在本公开的实施例中，可以在每个像素pxl的发射区域ema中相对于第四电极el4以径向形状(或径向地)对准和/或设置发光元件ld。在发光元件ld在每个像素pxl的发射区
域ema中对准之后，第一对准垫至第四对准垫中的每个可以停止向对应的导电线供应对应的对准信号。根据实施例，在发光元件ld对准之后，第一对准垫至第四对准垫中的每个可以与对应的导电线电断开，因此第一对准垫至第四对准垫中的每个可以不向对应的导电线供应对应的对准信号。
295.参照图1a至图4b、图5、图7b、图7c、图8至图16以及图18a至图18f，在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之后，在发光元件ld中的每个上形成第二绝缘层ins2。第二绝缘层ins2可以覆盖发光元件ld中的每个的上表面的至少一部分，以使除了发光元件ld中的每个的活性层12之外的两端ep1和ep2暴露于外部。
296.可以通过形成第二绝缘层ins2的工艺或在形成第二绝缘层ins2的工艺之前和之后执行的蚀刻工艺来蚀刻绝缘材料层insm以使第一电极el1至第四电极el4中的每个的一部分暴露，因此可以形成第一绝缘层ins1。
297.参照图1a至图4b、图5、图7b、图7c、图8至图16、图17e以及图18a至图18g，在包括第二绝缘层ins2的保护层psv上形成第一接触电极cne1至第四接触电极cne4。
298.可以在第一电极el1和第一发光元件ld1中的每个的两端ep1和ep2中的一端上直接形成第一接触电极cne1。可以在第二电极el2、第一发光元件ld1中的每个的两端ep1和ep2中的剩余端以及第二发光元件ld2中的每个的两端ep1和ep2中的一端上直接形成第二接触电极cne2。可以在第三电极el3、每个第二发光元件ld2的两端ep1和ep2中的剩余端以及第三发光元件ld3中的每个的两端ep1和ep2中的一端上直接形成第三接触电极cne3。可以在第四电极el4和第三发光元件ld3中的每个的两端ep1和ep2中的剩余端上直接形成第四接触电极cne4。
299.参照图1a到图4b、图5、图7b、图7c、图8到图16、图17f以及图18a至图18h，去除第二导电线cl2和第三导电线cl3中的每条的一部分以使第二导电线cl2和第三导电线cl3中的每条处于浮置状态。因此，在每个像素pxl的发射区域ema中对准的第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3可以串联连接，因此驱动电流可以通过包括在每个像素pxl中的像素电路部144的第一晶体管t1(例如，驱动晶体管)从第一电源线pl1流到第四导电线cl4和pl2。
300.当执行去除第二导电线cl2和第三导电线cl3中的每条的一部分的工艺时，可以去除位于每个像素pxl和与其相邻的像素pxl之间的第一电极el1的一部分。因此，每个像素pxl可以同与其相邻的像素pxl被独立地(或单独地)驱动。
301.随后，形成覆盖第一接触电极cne1至第四接触电极cne4的封装层enc。封装层enc可以具有其中交替地堆叠有至少一个无机层和至少一个有机层的结构。
302.图19是示出根据另一实施例的图8的像素的图，并且是仅包括显示元件部的部分构造的像素的示意性平面图。
303.在图19中，像素pxl的结构被简化，诸如仅示出了包括在像素pxl中的第一导电线至第四导电线、第一电极至第四电极以及多个发光元件，但是本公开不限于此。
304.关于图19的像素，省略了与上述图8的实施例的构造相同或相似的构造的详细描述。
305.参照图1a至图5、图7b、图7c和图19，其中设置有每个像素pxl的像素区域pxa可以包括发射光的发射区域ema和围绕发射区域ema的外围的外围区域。每个像素pxl可以包括
第一导电线cl1至第四导电线cl4、第一电极el1至第四电极el4和多个发光元件ld。
306.第四电极el4可以位于每个像素pxl的发射区域ema的中心(或中间)(例如，核心)处，并且可以具有圆形岛形状。第三电极el3可以具有沿着第四电极el4的圆周方向围绕第四电极el4的外围的圆环形状。此时，第三电极el3和第四电极el4可以彼此间隔开预定距离并且可以彼此电分离。也就是说，第三电极el3和第四电极el4可以彼此绝缘。第四电极el4可以被第三电极el3围绕并且可以是孤立的。
307.第二电极el2可以具有沿着第三电极el3的圆周方向围绕第三电极el3的外围的圆环形状。此时，第二电极el2和第三电极el3可以彼此间隔开预定距离，并且可以彼此电分离。也就是说，第二电极el2和第三电极el3可以彼此绝缘。第三电极el3可以被第二电极el2围绕并且可以是孤立的。
308.第一电极el1可以具有沿着第二电极el2的圆周方向围绕第二电极el2的外围的多边形环形状。具体地，第一电极el1可以具有多边形形状(例如八边形形状)，在该多边形形状中，与第二电极el2相邻的内表面具有由具有预定曲率的曲线形成的圆环形状，并且位于发射区域ema的最外面的部分处的外表面由直线形成。具有上述形状的第一电极el1和第二电极el2可以彼此间隔开预定距离，并且可以彼此电分离。也就是说，第一电极el1和第二电极el2可以彼此绝缘。第二电极el2可以被第一电极el1围绕并且可以是孤立的。在上述实施例中，第一电极el1具有多边形环形状，但是本公开不限于此。根据实施例，第一电极el1可以具有与第二电极el2和第三电极el3相同的圆环形状。
309.在每个像素pxl的发射区域ema中，第一电极el1至第四电极el4可以具有同心圆结构。发光元件ld可以对准和/或设置在第一电极el1至第四电极el4之间。发光元件ld可以在发射区域ema中相对于第四电极el4以径向形状(或径向地)对准和/或设置。因此，发光元件ld可以在每个像素pxl的发射区域ema中不被对准和/或设置为在特定方向上偏置。因此，从发光元件ld中的每个发射的光可以在各种方向上行进而不集中在特定方向上。
310.图20是示出根据又一实施例的根据本公开的实施例的像素的示意性平面图，图21是沿着图20的线v～v’截取的剖视图，图22是示出流过根据本公开的实施例的像素的驱动电流的平面图，并且例如示出了流过图20的像素的驱动电流的流动，并且图23是示出当发光元件在图20的像素中对准时的形状的图，并且是仅包括显示元件部的部分构造的像素的示意性平面图。
311.关于图20至图23的像素，主要描述与上述实施例的差异，以避免重复描述。在本公开中未具体描述的部分是根据上述实施例的，并且相同的标号表示相同的组件，并且相似的标号表示相似的组件。
312.参照图1a至图5、图7b、图7c和图20至图23，每个像素pxl可以包括像素电路部pcl和显示元件部dpl，像素电路部pcl包括像素电路144，显示元件部dpl包括多个发光元件ld。发光元件ld可以位于其中设置有每个像素pxl的像素区域pxa的发射区域ema中。
313.像素电路部pcl可以包括至少一个晶体管t、第一导电线cl1和第二导电线cl2以及至少一个绝缘层。显示元件部dpl可以包括第一电极el1至第四电极el4、多个发光元件ld、第一堤图案bnk1和第二堤图案bnk2以及接触电极cne。
314.第一导电线cl1和第二导电线cl2可以具有在基底sub上在第二方向dr2(例如，竖直方向)上延伸的条形状。第一导电线cl1和第二导电线cl2可以设置和/或形成在第一层间
绝缘层ild1上。第一导电线cl1可以与包括在像素电路部pcl中的驱动晶体管(例如，第一晶体管t1)的第二端子de一体地设置，以电连接到第一晶体管t1的第二端子de。根据实施例，第一导电线cl1可以与第一晶体管t1的第二端子de非一体地设置，并且可以通过诸如接触孔和桥电极的单独的连接方式电连接到第一晶体管t1的第二端子de。
315.第一导电线cl1可以通过穿过第二层间绝缘层ild2和保护层psv的第一接触孔ch1电连接到显示元件部dpl的第一电极el1。另外，第一导电线cl1可以通过穿过第二层间绝缘层ild2和保护层psv的第三接触孔ch3电连接到显示元件部dpl的第三电极el3的部分构造(例如，第3-2电极el3_2)。这里，第3-2电极el3_2可以处于电隔离状态，例如，处于浮置状态。也就是说，第一导电线cl1可以通过第三接触孔ch3连接到作为浮置电极的第3-2电极el3_2。
316.在本公开的实施例中，当发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准时，第一导电线cl1可以通过将预定对准信号(或对准电压)传输到第一电极el1和第三电极el3来允许第一电极el1和第三电极el3中的每个用作第一对准电极(或第一对准线)。另外，在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之后，第一导电线cl1可以电连接到像素电路部pcl的驱动晶体管(例如，第一晶体管t1)，以允许第一电极el1用作发光元件ld的驱动电极。另外，在发光元件ld对准之后，通过去除第三电极el3的一部分，第一导电线cl1可以连接到在浮置状态下的第3-2电极el3_2。
317.第二导电线cl2可以通过穿过第二层间绝缘层ild2和保护层psv的第四接触孔ch4电连接到显示元件部dpl的第四电极el4。另外，第二导电线cl2可以通过穿过第二层间绝缘层ild2和保护层psv的第二接触孔ch2电连接到显示元件部dpl的第二电极el2的部分构造(例如，第2-2电极el2_2)。这里，第2-2电极el2_2可以处于电隔离状态，例如，处于浮置状态。也就是说，第二导电线cl2可以通过第三接触孔ch3连接到作为浮置电极的第2-2电极el2_2。第二导电线cl2可以是在图7b和图7c中所示的像素pxl中的被施加第二驱动电源vss的第二电源线pl2。
318.在本公开的实施例中，当发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准时，第二导电线cl2可以通过将预定对准信号(或对准电压)传输到第二电极el2和第四电极el4来允许第二电极el2和第四电极el4中的每个用作第二对准电极(或第二对准线)。另外，在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之后，第二导电线cl2可以通过将第二驱动电源vss传输到第四电极el4来允许第四电极el4用作发光元件的驱动电极。另外，在对准发光元件ld之后，通过去除第二电极el2的一部分，第二导电线cl2可以连接到在浮置状态下的第2-2电极el2_2。
319.在本公开的实施例中，第四电极el4可以具有设置在每个像素pxl的发射区域ema的中心(或中间)(例如，核心)处的圆形形状。
320.第三电极el3可以与第四电极el4间隔开，并且可以具有沿着第四电极el4的圆周方向围绕第四电极el4的外围的形状。在本公开的实施例中，第三电极el3可以包括其中至少一个区域是开放的(或敞开的)的形状的第3-1电极el3_1和与第3-1电极el3_1间隔开的第3-2电极el3_2。例如，第3-1电极el3_1可以具有“c”形状。
321.在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之前，第三电极el3可以以围绕第四电极el4的椭圆环形状设置，如图23中所示。当发光元件ld在发射区域ema中对准时，
第三电极el3可以用作第一对准电极，第一对准电极用于通过与第一电极el1一起从第一导电线cl1接收第一对准信号(或第一对准电压)来对准发光元件。也就是说，当发光元件ld在发射区域ema中对准时，相同的对准信号(例如，第一对准信号)可以通过第一导电线cl1传输到第一电极el1和第三电极el3。
322.当发光元件ld的对准完成时，可以去除或断开第三电极el3的一部分。因此，在发光元件ld的对准完成之后，第三电极el3可以以包括其中至少一个区域是敞开的第3-1电极el3_1和与第3-1电极el3_1间隔开并电分离的第3-2电极el3_2的形状设置。当发光元件ld的对准完成时，第3-1电极el3_1可以成为用于将驱动电流施加到在第三电极el3和与第三电极el3相邻的电极之间对准的发光元件ld的连接路径，并且第3-2电极el3_2可以处于浮置状态。在本公开的实施例中，第3-1电极el3_1可以以围绕第四电极el4的一个区域的形状设置，并且第3-2电极el3_2可以以围绕第四电极el4的另一区域的形状设置。当在平面图中观看时，第3-2电极el3_2可以设置和/或形成在第三电极el3的一个开口区域中。
323.第二电极el2可以与第三电极el3间隔开，并且可以具有围绕第三电极el3的外围的形状。在本公开的实施例中，第二电极el2可以包括其中至少一个区域是开放的(或敞开的)形状的第2-1电极el2_1和与第2-1电极el2_1间隔开的第2-2电极el2_2。例如，第2-1电极el2_1可以具有“c”形状。
324.在发光元件ld在每个像素pxl的发射区域ema中对准之前，第二电极el2可以具有围绕第三电极el3的椭圆环形状，如图23中所示。当发光元件ld在发射区域ema中对准时，第二电极el2可以用作第二对准电极，第二对准电极用于通过与第四电极el4一起从第二导电线cl2接收第二对准信号(或第二对准电压)来对准发光元件。也就是说，当发光元件ld在发射区域ema中对准时，相同的对准信号(例如，第二对准信号)可以通过第二导电线cl2传输到第二电极el2和第四电极el4。
325.当发光元件ld的对准完成时，可以去除或断开第二电极el2的一部分。因此，在发光元件ld的对准完成之后，第二电极el2可以以包括其中至少一个区域是敞开的第2-1电极el2_1和与第2-1电极el2_1间隔开并电分离的第2-2电极el2_2的形状设置。当发光元件ld的对准完成时，第2-1电极el2_1可以成为用于将驱动电流施加到在第二电极el2和与第二电极el2相邻的电极之间对准的发光元件ld的连接路径，并且第2-2电极el2_2可以处于浮置状态。在本公开的实施例中，第2-1电极el2_1可以以围绕第三电极el3的一个区域的形状设置，并且第2-2电极el2_2可以以围绕第三电极el3的另一区域的形状设置。当在平面图中观看时，第2-2电极el2_2可以设置和/或形成在第二电极el2的一个开口区域中。
326.第一电极el1可以与第二电极el2间隔开，并且可以具有围绕第二电极el2的外围的形状。例如，第一电极el1可以具有围绕第二电极el2的外围的菱形的环形状。
327.上述第一电极el1至第四电极el4可以在每个像素pxl的发射区域ema中具有同心圆结构。因此，发光元件ld可以相对于位于发射区域ema的核心处的第四电极el4以径向形状(或径向地)对准。
328.发光元件ld可以包括在第一电极el1与第二电极el2之间对准的至少一个第一发光元件ld1、在第二电极el2与第三电极el3之间对准的至少一个第二发光元件ld2以及在第三电极el3与第四电极el4之间对准的至少一个第三发光元件ld3。
329.在每个像素pxl的发射区域ema中，第一电极el1和第二电极el2以及并联连接在第
一电极el1与第二电极el2之间的第一发光元件ld1可以构成第一串联级，第二电极el2和第三电极el3以及并联连接在第二电极el2与第三电极el3之间的第二发光元件ld2可以构成第二串联级，并且第三电极el3和第四电极el4以及并联连接在第三电极el3与第四电极el4之间的第三发光元件ld3可以构成第三串联级。还可以在每个串联级中的两个相邻电极之间设置在反向方向上连接的至少一个反向发光元件ldr。
330.当假设驱动电流通过包括在每个像素pxl中的像素电路部pcl的第一晶体管t1从第一电源线pl1流到第二导电线cl2时，驱动电流可以通过第一导电线cl1和第一接触孔ch1流到第一电极el1中。流到第一电极el1中的驱动电流经由第一发光元件ld1流到第2-1电极el2_1。因此，设置在第一电极el1与第2-1电极el2_1之间的第一发光元件ld1可以发射具有与分配给第一发光元件ld1中的每个的电流对应的亮度的光。流过第2-1电极el2_1的驱动电流经由第二发光元件ld2流到第3-1电极el3_1。因此，第二发光元件ld2可以发射具有与分配给第二发光元件ld2中的每个的电流对应的亮度的光。流过第3-1电极el3_1的驱动电流经由第三发光元件ld3流到第四电极el4。因此，第三发光元件ld3可以发射具有与分配给第三发光元件ld3中的每个的电流对应的亮度的光。
331.在上述方法中，每个像素pxl的驱动电流可以在顺序地穿过设置在第一电极el1与第2-1电极el2_1之间的第一发光元件ld1、设置在第2-1电极el2_1与第3-1电极el3_1之间的第二发光元件ld2以及设置在第3-1电极el3_1与第四电极el4之间的第三发光元件ld3的同时流动。因此，每个像素pxl可以发射具有与在每个帧时段期间供应的数据信号对应的亮度的光。
332.尽管已经参照本公开的优选实施例描述了上述内容，但是本领域技术人员或具有对应的技术领域的普通知识的技术人员将理解的是，在不脱离稍后将描述的权利要求中描述的本公开的技术范围的情况下，本公开可以不同地改变和修改。
333.因此，本公开的技术范围不应限于说明书的详细描述中描述的内容，而应由权利要求限定。