绝缘栅双极晶体管的制作方法

1.本发明涉及功率半导体装置领域。特别地，它涉及根据权利要求1和3的前序的绝缘栅双极晶体管(igbt)。


背景技术：

2.具有如图1中所示的沟槽金属氧化物半导体(mos)单元设计的现有技术igbt具有例如带栅极层70的沟槽栅极电极7，该栅极层通过栅极绝缘层72与p型掺杂基极层3、n+型掺杂源极层2和n-型掺杂漂移层5电绝缘。沟槽栅极电极7布置在与基极层3相同的平面中且横向于其布置，并且比基极层3更深地延伸到漂移层5中。
3.对于此类沟槽栅极电极设计，导通状态损耗比平面栅极设计的导通状态损耗更低，因为沟槽设计提供竖直mos沟道，其在竖直方向上提供电子的增强注入并且在单元附近不遭受来自电荷扩散(所谓的jfet效应)的缺陷。因此，沟槽单元示出了针对更低损耗的改进很多的载流子增强。由于竖直沟道设计所致，与平面栅极设计相比，沟槽由于出自mos沟道的改进的电子扩散而也提供较小的空穴泄漏效应(hole drain effect)(pnp效应)。在沟槽的底部处，存在累积层，其为pin二极管部分提供强电荷增强。因此，宽和/或深的沟槽示出了最佳性能。沟槽设计针对降低的沟道电阻而提供大的单元组装密度。然而，沟槽设计由于高峰值电场所致而在沟槽的底角附近遭受更低的阻断能力。沟槽设计在沟槽栅极下方具有大的mos累积区和关联电容，其中难以为了miller电容降低而在沟槽中应用场氧化物类型层。因此，如图1中所示的现有技术装置导致差的可控性和高的开关损耗。此外，沟槽设计中的高单元密度将导致高短路电流。
4.us 2017271490 a1公开了一种半导体装置，其包括在第一半导体区和第二电极之间的第三电极、在第一半导体区和第二电极之间的第四电极、在第一半导体区和第二电极之间以及在第三电极和第四电极之间的第二半导体区、在第二半导体区和第二电极之间的第三半导体区、在第一半导体区和第二电极之间的待电连接到第二电极的第四电极、以及在第一电极和第一半导体区之间的第五半导体区。第一绝缘膜设于第三电极和第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、以及第二电极之间。第二绝缘膜设于第四半导体区和第一半导体区、第二半导体区、以及第四半导体区之间。
5.us 2015263148 a1公开了一种半导体装置，其包括第一电极、第二电极、第一半导体层、第一半导体区、第二半导体区和绝缘层。第一半导体层设于第一电极和第二电极之间，并且接触第一电极。第一半导体区设于第一半导体层和第二电极之间，并且接触第二电极。第二半导体区设于第一半导体区和第二电极之间，并且接触第二电极。第二半导体区的杂质浓度高于第一半导体区的杂质浓度。绝缘层的一端接触第二电极且另一端定位在第一半导体层中。绝缘层沿着第二电极在第一方向上从第一电极朝向第二电极延伸。
6.us 6,417,554 b1公开了一种三层igbt，其不能锁存并设有沟槽栅极和到包围沟槽栅极的耗尽区的肖特基接触。发射极接触连接到基极扩散区，该基极扩散区扩散到耗尽区中。耗尽区形成在发射极区的顶部上，该发射极区响应于栅极的接通和来自肖特基栅极
的载流子注入而将载流子发射到耗尽区中。
7.ep 3 471 147 a1公开了一种igbt，其包括至少两个第一单元，这些第一单元中的每一个具有n型掺杂源极层、p型掺杂基极层、n型掺杂增强层(其中，基极层将源极层与增强层分开)、n型掺杂漂移层和p型掺杂集电极层。两个沟槽栅极电极布置在第一单元的横向侧上。晶体管包括在两个相邻第一单元的沟槽栅极电极之间的至少一个第二单元，所述至少一个第二单元在发射极侧上具有p+型掺杂阱和将阱与相邻沟槽栅极电极分开的另外的n型掺杂增强层。绝缘体层堆布置在发射极侧上的第二单元的顶部上，以使第二单元和相邻的沟槽栅极电极与金属发射极电极绝缘，该绝缘体层堆由第一绝缘层和第二绝缘层组成，其中，绝缘体堆在阱的顶部上具有第一层厚度加第二绝缘层厚度构成的厚度，并且在栅极层的顶部上具有第二绝缘层厚度构成的厚度，其中，第一绝缘层和第二绝缘层的每个厚度是至少700nm。


技术实现要素：

8.本发明的目的是提供一种功率半导体装置，其具有用于在切断事件期间空穴逸出的退化改进路径，同时相对于标准接触等效解决方案将静态损耗保持在低水平。
9.本发明的目的例如通过带有权利要求1或3的特征的半导体装置来解决。在从属权利要求中指定了本发明的进一步发展。
10.示例性地，根据本发明的实施例的绝缘栅双极晶体管从发射极侧上的源极电极到与发射极侧相对的集电极侧上的集电极电极至少包括以下层：第一导电类型的至少源极层；第二导电类型的基极层，该第二导电类型不同于第一导电类型，其中，源极层和基极层电接触源极电极；以及第一导电类型的漂移层。此外，绝缘栅双极晶体管包括：第二导电类型的集电极层，其布置在漂移层和集电极电极之间并且电接触集电极电极；至少两个沟槽栅极电极，其延伸穿过基极层进入漂移层中，所述至少两个沟槽栅极电极中的每一个包括：导电栅极层，其横向于基极层布置；以及栅极绝缘层，其将栅极层与任何掺杂层分开；其中，沟道可形成在源极层、基极层和漂移层之间。至少一个沟槽肖特基电极包括：导电肖特基层，其横向于基极层布置并延伸穿过基极层进入漂移层中，并且其中，肖特基层电连接到源极电极；以及肖特基绝缘层，其将肖特基层与基极层分开。第二导电类型的收集区域布置在所述至少两个沟槽栅极电极的沟槽栅极电极的底部处以及所述至少一个沟槽肖特基电极的沟槽肖特基电极的底部处。收集区域位于漂移层中并通过漂移层彼此横向地分开；其中，肖特基层在接触区域处形成到收集区域的肖特基接触。
11.根据本发明的进一步优点将从从属权利要求显而易见。
附图说明
12.本发明的实施例的主题将参考附图在以下本文中更详细地解释，在附图中：
13.图1示出了带有沟槽栅极电极的igbt；
14.图2示出了根据本发明的实施例的带有肖特基源极/阴极接触的另一个igbt；
15.图3示出了根据本发明的另一个实施例的带有肖特基源极/阴极接触的另一个igbt；
16.图4示出了根据本发明的另一个实施例的带有肖特基源极/阴极接触的另一个
igbt；
17.图5示出了根据本发明的另一个实施例的带有肖特基源极/阴极接触的另一个igbt；
18.在附图标记列表中概述了附图中使用的附图标记及其含义。通常，相似或相似机能的部分被给予相同的附图标记。所描述的实施例意在作为示例而不应限制本发明。
具体实施方式
19.现在将参考附图更充分地描述实施例的示例。
20.提供了示例实施例，使得本公开将是透彻的，并且将向本领域技术人员充分传达范围。阐述了众多具体细节，诸如具体部件、装置和方法的示例，以提供对本公开的实施例的透彻理解。对本领域技术人员将显而易见的是，无需采用具体细节，可以以许多不同的形式体现示例实施例，并且两者都不应被解释为限制本公开的范围。在一些示例实施例中，未详细描述众所周知的过程、众所周知的装置结构以及众所周知的技术。
21.本文中所使用的术语仅出于描述特定示例实施例的目的，并且不旨在为限制性的。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也可旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(including)”和“具有”是包括性的，且因此指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。除非被特定地识别为执行的顺序，否则本文中所描述的方法步骤、过程和操作将不被解释为必须要求它们的执行以所讨论或图示的特定顺序。
22.还将理解的是，可采用附加的或替代的步骤。
23.当元件或层被称为在另一个元件或层“上”、“接合到”、“连接到”或“联接到”另一个元件或层时，其可直接在另一元件或层上、接合到、连接到或联接到另一元件或层，或者可存在介入的元件或层。相比之下，当元件被称为“直接在另一个元件或层上”、“直接接合到”、“直接连接到”或“直接联接到”另一个元件或层时，可不存在介入元件或层。用于描述元件之间的关系的其他词语应以相似的方式解释(例如，“在
……
之间”与“直接在
……
之间”、“邻近”与“直接邻近”等)。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出项目中的一个或多个的任何和全部组合。
24.尽管本文中可使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、部件、区、层和/或区段，但是这些元件、部件、区、层和/或区段可不受这些术语的限制。这些术语可仅用于将一个元件、部件、区、层或区段与另一个区、层或区段区分开。除非由上下文明确指示，否则诸如“第一”、“第二”和其他数字术语之类的术语在本文中使用时并不暗示序列或顺序。因此，下文讨论的第一元件、部件、区、层或区段可被称为第二元件、部件、区、层或区段，而不脱离示例实施例的教导。
25.为便于描述，本文中可使用空间相对术语，诸如“内”、“外”、“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，以描述一个元件或特征与另一个或另一些元件或特征的关系，如图中所图示的。除了图中所描绘的取向之外，空间相对术语还可旨在涵盖在使用或操作中装置的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将然后被定向在所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”可涵盖上方和下方
两种取向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或处于其他取向)，并且相应地解释本文中使用的空间相对描述词。
26.此外，应注意，术语“包括”不排除其他元件或步骤，并且不定冠词“一”或“一个”不排除多个。而且，可组合联合不同实施例所描述的元件。还应注意，权利要求中的参考符号不应被理解为限制权利要求的范围。
27.在图2中所示的一个实施例中，绝缘栅双极晶体管从发射极侧90上的源极电极9到与发射极侧90相对的集电极侧97上的集电极电极95至少包括以下层：
[0028]-第一导电类型的源极层2，
[0029]-第二导电类型的基极层3，该第二导电类型不同于第一导电类型，其中，源极层2和基极层3电接触源极电极9，
[0030]-第一导电类型的漂移层5。根据一个实施例，漂移层可由第一导电类型的具有低的、基本上恒定的、低掺杂浓度的本体材料(bulk material)形成。在该上下文中，“低掺杂浓度”意指例如低于例如源极层2的掺杂浓度。其中，漂移层5的基本上恒定的掺杂浓度意指掺杂浓度在整个漂移层5中是基本上均匀的，然而，不排除也许可能存在漂移层内的大约一到五倍的掺杂浓度波动，这可能是由于例如外延生长过程中的波动所致。第一导电类型可以是n型，并且对于功率装置(电压超过600v)来说，本体材料的低掺杂浓度可在1*10
12
到5*10
14
/cm3的范围内。
[0031]
绝缘栅双极晶体管进一步包括：
[0032]-第二导电类型的集电极层6，其布置在漂移层5和集电极电极95之间并且电接触集电极电极95，
[0033]-至少两个沟槽栅极电极7、7’，其延伸穿过基极层3进入漂移层中，所述至少两个沟槽栅极电极7、7中的每一个包括：导电栅极层70、70’，其横向于基极层3布置；以及栅极绝缘层72、72’，其将栅极层70、70’与任何掺杂层分开。
[0034]
沟道可形成在源极层2、基极层3和漂移层5之间。
[0035]
绝缘栅双极晶体管进一步包括：
[0036]-至少一个沟槽肖特基电极15，其包括：导电肖特基层20，其横向于基极层3布置并延伸穿过基极层3进入漂移层5中，并且其中，肖特基层20电连接到源极电极9；以及肖特基绝缘层22，其将肖特基层20与基极层3分开，
[0037]-第二导电类型的收集区域30，其布置在所述至少两个沟槽栅极电极7、7’的沟槽栅极电极的底部处以及所述至少一个沟槽肖特基电极15的沟槽肖特基电极的底部处，其中，收集区域30位于漂移层5中并通过漂移层5横向地分开，其中，肖特基层20在接触区域处形成到收集区域30的肖特基接触。肖特基接触是具有大势垒高度和低掺杂浓度的金属-半导体接触，该低掺杂浓度小于导带或价带中的态密度。与此相反，欧姆接触被定义为具有相对于半导体的体电阻或串联电阻可忽略不计的接触电阻的金属-半导体接触。欧姆接触也可以被定义为具有线性电流(i)-电压(v)曲线(正如欧姆定律r*i＝u)的两个导体之间的结。第二导电类型的基极层3通过第一导电类型的漂移层5与第二导电类型的收集区域30分开。
[0038]
为制造发明性绝缘栅双极晶体管，例如，执行以下制造步骤：
[0039]
提供带有呈环形式的收集区域30(例如，p型掺杂的)的igbt，如例如在图1中所示。
去除伪沟槽肖特基电极15中的肖特基绝缘层22(例如，形成为栅极氧化物)，使得沟槽肖特基电极15在其底部处开放。在该上下文中，伪沟槽是与栅极沟槽隔离并与源极电极连接的沟槽。沟槽底部中的开口形成肖特基层20和收集区域30之间的接触区域。第二导电类型的收集区域30可通过将掺杂剂(例如，硼)通过肖特基电极15中的底部开口进行植入而形成。在一个实施例中，收集区域(p型环掺杂)的平均掺杂浓度可在从5*e
15
/cm3到5*e
17
/cm3的范围内，例如，3*e
17
/cm3。在一个实施例中，在接触区域中的肖特基接触的平均掺杂浓度可在从1*e
15
/cm3到5*e
16
/cm3的范围内，例如，1*e
16
/cm3。制造第二导电类型的收集区域30的另一种方式可以是在第一导电类型的本体材料上外延生长收集区域30。外延生长的方法可用于深收集区域30，因为它们例如用于超级结igbt。在该上下文中，术语“深”是指不能再通过离子植入形成掺杂所处的深度，例如，比1μm深。其中，某个位置的深度意指该位置距发射极侧90的距离。超级结是朝向理想装置迈出的一大步，其中功率装置的导通状态电阻和导通损耗固有地大幅降低。由于使用新材料所致，超级结并不是一种改进。它是由针对耐压层(sustaining layer)的创新设计理念衍生的改进，代替展现一维(平面)结构的是，它被制造有复杂的二维或三维结构。超级结装置是基于电荷平衡的思想。超级结装置的漂移区具有多个(例如，p型)列，这些列在反向偏压下消除周围n型区中的电荷。结果，漂移区现在可以被更高程度地掺杂，因为组合结构对施加的反向电压提供更高的电阻。随着n型区变得被更重掺杂，其每单位面积的导通电阻降低。因此，超级结设计技术适用于不同的功率装置，但需要一种不同于用于常规(平面)功率装置的设计方法的设计方法。通过沟槽肖特基电极15的开口，肖特基金属/半导体接触得以在肖特基层20和收集区域30之间形成。因此，通过p型导电区(收集区域30)发生空穴收集，该p型导电区通过肖特基接触连接到igbt的发射极/源极/阴极。能带图中的肖特基接触的肖特基势垒高度和宽度的形状可通过控制表面处的掺杂浓度或肖特基层20(例如，金属层或金属层堆)的功函数来调整，以便控制由该端子所收集的空穴量。因此，这也调整了漂移层5的发射极侧90处的电子注入。电荷累积越高，导通状态的压降越低。因此，肖特基接触允许控制空穴收集和更好地调整e
off
、vs、v
on
折衷。
[0040]
在本说明书中所描述的所有实施例中，可调整与肖特基接触的界面处的掺杂浓度或肖特基层20的功函数，以控制在发射极侧90上所收集的空穴量，并因此控制在igbt发射极侧上的漂移层5部分处的电子注入。在固态物理学中，功函数是将一个电子从固体移到紧贴固体表面外的真空点所需的最小热力学功(即，能量)，因此它被定义为费米能级和真空能阶之间的能量差。肖特基层20的功函数是克服肖特基势垒(在金属-半导体结处形成的电子势能垒)所需的能量，该肖特基势垒取决于金属和半导体的组合。
[0041]
在图3中所示的另一个实施例中，在集电极层6和漂移层5之间，布置第一导电类型的缓冲层10，并且第二导电类型的收集区域30从沟槽栅极电极7、7’和沟槽肖特基电极15竖直地延伸穿过漂移层5到缓冲层10。缓冲层10具有比漂移层5更高的掺杂浓度。该结构形成完整的超级结igbt结构，其中收集区域30(例如，p型层)形成在沟槽栅极电极的底部和肖特基电极的底部处，并且肖特基接触被置于沟槽中的至少一个中。尽管在图3的具体实施例中公开了增强层4，但与以上实施例类似，可跳过增强层4，只要第二导电类型的基极层3通过第一导电类型的漂移层5与第二导电类型的收集区域30分开。增强层4具有比漂移层5更高的掺杂浓度。在一个实施例中，增强层4的最大掺杂浓度可在1*10
15
到5*10
16
/cm3之间。
[0042]
示例性地，漂移层5具有恒定地低的掺杂浓度(与其他层(比如，缓冲层10或增强层
4)的作为示例的掺杂浓度相比是低的)。其中，漂移层5的基本上恒定的掺杂浓度意指掺杂浓度在整个漂移层5中是基本上均匀的，然而，不排除也许可能存在漂移层5内的大约一到五倍的掺杂浓度波动，这可能是由于制造原因所致。
[0043]
在另一个实施例中，在图4中所示的分裂栅igbt结构中，收集区域30(p型层)形成在漂移层5中的栅极沟槽下方。因为收集区域30(p型层)形成在本体材料的表面上，所以它可以例如通过植入到表面中被掺杂，之后将装置的其他元件(比如，栅极结构、基极层、源极层)形成在本体材料的顶部上。
[0044]
绝缘栅双极晶体管从发射极侧90上的源极电极9到与发射极侧90相对的集电极侧97上的集电极电极95至少包括以下层：
[0045]-第一导电类型的源极层2，
[0046]-第二导电类型的基极层3，该第二导电类型不同于第一导电类型，其中，源极层2和基极层3电接触源极电极9，
[0047]-漂移层5是第一导电类型的，
[0048]-第二导电类型的集电极层6，其布置在漂移层5和集电极电极95之间并且电接触集电极电极95，
[0049]-至少两个沟槽栅极电极7、7’，其比基极层3更深地延伸到漂移层5，所述至少两个沟槽栅极电极7、7’中的每一个包括导电栅极层70、70’，该导电栅极层横向于基极层3和场板82、82’布置，这些场板将栅极层70、70’与任何掺杂层分开，其中，沟道可形成在源极层2、基极层3和漂移层5之间。在功率装置中使用场板来操纵和重塑电场分布，以在将高电压施加到漏极/集电极电极时减小这些装置的最大电场。通过减小最大电场，场板提高了击穿电压并因此实现了在更高电压下的操作。场板82、82’可形成为氧化物。场板82、82’的厚度可大于0.2μm。
[0050]
此外，绝缘栅双极晶体管包括第二导电类型的收集区域30，这些收集区域布置在漂移层5中并通过场板82、82’与栅极层70、70’电绝缘，其中，收集区域30与源极电极9电连接并在接触区域处与源极电极9形成肖特基接触。
[0051]
在另一个实施例中，第二导电类型的收集区域30具有逆行分布，使得在接触区域处的第二导电类型的掺杂浓度低于在收集区域30的集电极侧97处的第二导电类型的掺杂浓度。更低的掺杂可在表面处形成肖特基接触以用于在切断期间进行空穴收集。更深的掺杂浓度可用于阻止耗尽区到达肖特基区域并引起装置过早破裂。因此，收集区域30(p型环)可在阻断状态下保持部分未耗尽。对于使用掺杂形成肖特基接触的所有p型环区可能是这种情况，即，表面可具有更低的掺杂并且耗尽区可能无法在阻塞下到达它。也可通过沟槽底部开口处的电荷补偿来实现表面处的更低掺杂，即，通过植入相反极性的电荷来降低本底掺杂。
[0052]
在如例如图5中所示的igbt装置的另一个示例性实施例中，形成具有比漂移层5更高的掺杂浓度的第一导电类型的增强层4，其中，增强层4形成在基极层3和漂移层5之间，并且其中，沟槽电极7、7’和肖特基电极15延伸穿过增强层4进入漂移层5中。具有增强层4的一个优点是增强导通状态性能，而基本的igbt功能性(mosfet的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流与低饱和电压能力的组合)没有改变。
[0053]
当在平面图中观察igbt装置时，栅极电极和肖特基电极可形成为条状设计。然而，
肖特基电极不一定必须形成为条状，而是也可形成在有效区域(active area)的较小部分中(例如，正方形状或圆形)，使得通过肖特基接触的空穴收集是在多个方向上完成的。该实施例的一个优点可以是通过减小的面积来改进对空穴收集的控制。
[0054]
在igbt装置的另一个示例性实施例中，空穴收集是通过肖特基接触和欧姆接触的组合发生的，这些接触可被置于相同或不同p型导电层上。肖特基接触和欧姆接触两者都连接到发射极，并且它们的面积比对于在导通状态压降和安全操作区域之间进行良好折衷很重要。欧姆接触可由与肖特基接触相同的金属化层制成并被置于比肖特基接触更加高度掺杂的p型层上，或者可由不同的金属化层制成。
[0055]
在igbt装置的另一个示例性实施例中，igbt的结构对应于根据图1的igbt的结构，但是装置表面上不接触源极层的一些源极触点与基极层3形成肖特基接触。这种结构的一个优点是，在装置表面上形成肖特基接触可以容易地实施到已经存在的装置制造过程中。但即使是在没有如例如图1中所示的p型环结构装置(该装置于是不形成本发明的实施例)中，连接到装置表面上的发射极/源极触点的肖特基接触也增强了对通过基极层进行的空穴收集的控制并允许改进对e
off
、vs、v
on
的调整。
[0056]“横向”在本描述中应意指两个层/区布置在相同平面中，该平面平行于发射极侧。在该平面内，层彼此横向相邻、并排或邻近布置，而层彼此之间可具有距离，即，另一个层可布置在两个层之间，但它们也可直接彼此邻近，即，彼此触及。层的“横向侧”应是垂直于发射极侧90的对象的各侧。
[0057]“竖直”在本描述中描述了垂直于发射极侧90的方向，该发射极侧与绝缘栅双极晶体管的集电极侧97相对。
[0058]
附图标记列表
[0059]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
源极层
[0060]
10
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
缓冲层
[0061]
15
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
肖特基电极
[0062]
20
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
肖特基层
[0063]
22
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
肖特基绝缘层
[0064]3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
基极层
[0065]
30
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
收集区域
[0066]4ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
增强层
[0067]5ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
漂移层
[0068]6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
集电极层
[0069]
7、7
’ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
沟槽栅极电极
[0070]
70、70
’ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
栅极层
[0071]
72、72
’ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
栅极绝缘层
[0072]
82、82
’ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
场板
[0073]9ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
发射极电极
[0074]
90
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
发射极侧
[0075]
95
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
集电极电极
[0076]
97
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
集电极侧