技术特征：
1.一种半导体模块，其特征在于，包含：第一器件，其具有igbt；以及第二器件，其具有与所述igbt反向并联连接的回流二极管，该回流二极管具有小于所述igbt的反向耐电压的正向阈值电压以及超过所述igbt的反向耐电压的正向击穿电压。2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，在所述回流二极管的正向电压达到正向击穿电压之前，在所述igbt中流过反向电流。3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，当所述回流二极管的正向电压为所述igbt的反向耐电压以上时，在所述igbt中流过反向电流。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体模块，其特征在于，流过所述igbt的反向电流为流过所述回流二极管的正向电流以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体模块，其特征在于，所述回流二极管的正向击穿电压为所述igbt的反向耐电压的2倍以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体模块，其特征在于，与所述igbt和所述回流二极管的组合结构相关的尖峰浪涌正向电流超过所述回流二极管单体的尖峰浪涌正向电流的值。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体模块，其特征在于，所述回流二极管由肖特基势垒二极管构成。8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体模块，其特征在于，所述igbt具有纵向结构，所述回流二极管具有纵向结构。9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体模块，其特征在于，所述igbt由沟槽栅极型构成。10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体模块，其特征在于，所述第一器件具有形成有所述igbt的第一半导体芯片，所述第二器件具有形成有所述回流二极管的第二半导体芯片，该第二半导体芯片包含与所述第一器件不同的半导体。11.根据权利要求10所述的半导体模块，其特征在于，所述第一半导体芯片包含si，所述第二半导体芯片包含宽带隙半导体。12.根据权利要求10或11所述的半导体模块，其特征在于，所述第二半导体芯片包含sic或gan。
技术总结
一种半导体模块，包含：第一器件，其具有IGBT；第二器件，其具有与所述IGBT反向并联连接的回流二极管，该回流二极管具有小于所述IGBT的反向耐电压的正向阈值电压以及超过所述IGBT的反向耐电压的正向击穿电压。述IGBT的反向耐电压的正向击穿电压。述IGBT的反向耐电压的正向击穿电压。
技术研发人员：后田敦史
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：2020.12.04
技术公布日：2022/8/5