发光器件和包括其的显示设备的制作方法

本申请要求于2020年1月30日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0011356号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种发光器件。
背景技术：
：示例发光器件包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的发射层。当从阳极提供的空穴和从阴极提供的电子在发射层中结合时，产生激子，激子可以从激发态下降到基态，从而产生光。发光器件可以在低电压下驱动，可以被构造为具有轻薄的设计，并且可以具有在视角、对比度和/或响应速度方面的优异特性。因此，发光器件已经被应用于越来越广泛的个人便携式装置(诸如mp3播放器、移动电话和电视(tv))。技术实现要素：本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种发光器件，该发光器件不具有暗点，具有优异的寿命特性并且由于简化的工艺而具有降低的生产成本。附加的方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过公开的所呈现的实施例的实践而获知。本公开的一个或更多个示例实施例提供了一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；发射层，位于第一电极与第二电极之间；空穴传输层，位于第一电极与发射层之间；空穴注入层，位于第一电极与空穴传输层之间；以及电子传输区域，位于发射层与第二电极之间，其中，空穴传输层和空穴注入层彼此不同，空穴注入层包括第一无机材料，第一无机材料是选自于钨(w)、钼(mo)、锌(zn)、铜(cu)、镍(ni)、钴(co)、镓(ga)和锗(ge)中的至少一种金属的氧化物，第一无机材料具有具备4.3ev至5.3ev(或在4.3ev至5.3ev之间)的绝对值的逸出功，并且空穴注入层和空穴传输层满足以下方程式1和方程式2：方程式1|elumo_hil|>|elumo_htl|+0.1ev方程式2|ehomo_hil|>|ehomo_htl|+0.1ev。在方程式1中，|elumo_hil|和|elumo_htl|分别指空穴注入层和空穴传输层的最低未占分子轨道(lumo)能级的绝对值，并且在方程式2中，|ehomo_hil|和|ehomo_htl|分别指空穴注入层和空穴传输层的最高占据分子轨道(homo)能级的绝对值。在一个实施例中，第一无机材料可以是选自于wo3、moo3、zno、cu2o、cuo、coo、ga2o3和geo2中的至少一种。在一个实施例中，空穴传输层可以包括选自于wo3、moo3、zno、cu2o、cuo、coo、ga2o3和geo2中的至少一种第二无机材料，并且第二无机材料可以不同于第一无机材料。在一个实施例中，空穴传输层的homo能级可以具有5.15ev或更小的绝对值。在一个实施例中，空穴注入层可以是无机空穴注入层，并且空穴传输层可以是无机空穴传输层。在一个实施例中，空穴传输层可以基本上不包括(例如，可以基本上排除)p掺杂剂。在一个实施例中，空穴传输层、空穴注入层和第一电极可以共同被湿蚀刻。在一个实施例中，发射层可以是包括选自于量子点和钙钛矿中的至少一种的无机发射层。在一个实施例中，发射层可以包括量子点，每个量子点具有核壳结构，核壳结构包括包含第一半导体晶体的核和包含第二半导体晶体的壳。在一些实施例中，例如，第一半导体晶体和第二半导体晶体可以均独立地包括基于12族-16族的化合物、基于13族-15族的化合物、基于14族-16族的化合物、基于11族-13族-16族的化合物、基于11族-12族-13族-16族的化合物或它们的任何组合。在一些实施例中，例如，第一半导体晶体和第二半导体晶体可以均独立地包括inp、inn、insb、inas、inasp、ingaas、ingap、zns、znse、znses、znte、zntese、gap、gan、gasb、gaas、cuins、cuinzns、agins2、cdse、cds、cdte、hgse、hgte、cdznse、cdsete、zncdse、in2s3、ga2s3、pbs、pbse、pbte或它们的任何组合。在一些实施例中，例如，第一半导体晶体可以包括inp、inn、insb、inas、inasp、ingaas、ingap、zns、znse、znses、znte、zntese、gap、gan、gasb、gaas、cuins、cuinzns、agins2、cdse、cds、cdte、hgse、hgte、cdznse、cdsete、zncdse或它们的任何组合，第二半导体晶体可以包括znse、zns、in2s3、ga2s3或它们的任何组合。在一些实施例中，例如，量子点可以均进一步包括连接到壳的配体。在一些实施例中，例如，配体可以是或包括油酸、辛胺、癸胺、巯基丙酸、十二烷硫醇、1-辛烷硫醇、亚硫酰氯或它们的任何组合。在一个实施例中，发射层可以是有机发射层。在一个实施例中，电子传输区域可以包括电子传输层，并且电子传输层可以包括无机材料。在一些实施例中，例如，电子传输层可以包括zno、tio2、wo3、sno2、mg掺杂的zno(znmgo)、al掺杂的zno(azo)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、znsiox(zso，0<x<5)、al掺杂的tio2、ga掺杂的tio2、in掺杂的tio2、al掺杂的wo3、ga掺杂的wo3、in掺杂的wo3、al掺杂的sno2、ga掺杂的sno2、in掺杂的sno2或它们的任何组合。在一个实施例中，电子阻挡层可以进一步位于空穴传输层与发射层之间。在一个实施例中，空穴阻挡层可以进一步位于发射层与电子传输区域之间。本公开的一个或更多个示例实施例提供了一种显示设备，所述显示设备包括薄膜晶体管和发光器件，薄膜晶体管包括源电极、漏电极和有源层，其中，发光器件的第一电极电连接到选自于薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个。附图说明通过下面结合附图进行的描述，公开的某些实施例的以上和其他方面、特征以及优点将更加明显，附图包括图1和图2：图1和图2均为根据实施例的发光器件的结构的示意图。具体实施方式现在将详细参照实施例，实施例的示例示出在附图中，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件，并且可以不提供其重复描述。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例以解释本描述的各方面。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者它们的变型。本公开可以采取各种实施例的形式，并且可以包括其各种转换，各种实施例的示例示出在附图中并且在具体实施方式中被描述。将通过参考参照附图详细描述的示例来阐明本公开的效果和特征以及实现其的方法。然而，本公开不限于以下公开的示例，并且可以以各种形式实现。将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。如这里使用的，当诸如“……中的至少一个(种/者)”、“……中的一个(种/者)”和“从……中选择”的表述位于一列元件(要素)之后时，修饰整列元件(要素)，而不是修饰该列的个别元件(要素)。还将理解的是，这里使用的术语“包括”、“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征或组件。此外，当描述本公开的实施例时，“可以(可)”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。在下面的实施例中，当诸如层、膜、区域、板等的各种组件被称为“在”另一组件“上”时，其可以包括其中层、膜、区域或板“紧接在”所述另一组件“上”的情况以及还包括其中另外的组件置于其间的情况。为了便于说明，可以夸大附图中的元件的尺寸。换句话说，因为为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以本公开的以下实施例不限于此。在本公开中，可以通过使用b3lyp泛函的密度泛函理论(dft)使用具有分子结构优化的高斯09来计算或评价最高占据分子轨道(homo)能级、最低未占分子轨道(lumo)能级以及化合物或材料的逸出功。当层被描述为“有机层”时，该层可以由一种或更多种有机材料组成，可以基本上由一种或更多种有机材料形成或组成，或者可以由其中有机组分总量大于50％的材料的混合物形成或组成。当层被描述为“无机层”时，该层可以由一种或更多种无机材料组成，可以基本上由一种或更多种无机材料形成或组成，或者可以由其中无机组分总量大于50％的材料的混合物形成或组成。在一些实施例中，“有机层”可以不限于包括有机材料，并且在一些实施例中，“有机层”可以仅包括有机材料。同样地，在一些实施例中，“无机层”可以不限于包括无机材料，并且在一些实施例中，“无机层”可以仅包括无机材料。[图1的描述]图1是根据本公开的实施例的发光器件100的示意性剖视图。在下文中，将结合图1描述根据本公开的实施例的发光器件100的结构和制造发光器件100的方法。参照图1，根据实施例的发光器件100包括：第一电极110；第二电极190，面对第一电极110；发射层150，在第一电极110与第二电极190之间；空穴传输层132，在第一电极110与发射层150之间；空穴注入层131，在第一电极110与空穴传输层132之间；以及电子传输区域170，在发射层150与第二电极190之间，其中，空穴传输层132和空穴注入层131彼此(例如，如这里描述的，在组成、结构和/或电子结构上)不同(例如，有区别的或可区分的)，空穴注入层131包括第一无机材料，第一无机材料是选自于钨(w)、钼(mo)、锌(zn)、铜(cu)、镍(ni)、钴(co)、镓(ga)和锗(ge)中的至少一种金属的氧化物，第一无机材料具有约4.3ev至约5.3ev的绝对值的逸出功，并且空穴注入层131和空穴传输层132满足以下方程式1和方程式2：方程式1|elumo_hil|>|elumo_htl|+0.1ev方程式2|ehomo_hil|>|ehomo_htl|+0.1ev。在方程式1中，|elumo_hil|和|elumo_htl|分别指空穴注入层131和空穴传输层132的lumo能级的绝对值，在方程式2中，|ehomo_hil|和|ehomo_htl|分别指空穴注入层131和空穴传输层132的homo能级的绝对值。与空穴传输层132和空穴注入层131之间的相同构造的情况(例如，在空穴传输层132和空穴注入层131具有相同或更相似的能级结构时的情况)相比，由于空穴传输层132与空穴注入层131之间的能级构造不同(例如，由于空穴传输层132和空穴注入层131的上述能级关系或特性)，可以抑制或降低发光器件100的驱动电压的增大。在一个实施例中，空穴传输层132可以具有约5.15ev或更小的homo能级绝对值。当包括在空穴注入层131中的第一无机材料具有如上所述的合适的逸出功时，可以实现具有深的homo能级(例如，与空穴注入层131相比相对深的homo能级)的空穴传输层132，能够改善发光器件100的寿命特性。在一个实施例中，空穴传输层132、空穴注入层131和第一电极110可以共同地被湿蚀刻(例如，在同一湿法工艺中同时或并发地被蚀刻)。在一些实施例中，可以使用包括磷酸、硝酸和乙酸中的至少一种的蚀刻剂来执行湿蚀刻。在一些实施例中，可以对发光器件100的从第一电极110到空穴传输层132的层共同执行湿蚀刻，并且该简化工艺可以由此降低生产成本。第一电极110第一电极110可以通过在基底上沉积和/或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110是阳极时，用于第一电极110的材料可以选自于具有高逸出功的材料以促进空穴注入。在图1中，基底可以另外设置在第一电极110下方和/或第二电极190上方。基底可以是均具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑性、易处理性和/或耐水性的玻璃基底和/或塑料基底。第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以选自于氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)和它们的任何组合，但本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以选自于镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)和它们的任何组合，但本公开的实施例不限于此。第一电极110可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构，但第一电极110的结构不限于此。空穴传输区域130空穴传输区域130可以具有：i)包括单种材料的单层结构；ii)包括多种不同材料的单层结构；或者iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。除了图1中示出的空穴注入层131和空穴传输层132之外，空穴传输区域130还可以包括选自于发射辅助层和电子阻挡层中的至少一个层。例如，空穴传输区域130可以具有单层结构或多层结构，所述单层结构由单层组成，所述单层由多种不同的材料组成，所述多层结构包括空穴注入层131/空穴传输层132、空穴注入层131/空穴传输层132/发射辅助层、空穴注入层131/发射辅助层、空穴传输层132/发射辅助层或者空穴注入层131/空穴传输层132/电子阻挡层，其中，每种结构的构成层以每种陈述的次序顺序地堆叠，但空穴传输区域130的结构不限于此。如上所述，空穴注入层131可以包括选自于钨(w)、钼(mo)、锌(zn)、铜(cu)、镍(ni)、钴(co)、镓(ga)和锗(ge)中的至少一种的氧化物(即，第一无机材料)。在一个实施例中，第一无机材料可以是选自于wo3、moo3、zno、cu2o、cuo、coo、ga2o3和geo2中的至少一种。例如，第一无机材料可以是wo3，但不限于此。在一个实施例中，空穴传输层132可以包括选自于wo3、moo3、zno、cu2o、cuo、coo、ga2o3和geo2中的至少一种第二无机材料，并且第二无机材料可以不同于第一无机材料。例如，第二无机材料可以是moo3，但不限于此。在一个实施例中，空穴注入层131可以是无机空穴注入层，并且空穴传输层132可以是无机空穴传输层。在一个实施例中，空穴传输层132可以基本上不包括p掺杂剂(例如，可以基本上排除p掺杂剂，或者可以基本上不被p掺杂)。这里，表述“可以基本上不包括p掺杂剂”表示基于空穴传输层132的总重量，空穴传输层132包括0.1wt％或更少(例如，0.01wt％或更少，例如，0.001wt％或更少)的量的p掺杂剂。另外，空穴传输区域130可以包括从m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化npb、tapc、hmtpd、4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)、由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中选择的至少一种：式201式202在式201和式202中，l201至l204可以均独立地选自于取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，l205可以选自于*-o-*'、*-s-*'、*-n(q201)-*'、取代或未取代的c1-c20亚烷基、取代或未取代的c2-c20亚烯基、取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，xa1至xa4可以均独立地为0至3的整数，xa5可以为1至10的整数，并且r201至r204和q201可以均独立地选自于取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基。例如，在式202中，r201和r202可以可选地经由单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接，并且r203和r204可以可选地经由单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接。在一个实施例中，在式201和式202中，l201至l205可以均独立地选自于：亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚甘菊环基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蒄基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有c1-c10烷基的苯基、取代有-f的苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-si(q31)(q32)(q33)和-n(q31)(q32)中选择的至少一者的亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚甘菊环基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蒄基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基，其中，q31至q33可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。在一个或更多个实施例中，xa1至xa4可以均独立地为0、1或2。在一个或更多个实施例中，xa5可以为1、2、3或4。在一个或更多个实施例中，r201至r204和q201可以均独立地选自于：苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有c1-c10烷基的苯基、取代有-f的苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-si(q31)(q32)(q33)和-n(q31)(q32)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，其中，q31至q33可以均独立地与上述相同。在一个或更多个实施例中，式201中的r201至r203中的至少一个可以均独立地选自于：芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有c1-c10烷基的苯基、取代有-f的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，但本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，在式202中，i)r201和r202可以经由单键彼此连接，并且/或者ii)r203和r204可以经由单键彼此连接。在一个或更多个实施例中，式202中的r201至r204可以选自于：咔唑基；以及取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有c1-c10烷基的苯基、取代有-f的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的咔唑基，但本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，由式201表示的化合物可以由式201a表示：式201a在一个或更多个实施例中，由式201表示的化合物可以由式201a(1)表示，但本公开的实施例不限于此：式201a(1)在一个或更多个实施例中，由式201表示的化合物可以由式201a-1表示，但本公开的实施例不限于此：式201a-1在一个或更多个实施例中，由式202表示的化合物可以由式202a表示：式202a在一个或更多个实施例中，由式202表示的化合物可以由式202a-1表示：式202a-1在式201a、式201a(1)、式201a-1、式202a和式202a-1中，l201至l203、xa1至xa3、xa5以及r202至r204可以均独立地与上述相同，r211和r212可以均独立地与结合r203描述的相同，并且r213至r217可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、取代有c1-c10烷基的苯基、取代有-f的苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。空穴传输区域130可以包括从化合物ht1至化合物ht39中选择的至少一种化合物，但将要包括在空穴传输区域130中的化合物不限于此：例如，空穴传输区域130可以包括金属氧化物。空穴传输区域130的厚度可以为约至约例如，为约至约空穴注入层131的厚度可以为约至约例如，为约至约空穴传输层132的厚度可以为约至约例如，为约至约当空穴传输区域130、空穴注入层131和空穴传输层132的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而不显著增大驱动电压。发射辅助层可以通过补偿由发射层150发射的光的波长的光学谐振距离来提高发光效率，电子阻挡层可以阻挡或减少电子从电子传输区域170流入。发射辅助层和电子阻挡层可以均包括如上所述的材料。发射层150发射层150可以是单层结构，或者可以是包括两个或更多个堆叠层的结构。例如，发射层150可以是单层结构，或者可以是其中堆叠有两层至十层的结构。发射层150可以是包括选自于量子点和钙钛矿中的至少一种的无机发射层。如这里所使用的，术语“量子点”指具有几nm至几百nm(例如，1nm至100nm)的尺寸(例如，平均直径)的球形半导体纳米材料，量子点可以包括单种材料，或者可以包括核和设置为围绕核的壳，核包括具有小带隙的第一材料(或者由具有小带隙的第一材料组成)，壳包括第二材料。如这里所使用的，术语“钙钛矿”指具有类似catio3的钙钛矿晶体结构的化合物。钙钛矿可以具有通式abx3(例如，卤化物(诸如氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或者氧化物)，其中，a和b是不同元素的阳离子，并且x是阴离子。在一些实施例中，钙钛矿可以是无机氧化物。发射层150中的量子点151(如图1中所示)可以均具有核壳结构，核壳结构包括具有第一半导体晶体的核和具有第二半导体晶体的壳。第一半导体晶体和第二半导体晶体可以均独立地包括基于12族-16族的化合物、基于13族-15族的化合物、基于14族-16族的化合物、基于11族-13族-16族的化合物、基于11族-12族-13族-16族的化合物或它们的任何组合。例如，第一半导体晶体和第二半导体晶体可以均独立地包括inp、inn、insb、inas、inasp、ingaas、ingap、zns、znse、znses、znte、zntese、gap、gan、gasb、gaas、cuins、cuinzns、agins2、cdse、cds、cdte、hgse、hgte、cdznse、cdsete、zncdse、in2s3、ga2s3、pbs、pbse、pbte或它们的任何组合。例如，第一半导体晶体可以包括inp、inn、insb、inas、inasp、ingaas、ingap、zns、znse、znses、znte、zntese、gap、gan、gasb、gaas、cuins、cuinzns、agins2、cdse、cds、cdte、hgse、hgte、cdznse、cdsete、zncdse或它们的任何组合，第二半导体晶体可以包括znse、zns、in2s3、ga2s3或它们的任何组合。在一些实施例中，量子点151可以均进一步包括连接到壳的配体。例如，配体可以是油酸、辛胺、癸胺、巯基丙酸、十二烷硫醇、1-辛烷硫醇、亚硫酰氯或它们的任何组合。量子点151可以以自然配位形式分散在分散介质(诸如有机溶剂和/或聚合物树脂)中，分散介质可以是任何透明介质，只要该介质不因光而变质，不反射或吸收光，并且基本上不影响量子点151的波长转换性能即可。例如，有机溶剂可以包括甲苯、氯仿和乙醇中的至少一种，并且聚合物树脂可以包括选自于环氧树脂、硅树脂、聚乙烯和丙烯酸酯中的至少一种。与体态材料不同，量子点由于量子限制效应而具有不连续的带隙能。带隙能可以根据量子点的尺寸而变化，并且即使在使用相同的量子点组成的情况下，当量子点的尺寸改变时，量子点也可以发射不同波长的光。量子点尺寸(直径)越小，带隙能越大，因此发射的光的波长越短。例如，通过调节或改变量子点纳米晶体的生长条件，可以由此调节量子点的尺寸以提供期望的或合适的波长带的光。因此，可以通过将这样的量子点引入到发光器件中来实现具有高光效率和高色纯度的发光器件。电子传输区域170电子传输区域170可以包括电子传输层(未示出)。在一个实施例中，电子传输区域170可以包括电子传输层，并且电子传输层可以包括无机材料。例如，电子传输层可以包括zno、tio2、wo3、sno2、mg掺杂的zno(znmgo)、al掺杂的zno(azo)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、znsiox(zso，0<x<5)、al掺杂的tio2、ga掺杂的tio2、in掺杂的tio2、al掺杂的wo3、ga掺杂的wo3、in掺杂的wo3、al掺杂的sno2、ga掺杂的sno2、in掺杂的sno2或它们的任何组合。此外，电子传输区域170可以具有：i)由单层组成的单层结构，该单层由单种材料组成；ii)由单层组成的单层结构，该单层由多种不同材料组成；或者iii)具有由多种不同材料组成的多个层的多层结构。电子传输区域170可以包括选自于缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个，但本公开的实施例不限于此。例如，电子传输区域170可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或者缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，以该陈述的次序从发射层150顺序地堆叠构成层。然而，电子传输区域170的结构的实施例不限于此。电子传输区域170(例如，电子传输区域170中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包括包含至少一个贫π电子的含氮环(π-electron-deficientnitrogen-containingring，或称为“π电子耗尽的含氮环”)的无金属化合物。“贫π电子的含氮环”指具有至少一个*-n＝*'部分作为成环部分的c1-c60杂环基。例如，“贫π电子的含氮环”可以是：i)具有至少一个*-n＝*'部分的5元至7元杂单环基团；ii)其中均具有至少一个*-n＝*'部分的两个或更多个5元至7元杂单环基团彼此缩合的杂多环基团；或者iii)其中均具有至少一个*-n＝*'部分的5元至7元杂单环基团中的至少一个与至少一个c5-c60碳环基缩合的杂多环基团。贫π电子的含氮环的非限制性示例包括咪唑环、吡唑环、噻唑环、异噻唑环、噁唑环、异噁唑环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、吲唑环、嘌呤环、喹啉环、异喹啉环、苯并喹啉环、酞嗪环、萘啶环、喹喔啉环、喹唑啉环、噌啉环、菲啶环、吖啶环、菲咯啉环、吩嗪环、苯并咪唑环、异苯并噻唑环、苯并噁唑环、异苯并噁唑环、三唑环、四唑环、噁二唑环、三嗪环、噻二唑环、咪唑并吡啶环、咪唑并嘧啶环和氮杂咔唑环，但不限于此。例如，电子传输区域170可以包括由式601表示的化合物：式601[ar601]xe11-[(l601)xe1-r601]xe21。在式601中，ar601可以为取代或未取代的c5-c60碳环基或者取代或未取代的c1-c60杂环基，xe11可以为1、2或3，l601可以选自于取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，xe1可以为0至5的整数，r601可以选自于取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-si(q601)(q602)(q603)、-c(＝o)(q601)、-s(＝o)2(q601)和-p(＝o)(q601)(q602)，q601至q603可以均独立地为c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，并且xe21可以为1至5的整数。在一个实施例中，xe11个ar601和xe21个r601中的至少一个可以包括贫π电子的含氮环。在一个实施例中，式601中的ar601可以选自于：苯基团、萘基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、戊芬基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、咪唑基团、吡唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、吡啶基团、吡嗪基团、嘧啶基团、哒嗪基团、吲唑基团、嘌呤基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、噌啉基团、菲啶基团、吖啶基团、菲咯啉基团、吩嗪基团、苯并咪唑基团、异苯并噻唑基团、苯并噁唑基团、异苯并噁唑基团、三唑基团、四唑基团、噁二唑基团、三嗪基团、噻二唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团和氮杂咔唑基团；以及均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)中选择的至少一者的苯基团、萘基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、戊芬基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、咪唑基团、吡唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、吡啶基团、吡嗪基团、嘧啶基团、哒嗪基团、吲唑基团、嘌呤基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、噌啉基团、菲啶基团、吖啶基团、菲咯啉基团、吩嗪基团、苯并咪唑基团、异苯并噻唑基团、苯并噁唑基团、异苯并噁唑基团、三唑基团、四唑基团、噁二唑基团、三嗪基团、噻二唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团和氮杂咔唑基团，其中，q31至q33可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar601可以经由单键彼此连接。在一个或更多个实施例中，式601中的ar601可以为蒽基团。在一个或更多个实施例中，由式601表示的化合物可以由式601-1表示：式601-1在式601-1中，x614可以为n或c(r614)，x615可以为n或c(r615)，x616可以为n或c(r616)，并且x614至x616中的至少一个可以为n，l611至l613可以均独立地与结合l601描述的相同，xe611至xe613可以均独立地与结合xe1描述的相同，r611至r613可以均独立地与结合r601描述的相同，并且r614至r616可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。在一个实施例中，式601中的l601和式601-1中的l611至l613可以均独立地选自于：亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基，但本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，式601中的xe1和式601-1中的xe611至xe613可以均独立地为0、1或2。在一个或更多个实施例中，式601中的r601和式601-1中的r611至r613可以均独立地选自于：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及-s(＝o)2(q601)和-p(＝o)(q601)(q602)，其中，q601和q602可以均独立地与上述相同。电子传输区域170可以包括从化合物et1至化合物et36中选择的至少一种化合物，但本公开的实施例不限于此：在一个或更多个实施例中，电子传输区域170可以包括从2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4h-1,2,4-三唑(taz)、四-n-苯基联苯胺(tpb)和ntaz中选择的至少一种化合物：缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可以均独立地为约至约例如，为约至约当缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的空穴阻挡特性和/或优异的电子控制特性，而不显著增大驱动电压。电子传输层的厚度可以为约至约例如，为约至约当电子传输层的厚度在上述范围内时，电子传输层可以具有令人满意的电子传输特性，而不显著增大驱动电压。除上述材料之外，电子传输区域170(例如，电子传输区域170中的电子传输层)还可以包括含金属材料。含金属材料可以包括从碱金属配合物和碱土金属配合物中选择的至少一种。碱金属配合物的金属离子可以从li离子、na离子、k离子、rb离子和cs离子中选择，碱土金属配合物的金属离子可以从be离子、mg离子、ca离子、sr离子和ba离子中选择。与碱金属配合物或碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以选自于羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但本公开的实施例不限于此。在一些实施例中，例如，含金属材料可以包括li配合物。li配合物可以包括例如化合物et-d1(羟基喹啉锂，liq)或化合物et-d2：电子传输区域170可以包括电子注入层以促进电子从第二电极190注入。电子注入层可以与第二电极190直接接触。电子注入层可以具有：i)包括单种材料(例如，由单种材料组成)的单层结构；ii)包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单层结构；或者iii)具有由多种不同材料组成的多个层的多层结构。电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。碱金属可以选自于li、na、k、rb和cs。在一个实施例中，碱金属可以是li、na或cs。在一个或更多个实施例中，碱金属可以是li或cs，但本公开的实施例不限于此。碱土金属可以选自于mg、ca、sr和ba。稀土金属可以选自于钪(sc)、钇(y)、铈(ce)、铽(tb)、镱(yb)和钆(gd)。碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物可以均独立地选自于碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)。碱金属化合物可以选自于碱金属氧化物(诸如，li2o、cs2o和/或k2o)和碱金属卤化物(诸如，lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi、ki和/或rbi)。在一个实施例中，碱金属化合物可以选自于lif、li2o、naf、lii、nai、csi和ki，但本公开的实施例不限于此。碱土金属化合物可以选自于碱土金属氧化物(诸如，bao、sro、cao、baxsr1-xo(0<x<1)和/或baxca1-xo(0<x<1))。在一个实施例中，碱土金属化合物可以选自于bao、sro和cao，但本公开的实施例不限于此。稀土金属化合物可以选自于ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3和tbf3。在一个实施例中，稀土金属化合物可以选自于ybf3、scf3、tbf3、ybi3、sci3和tbi3，但本公开的实施例不限于此。碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可以分别包括如上述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子，并且与碱金属配合物、碱土金属配合物或稀土金属配合物的金属离子配位的配体可以选自于羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但本公开的实施例不限于此。电子注入层可以包括如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合(例如由如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合组成)。在一个或更多个实施例中，电子注入层还可以包括有机材料。当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的组合可以基本上均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质(例如，有机材料的基质)中。电子注入层的厚度可以为约至约例如，为约至约当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层可以具有令人满意的电子注入特性，而不显著增大驱动电压。第二电极190如上所述，发光器件100包括面对第一电极110的第二电极190。第二电极190可以与如上所述的相同。例如，第二电极190可以是阴极和透射电极，并且可以包括insnox(x>0)(ito)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、al掺杂的zno(azo)、inznsnox(x>0)(izto)、znsnox(x>0)(zto)和它们的任何组合，或者可以由insnox(x>0)(ito)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、al掺杂的zno(azo)、inznsnox(x>0)(izto)、znsnox(x>0)(zto)和它们的任何组合形成。例如，第二电极190可以包括下电极和上电极，并且下电极和上电极可以均独立地包括insnox(x>0)(ito)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、al掺杂的zno(azo)、inznsnox(x>0)(izto)、znsnox(x>0)(zto)和它们的任何组合。图2的描述参照图2，根据另一实施例的发光器件200包括：第一电极110；第二电极190，面对第一电极110；发射层250，在第一电极110与第二电极190之间；空穴传输层132，在第一电极110与发射层250之间；空穴注入层131，在第一电极110与空穴传输层132之间；以及电子传输区域170，在发射层250与第二电极190之间，其中，空穴传输层132和空穴注入层131彼此(例如，在组成、结构和/或电子结构上)不同(例如，有区别的或可区分的)，空穴注入层131包括选自于钨(w)、钼(mo)、锌(zn)、铜(cu)、镍(ni)、钴(co)、镓(ga)和锗(ge)中的至少一种的氧化物(即，第一无机材料)，第一无机材料具有约4.3ev至约5.3ev的绝对值的逸出功，并且空穴注入层131和空穴传输层132满足上述方程式1和方程式2。除发射层250以外的各层与如上所述的相同。在一个实施例中，发射层250可以是有机发射层。下面描述作为有机发射层的发射层250。发射层250当发光器件200为全色发光器件时，发射层250可以根据子像素而被图案化为红色发射层、绿色发射层或蓝色发射层。在一个或更多个实施例中，发射层250可以具有从红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中选择的两个或更多个层的堆叠结构，其中，所述两个或更多个层可以彼此接触，或者可以彼此分开。在一个或更多个实施例中，发射层可以包括从红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中选择的两种或更多种材料，其中，所述两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。发射层250可以包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂和荧光掺杂剂中的至少一种。基于100重量份的主体，发射层250中的掺杂剂的量可以为约0.01重量份至约15重量份，但本公开的实施例不限于此。发射层250的厚度可以为约至约例如，为约至约当发射层250的厚度在该范围内时，可以获得优异的发光特性，而不显著增大驱动电压。[发射层250中的主体]在一个或更多个实施例中，主体可以包括由式301表示的化合物：式301[ar301]xb11-[(l301)xb1-r301]xb21。在式301中，ar301可以为取代或未取代的c5-c60碳环基或者取代或未取代的c1-c60杂环基，xb11可以为1、2或3，l301可以选自于取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，xb1可以为0至5的整数，r301可以选自于氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-si(q301)(q302)(q303)、-n(q301)(q302)、-b(q301)(q302)、-c(＝o)(q301)、-s(＝o)2(q301)和-p(＝o)(q301)(q302)，并且xb21可以为1至5的整数，其中，q301至q303可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但本公开的实施例不限于此。在一个实施例中，式301中的ar301可以选自于：萘基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、戊芬基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团和二苯并噻吩基团；以及均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)中选择的至少一者的萘基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、戊芬基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团和二苯并噻吩基团，其中，q31至q33可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但本公开的实施例不限于此。当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar301可以经由单键连接。在一个或更多个实施例中，由式301表示的化合物可以由式301-1或式301-2表示：式301-1式301-2在式301-1和式301-2中，a301至a304可以均独立地选自于苯环、萘环、菲环、荧蒽环、苯并[9,10]菲环、芘环、环、吡啶环、嘧啶环、茚环、芴环、螺二芴环、苯并芴环、二苯并芴环、吲哚环、咔唑环、苯并咔唑环、二苯并咔唑环、呋喃环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、萘并呋喃环、苯并萘并呋喃环、二萘并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、萘并噻吩环、苯并萘并噻吩环和二萘并噻吩环，x301可以为o、s或n-[(l304)xb4-r304]，r311至r314可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，xb22和xb23可以均独立地为0、1或2，l301、xb1、r301和q31至q33可以均独立地与上述相同，l302至l304可以均独立地与结合l301描述的相同，xb2至xb4可以均独立地与结合xb1描述的相同，并且r302至r304均独立地与结合r301描述的相同。例如，式301、式301-1和式301-2中的l301至l304可以均独立地选自于：亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚异苯并噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基，其中，q31至q33可以均独立地与上述相同。在一个实施例中，式301、式301-1和式301-2中的r301至r304可以均独立地选自于：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，其中，q31至q33可以均独立地与上述相同。在一个或更多个实施例中，主体可以包括碱土金属配合物。例如，主体可以选自于be配合物(例如，化合物h55)和mg配合物。在一些实施例中，主体可以为zn配合物。主体可以包括从9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二-9-咔唑基苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)和化合物h1至化合物h55中选择的至少一种，但本公开的实施例不限于此：包括在发射层250中的磷光掺杂剂磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属配合物：式401m(l401)xc1(l402)xc2式402在式401和式402中，m可以选自于铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)和铥(tm)，l401可以为由式402表示的配体，xc1可以为1、2或3，其中，当xc1为2或更大时，两个或更多个l401可以彼此相同或不同，l402可以为有机配体，xc2可以为0至4的整数，其中，当xc2可以为2或更大时，两个或更多个l402可以彼此相同或不同，x401至x404可以均独立地为氮或碳，x401和x403可以经由单键或双键连接，x402和x404可以经由单键或双键连接，a401和a402可以均独立地为c5-c60碳环基或c1-c60杂环基，x405可以为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q411)-*'、*-c(q411)(q412)-*'、*-c(q411)＝c(q412)-*'、*-c(q411)＝*'或*＝c＝*'，其中，q411和q412可以均独立地为氢、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，x406可以为单键、o或s，r401和r402可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(＝o)(q401)、-s(＝o)2(q401)和-p(＝o)(q401)(q402)，其中，q401至q403可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、c6-c20芳基和c1-c20杂芳基，xc11和xc12可以均独立地为0至10的整数，并且式402中的*和*'均表示与式401中的m的结合位。在一个实施例中，式402中的a401和a402可以均独立地选自于苯基团、萘基团、芴基团、螺二芴基团、茚基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、咪唑基团、吡唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、吡啶基团、吡嗪基团、嘧啶基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、咔唑基团、苯并咪唑基团、苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、异苯并噻吩基团、苯并噁唑基团、异苯并噁唑基团、三唑基团、四唑基团、噁二唑基团、三嗪基团、二苯并呋喃基团和二苯并噻吩基团。在一个或更多个实施例中，在式402中，i)x401可以为氮，x402可以为碳，或者ii)x401和x402都可以(例如，同时)为氮。在一个或更多个实施例中，式402中的r401和r402可以均独立地选自于：氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基和降冰片烯基中选择的至少一者的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中选择的至少一者的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(＝o)(q401)、-s(＝o)2(q401)和-p(＝o)(q401)(q402)，其中，q401至q403可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基和萘基，但本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个l401中的两个a401可以可选地经由(作为连接基的)x407彼此连接，并且两个a402可以可选地经由(作为连接基的)x408彼此连接(见例如化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。x407和x408可以均独立地为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q413)-*'、*-c(q413)(q414)-*'或*-c(q413)＝c(q414)-*'(其中，q413和q414可以均独立地为氢、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基)，但本公开的实施例不限于此。式401中的l402可以为单价有机配体、二价有机配体或三价有机配体。例如，l402可以选自于卤素、二酮(例如，乙酰丙酮(化物))、羧酸(例如，吡啶甲酸(盐))、-c(＝o)、异腈、-cn和含磷物质(例如，膦或亚磷酸(盐))，但本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，磷光掺杂剂可以选自于例如化合物pd1至化合物pd25，但本公开的实施例不限于此：发射层250中的荧光掺杂剂荧光掺杂剂可以包括芳基胺化合物或苯乙烯基胺化合物。荧光掺杂剂可以包括由式501或式502表示的化合物：式501在式501中，ar501可以为取代或未取代的c5-c60碳环基或者取代或未取代的c1-c60杂环基，l501至l503可以均独立地选自于取代或未取代的c3-c10亚环烷基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烷基、取代或未取代的c3-c10亚环烯基、取代或未取代的c1-c10亚杂环烯基、取代或未取代的c6-c60亚芳基、取代或未取代的c1-c60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，xd1至xd3可以均独立地为0至3的整数，r501和r502可以均独立地选自于取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且xd4可以为1至6的整数。式502在式502中，x501至x503可以均独立地为b或n，a501至a505可以均独立地为取代或未取代的c5-c60碳环基或者取代或未取代的c1-c60杂环基，r501至r505可以均独立地选自于取代或未取代的c3-c10环烷基、取代或未取代的c1-c10杂环烷基、取代或未取代的c3-c10环烯基、取代或未取代的c1-c10杂环烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且a501至a505可以均独立地为1至6的整数。在一个实施例中，在式501和式502中，ar501以及a501至a505可以均独立地选自于：萘基团、庚搭烯基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、戊芬基团、茚并蒽基团和茚并菲基团；以及均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基中选择的至少一者的萘基团、庚搭烯基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、戊芬基团、茚并蒽基团和茚并菲基团。在一个或更多个实施例中，式501中的l501至l503可以均独立地选自于：亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基中选择的至少一者的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基。在一个或更多个实施例中，式501和式502中的r501至r505可以均独立地选自于：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基和-si(q31)(q32)(q33)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，其中，q31至q33可以均独立地选自于c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。在一个或更多个实施例中，式501中的xd4可以为2，但本公开的实施例不限于此。例如，荧光掺杂剂可以选自于化合物fd1至化合物fd22：在一个或更多个实施例中，荧光掺杂剂可以选自于以下化合物，但本公开的实施例不限于此：在上文中，已经结合图1和图2描述了根据实施例的发光器件，但本公开的实施例不限于此。可以使用从真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔-布洛杰特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像(liti)中选择的一种或更多种合适的方法在设定或预定区域中形成构成发光器件的层。当通过真空沉积来形成构成发光器件的层时，根据待包括的材料和待形成的层的结构，可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约秒至约秒的沉积速度下执行真空沉积。当通过旋涂来形成构成发光器件的层时，根据待包括的材料和待形成的层的结构，可以在约2,000rpm至约5,000rpm的涂覆速度下并在约80℃至约200℃的热处理温度下执行旋涂。显示设备发光器件可以被包括在包括薄膜晶体管的显示设备中。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，并且源电极和漏电极中的任何一个可以电连接到发光器件的第一电极。薄膜晶体管还可以包括栅电极和/或栅极绝缘层等。有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等，但本公开的实施例不限于此。显示设备还可以包括用于密封发光器件的密封部。密封部可以允许实现来自发光器件的图像，并且可以阻挡外部空气和湿气渗透到发光器件中。密封部可以为包括透明玻璃的密封基底或塑料基底。密封部可以为包括多个有机层和/或多个无机层的薄膜封装层。当密封部为薄膜封装层时，整个显示设备可以为柔性的。取代基的一般定义如在此使用的术语“c1-c60烷基”指具有1个至60个碳原子的直链或支链的脂肪族饱和烃单价基团，其非限制性示例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。如在此使用的术语“c1-c60亚烷基”指具有与c1-c60烷基基本相同结构的二价基团。如在此使用的术语“c2-c60烯基”指在c2-c60烷基的中间或端部处具有至少一个碳-碳双键的烃基，其非限制性示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如在此使用的术语“c2-c60亚烯基”指具有与c2-c60烯基基本相同结构的二价基团。如在此使用的术语“c2-c60炔基”指在c2-c60烷基的中间或端部处具有至少一个碳-碳三键的烃基，其非限制性示例包括乙炔基和丙炔基。如在此使用的术语“c2-c60亚炔基”指具有与c2-c60炔基基本相同结构的二价基团。如在此使用的术语“c1-c60烷氧基”指由-oa101(其中，a101为c1-c60烷基)表示的单价基团，其非限制性示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。如在此使用的术语“c3-c10环烷基”指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃单环基团，其非限制性示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基和环庚基。如在此使用的术语“c3-c10亚环烷基”指具有与c3-c10环烷基基本相同结构的二价基团。如在此使用的术语“c1-c10杂环烷基”指具有作为成环原子的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子以及1个至10个碳原子的单价饱和单环基团，其非限制性示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如在此使用的术语“c1-c10亚杂环烷基”指具有与c1-c10杂环烷基基本相同结构的二价基团。如在此使用的术语“c3-c10环烯基”指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且不具有芳香性的单价单环基团，其非限制性示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如在此使用的术语“c3-c10亚环烯基”指具有与c3-c10环烯基基本相同结构的二价基团。如在此使用的术语“c1-c10杂环烯基”指在其环中具有作为成环原子的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子、1个至10个碳原子以及至少一个双键的单价单环基团。c1-c10杂环烯基的非限制性示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如在此使用的术语“c1-c10亚杂环烯基”指具有与c1-c10杂环烯基基本相同结构的二价基团。如在此使用的术语“c6-c60芳基”指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的单价基团，并且如在此使用的术语“c6-c60亚芳基”指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。c6-c60芳基的非限制性示例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和基。当c6-c60芳基和c6-c60亚芳基均包括两个或更多个环时，所述两个或更多个环可以彼此稠合。如在此使用的术语“c1-c60杂芳基”指具有杂环芳香体系的单价基团，该杂环芳香体系具有除了1个至60个碳原子之外的作为成环原子的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子。如在此使用的术语“c1-c60亚杂芳基”指具有杂环芳香体系的二价基团，该杂环芳香体系具有除了1个至60个碳原子之外的作为成环原子的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子。c1-c60杂芳基的非限制性示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。当c1-c60杂芳基和c1-c60亚杂芳基均包括两个或更多个环时，所述两个或更多个环可以彼此缩合。如在此使用的术语“c6-c60芳氧基”指-oa102(其中，a102为c6-c60芳基)，如在此使用的术语“c6-c60芳硫基”指-sa103(其中，a103为c6-c60芳基)。如在此使用的术语“单价非芳香缩合多环基”指具有彼此缩合的两个或更多个环、仅碳原子(例如，8个至60个碳原子)作为成环原子且在其整个分子结构中不具有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合多环基的非限制性示例为芴基。如在此使用的术语“二价非芳香缩合多环基”指具有与单价非芳香缩合多环基基本相同结构的二价基团。如在此使用的术语“单价非芳香缩合杂多环基”指具有彼此缩合的两个或更多个环、除了碳原子(例如，1个至60个碳原子)之外的作为成环原子的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子且在其整个分子结构中不具有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合杂多环基的非限制性示例为咔唑基。如在此使用的术语“二价非芳香缩合杂多环基”指具有与单价非芳香缩合杂多环基基本相同结构的二价基团。如在此使用的术语“c4-c60(例如，c5-c60)碳环基”指包括4个至60个碳原子(例如，由4个至60个碳原子组成)作为成环原子的单环或多环基团。如在此使用的术语“c4-c60碳环基”可以是芳香碳环基或非芳香碳环基。c4-c60碳环基可以是环(诸如，苯)、单价基团(诸如，苯基)或二价基团(诸如，亚苯基)。在一个或更多个实施例中，根据连接到c4-c60碳环基的取代基的数量，c4-c60碳环基可以是三价基团或四价基团。如在此使用的术语“c2-c60(例如，c1-c60)杂环基”指除了包括除碳(例如，2个至60个碳原子)外的从n、o、si、p和s中选择的至少一种杂原子作为成环原子之外，具有与c4-c60碳环基基本相同结构的基团。在本说明书中，取代的c4-c60碳环基、取代的c2-c60杂环基、取代的c1-c20亚烷基、取代的c2-c20亚烯基、取代的c3-c10亚环烷基、取代的c1-c10亚杂环烷基、取代的c3-c10亚环烯基、取代的c1-c10亚杂环烯基、取代的c6-c60亚芳基、取代的c1-c60亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10环烷基、取代的c1-c10杂环烷基、取代的c3-c10环烯基、取代的c1-c10杂环烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基中的至少一个取代基可以选自于：氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基；均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)和-p(＝o)(q11)(q12)中选择的至少一者的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基；c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；均取代有从氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)和-p(＝o)(q21)(q22)中选择的至少一者的c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基；以及-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，其中，q11至q13、q21至q23和q31至q33可以均独立地选自于氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10环烷基、c1-c10杂环烷基、c3-c10环烯基、c1-c10杂环烯基、c6-c60芳基、c1-c60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、取代有从氘、-f和氰基中选择的至少一者的c1-c60烷基、取代有从氘、-f和氰基中选择的至少一者的c6-c60芳基、联苯基以及三联苯基。如在此使用的术语“ph”指苯基，如在此使用的术语“me”指甲基，如在此使用的术语“et”指乙基，如在此使用的术语“tert-bu”或“but”指叔丁基，如在此使用的术语“ome”指甲氧基。如在此使用的术语“联苯基”指“取代有苯基的苯基”。例如，“联苯基”为具有c6-c60芳基作为取代基的取代的苯基。如在此使用的术语“三联苯基”指“取代有联苯基的苯基”。例如，“三联苯基”为具有取代有c6-c60芳基的c6-c60芳基作为取代基的取代的苯基。除非另外定义，否则如在此使用的*和*'均指与对应式中的相邻原子的结合位。在下文中，将更详细地描述根据本公开的示例实施例的化合物和发光器件。示例示例1作为基底和阳极，将其上具有15ωcm2ito的玻璃基底(由康宁公司制造)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过紫外线照射并暴露于臭氧30分钟进行清洁。然后，将得到的玻璃基底装载到真空沉积设备上。在ito阳极上真空沉积wo3以形成具有的厚度的空穴注入层，并且在空穴注入层上真空沉积moo3以形成具有的厚度的空穴传输层。在空穴传输层上共沉积mcp和t-dabna以形成具有的厚度的发射层。在发射层上沉积tpb以形成具有的厚度的电子传输层，然后在电子传输层上真空沉积yb/agmg以形成阴极，从而完成发光器件的制造。wo3逸出功：-5.3evehomo_hil：-5.30evehomo_htl：-5.15ev对比示例1作为基底和阳极，将其上具有15ωcm2ito的玻璃基底(由康宁公司制造)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过紫外线照射并暴露于臭氧30分钟进行清洁。然后，将得到的玻璃基底装载到真空沉积设备上。在ito阳极上真空沉积moo3以形成具有的厚度的空穴注入层，并且在空穴注入层上真空沉积moo3以形成具有的厚度的空穴传输层。在空穴传输层上共沉积mcp和t-dabna以形成具有的厚度的发射层。在发射层上沉积tpb以形成具有的厚度的电子传输层，然后在电子传输层上真空沉积yb/agmg以形成阴极，从而完成发光器件的制造。moo3逸出功：-4.5evehomo_hil：-5.15evehomo_htl：-5.15ev对比示例2作为基底和阳极，将其上具有15ωcm2ito的玻璃基底(由康宁公司制造)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过紫外线照射并暴露于臭氧30分钟进行清洁。然后，将得到的玻璃基底装载到真空沉积设备上。在ito阳极上真空沉积nio以形成具有的厚度的空穴注入层，并且在空穴注入层上真空沉积moo3以形成具有的厚度的空穴传输层。在空穴传输层上共沉积mcp和t-dabna以形成具有的厚度的发射层。在发射层上沉积tpb以形成具有的厚度的电子传输层，然后在电子传输层上真空沉积yb/agmg以形成阴极，从而完成发光器件的制造。nio逸出功：-4.9evehomo_hil：-4.9evehomo_htl：-5.15ev对比示例3作为基底和阳极，将其上具有15ωcm2ito的玻璃基底(由康宁公司制造)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过紫外线照射并暴露于臭氧30分钟进行清洁。然后，将得到的玻璃基底装载到真空沉积设备上。在ito阳极上真空沉积zno以形成具有的厚度的空穴注入层，并且在空穴注入层上真空沉积cbp以形成具有的厚度的空穴传输层。在空穴传输层上共沉积mcp和t-dabna以形成具有的厚度的发射层。在发射层上沉积tpb以形成具有的厚度的电子传输层，然后在电子传输层上真空沉积yb/agmg以形成阴极，从而完成发光器件的制造。zno逸出功：-4.5evehomo_hil：-4.5evehomo_htl：-4.5ev对比示例4作为基底和阳极，将其上具有15ωcm2ito的玻璃基底(由康宁公司制造)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各超声5分钟，然后通过紫外线照射并暴露于臭氧30分钟进行清洁。然后，将得到的玻璃基底装载到真空沉积设备上。在ito阳极上真空沉积nio以形成具有的厚度的空穴注入层，并且在空穴注入层上真空沉积wo3以形成具有的厚度的空穴传输层。在空穴传输层上共沉积mcp和t-dabna以形成具有的厚度的发射层。在发射层上沉积tpb以形成具有的厚度的电子传输层，然后在电子传输层上真空沉积yb/agmg以形成阴极，从而完成发光器件的制造。nio逸出功：-4.9evehomo_hil：-4.9evehomo_htl：-5.30ev评价示例测量了根据示例1和对比示例1至对比示例4制造的发光器件的j-v特性、eqe和寿命，并且结果示出在表1中：表1驱动电压(％)eqe(％)寿命(小时，t95)示例14.518.2150对比示例15.814.3110对比示例25.217.6130对比示例36.912.160对比示例45.915.975参照表1，证实了与根据对比示例1至对比示例4制造的发光器件相比，根据示例1制造的发光器件具有较低的驱动电压、较高水平的亮度和发光效率以及长寿命。发光器件可以不具有暗点，并且可以具有优异的寿命特性以及由于简化的制造工艺而降低的生产成本。如这里使用的，术语“基本上(基本)”、“大约(约)”和类似的术语被用作近似术语而不是程度术语，并且意图说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。这里陈述的任意数值范围意图包括包含在陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任意最大数值界限意图包括其中包含的所有较小数值界限，本说明书中陈述的任意最小数值界限意图包括其中包含的所有较大数值界限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包含在这里明确陈述的范围内的任意子范围。应理解的是，这里描述的实施例应仅以描述性含义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述应通常被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物所限定的精神和范围的情况下，可以对所描述的实施例做出形式和细节上的各种改变。当前第1页12