一种高效率硅基微显示器件端子区域打开方法与流程

1.本发明涉及硅基微显技术领域，尤其是涉及一种高效率硅基微显示器件端子区域打开方法。


背景技术：

2.目前，ar、vr技术在飞速发展中，可穿戴式ar、vr设备受到越来越多的人们所关注，其市场需求也对应的在飞速扩展；故随之而来的是ar、vr显示器的研发与进步。在此背景基础下，硅基micro oled微显示器件的发展也受到越来越多的人们所青睐；同时，其工艺制程技术也在慢慢的成熟与进步中。在硅基micro oled微显示器件制程工艺中，其中模组段工艺中涉及到die bond及wire bond工艺，及把die粘合在pcb或fpc上，并通过打线焊接等方式将die与pcb或fpc连接。die上的打线区域称为为pad区域，pad区域在器件封装段会被封装层所封装，为保证满足打线条件，需把pad区域封装层去除。
3.目前硅基micro oled微显器件端子区域打开的制程工艺比较复杂，工艺为先进行涂布，曝光，显影定义出pad位置图形，再进行干法蚀刻将图形转移至die上，最后进行湿法去除光刻胶；以上工艺中，涂胶曝光显影不良，易造成pr异常，影响图形定义，干刻不良，易产生残留以及过刻不良等，造成打线接触不良及导电异常等，湿法去胶工艺，去胶不净造成贴合不良，影响器件性能；且现有工艺对tfe的药液耐受性要求较高，工艺难度大；以及每一道制程都有较多的良率loss，且工艺复杂，工艺制程时间较长，影响产能状况。


技术实现要素：

4.针对现有技术不足，本发明所要解决的技术问题是提供一种高效率硅基微显示器件端子区域打开方法，其可避免使用光刻工艺，缩短工艺制程，有效减少生产成本及提升良率。
5.为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：
6.该高效率硅基微显示器件端子区域打开方法，包括以下步骤：
7.步骤一、pet胶带贴合：在完成前段工艺后，在pad区域贴合上pet胶带；
8.步骤二、封装作业：将贴合完pet胶带的片子进行oled及薄膜封装作业；
9.步骤三、pet胶带去除：对已进行oled及薄膜封装的片子进行pet胶带去除，使得pad区域裸露出来；
10.步骤四、清洗：对步骤三硅片进行清洗，完成端子区域打开工艺。
11.其中，
12.所述pet胶带为耐高温的pet高温胶带。
13.所述pet胶带贴合完成后，胶带端部从基板伸出。
14.所述封装作业中形成封装层，封装层采用al2o3&tio2+sin层。
15.所述pet胶带去除采用撕掉方式去除。
16.所述pet高温胶带需耐温性需求230℃，4h无残胶。
17.所述pet高温胶带的厚度需求0.04mm、粘度为6n、宽度为2mm。
18.所述pet高温胶带的伸长率为25
‑
35％；温度使用范围
‑
10℃～230℃。
19.本发明与现有技术相比，具有以下优点：
20.该高效率硅基微显示器件端子区域打开方法设计合理，可避免涂布曝光显影造成的图形不良、避免干法刻蚀造成的蚀刻残留及过刻不良、避免湿法去胶不净不良，且降低了对tfe膜层的药液耐受性需求；另一方面缩短工艺流程，极大的节约成本及提高产能。
附图说明
21.下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
22.图1为本发明pet高温胶带贴合后正面示意图。
23.图2为本发明pet高温胶带贴合后截面示意图。
24.图3为本发明oled及tef封装后正面示意图。
25.图4为本发明tef封装后截面示意图。
26.图5为本发明pet高温胶带去除后正面示意图。
27.图6为本发明pet高温胶带去除后截面示意图。
28.图中：
29.1.pet高温胶带、2.tfe封装层。
具体实施方式
30.下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
31.如图1至图6所示，该高效率硅基微显示器件端子区域打开方法，包括以下步骤：
32.步骤一、pet胶带贴合：
33.在完成前段工艺后，在pad区域贴合上pet胶带；
34.步骤二、封装作业：
35.将贴合完pet胶带的片子进行oled及薄膜封装作业，形成pet封装层2；
36.步骤三、pet胶带去除：
37.对已进行oled及薄膜封装的片子进行pet胶带去除，使得pad区域裸露出来；
38.步骤四、清洗：
39.对步骤三硅片进行清洗，完成端子区域打开工艺。
40.其中，
41.pet胶带为耐高温的pet高温胶带1；pet高温胶带需耐温性需求230℃，4h无残胶。pet高温胶带的伸长率为25
‑
35％；温度使用范围
‑
10℃～230℃。
42.pet胶带贴合完成后，胶带端部从基板伸出；pet胶带去除采用撕掉方式去除，胶带端部伸出便于撕除操作；优选的，贴合完成后需求胶带两端有突出基板2mm长度，利于胶带去除。
43.pet高温胶带的厚度需求0.04mm、粘度为6n、宽度为2mm、伸长率为30％；且具体耐溶剂性，耐腐蚀性，耐酸碱性及不易残胶特性(避免在oled及tfe制程中损伤)。
44.对步骤一中已贴合pet高温胶带的硅基板进行oled及tef封装作业，封装层采用
al2o3&tio2+sin层，膜厚分别为30nm、600nm。
45.对去除pet高温胶带后的基板进行清洗、干燥、去除p边缘残留膜层，即可进行后续die bond及wire bond工艺。
46.本发明采用pet高温胶带贴合在pad区域后再进行封装，封装完成后去除胶带的方法进行端子区域打开，其可避免涂布曝光显影造成的图形不良、避免干法刻蚀造成的蚀刻残留及过刻不良、避免湿法去胶不净不良，且降低了对tfe膜层的药液耐受性需求；另一方面缩短工艺流程，极大的节约成本及提高产能。
47.上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。