基片处理装置和导电性配管劣化程度判断方法与流程

1.本发明涉及基片处理装置和判断导电性配管的劣化程度的方法。


背景技术：

2.半导体装置的制造工艺中包含通过从喷嘴对基片供给处理液而对基片实施液处理的液处理工序。从防止处理液导致的损伤和防止流过配管内部的处理液的摩擦导致的带电的观点出发，作为对喷嘴供给处理液的配管，通常使用在pfa等的氟类树脂组装有条纹形状的碳等的导电性部件的导电性配管(例如参照专利文献1)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2003
‑
278972号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.本发明提供容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化的技术。
8.用于解决技术问题的技术方案
9.本发明的基片处理装置的一个实施方式包括：处理基片的基片保持部；对保持于上述基片保持部的基片释放处理液的喷嘴部；与上述喷嘴部连接的导电性配管，其对上述喷嘴部供给处理液；将上述导电性配管与基准电位连接的接地线；设置在上述基片保持部的周围的液接收部，其接收从上述喷嘴部释放的液体；和劣化程度测量部，其用于测量上述导电性配管的导电性的劣化程度，上述劣化程度测量部包括：测量用液体供给部，其对上述导电性配管供给测量用液体，使上述测量用液体从上述喷嘴部释放；对上述液接收部的接液面与上述基准电位之间施加电位差的电位差施加部；和电流计，其在将上述测量用液体从上述喷嘴部释放到上述液接收部时，测量流过电荷移动路径的电流的电流值，其中上述电荷移动路径是在上述液接收部的接液面与上述接地线之间经由上述测量用液体而建立的。
10.发明效果
11.依照本发明，能够容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化。
附图说明
12.图1是一实施方式的基片处理装置的横截面图。
13.图2是表示处理单元中包含的劣化程度测量部的第一实施方式的结构的概要图。
14.图3是表示导电性配管的内部构造的一个例子的截面图。
15.图4是表示电极附近的结构的截面图。
16.图5是表示用于测量劣化程度的步骤的时序图。
17.图6a是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。
18.图6b是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。
19.图6c是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。
20.图6d是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。
21.图6e是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。
22.图6f是表示用于测量劣化程度的步骤的概要图。
23.图7a是表示用于说明劣化程度的测量条件的图表。
24.图7b是表示用于说明劣化程度的测量条件的图表。
25.图7c是表示用于说明劣化程度的测量条件的图表。
26.图8是表示处理单元中包含的劣化程度测量部的第二实施方式的结构的概要图。
27.附图标记说明
28.w
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基片
29.20
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基片保持部
30.100
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喷嘴部
31.102
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导电性配管
32.150、152
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液接收部
33.116、118
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测量用液体供给部
34.124
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电流计
35.170
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电流计(电阻计内置)
36.130、160
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电位差施加部
37.170
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电位差施加部(电阻计内置)。
具体实施方式
38.参照附图，对基片处理装置的一实施方式进行说明。
39.图1是表示本实施方式的基片处理系统的概要结构的图。在下文中，为了明确位置关系，规定彼此正交的x轴、y轴和z轴，使z轴正方向为铅垂向上方向。
40.如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻设置。
41.送入送出站2包括承载器载置部11和运送部12。在承载器载置部11载置有将多个基片、在本实施方式中半导体晶片(以下称为晶片w)以水平状态收纳的多个承载器c。
42.运送部12与承载器载置部11相邻设置，在内部设有基片运送装置13和交接部14。基片运送装置13具有保持晶片w的晶片保持机构。此外，基片运送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在承载器c与交接部14之间进行晶片w的运送。
43.处理站3与运送部12相邻设置。处理站3包括运送部15和多个处理单元16。多个处理单元16并排设置在运送部15的两侧。
44.运送部15在内部设有基片运送装置17。基片运送装置17具有保持晶片w的晶片保持机构。此外，基片运送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片w的运送。
45.处理单元16对由基片运送装置17运送的晶片w进行规定的基片处理。
46.此外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。存储部19中保存对在基片处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行存储于存储部19的程序，来控制基片处理系统1的动作。
47.此外，该程序也可以存储在计算机可读取的存储介质中，从该存储介质被安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。
48.在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片运送装置13从载置于承载器载置部11的承载器c取出晶片w，将取出的晶片w载置在交接部14。被载置于交接部14的晶片w由处理站3的基片运送装置17从交接部14取出，被送入处理单元16。
49.被送入到处理单元16的晶片w在由处理单元16进行了处理后，由基片运送装置17从处理单元16送出并载置在交接部14。然后，用基片运送装置13将被载置于交接部14的已处理的晶片w送回承载器载置部11的承载器c。
50.下面，参照图2，对处理单元16的结构进行说明。
51.处理单元16具有作为基片保持部的旋转卡盘20。旋转卡盘20具有将基片w例如半导体晶片以水平姿态保持的基片保持体22和使基片保持体22绕铅垂轴线旋转的旋转驱动部24。基片保持体22可以为真空吸盘或机械卡盘中的任一者。对基片w从至少1个喷嘴部100供给处理液。基片保持体22的周围被液接收杯状体26包围。液接收杯状体26回收在从喷嘴部100供给到基片w后从基片w脱离的处理液。
52.喷嘴部100通过未图示的喷嘴移动机构，能够在保持于旋转卡盘20的基片w的上方的处理位置与设置于液接收杯状体26的外侧的仿真分配端150的正上方的避让位置之间移动。未图示的喷嘴移动机构例如具有保持喷嘴部100(和后述的导电性配管102)的旋转式的臂。在图2的左上侧概要地表示了处于处理位置的喷嘴部100，在图2的中央部概要地表示了处于避让位置的喷嘴部100。
53.喷嘴部100能够由导电性配管102的前端部构成。在该情况下，导电性配管102的前端的开口成为喷嘴部100的释放口。
54.也可以取代上述情况，而喷嘴部100是与安装于导电性配管102的前端的导电性配管102分体的部件。在该情况下，喷嘴部100能够由具有高耐药品性的氟类树脂(例如，pfa、ptfa等)构成。
55.图3表示了导电性配管102的结构的一个例子。在图3的例子中，导电性配管102包括由氟类树脂构成的非导电性的管主体102a和设置于管主体102a的导电性的4个h形截面的带状件102b。带状件102b例如能够由掺杂了导电性颗粒如碳黑得到的pfa等的氟类树脂形成。导电性配管102可以具有其他结构。例如，导电性配管102整体可以由掺杂有导电性颗粒的氟类树脂形成。
56.对于喷嘴部100由导电性配管102的前端部构成的情况，进行以下的说明。
57.导电性配管102的上游端经由由绝缘性材料(例如氟类树脂)构成的管接头104与由绝缘性材料(例如氟类树脂)构成的非导电性配管106连接。从非导电性配管106上的分支点108分支出至少1个非导电性的处理液供给配管110p。处理液供给配管110p的上游端与处理液供给源112p连接。在处理液供给配管112p设置有包含开闭阀、流量计、流量控制阀等的流动控制机构114p。在对基片w实施液处理时，从处理液供给源112p将处理液(例如spm等的
药液)经由处理液供给配管110p供给到喷嘴部100。
58.非导电性配管106的上游端与测量用液体供给源116连接。在分支点108与测量用液体供给源116之间设置有开闭阀118例如空气操作阀(air operation valve)。测量用液体的电阻率优选尽可能高，作为适合的测量用液体例示diw(去离子水(也称为纯水))。部件116、118构成测量用液体供给部。
59.另外，在从喷嘴部100释放的处理液具有足够高的电阻率的情况下，能够将该处理液兼用作测量用液体。在该情况下，也能够将处理液供给部(110p、112p、114p)作为测量用液体供给部使用。
60.与喷嘴部100在上游侧隔开间隔的位置(例如管接头104的附近)，在导电性配管102电连接有接地线(ground line)120的一端。接地线120的另一端与基准电位点(基准电位)(fg)电连接。在导电性配管102具有如图3所示的结构的情况下，露出到h形截面的带状件102b的导电性配管102的外周面的外侧部分102c与接地线120连接。基准电位点例如为基片处理系统1的未图示的金属制架(机架)，也被称为机架接地部(fg，frame ground)。金属制架优选与地连接。接地线120是为了设置与后述的劣化程度测量部相关联的器件而采用的。
61.在处理单元16内对基片w实施液处理时，因导电性配管102的管主体102a的内表面与通过导电性配管102的处理液的摩擦而产生静电。静电(电荷)从与带状件102b的处理液接触的内侧部分102d向外侧部分102c移动，经由接地线120流窜到机架接地部，从而将处理液除电。由此，能够防止形成于基片w的器件的静电破坏或者易燃性处理液的着火。
62.处于带状件102b的内侧部分102d的表面(与处理液接触的面)附近的导电性颗粒，因在导电性配管102的内部流过处理液而逐渐脱落。在内侧部分102d的表面附近的导电性颗粒脱落了的部分，剩下具有多个孔的树脂材料。该部分的导电性非常低。随着这样的导电性颗粒脱落的部分的体积增加，从带状件102b的内侧部分102d的表面至外侧部分102c之间的电阻增大，除电性能劣化。本实施方式的处理单元16设置有用于检测导电性配管102尤其是该带状件102b的导电性的劣化程度的劣化程度测量部。
63.下面，对劣化程度测量部的第一实施方式进行说明。
64.在仿真分配端150连接有排液用配管152。将仿真分配端150和排液用配管152并称为“液接收部”。仿真分配端150和排液用配管152由电介质材料形成。电介质材料例如能够采用pfa、ptfe等的氟类树脂。仿真分配端150和排液用配管152的结构和材料可以与普通的基片处理单元所使用的结构和材料相同。
65.靠近排液用配管152的仿真分配端150附近的部分的外表面设置有由导电性材料构成的电极160。电极160被电压施加部130(在图2中点划线所包围的部分)施加电压。
66.下面，对电压施加部130的结构进行说明。电压施加部130包括高电压直流电源132。高电压直流电源132能够对电极160施加相对于机架接地部(fg)被控制成所希望的电位(例如几kv)。高电压直流电源132的正极经由第一导电线(第一导电线路)134与电极160电连接，负极经由接地线136与机架接地部(基准电位点)电连接。高电压直流电源132的正极和负极的连接目标可以相反。
67.在第一导电线134设置有第一开关138。设置于第一导电线134的分支点140经由接地线(第二导电线路)142与机架接地部(基准电位点)电连接。
68.在接地线142设置有第二开关144和电阻146(优选可变电阻)。为了测量电极160的电位，电位计148直接连接到电极160，或者连接到第一导电线134的电极160与第一开关138之间的区间的任意位置。在图2中，电位计148被记载为接触式的电位计，但是作为电位计148也可以使用非接触式的表面电位计。电位计148也可以用于确认是否存在电压施加部130的漏电。
69.第一开关138和第二开关144优选为常闭的接点(也称为“b接点”)。这样一来，在基片处理系统1的电源系统发生不良状况时能够对电极160可靠地除电，因此从维护操作员的安全上的观点出发是优选的。此外，第一开关138和第二开关144被施加数kv的高电压，因此优选使用磁簧开关(磁簧继电器)等的可耐受高电压的开关。
70.劣化程度测量部还包括电阻122(优选可变电阻)和电流计124。电阻122和电流计124设置在上述的接地线120。作为电流计124优选使用能够检测微安级的微小电流的部件。作为电阻122，能够使用具有例如100mω程度的电阻值的部件。
71.劣化程度测量部还包括控制器180。控制器180至少能够控制电压施加部130的动作和开闭阀118的动作。控制器180接收电位计148和电流计124的检测信号。控制器180具有作为运算部的功能，能够基于电流计124的检测结果，求取导电性配管102的电阻值。该运算部的功能可以包含基于电阻值判断导电性配管102的带状件102b的健全性(导电性)的功能。
72.图4表示电极160的周围的结构的一个例子。靠近排液用配管152的仿真分配端150附近的部分的外面设置有圆弧状的电极160。电极160连接有作为第一导电线132的屏蔽电线。排液用配管152优选在不产生绝缘破坏的情况下尽可能薄，这样一来能够提高电阻的测量精度。电极160能够由金属、导电性橡胶等的导电性材料形成。从防止漏电的观点出发，绝缘材162设置于电极160的外侧。
73.下面，参照图5、图6a、图6b、图6c、图6d、图6e、图6f，对劣化程度测量部的动作进行说明。基于劣化程度测量部的电阻测量操作，在控制器180的控制下执行。控制器180可以为图1所示的控制装置4的一部分。控制器180的存储部中存储有定义了电阻测量操作的步骤的方案，控制器180按照方案，使处理单元16(或者基片处理系统1)执行以下说明的电阻测量操作。
74.图5是用于说明劣化程度测量部的动作的时序图。横轴表示时间经过。“sw1”表示第一开关138的状态，“sw2”表示第二开关144的状态，被涂满的部位表示开关为闭合状态。“hv”表示高电压直流电源132的状态，被涂满的部位表示高电压直流电源132输出电压。“aov”表示开闭阀118的状态，被涂满的部位表示开闭阀118打开从喷嘴部100释放测量用液体。“v”表示电极160的电位。“μa”表示由电流计124检测的检测电流。“sw1”、“sw2”、“hv”、“aov”、“v”、“μa”的定义在图6a～图6f中也相同。
75.图6a表示时刻t0的状态即初始状态。高电压直流电源132(hv)为off(关断)状态，第一开关138(sw1)和第二开关144(sw2)为闭合状态。电极160的电位为0v(步骤1)。
76.接着，在时刻t1，在将第一开关138维持为闭合状态的情况下，使第二开关144成为断开状态(步骤2)。
77.接着，在时刻t2，使高电压直流电源132成为开启状态，将规定的电压施加到电极160使电极160正带电(步骤3)。此时的状态在图6b表示。即，由于正带电的电极160形成的电
场，在液接收部(图示例子中，排液用配管152)产生电介质极化，排液用配管152的接液面(从喷嘴部100释放的液接触的面)正带电。此时，能够通过电位计148确认电极160处于要实现的电位的情况。也可以取代此，而通过高电压直流电源132的电压监控器来确认电极160处于要实现的电位的情况。
78.由电位计148检测的检测电压被发送到控制器180，控制器180在检测电压到达目标值之后执行下一步骤。在经过规定的时间后检测电压也没有达到目标值的情况下，控制器180判断为电压施加部130发生异常(例如漏电或者高电压直流电源132的故障等)，经由用户接口(未图示的显示器等)发出警报。
79.此外，第一开关138和第二开关144有接点寿命，因此，优选用控制器180或者上位控制器对上述开关的开闭次数进行计数。在计数达到了规定次数后，可以使用用户接口，向操作者催促开关138、144的更换。
80.在检测电压到达了目标值后的时刻t3，使第一开关138成为断开状态，使电极160保持带电的状态而成为浮置状态(步骤4)。此时，接着继续进行基于电位计148的电极160的电位。
81.在确认了电极160的电位继续处于目标值后，在时刻t4，打开开闭阀118，经由导电性配管102和喷嘴部100，对仿真分配端150释放测量用液体。此时，测量用液体以形成从喷嘴部100的释放口至仿真分配端150上的测量用液体的着液点为止连续地延伸的液柱的方式被释放。即，测量用液体部以不形成断续的多个液滴的方式被释放。
82.如上所述，将测量用液体从喷嘴部100释放，由此，能够建立包含以下的区间的电子能够移动的路径(以下，也称为“电荷移动路径”)。
83.‑
从机架接地部(fg)经由接地线120至接地线120的去往导电性配管102的连接点(详细而言，接地线120的去往导电性配管102的外侧部分102c的连接点)为止的第一区间
84.‑
从流过导电性配管102的内部的测量用液体与导电性带状件102b的内侧部分102d的接触界面，经由流动的测量用液体，至仿真分配端150或者排液用配管152内测量用液体流过电极160的附近的部分为止的第二区间(第二区间与第一区间经由导电性带状件102b电连接)
85.在上述的电荷移动路径建立的瞬间(该瞬间是测量用液体开始通过电极160附近的瞬间)，因静电感应，电子从机架接地部(fg)向存在于电极160的附近的测量用液体移动。即，在接地线120中向机架接地部(fg)瞬间地流过电流。该电流a由电流计124计测(步骤5)。图6c表示该状态。
86.上述的电流a是在极短时间内流过的脉冲状的电流。为了可靠地检测这样的电流，优选电流计124其本身或者接收电流计124的检测值的控制器180具有峰值保持(peak hold)功能。下面，将电流a的峰值称为峰值电流ap。
87.此外，电流a(峰值电流ap)随着电极160的电位而变化。因此，优选在步骤5中的测量用液体的释放时刻前后的一定程度的期间，继续进行由电位计148实施的电极160的电位的监视。预先通过实验求出电极160的电位与电流计124的检测值的关系，基于该关系校正电流计124的检测值，能够更精准地进行电阻的测量。
88.之后，在时刻t5，将高电压直流电源132切换至关断状态(步骤6)。此时的状态在图6d中表示。此外，此时，电极160的附近的电荷的分布稳定，在接地线120不流过电流。
89.接着，在时刻t6，一边继续从喷嘴部100释放测量用液体，一边使第二开关144为闭合状态以使将电极160与机架接地部电连接。由此，电极160的电位急剧地降低至0v。随之，由于静电感应，电子通过上述的电荷移动路径向远离电极160的方向移动，通过接地线120移动到机架接地部。即，从机架接地部(fg)通过接地线120向导电性带状件102b瞬间流过电流。该电流b由电流计124计测(步骤7)。图6e表示此时的状态。电流b也是在极短时间内流过的脉冲状的电流。以下将电流b的峰值称为峰电流bp。
90.在接地线142设置有电阻146，因此，能够使在使第二开关144成为闭合状态的瞬间流入电流计124的浪涌电流最小化，因此，能够提高电流计124的测量精度。此外，能够保护与机架接地部连接的其他电子设备不受浪涌电流的影响。电阻146的电阻值例如能够为几十mω程度。
91.接着，在时刻t7，一边继续从喷嘴部100释放测量用液体，一边使第一开关138成为接通状态(步骤8)。图6f表示此时的状态。由此，能够使仿真分配端150的带电最小化。这有助于下一测量循环中的测量精度的提高。
92.接着，在时刻t8，将开闭阀118关闭，停止从喷嘴部100释放测量用液体(步骤9)。以上，一个测量循环结束。
93.将上述的步骤1～步骤9的测量循环反复多次。
94.控制器180在各测量循环中计算峰值ap的绝对值与峰值bp的绝对值之和(|ap|+|bp|)，求取所有循环中的(|ap|+|bp|)的平均值。基于该平均值，能够求取导电性配管102的导电性带状件102b的劣化程度。
95.对产生大致容许界限的劣化的导电性配管102进行上述的测量，可获知上述平均值的容许界限值。因此，基于上述平均值与容许界限值的比较，能够判断导电性配管102的更换的必要性。
96.此外，也可以代替多个循环的测量值的平均值，而根据该一个循环的测量值来判断导电性带状件102b的劣化程度。
97.也可以将对电极160施加的施加电压除以电流计124的检测电流值(例如上述的和(|ap|+|bp|)得到的值用作电阻值(视在电阻值)，基于该电阻值判断导电性带状件102b的劣化程度。但是，能够将对电极160施加的施加电压维持为一定时，能够仅基于电流计124的检测电流值来判断导电性带状件102b的劣化程度，因此也可以将电流计124的检测电流值其本身作为导电性带状件102b的劣化程度的判断基准。
98.下面，对设置于接地线120的电阻122的电阻值的设定的考量方法进行说明。在上述的电荷移动路径中，导电性带状件102b和电阻122串联连接。因此，在电阻122的电阻值比导电性带状件102b的电阻值大得多的情况下，即使作为导电性带状件102b的劣化程度的指标的导电性带状件102b的电阻值稍有变动，由电流计124测量的电流值也几乎不变化。导电性带状件102b的劣化导致的导电性带状件102b的电阻值变化量为大致400mω程度(该值为一个例子)，因此应避免将电阻122的电阻值设定得远大于400mω。
99.另一方面，在电阻122的电阻值过低时(包含不存在电阻122的情况)，可能产生其他问题。参照图7a的图表，对这点进行说明。在图7a的图表中，横轴是从导电性带状件102b的内侧部分102d的表面至接地线120的去往机架接地部的连接点为止的电阻值(r)。纵轴是上述步骤5中由电流计124测量出的电流值(i)。
100.根据欧姆法则，由电流计124测量的电流值，与电阻122的电阻值和导电性带状件102b的电阻值(详细而言，内侧部分102d与外侧部分102c之间的电阻值)之和成反比。因此，在电阻122不存在或者电阻122过低的情况下(例如图7a的区域p)，因导电性带状件102b的电阻值的微小变化而电流计124的测量值过度地大幅变化。在该情况下，因测量条件的微小变动(例如测量用液体的电离度的变化等)而电流计124的测量值大幅变化，进而得到的电阻数据变得不稳定。
101.优选决定电阻122的电阻值，以使得相对于导电性带状件102b的电阻值的变化，电流计124的测量值稳定地变化，且电流计124的测量值的变化相对于导电性带状件102b的电阻值的变化足够变大(但是不过大)(例如图7a的区域q)。在导电性带状件102b的劣化导致的导电性带状件102b的电阻值变化量如上所述为大致400mω程度的情况下，优选电阻122的电阻值为100mω程度(该值为一个例子)。
102.图7b是表示在使用没有受到损伤的导电性配管102，作为测量用液体使用diw，且作为电阻122使用可变电阻的情况下，按对电极160施加的施加电压测量电阻122的电阻值与电流计124的测量值的关系得到的试验结果的图表。可变电阻的电阻值能够视为与串联连接的导电性带状件102b和电阻122的电阻值之和实质上等价的电阻值。即，通过使可变电阻的电阻值变化，能够模拟导电性带状件102b的电阻(损伤)变化。可知对电极160施加的施加电压越高，电阻值
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电流值线状图的斜率越大。这意味着能够以更高的灵敏度检测导电性带状件102b的损伤的变化。
103.图7c是表示使用与图7b中说明的试验相同的试验设备，按从喷嘴部100向仿真分配端150释放的diw的各流量，测量电阻122的电阻值与电流计124的测量值的关系得到的试验结果的图表。可知diw流量越大，电阻值
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电流值线状图的斜率越大，越能够以更高的灵敏度检测导电性带状件102b的损伤。diw流量越大，存在于仿真分配端150和排液用配管152内的测量用液体(diw)的表面积变得越大，因此感应电流也变大。这意味着在各测量中，需要将测量用液体的流量维持为相同的值。
104.图8表示劣化程度测量部的第二实施方式。在第二实施方式中，仿真分配端150和排液用配管152(详细而言，至少与后述的第一端子171连接的部分)由导电性材料形成。劣化程度测量部包括电阻计170，电阻计170的第一端子171与排液用配管152电连接，第二端子172与接地线120电连接。第二端子172可以与导电性配管102的带状件102b的外侧部分102c连接。
105.在该第二实施方式中，能够一边持续从喷嘴部100释放测量用液体，一边用电阻计170测量第一端子171与第二端子之间的电阻，基于电阻值判断导电性配管102的劣化程度。
106.此外，如上所述，电阻计是包括对电阻测量区间施加电压的电压施加部和测量流过电阻测量区间的电流的电流测量部(电流计)，能够基于电压与电流的关系测量电阻测量区间的电阻的装置。
107.第二实施方式的劣化程度测量部的结构简单，因此，能够将一个电阻计170共用于多个导电性配管102的劣化程度的测量。在该情况下，将能够可靠且稳定地电连接电阻计170的第一端子171和第二端子的端子设置在仿真分配端150(或者，排液用配管152)和接地线120。
108.依照上述实施方式，能够容易高精度地检测导电性配管的导电性的劣化。因此，能
够在需要更换的时刻对导电性配管进行更换。因此，能够防止产生因将比较昂贵的导电性配管在不需要的时候提前更换而导致的浪费成本。此外，能够防止产生因使用劣化了的导电性配管而产生的不良状况。
109.此外，上述的方法也同样适应于喷嘴部100为与安装在导电性配管102的前端的导电性配管102分体的部件的情况。
110.本次公开的实施方式在所有方面均是例示，而不应认为是限制性的。上述的实施方式只要不脱离所附的权利要求范围及其主旨，就能够以各种的方式省略、替换、改变。