金属掩模的制作方法

金属掩模
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求2020年3月10日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请第10
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2020
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0029699号的优先权和权益，其全部内容通过引用在此并入。
技术领域
3.本公开的实施方式涉及具有改善的可靠性的金属掩模。


背景技术：

4.显示面板包括多个像素。每个像素包括驱动装置(例如，晶体管)和显示装置(例如，有机发光二极管)。显示装置通过在基板上堆叠电极和发光图案形成。
5.通过使用具有开口的掩模的图案化工艺将发光图案形成于基板的给定区域上。例如，发光图案形成于通过开口暴露的基板的区域上。发光图案的形状由开口的形状决定。


技术实现要素：

6.本公开的一些实施方式提供高可靠性的金属掩模，当金属掩模被拉伸时，其可防止变形或起皱，或者其展示出减少的变形或起皱。
7.根据本公开的一些实施方式，金属掩模可包括具有第一厚度并具有第一区域和邻近第一区域的第二区域的金属薄膜，第一区域包括：透射区域，限定穿透金属薄膜的第一开口；以及非透射区域，包括具有小于第一厚度的第二厚度的蚀刻部分，第二区域限定穿透金属薄膜的第二开口，其中，第一区域的开口密度小于第二区域的开口密度，第一区域的开口密度被限定为第一开口的数量/第一区域的面积，并且第二区域的开口密度被限定为第二开口的数量/第二区域的面积。
8.透射区域和非透射区域中的每个可在第一区域中被提供为多个。
9.至少两个非透射区域可彼此邻近。
10.非透射区域的蚀刻部分可邻近第一开口。
11.第二厚度可在第一厚度的约10％至约50％之间。
12.非透射区域可进一步包括邻近蚀刻部分的第二蚀刻部分以及蚀刻部分和第二蚀刻部分之间的肋部分。
13.蚀刻部分和第二蚀刻部分可具有基本上相同的厚度。
14.肋部分和金属薄膜可具有基本上相同的厚度。
15.肋部分的厚度可大于金属薄膜的厚度的约30％，并可小于或等于金属薄膜的厚度的约80％。
16.第一区域的面积可小于第二区域的面积。
17.根据本公开的一些实施方式，金属掩模可包括具有第一区域和第二区域的金属薄膜，第一区域和第二区域各自限定穿透金属薄膜的开口，其中第一区域的开口密度小于第二区域的开口密度，并且其中第一区域包括蚀刻部分，蚀刻部分邻近第一区域的开口并且
具有的厚度小于金属薄膜的厚度。
18.金属掩模可进一步包括肋部分，其中蚀刻部分被提供为多个，并且肋部分在邻近的蚀刻部分之间。
19.蚀刻部分可具有基本上彼此相同的厚度。
20.肋部分的厚度可基本上等于金属薄膜的厚度。
21.肋部分的厚度可大于金属薄膜的厚度的约30％，并且可等于或小于金属薄膜的厚度的约80％。
22.第一区域的面积可小于第二区域的面积。
23.第一区域可邻近第二区域。
24.根据本公开的一些实施方式，金属掩模可包括具有第一厚度的金属薄膜，并包括限定第一开口的第一区域和限定第二开口的第二区域，第一区域包括：支撑部分，具有第一厚度；第一蚀刻部分和第二蚀刻部分，各自具有小于第一厚度的第二厚度；以及肋部分，在第一蚀刻部分和第二蚀刻部分之间，并具有第三厚度，其中第一区域的开口密度小于第二区域的开口密度，第一区域的开口密度被限定为第一开口的数量/第一区域的面积，并且第二区域的开口密度被限定为第二开口的数量/第二区域的面积。
25.第三厚度可基本上与第一厚度相同。
26.第三厚度可大于第一厚度的约30％，并小于或等于第一厚度的约80％。
附图说明
27.从以下结合所附附图的简要描述，将更清楚地理解本公开的实施方式。所附附图表示如本文描述的非限制性实施方式。
28.图1为示出根据本公开的一些实施方式的金属掩模组件的透视图。
29.图2为示出根据本公开的一些实施方式的金属掩模的透视图。
30.图3a为示出图2的区域xx的放大透视图。
31.图3b为示出图2的区域xx的放大平面图。
32.图4a为示出图2的区域yy的放大透视图。
33.图4b为示出图2的区域yy的放大平面图。
34.图5为示出根据本公开的一些实施方式的第一区域的平面图。
35.图6a为示出沿着图5的i
‑
i'线截取的截面的示例的截面图。
36.图6b为示出沿着图5的ii
‑
ii'线截取的截面的示例的截面图。
37.图6c为示出沿着图5的iii
‑
iii'线截取的截面的示例的截面图。
38.图6d为示出根据本公开的一些实施方式的第一区域的一部分的放大透视图。
39.图7a为示出沿着图5的i
‑
i'线截取的截面的另一示例的截面图。
40.图7b为示出根据本公开的一些实施方式的第一区域的一部分的放大透视图。
41.图8a至图8c为示出根据本公开的一些实施方式制造显示面板的方法的一些步骤的透视图。
42.应当注意，这些图旨在示出在某些实施方式中采用的方法、结构和/或材料的一般特性，并补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例绘制的，并且可能不会精确反映任何给定实施方式的精确结构或性能特性，并且不应被解释为限定或限制由实施方式
涵盖的值或性质的范围。例如，为了清楚起见，可减小或放大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置。在各种附图中使用类似或相同的附图标记旨在指示相似或相同的元件或特征的存在。
具体实施方式
43.现将参照其中显示了实施方式的所附附图更全面地描述本公开的实施方式。然而，本公开的实施方式可以多种不同的形式体现，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将透彻和完整，并且将向本领域普通技术人员全面地传达实施方式的概念。在附图中，为了清楚起见，放大了层和区域的厚度。附图中相同的附图标记表示相同的元件，因此将省略其描述。
44.应当理解，当元件被称为“连接”或“耦接”到另一元件时，它可直接连接或耦接到另一个元件，或者可存在中间元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接耦接”至另一元件时，不存在中间元件。相同的附图标记始终指示相同的元件。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任意和所有组合。应该以类似的方式解释用于描述元件或层之间的关系的其他词语(例如，“在...之间”与“直接在...之间”，“邻近”与“直接邻近”，“在...上”与“直接在...上”)。
45.应当理解，尽管术语“第一”，“第二”等可在本文用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分。因此，在不脱离实施方式的教导下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
46.为了易于描述，本文可使用空间相对术语，比如“之下”、“下面”、“下”、“上面”和“上”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另一个(些)元件或特征的关系。应当理解，除了图中描绘的定向之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同定向。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为在其他元件或特征“下面”或“之下”的元件将被定向为在其他元件或特征“上面”。因此，术语“下面”可包括上面和下面两个定向。装置可另外定向(旋转90度或以其他定向)，并据此解释本文使用的空间相对描述语。
47.进一步，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”意指从顶部看目标部分，并且短语“在横截面上”意指从侧面看通过垂直切割目标部分而形成的横截面。
48.在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，而是可在更广泛的意义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一、第二和/或第三方向。
49.本文所使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，并非旨在限制实施方式。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。应进一步理解，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”，如果在本文中使用，则指定存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
50.此外，本文公开和/或列举的任何数值范围旨在包括在列举范围内囊括的相同数
值精密度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括在所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0之间(并且包括端值)的所有子范围，也就是，具有等于或大于1.0的最小值且等于或小于10.0的最大值，比如，例如2.4至7.6。本文列举的任何最大数值限制旨在包括其中囊括的所有较低数值限制，并且本说明书列举的任何最小数值限制旨在包括其中囊括的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确列举囊括在本文明确列举的范围内的任何子范围。所有这样的范围旨在在本说明书中进行固有地描述，使得以明确地列举任何这样的子范围的修改将符合《专利法》第33条的要求。
51.本文参照横截面图示描述本公开的实施方式，该横截面图示为实施方式的理想化实施方式(和中间结构)的示意图示。正因如此，例如由于制造技术和/或公差导致的图示的形状的改变是可预期的。因此，本公开的实施方式不应被解释为限于本文示出的区域的特定形状，而应包括例如由制造导致的形状偏差。
52.除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科技术语)具有与本公开的实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，比如在常用字典中定义的那些术语应被解释为具有与相关领域的语境中它们的含义一致的含义，并且将不会以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文明确地如此限定。
53.图1为示出根据本公开的一些实施方式的金属掩模组件的透视图。
54.参见图1，金属掩模组件可包括金属掩模msk、支撑板sp和初始基板dp
‑
i1。根据一些实施方式，多个金属掩模msk可布置在第一方向dr1上，并且可包括棒型金属掩模msk，其可彼此分开。然而，本公开不限于此，并且在一些实施方式中，金属掩模msk可提供为单个对象的形式。
55.支撑板sp可位于金属掩模msk和初始基板dp
‑
i1之间。支撑板sp可提供为框架的形式，该框架暴露初始基板dp
‑
i1的至少一部分。初始基板dp
‑
i1的被支撑板sp暴露的部分可与每个金属掩模msk中限定的多个单元区域ca重叠。
56.金属掩模msk可用于在初始基板dp
‑
i1上形成包括在有机电致发光器件中的多个薄图案。支撑板sp可防止金属掩模msk和初始基板dp
‑
i1彼此直接接触。因此，能够减少或防止初始基板dp
‑
i1由于与金属掩模msk接触而被损伤的可能性。
57.图2为示出根据本公开的一些实施方式的金属掩模msk的透视图，图3a为示出图2的区域xx的放大透视图，图3b为示出图2的区域xx的放大平面图，图4a为示出图2的区域yy的放大透视图，并且图4b为示出图2的区域yy的放大平面图。
58.参见图2，金属掩模msk可包括金属薄膜mm，金属薄膜mm具有在第一方向dr1上延伸的短边，并且金属薄膜mm在第二方向dr2上延伸。金属薄膜mm的前表面fs可平行于第一方向dr1和第二方向dr2两者，并且可在前表面fs中限定多个单元区域ca。金属薄膜mm的后表面rs可平行于第一方向dr1和第二方向dr2两者，并且可在第三方向dr3上与前表面fs相对。
59.在本说明书中，由第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3指示的方向可为相对概念，并且在某些实施方式中，它们可用于指示其他方向。在下文中，第一方向至第三方向可分别为由第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3指示的方向，并且将以相同的附图标记表示。
60.每个单元区域ca可包括第一区域10和与第一区域10邻近的第二区域20。第一区域10的面积可小于第二区域20的面积。在一些实施方式中，第二区域20可具有包围第一区域
10的至少一部分或部分地围绕第一区域10的形状。图2示出第一区域10具有矩形形状，但是本公开不限于此，并且第一区域10的形状可进行各种改变。另外，图2示出了第一区域10位于单元区域ca的顶部的中心处，但是本公开不限于此。例如，第一区域10可位于单元区域ca的侧部处，而不受单元区域ca的顶部的中心的限制，或者可位于单元区域ca中以被第二区域20完全包围。
61.在一些实施方式中，第一区域10可包括区域xx，并且第二区域20可包括区域yy。区域xx和区域yy可具有相同的面积。
62.图3a和图3b示出了放大的区域xx的形状，区域xx为第一区域10的一部分。参见图3a和图3b，可在第一区域10中限定多个开口op10和蚀刻部分hm。在下文中，在第一区域10中限定的开口op10将被称为第一开口op10。第一开口op10可穿透金属掩模msk。在附图中，第一开口op10被示出为具有正方形形状，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第一开口op10可具有菱形形状、矩形形状或圆形形状等。
63.蚀刻部分hm可为以半蚀刻方式蚀刻其的金属掩模msk的一部分，并且具有距金属掩模msk的前表面fs的给定深度。蚀刻部分hm将在下面进行更详细地描述。
64.在一些实施方式中，多个区域xx可重复地布置在第一区域10中。然而，本公开不限于图3a和图3b的示例，并且本公开不限于布置在区域xx中的第一开口op10和蚀刻部分hm的具体形状。例如，第一开口op10和蚀刻部分hm可在第一区域10中布置为各种形状。
65.图4a和图4b示出了放大的区域yy的形状，区域yy是第二区域20的一部分。如图4a和图4b显示的，可在第二区域20中限定多个开口op20。在下文中，在第二区域20中限定的开口op20将被称为第二开口op20。第二开口op20可穿透金属掩模msk。在附图中，第二开口op20被示出为具有正方形形状，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第二开口op20可具有菱形形状、矩形形状或圆形形状等。
66.多个区域yy可重复地布置在第二区域20中。参见图4a和图4b，第二开口op20可规则地布置在区域yy中。例如，第二开口op20可在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此隔开恒定的距离，并且可布置为例如矩阵形状。然而，本公开不限于此，并且如果需要，第二开口op20的布置可进行各种改变。
67.参见图3b和图4b，分别为第一区域10和第二区域20的一部分的区域xx和区域yy可具有相同的面积，但是区域xx中的第一开口op10的数量可小于区域yy中限定的第二开口op20的数量。因此，第一区域10的第一开口op10的密度可低于第二区域20的第二开口op20的密度。
68.在图3a至图4b中，第一开口op10和第二开口op20被示出为具有相同的形状，但是本公开不限于此。例如，第一开口op10和第二开口op20可具有彼此不同的形状。
69.图5为示出根据本公开的一些实施方式的第一区域10的平面图。
70.参见图5，根据本公开的一些实施方式的第一区域10可包括透射区域oa和非透射区域ha。在一些实施方式中，可提供多个透射区域oa和多个非透射区域ha。透射区域oa和非透射区域ha可布置为各种方式。
71.在一些实施方式中，顺序可为沿着图5的线i
‑
i’依次布置的透射区域oa、非透射区域ha、非透射区域ha、非透射区域ha和透射区域oa。而且，顺序可为沿着图5的线ii
‑
ii'依次布置的透射区域oa、非透射区域ha、透射区域oa、非透射区域ha和透射区域oa。此外，透射区
域oa可沿着图5的线iii
‑
iii'连续地布置。
72.图6a为示出沿着图5的线i
‑
i'截取的截面的示例的截面图，图6b为示出沿着图5的线ii
‑
ii'截取的截面的示例的截面图，图6c为示出沿着图5的线iii
‑
iii'截取的截面的示例的截面图，并且图6d为示出根据本公开的一些实施方式的第一区域10的一部分的放大透视图。
73.参见沿着线i
‑
i'截取的图6a的截面图，第一开口op10可被限定在透射区域oa中。在一些实施方式中，可在透射区域oa中提供多个第一开口op10。
74.支撑部分pp、第一蚀刻部分hm1、第二蚀刻部分hm2以及位于第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2之间的肋部分rb可位于非透射区域ha中。第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2可为在其上进行半蚀刻工艺的金属掩模msk的一部分，并且可具有距前表面fs的给定深度。
75.在其中金属薄膜mm具有第一厚度w1的情况下，第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2可具有小于第一厚度w1的第二厚度w2。第二厚度w2可在第一厚度w1的约10％至约50％的范围内。例如，可通过以半蚀刻方式(例如，大于第一厚度w1的约50％的深度)蚀刻金属掩模msk形成第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2。
76.第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2可通过相同的半蚀刻工艺形成。因此，第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2可具有基本上相同的厚度，这意味着第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2之间的厚度差可在典型的工艺余量或典型的误差容限内。半蚀刻工艺可为湿蚀刻工艺。
77.尽管第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2被示出为具有矩形形状，但是第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2的形状可进行各种改变。另外，第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2中的每个的厚度可被限定为在第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2中的每个的中心处测量的厚度。
78.支撑部分pp和肋部分rb可为在金属掩模msk的非透射区域ha中形成第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2之后剩余的剩余部分。肋部分rb可位于第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2之间。支撑部分pp和肋部分rb可具有第三厚度w3。第三厚度w3可基本上等于第一厚度w1。
79.参见沿着线ii
‑
ii'截取的图6b的截面图，至少一个非透射区域ha可邻近透射区域oa放置。另外，透射区域oa可位于非透射区域ha之间。
80.参见沿着线iii
‑
iii'截取的图6c的截面图，可连续地放置多个透射区域oa。因为多个透射区域oa被连续地放置，所以多个第一开口op10可在给定方向上被连续地放置。
81.图6d为示出根据本公开的一些实施方式的第一区域的一部分的放大透视图。参见图6d，第一开口op10可位于透射区域oa中。第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2可位于非透射区域ha中。如图所示，第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2可邻近第一开口op10地放置。
82.如先前参照图3b和图4b描述的，第一区域10的第一开口op10的密度可低于第二区域20的第二开口op20的密度。由于开口密度的这种差异，第一区域10的体积(例如，材料)可大于第二区域20的体积。因为根据本公开的一些实施方式的金属掩模msk的第一区域10包括第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2，所以与其中不包括第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻
部分hm2的情况相比，可减小第一区域10的体积。因此，因为根据本公开的一些实施方式的金属掩模msk包括第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2，所以能够减小第一区域10和第二区域20之间的体积差异。
83.在以下表(表1)中总结了第一区域与第二区域的平均厚度之比和皱纹的尺寸之比。“皱纹的尺寸之比”是基于当“第一区域与第二区域的平均厚度之比”为1时产生的皱纹的尺寸的值。
84.表1
[0085][0086][0087]
参见表1的实施方式1至5，如果第一区域10与第二区域20的平均厚度之比从3.7降低至0.7，则皱纹的尺寸之比从2.4降低至1.2。
[0088]
也就是，如果第一区域10与第二区域20的平均厚度之比降低，则在边界部分形成的皱纹的尺寸之比降低。因此，在根据本公开的一些实施方式的金属掩模msk中，能够减小第一区域10和第二区域20之间的体积差，从而减小金属掩模msk中的皱纹的尺寸或完全防止金属掩模msk中的皱纹出现。
[0089]
图7a为示出沿着图5的线i
‑
i'截取的截面的另一示例的截面图，且图7b为示出根据本公开的一些实施方式的第一区域10’的一部分的放大透视图。
[0090]
如沿着线i
‑
i’截取的图7a的截面图中显示的，第一非透射区域ha1’、第二非透射区域ha2’和第三非透射区域ha3’可位于一对透射区域oa之间。
[0091]
在根据本公开的一些实施方式的第一非透射区域ha1’中，位于第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2之间的肋部分rb’可具有小于第一厚度w1的第三厚度w3’。第三厚度w3’可大于第一厚度w1的约30％，并且可等于或小于第一厚度w1的约80％。例如，在第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2的形成中，可将半蚀刻区域调整为彼此重叠，并且在这种情况下，在第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2之间的肋部分rb’可具有减小的厚度(例如，减小的第三厚度w3’)。肋部分rb’的厚度越小，第一区域10’的体积越小(例如，形成第一区域10’的材料的量越少)。
[0092]
参见图7b，位于非透射区域ha’中的肋部分rb’可具有距前表面fs的给定深度。
[0093]
再次参见图7a，第二非透射区域ha2’可包括第一蚀刻部分hm1’、第二蚀刻部分hm2’和肋部分rb”。第三非透射区域ha3’可包括第一蚀刻部分hm1”、第二蚀刻部分hm2”和肋部分rb
””
。
[0094]
第二非透射区域ha2’中的肋部分rb”和第三非透射区域ha3’中的肋部分rb
””
可具有小于第一厚度w1的厚度，并且该厚度与第一非透射区域ha1'的肋部分rb'的厚度w3'相似或相同。
[0095]
在第一区域10’中，根据本公开的一些实施方式中，肋部分rb
”’
可位于第二非透射
区域ha2’的第二蚀刻部分hm2’与第三非透射区域ha3’的第一蚀刻部分hm1”之间。因为与第一非透射区域ha1’的第二蚀刻部分hm2和第二非透射区域ha2’的第一蚀刻部分hm1’之间的支撑部分pp不同，肋部分rb
”’
被形成为具有第三厚度w3’，第一区域10’的体积可进一步减小。
[0096]
图8a至图8c为示出根据本公开的一些实施方式的制造显示面板的方法的一些步骤的透视图。
[0097]
参见图8a和图8b，图8a示出了使用金属掩模msk(例如，见图1)将沉积材料epp沉积在其上的沉积基板dp
‑
i2。沉积材料epp可形成在初始基板dp
‑
i1的对应于金属掩模msk的单元区域ca(例如，见图1)的区域上。沉积材料epp可为例如有机材料。
[0098]
通过沿着限定在沉积基板dp
‑
i2中的切割线cl切割沉积基板dp
‑
i2可形成多个面板dp
‑
p。每个面板dp
‑
p可形成显示面板dp。
[0099]
参见图8c，显示面板dp可包括至少一个有源区域aa。有源区域aa可包括多个像素。有源区域aa可对应于沉积材料epp位于其上的区域，并且沉积材料epp可用作多个发光图案ep。
[0100]
在一些实施方式中，发光图案ep可形成为分别对应于金属掩模msk的第一开口op10和第二开口op20(例如，见图3b和图4b)。因为金属掩模msk的第一区域10的第一开口op10(例如，见图3b)的密度相对低于第二区域20的第二开口op20(例如，见图4b)的密度，所以可将对应于第一区域10的显示面板dp的区域10
‑
dp形成为具有比其他区域的发光图案ep的密度低的发光图案ep的密度。
[0101]
根据本公开的一些实施方式，金属掩模msk可包括提供在第一区域10中的第一蚀刻部分hm1和第二蚀刻部分hm2，第一区域10具有的开口密度低于第二区域20的开口密度，从而使得能够在第一区域10和第二区域20之间具有体积差。然而，因为第一区域10和第二区域20之间的体积差减小，所以当在金属掩模msk上施加拉力时，能够减少、防止或另外抑制位于第一区域10和第二区域20之间的边界附近的金属掩模msk的一部分因体积差引起的变形或起皱。
[0102]
根据本公开的一些实施方式，当金属掩模被拉伸时，能够减少或抑制金属掩模的变形。
[0103]
尽管已经特别显示并描述了本公开的实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解，可在不脱离所附权利要求书、包含在其中的其功能对等物的精神和范围的情况下在其中进行形式和细节上的变化。