技术特征：
1.一种用于形成集成电路的方法，其包括：形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠；在所述堆叠中形成阶梯状结构；将第一液体涂覆于所述阶梯状结构上，所述第一液体包括个别地具有最大亚微米尺寸或最小亚微米尺寸中的至少一者的绝缘物理对象；移除所述第一液体以使所述绝缘物理对象彼此触碰且在所述触碰的绝缘物理对象之间具有空隙空间；将不同于所述第一液体的第二液体涂覆于所述空隙空间中；以及使所述空隙空间中的所述第二液体变成固体绝缘材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述最大亚微米尺寸或所述最小亚微米尺寸中的所述至少一者不大于200纳米且不小于1纳米。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘物理对象仅具有所述最大亚微米尺寸或所述最小亚微米尺寸中的一者。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘物理对象具有所述最大亚微米尺寸和所述最小亚微米尺寸两者。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘物理对象包括纳米粒子。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘物理对象包括纳米线。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘物理对象包括纳米棒。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘物理对象包括量子点。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘物理对象包括纳米粒子、纳米线、纳米棒和量子点中的至少两者的组合。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘物理对象与所述固体绝缘材料包括相对于彼此相同的成分。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘物理对象与所述固体绝缘材料包括相对于彼此不同的成分。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘物理对象是晶体，且所述固体绝缘材料是非晶体。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述绝缘物理对象与所述固体绝缘材料包括相对于彼此相同的成分。14.根据权利要求12所述的方法，其中所述绝缘物理对象与所述固体绝缘材料包括相对于彼此不同的成分。15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一液体的所述涂覆包括旋涂。16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二液体的所述涂覆包括旋涂。17.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除包括加热所述第一液体。18.根据权利要求1所述的方法，其中所述改变包括加热所述第二液体。19.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述堆叠包括存储器阵列区和阶梯状区；在所述阶梯状区中的所述堆叠中形成阶梯状结构；
将第一液体涂覆于所述阶梯状结构上，所述第一液体包括个别地具有最大亚微米尺寸或最小亚微米尺寸中的至少一者的绝缘物理对象；移除所述第一液体以使所述绝缘物理对象彼此触碰且在所述触碰的绝缘物理对象之间具有空隙空间；将不同于所述第一液体的第二液体涂覆于所述空隙空间中；使所述空隙空间中的所述第二液体变成固体绝缘材料；形成通过所述存储器阵列区中的所述第一和第二层的存储器单元的沟道材料串；以及在所述堆叠中且在所述固体绝缘材料和所述绝缘物理对象中形成水平伸长的沟槽，以形成从所述存储器阵列区延伸到所述阶梯状区中的横向间隔开的存储器块区，所述阶梯状区中的所述存储器块区包括横向间隔开的阶梯状结构区。20.根据权利要求19所述的方法，其中所述存储器阵列和所述串包括nand。21.一种集成电路，其包括：三维3d阵列，其包括电子组件层；横向邻近于所述3d阵列的阶梯状结构，所述阶梯状结构具有个别地包括梯面和立板的梯级；以及在所述梯面的个体顶上且在所述立板的个体旁边的绝缘材料，所述绝缘材料包括：其间具有空隙空间的触碰的绝缘物理对象，所述绝缘物理对象个别地具有最大亚微米尺寸或最小亚微米尺寸中的至少一者；以及所述空隙空间中的固体绝缘材料。22.根据权利要求21所述的集成电路，其中所述最大亚微米尺寸或所述最小亚微米尺寸中的所述至少一者不大于200纳米且不小于1纳米。23.根据权利要求21所述的集成电路，其中所述绝缘物理对象仅具有所述最大亚微米尺寸或所述最小亚微米尺寸中的一者。24.根据权利要求21所述的集成电路，其中所述绝缘物理对象具有所述最大亚微米尺寸和所述最小亚微米尺寸两者。25.根据权利要求21所述的集成电路，其中所述绝缘物理对象包括纳米粒子、纳米线、纳米棒和量子点中的至少一者。26.根据权利要求25所述的集成电路，其中所述绝缘物理对象包括纳米粒子、纳米线、纳米棒和量子点中的至少两者的组合。27.根据权利要求21所述的集成电路，其中所述绝缘物理对象与所述固体绝缘材料包括相对于彼此相同的成分。28.根据权利要求21所述的集成电路，其中所述绝缘物理对象与所述固体绝缘材料包括相对于彼此不同的成分。29.根据权利要求21所述的集成电路，其中所述绝缘物理对象是晶体，且所述固体绝缘材料是非晶体。30.根据权利要求29所述的集成电路，其中所述绝缘物理对象与所述固体绝缘材料包括相对于彼此相同的成分。31.根据权利要求29所述的集成电路，其中所述绝缘物理对象与所述固体绝缘材料包括相对于彼此不同的成分。
32.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：横向间隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的沟道材料串延伸穿过存储器阵列区中的所述绝缘层和所述导电层；所述横向间隔开的存储器块的所述绝缘层和所述导电层，其从所述存储器阵列区延伸到邻近于所述存储器阵列区的阶梯状区中，所述阶梯状区中的所述存储器块的所述绝缘层与所述导电层包括相对于彼此横向间隔开的阶梯状结构，所述阶梯状结构个别地具有个别地包括梯面和立板的梯级；在所述梯面的个体顶上且在所述立板的个体旁边的绝缘材料，所述绝缘材料包括：其间具有空隙空间的触碰的绝缘物理对象，所述绝缘物理对象个别地具有最大亚微米尺寸或最小亚微米尺寸中的至少一者；以及所述空隙空间中的固体绝缘材料。33.根据权利要求32所述的存储器阵列，其中存储器阵列和所述串包括nand。
技术总结
本申请涉及集成电路、存储器阵列和形成其的方法。一种用于形成集成电路的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。在所述堆叠中形成阶梯状结构。将第一液体涂覆于所述阶梯状结构上。所述第一液体包括绝缘物理对象，所述绝缘物理对象个别地具有最大亚微米尺寸或最小亚微米尺寸中的至少一者。移除所述第一液体以使所述绝缘物理对象彼此触碰且在所述触碰的绝缘物理对象之间具有空隙空间。将不同于所述第一液体的第二液体涂覆于所述空隙空间中。使所述空隙空间中的所述第二液体变成固体绝缘材料。公开了其它实施例，包含结构。包含结构。包含结构。
技术研发人员：C
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.03.10
技术公布日：2021/9/9