技术特征：
1.一种显示设备，所述显示设备包括：基底；第一缓冲层，设置在所述基底上，所述第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于0.36且等于或小于1.01的键合到硅的氢的原子百分比；薄膜晶体管，设置在所述第一缓冲层之上；以及显示元件，电连接到所述薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述第一缓冲层与所述薄膜晶体管之间的第二缓冲层。3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第二缓冲层包含氧化硅。4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述薄膜晶体管包括栅电极和有源层，并且所述有源层距所述第一缓冲层比所述栅电极距所述第一缓冲层近。5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述栅电极包含铝。6.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述栅电极包括包含铝的第一层和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包含具有比铝的蚀刻比小的蚀刻比的材料。7.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述栅电极包括包含铝的第一层和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包含钛。8.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述栅电极包括包含铝的第一层和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包含氮化钛。9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述栅电极还包括设置在所述第二层上的第三层，所述第三层包含钛。10.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：在基底上形成第一缓冲层，所述第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于0.36且等于或小于1.01的键合到硅的氢的原子百分比；在所述第一缓冲层之上形成薄膜晶体管；以及形成电连接到所述薄膜晶体管的显示元件。11.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层，其中，形成所述薄膜晶体管的步骤包括在所述第二缓冲层之上形成所述薄膜晶体管。12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述第二缓冲层的步骤包括形成氧化硅层。13.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述薄膜晶体管的步骤包括形成有源层和在所述有源层之上形成栅电极。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述栅电极由包含铝的材料形成。15.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述栅电极的步骤包括：使用包含铝的材料形成第一临时层；使用具有比铝的蚀刻比小的蚀刻比的材料在所述第一临时层上形成第二临时层；以及同时对所述第一临时层和所述第二临时层进行图案化以形成所述栅电极。16.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述栅电极的步骤包括：使用包含铝的材料形成第一临时层；使用包含钛的材料在所述第一临时层上形成第二临时层；以及同时对所述第一临时层和所述第二临时层进行图案化以形成所述栅电极。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述栅电极的步骤包括：使用包含铝的材料形成第一临时层；使用包含氮化钛的材料形成设置在所述第一临时层上的第二临时层；以及同时对所述第一临时层和所述第二临时层进行图案化以形成所述栅电极。18.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述栅电极的步骤包括：使用包含铝的材料形成第一临时层；使用包含氮化钛的材料形成设置在所述第一临时层上的第二临时层；使用包含钛的材料形成设置在所述第二临时层上的第三临时层；以及同时对所述第一临时层、所述第二临时层和所述第三临时层进行图案化以形成所述栅电极。19.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第一缓冲层的步骤包括仅使用氮气和硅烷气形成所述第一缓冲层。20.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第一缓冲层的步骤包括通过将氮气的流速保持为硅烷气的流速的至少160倍来形成所述第一缓冲层。
技术总结
公开了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。该显示设备包括基底。第一缓冲层设置在基底之上。第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于约0.36且等于或小于约1.01的键合到硅的氢的原子百分比。薄膜晶体管设置在第一缓冲层之上。薄膜晶体管包括有源层。显示元件电连接到薄膜晶体管。到薄膜晶体管。到薄膜晶体管。
技术研发人员：郑镕彬 禹荣杰 郭银珍
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.03.11
技术公布日：2021/9/13