发光装置和包括该发光装置的设备的制作方法

发光装置和包括该发光装置的设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年3月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2020
‑
0034053号的优先权和权益，其公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
3.一个或多个实施方式涉及发光装置和包括该发光装置的设备。


背景技术：

4.发光装置为将电能转换成光能的装置。在发光装置中，量子点发光装置具有高颜色纯度和高发光效率，且可产生全色图像。
5.在发光装置中，第一电极设置在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区向发射层移动，且从第二电极提供的电子可通过电子传输区向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。
6.量子点发光装置中的发射层通过将量子点堆叠在数层中以进行有效的电荷注入而形成，但是在该情况下，会在发射层中出现针孔或裂纹，从而充当电流渗漏路径并对装置的寿命产生不利影响。
7.因此，仍然需要开发在发射层中没有缺陷以及具有提高的效率和提高的寿命的高质量发光装置。


技术实现要素：

8.根据一个或多个实施方式的方面涉及量子点发光装置，其用于最小化或减少量子点发射层和空穴传输层之间的界面处的电子泄漏。
9.另外的方面将在随后的描述中部分阐述，并且部分将从描述中显而易见，或者可通过所呈现的本公开的实施方式的实践而认识到。
10.根据实施方式，发光装置包括：
11.第一电极，
12.面对第一电极的第二电极，
13.在第一电极和第二电极之间且包括量子点的发射层，
14.在第一电极和发射层之间的空穴传输区，以及
15.在发射层和空穴传输区之间且包括电子传输材料的电子吸收层，
16.其中电子传输材料包括金属、金属氧化物、含金属元素的材料或其任意组合。
17.在一个实施方式中，电子传输材料可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属、它们的一种或多种金属氧化物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。
18.在一个实施方式中，电子传输材料可包括yb、ag、zno、tio2、wo3、sno2、ito、mg掺杂的zno(znmgo)、al掺杂的zno(azo)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、al掺杂的tio2、
ga掺杂的tio2、in掺杂的tio2、al掺杂的wo3、ga掺杂的wo3、in掺杂的wo3、al掺杂的sno2、ga掺杂的sno2、in掺杂的sno2、liq或其任意组合。
19.在一个实施方式中，电子传输材料可包括yb、ag、ito、zno、znmgo、liq或其任意组合。
20.在一个实施方式中，电子吸收层可由电子传输材料组成。
21.在一个实施方式中，空穴传输区可包括空穴传输材料，且空穴传输材料和电子传输材料可彼此不同。
22.在一个实施方式中，电子吸收层可在空穴传输区和发射层之间的界面处。
23.在一个实施方式中，空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、缓冲层或其任意组合，且电子吸收层可在发射层和空穴传输区中包括的层中与第二电极邻近的层之间的界面处。
24.在一个实施方式中，空穴传输区可包括空穴传输层，且电子吸收层可在空穴传输层和发射层之间的界面处。
25.在一个实施方式中，电子吸收层的厚度可为约0.01nm至约20nm。在一个实施方式中，电子吸收层的厚度可为约0.05nm至约15nm。在一个实施方式中，电子吸收层的厚度可为约0.1nm至约10nm。
26.在一个实施方式中，发射层中的量子点可包括：第ii
‑
vi族半导体化合物；第iii
‑
vi族半导体化合物；第iii
‑
v族半导体化合物；第iv
‑
vi族半导体化合物；第iv族元素或化合物；第i
‑
iii
‑
vi族半导体化合物；或其任意组合。
27.在一个实施方式中，发射层中的量子点可包括第iii
‑
v族半导体化合物。
28.在一个实施方式中，发射层中的量子点可包括inn、inp、inas、insb、inasp、ingaas、ingap、gap、gan、gasb、gaas、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、znses、znsete、znste、cds、cdse、cdte、cdses、cdsete、cdste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、zncdse、agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2、cuinzns、in2s3、ga2s3、ingas3、ingase3或其任意组合。
29.在一个实施方式中，发射层中的量子点可包括inp且可不包括镉(cd)。
30.在一个实施方式中，发射层中的量子点可各自具有核壳结构，其包括包含第一半导体晶体的核和包含第二半导体晶体的壳。
31.在一个实施方式中，第一半导体晶体可包括inn、inp、inas、insb、inasp、ingaas、ingap、gap、gan、gasb、gaas、zns、znse、znte、hgs、hgse、hgte、znses、znsete、cds、cdse、cdte、cdsete、cdznse、zncdse、agins2、cuins、cuinzns或其任意组合，且第二半导体晶体可包括zns、znse、znte、znses、znsete、in2s3、ga2s3或其任意组合。
32.在一个实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，且电子传输区可进一步在发射层和第二电极之间。
33.在一个实施方式中，电子传输区可包括zno、tio2、wo3、sno2、in2o3、nb2o5、fe2o3、ceo2、srtio3、zn2sno4、basno3、in2s3、znsio、pc
60
bm、pc
70
bm、mg掺杂的zno(znmgo)、al掺杂的zno(azo)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、al掺杂的tio2、ga掺杂的tio2、in掺杂的tio2、al掺杂的wo3、ga掺杂的wo3、in掺杂的wo3、al掺杂的sno2、ga掺杂的sno2、in掺杂的sno2、mg掺杂的in2o3、al掺杂的in2o3、ga掺杂的in2o3、mg掺杂的nb2o5、al掺杂的nb2o5、ga掺杂
的nb2o5、mg掺杂的fe2o3、al掺杂的fe2o3、ga掺杂的fe2o3、in掺杂的fe2o3、mg掺杂的ceo2、al掺杂的ceo2、ga掺杂的ceo2、in掺杂的ceo2、mg掺杂的srtio3、al掺杂的srtio3、ga掺杂的srtio3、in掺杂的srtio3、mg掺杂的zn2sno4、al掺杂的zn2sno4、ga掺杂的zn2sno4、in掺杂的zn2sno4、mg掺杂的basno3、al掺杂的basno3、ga掺杂的basno3、in掺杂的basno3、mg掺杂的in2s3、al掺杂的in2s3、ga掺杂的in2s3、in掺杂的in2s3、mg掺杂的znsio、al掺杂的znsio、ga掺杂的znsio、in掺杂的znsio或其任意组合。
34.在一个实施方式中，电子传输区可包括电子传输层，且电子传输层可包括zno、tio2、wo3、sno2、in2o3、nb2o5、fe2o3、ceo2、srtio3、zn2sno4、basno3、in2s3、znsio、pc
60
bm、pc
70
bm、mg掺杂的zno(znmgo)、al掺杂的zno(azo)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、al掺杂的tio2、ga掺杂的tio2、in掺杂的tio2、al掺杂的wo3、ga掺杂的wo3、in掺杂的wo3、al掺杂的sno2、ga掺杂的sno2、in掺杂的sno2、mg掺杂的in2o3、al掺杂的in2o3、ga掺杂的in2o3、mg掺杂的nb2o5、al掺杂的nb2o5、ga掺杂的nb2o5、mg掺杂的fe2o3、al掺杂的fe2o3、ga掺杂的fe2o3、in掺杂的fe2o3、mg掺杂的ceo2、al掺杂的ceo2、ga掺杂的ceo2、in掺杂的ceo2、mg掺杂的srtio3、al掺杂的srtio3、ga掺杂的srtio3、in掺杂的srtio3、mg掺杂的zn2sno4、al掺杂的zn2sno4、ga掺杂的zn2sno4、in掺杂的zn2sno4、mg掺杂的basno3、al掺杂的basno3、ga掺杂的basno3、in掺杂的basno3、mg掺杂的in2s3、al掺杂的in2s3、ga掺杂的in2s3、in掺杂的in2s3、mg掺杂的znsio、al掺杂的znsio、ga掺杂的znsio、in掺杂的znsio或其任意组合。
35.在一个实施方式中，电子传输区可包括电子传输层，且电子传输层可具有约20nm至约150nm的厚度。
36.根据另一实施方式，设备包括包含源电极、漏电极和有源层的薄膜晶体管；以及发光装置，其中发光装置的第一电极可与薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接。
附图说明
37.本公开的某些实施方式的上面和其他方面、特征和增强功能将从结合附图的下述描述中更显而易见，在附图中：
38.图1为根据本公开的实施方式的发光装置的结构的示意图；并且
39.图2为根据实施例1和对比例1制造的发光装置的效率
‑
亮度图。
具体实施方式
40.现将更详细地参考实施方式，其示例在所附附图中示出，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同形式，且不应解释为限于本文阐述的描述。相应地，下面仅通过参照各图描述实施方式，以解释本描述的各方面。如本文使用的，术语"和/或"包括一个或多个相关列出项目的任何和所有组合。在整个公开内容中，表述"a、b和c中的至少一个"指示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，所有的a、b和c，或其变体。
41.由于本公开可以应用各种适当的变换，并且可以具有各种适当的实施例，因此具体实施例将在附图中示出且将在详细的描述中更详细地描述。通过参照稍后参考附图更详细地描述的实施例，将阐明本公开的效果和特征以及实现该效果和特征的方法。然而，本公开不限于下面公开的实施例，并且可以各种适当的形式体现。
42.在下文中，将参考所附附图更详细地描述本公开的实施方式。相同或相应的组件将由相同的附图标记表示，因此将省略(例如，将不重复)其冗余描述。
43.应当理解，尽管术语"第一"、"第二"等可在本文用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些组件仅用于区分一个组件与另一个组件。
44.如本文使用的，单数形式"一个(a)"、"一种(an)"和"该(the)"各自旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
45.应进一步理解，如本文所使用的术语"包括(comprise)"和/或"包含(comprising)"指定存在叙述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征或组件。
46.在下述实施方式中，当各种组件比如层、膜、区、板等被称为在另一组件"上"时，它可直接在另一组件上或者可存在中间组件。为了方便解释，可放大附图中元件的尺寸。换句话说，因为附图中组件的尺寸和厚度为了方便解释被任意示出，所以本公开的下述实施方式不限于此。
47.[图1的描述]
[0048]
图1为根据本公开的实施方式的发光装置10的结构的示意性横截面图。
[0049]
参见图1，根据实施方式的发光装置10包括：第一电极110；面对第一电极110的第二电极190；位于第一电极110和第二电极190之间且包括量子点151的发射层150；在第一电极110和发射层150之间的空穴传输区130；以及位于发射层150和空穴传输区130之间且包括电子传输材料的电子吸收层140。
[0050]
在图1中，发光装置10进一步包括在发射层150和第二电极190之间的电子传输区160，但是电子传输区160可省略。在一个实施方式中，发光装置10不包括电子传输区。
[0051]
在一个实施方式中，第一电极110可为阳极，且第二电极190可为阴极。
[0052]
电子传输材料可包括金属、金属氧化物、含金属元素的材料或其任意组合。
[0053]
例如，电子传输材料可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属、金属氧化物、含金属元素的材料(例如，碱金属复合物和/或碱土金属复合物)或其任意组合。
[0054]
例如，碱金属可包括li、na、k、rb、cs或其任意组合。
[0055]
例如，碱土金属可包括mg、ca、sr、ba或其任意组合。
[0056]
例如，稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。例如，稀土金属可包括yb，但是本公开的实施方式不限于此。
[0057]
例如，过渡金属可包括银(ag)，但是本公开的实施方式不限于此。
[0058]
例如，金属氧化物可包括非晶或结晶的无机材料(比如zno、tio2、wo3和/或sno2)、导电金属氧化物(比如mg掺杂的zno(znmgo)、al掺杂的zno(azo)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、al掺杂的tio2、ga掺杂的tio2、in掺杂的tio2、al掺杂的wo3、ga掺杂的wo3、in掺杂的wo3、al掺杂的sno2、ga掺杂的sno2和/或in掺杂的sno2)或其任意组合，但是本公开的实施方式不限于此。
[0059]
例如，含金属元素的材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碱金属复合物可包括选自li离子、na离子、k离子、rb离子和cs离子的金属离子，以及与金属离子配位的配体。碱土金属复合物可包括选自be离子、mg离子、ca离子、sr离子和ba离子的金属离子，以及与金属离子配位的配体。
[0060]
与碱金属离子配位的配体可选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但是本公开的实施方式不限于此。
[0061]
例如，碱金属复合物可包括li复合物。li复合物可包括8
‑
羟基喹啉锂(liq)。
[0062]
例如，电子传输材料可包括yb、ag、zno、tio2、wo3、sno2、ito、mg掺杂的zno(znmgo)、al掺杂的zno(azo)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、al掺杂的tio2、ga掺杂的tio2、in掺杂的tio2、al掺杂的wo3、ga掺杂的wo3、in掺杂的wo3、al掺杂的sno2、ga掺杂的sno2、in掺杂的sno2、liq或其任意组合，但是本公开的实施方式不限于此。
[0063]
在一个实施方式中，电子传输材料可包括yb、ag、ito、zno、znmgo、liq或其任意组合，但是本公开的实施方式不限于此。
[0064]
在一个实施方式中，电子吸收层140可由电子传输材料组成。电子吸收层140"可由电子传输材料组成"的表述表示电子吸收层140基本上不包括除电子传输材料之外的其他材料。
[0065]
在一个实施方式中，空穴传输区130可包括空穴传输材料，且空穴传输材料和电子传输材料可彼此不同。空穴传输材料可与结合可包括在下文描述的空穴传输区130中的化合物描述的相同。
[0066]
因为电子吸收层140包括不同于空穴传输材料且具有强电子移动性特性的电子传输材料，所以可基本上防止电子从发射层150流向空穴传输区130，因此发光装置10的稳定性和发光效率可提高。
[0067]
在一个实施方式中，电子吸收层140可位于空穴传输区130和发射层150之间的界面处。
[0068]
空穴传输区130可包括空穴注入层、空穴传输层、缓冲层或其任意组合，且电子吸收层140可位于空穴传输区130中包括的层中与第二电极190邻近的层和发射层150之间的界面处。也就是，电子吸收层140可位于发射层150和空穴传输区130中包括的层中最靠近第二电极190的层之间的界面处。
[0069]
术语"邻近"表示在被描述为邻近的层中彼此最接近的层的排列关系。
[0070]
例如，空穴传输区130可包括空穴传输层，且电子吸收层140可位于空穴传输层和发射层150之间的界面处。
[0071]
在一个或多个实施方式中，空穴传输区130可包括从第一电极110依次放置的空穴注入层和空穴传输层，且电子吸收层140可位于空穴传输层和发射层150之间的界面处。
[0072]
在一个实施方式中，电子吸收层140的厚度可在约0.01nm至约20nm的范围内，例如，约0.05nm至约15nm，或者，约0.1nm至约10nm，但是本公开的实施方式不限于此。当电子吸收层140的厚度在这些范围内时，从第一电极110注入到发射层150的空穴可令人满意。
[0073]
当发射层包括量子点时，因为发射层是通过将量子点堆叠在一层或数层中而形成的，所以与有机膜不同，发射层的表面会不均匀。由于发射层的界面处的结构缺陷，在界面处可能发生载流子比如电子或空穴的捕获。积聚在发射层的界面处的载流子可导致邻近有机层或无机层的材料退化，从而不利地影响量子点发光装置的寿命(例如，初始寿命)和效率。因为根据实施方式的发光装置包括空穴传输区和发射层之间的电子吸收层，所以电子
吸收层吸收从量子点发射层移动到第一电极的电子。因此，可防止或基本上防止电子泄漏到空穴传输区。相应地，可以实现具有提高的效率和提高的寿命的发光装置。
[0074]
在该情况下，当电子吸收层被配置为足够薄时，由于隧穿效应，从第一电极提供的空穴可被注入到发射层。
[0075]
在发光装置中，当从第一电极提供空穴时，电子(其携带从第二电极提供的相反电荷)可向第一电极移动。在该情况下，因为电子在空穴传输区和发射层之间的界面处，在与空穴的移动相反的方向上移动，所以电子可在空穴传输区和发射层之间的界面处聚集或者可移动到空穴传输区以在空穴传输区内部形成空穴捕获。相应地，空穴被捕获在空穴传输区中，并且未被有效注入到发射层，从而降低发光装置的效率和寿命。
[0076]
根据实施方式的发光装置包括电子吸收层，因此，当空穴被注入到发射层时，可防止或基本上防止电子反向移动到空穴传输区。因为电子吸收层包括具有强电子传输特性的电子传输材料，所以可以捕捉从发射层流出的电子。相应地，可以防止或减少空穴传输区中的空穴陷阱形成，并且可以顺利地进行向发射层的空穴注入。相应地，发光装置可具有高效率和长寿命。
[0077]
此外，电子吸收层可形成在空穴传输区和发射层之间的界面处，从而弥补发射层的表面形态的不均匀性，并防止或基本上防止载流子比如电子和/或空穴捕获(例如，被捕获)。
[0078]
形成电子吸收层140的方法未特别限于相关技术中通常使用的方法，而是可以通过例如溶液法来形成。
[0079]
当通过溶液法形成电子吸收层140时，将用于形成电子吸收层140的组合物施加到空穴传输区130上，并且挥发(例如蒸发)溶剂，从而形成电子吸收层140，其中组合物包括分散在溶剂中的电子传输材料。溶剂可包括通常可获得的有机溶剂。
[0080]
用于形成电子吸收层140的组合物可通过使用选自旋涂、浇注、微型凹版涂布、凹版涂布、棒涂、辊涂、计量棒式涂布(wire bar coating)、浸涂、喷涂、丝网印刷、柔性版印刷、胶印和喷墨印刷中的一种或多种方法来施加。
[0081]
量子点151可为通过光的刺激可发光的量子点。例如，量子点151可包括：第ii
‑
vi族半导体化合物；第iii
‑
vi族半导体化合物；第iii
‑
v族半导体化合物；第iv
‑
vi族半导体化合物；第iv族元素或化合物；第i
‑
iii
‑
vi族半导体化合物；或其任意组合。
[0082]
第ii
‑
vi族半导体化合物可包括：二元化合物，比如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgs和/或mgse等；三元化合物，比如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgzns、mgznse和/或zncdse等；四元化合物，比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete和/或hgznste等；或其任意组合。
[0083]
第iii
‑
vi族半导体化合物可包括：二元化合物，比如in2s3和/或ga2s3等；三元化合物，比如ingas3和/或ingase3等；或其任意组合。
[0084]
第iii
‑
v族半导体化合物可包括：二元化合物，比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas和/或insb等；三元化合物，比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、inasp、ingap、ingaas、inalp、innp、innas、innsb、
inpas和/或inpsb等；四元化合物，比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas和/或inalpsb等；或其任意组合。第iii
‑
v族半导体化合物可进一步包括第ii族金属(例如，inznp等)。
[0085]
第iv
‑
vi族半导体化合物可包括：二元化合物，比如sns、snse、snte、pbs、pbse和/或pbte等；三元化合物，比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse和/或snpbte等；四元化合物，比如snpbsse、snpbsete和/或snpbste等；或其任意组合。
[0086]
第iv族元素或包括其的化合物可包括：si和/或ge；二元化合物，比如sic和/或sige等；或其任意组合。
[0087]
第i
‑
iii
‑
vi族半导体化合物可包括：三元化合物，比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2和/或agalo2等；或其任意组合。第i
‑
iii
‑
vi族半导体化合物可进一步包括第ii族元素。例如，第i
‑
iii
‑
vi族半导体化合物可包括四元化合物比如cuinzns。
[0088]
例如，量子点151可包括第iii
‑
v族半导体化合物。
[0089]
在一个实施方式中，量子点151可包括inn、inp、inas、insb、inasp、ingaas、ingap、gap、gan、gasb、gaas、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、znses、znsete、znste、cds、cdse、cdte、cdses、cdsete、cdste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、zncdse、agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2、cuinzns、in2s3、ga2s3、ingas3、ingase3或其任意组合。
[0090]
在一个或多个实施方式中，量子点151可包括inp且可不包括镉(cd)，但是本公开的实施方式不限于此。
[0091]
量子点151可具有：成分和组成均一的单一结构；或者复合结构比如核壳结构和/或梯度结构等。
[0092]
在一个实施方式中，量子点151可各自具有核壳结构，其包括包含第一半导体晶体的核和包含第二半导体晶体的壳，但是本公开的实施方式不限于此。
[0093]
量子点的壳可用作保护层，通过防止或减少核的化学变性用于保持半导体特性，和/或可用作充电层，用于将电泳特性赋予量子点。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度向中心降低。量子点的壳的实例可包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其任意组合。例如，量子点的壳可包括金属氧化物或非金属氧化物。
[0094]
例如，在核壳结构中，构成核的材料和构成壳的材料可选自如上所述的半导体化合物。
[0095]
在一个实施方式中，第一半导体晶体和第二半导体晶体可各自独立地包括inn、inp、inas、insb、inasp、ingaas、ingap、gap、gan、gasb、gaas、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、znses、znsete、znste、cds、cdse、cdte、cdses、cdsete、cdste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、zncdse、agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2、cuinzns、in2s3、ga2s3、ingas3、ingase3或其任意组合，但是本公开的实施方式不限于此。
[0096]
在一个实施方式中，第一半导体晶体可包括inn、inp、inas、insb、inasp、ingaas、ingap、gap、gan、gasb、gaas、zns、znse、znte、hgs、hgse、hgte、znses、znsete、cds、cdse、
cdte、cdsete、cdznse、zncdse、agins2、cuins、cuinzns或其任意组合，且第二半导体晶体可包括zns、znse、znte、znses、znsete、in2s3、ga2s3或其任意组合，但是本公开的实施方式不限于此。
[0097]
在一个或多个实施方式中，量子点151可具有核壳结构，其包括包含第一半导体晶体的核和包含第二半导体晶体的壳，且第一半导体晶体可包括第iii
‑
v族半导体化合物，但是本公开的实施方式不限于此。
[0098]
例如，第iii
‑
v族半导体化合物可包括inp，但是本公开的实施方式不限于此。
[0099]
在一个或多个实施方式中，第一半导体晶体可包括inp且可不包括镉(cd)，但是本公开的实施方式不限于此。例如，第一半导体晶体可仅包括inp(由inp组成)。
[0100]
在一个或多个实施方式中，量子点151可具有核壳结构，其包括包含第一半导体晶体的核和包含第二半导体晶体的壳，第一半导体晶体可包括第iii
‑
v族半导体化合物，且第二半导体晶体可包括第ii
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vi族半导体化合物。例如，第iii
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v族半导体化合物可包括inp，且第ii
‑
vi族半导体化合物可包括zns、znse或其组合，但是本公开的实施方式不限于此。
[0101]
在一个实施方式中，量子点151可进一步包括化学结合到其表面的配体。配体可化学结合到量子点151的表面，以钝化量子点151。例如，量子点151可进一步包括化学结合到壳的配体。
[0102]
在一个实施方式中，配体可为油酸、辛胺、癸胺、巯基
‑
丙酸、十二硫醇、1
‑
辛硫醇、亚硫酰氯或其任意组合。
[0103]
量子点151可通过使用各种适当的方法来合成，比如湿化学法、金属有机化学气相沉积法(mocvd)和/或分子束外延(mbe)法。
[0104]
量子点151的平均粒径可在约1nm至约20nm，例如，约1nm至约15nm，或者，约3nm至约15nm的范围内。当量子点151的平均粒径在这些范围内时，量子点151可不仅具有量子点的特性行为，而且在图案形成组合物中具有适当的(例如，卓越的)分散性。此外，因为量子点151的平均粒径在上述范围内被不同地适当选择，所以量子点151的发射波长和/或量子点151的半导体特性可不同地适当地改变。
[0105]
当量子点151具有核壳结构时，核的半径与壳的厚度之比可为2:8至8:2，例如，3:7至7:3，或者，4:6至6:4。
[0106]
量子点151的形状不特别限于相关技术中通常使用的形状。在一个实施方式中，量子点151可为球形、锥形、多臂或立方体纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维和/或纳米片颗粒等。
[0107]
在一个实施方式中，量子点151可以自然配位的形式分散于分散介质比如有机溶剂或聚合物树脂中。分散介质可为任何透明介质，只要介质不被光劣化和/或不反射光，并且介质不引起光吸收，同时不影响量子点的波长转换性能即可。例如，有机溶剂可包括选自甲苯、氯仿和乙醇中的至少一种，且聚合物树脂可包括选自环氧树脂、聚硅氧烷、聚苯乙烯和丙烯酸酯中的至少一种。
[0108]
因为量子点的尺寸非常小，所以会出现量子约束效应。量子约束效应指其中当物体的尺寸变成小于几纳米时，物体的带隙变大的现象。由于量子约束效应，量子点具有不连续的带隙能量，而不像块状材料。此外，量子点具有其中能带之间的间隙根据量子点的尺寸变化的特性，并且相同材料的量子点可根据量子点的尺寸发射具有不同波长的光。量子点
越小，带隙能量越大，因此发射的光的波长越短。通过利用这些特性，可通过适当改变纳米晶体的生长条件来调节量子点的尺寸，从而获得所需波长范围内的光。因此，通过将这种量子点引入发光装置中，可实现(例如获得)具有高亮度效率和高颜色纯度的发光装置。
[0109]
发射层150的厚度可在约7nm至约100nm的范围内，例如，约15nm至约50nm。在这些范围内，发光装置10可具有适当的(例如，卓越的)发光效率和/或适当的(例如，卓越的)寿命，这是由于量子点发射层中的粒子排列可产生的孔的控制。
[0110]
在一个实施方式中，发光装置10可进一步包括发射层150和第二电极190之间的电子传输区160。
[0111]
例如，第一电极110可为阳极，第二电极190可为阴极，且电子传输区160可位于发射层150和第二电极190之间。
[0112]
电子传输区160可包括选自缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个层。稍后描述电子传输区160的示例性结构。
[0113]
在一个实施方式中，电子传输区160可包括zno、tio2、wo3、sno2、in2o3、nb2o5、fe2o3、ceo2、srtio3、zn2sno4、basno3、in2s3、znsio、pc
60
bm、pc
70
bm、mg掺杂的zno(znmgo)、al掺杂的zno(azo)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、al掺杂的tio2、ga掺杂的tio2、in掺杂的tio2、al掺杂的wo3、ga掺杂的wo3、in掺杂的wo3、al掺杂的sno2、ga掺杂的sno2、in掺杂的sno2、mg掺杂的in2o3、al掺杂的in2o3、ga掺杂的in2o3、mg掺杂的nb2o5、al掺杂的nb2o5、ga掺杂的nb2o5、mg掺杂的fe2o3、al掺杂的fe2o3、ga掺杂的fe2o3、in掺杂的fe2o3、mg掺杂的ceo2、al掺杂的ceo2、ga掺杂的ceo2、in掺杂的ceo2、mg掺杂的srtio3、al掺杂的srtio3、ga掺杂的srtio3、in掺杂的srtio3、mg掺杂的zn2sno4、al掺杂的zn2sno4、ga掺杂的zn2sno4、in掺杂的zn2sno4、mg掺杂的basno3、al掺杂的basno3、ga掺杂的basno3、in掺杂的basno3、mg掺杂的in2s3、al掺杂的in2s3、ga掺杂的in2s3、in掺杂的in2s3、mg掺杂的znsio、al掺杂的znsio、ga掺杂的znsio、in掺杂的znsio或其任意组合。
[0114]
例如，电子传输区160可包括电子传输层，且电子传输层可包括zno、tio2、wo3、sno2、in2o3、nb2o5、fe2o3、ceo2、srtio3、zn2sno4、basno3、in2s3、znsio、pc
60
bm、pc
70
bm、mg掺杂的zno(znmgo)、al掺杂的zno(azo)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、al掺杂的tio2、ga掺杂的tio2、in掺杂的tio2、al掺杂的wo3、ga掺杂的wo3、in掺杂的wo3、al掺杂的sno2、ga掺杂的sno2、in掺杂的sno2、mg掺杂的in2o3、al掺杂的in2o3、ga掺杂的in2o3、mg掺杂的nb2o5、al掺杂的nb2o5、ga掺杂的nb2o5、mg掺杂的fe2o3、al掺杂的fe2o3、ga掺杂的fe2o3、in掺杂的fe2o3、mg掺杂的ceo2、al掺杂的ceo2、ga掺杂的ceo2、in掺杂的ceo2、mg掺杂的srtio3、al掺杂的srtio3、ga掺杂的srtio3、in掺杂的srtio3、mg掺杂的zn2sno4、al掺杂的zn2sno4、ga掺杂的zn2sno4、in掺杂的zn2sno4、mg掺杂的basno3、al掺杂的basno3、ga掺杂的basno3、in掺杂的basno3、mg掺杂的in2s3、al掺杂的in2s3、ga掺杂的in2s3、in掺杂的in2s3、mg掺杂的znsio、al掺杂的znsio、ga掺杂的znsio、in掺杂的znsio或其任意组合，但是本公开的实施方式不限于此。
[0115]
在一个实施方式中，包括在电子传输区160中的材料可为纳米颗粒，例如，平均直径为约3nm至约15nm的纳米颗粒。
[0116]
在一个实施方式中，电子传输层可具有约20nm至约150nm的厚度。相应地，在形成第二电极190的过程中，可防止或减少对下面的发射层150的损坏。
[0117]
在一个实施方式中，第一电极110可为作为空穴注入电极的阳极，且从第一电极110提供的空穴可直接注入到发射层150或者可由于(例如，通过)隧穿效应注入到发射层150。
[0118]
当在发光装置10的第一电极110和第二电极190之间施加电压时，由于跨越电子吸收层140的两端的电场，空穴可从第一电极110注入到发射层150。
[0119]
在一个或多个实施方式中，第一电极110为作为空穴注入电极的阳极，空穴传输区130可包括空穴传输层，空穴传输层可直接接触电子吸收层140，且从第一电极110提供的空穴可直接注入到发射层150或可由于隧穿效应注入到发射层150。
[0120]
第一电极110
[0121]
在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极190上方。基板可为玻璃基板或塑料基板，各自具有适当的(例如，卓越的)机械强度、热稳定性、透明度、表面平滑性、易操作性和/或防水性。
[0122]
例如，在与基板相反的方向上发射光的顶发射发光装置10的情况下，基板不一定是透明的并且可为不透明的或半透明的。在该情况下，可使用金属来形成基板。当通过使用金属形成基板时，基板可包括选自铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(sus)、铁
‑
镍合金(例如，合金)、镍
‑
铬类合金(例如，合金)和镍
‑
钴铁合金(例如，合金)中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。在一个实施方式中，基板可包括碳和/或上述金属。
[0123]
此外，在一个实施方式中，缓冲层、薄膜晶体管和/或有机绝缘层等可进一步位于基板和第一电极110之间。
[0124]
第一电极110可通过在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可选自氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)、氧化镓锌(gzo)、氧化铝锌(azo)、inznsno
x
(izso)、znsno
x
(zso)、石墨烯、pedot:pss、碳纳米管、银纳米线(ag纳米线)、金纳米线(au纳米线)、金属网及其任意组合，但是本公开的实施方式不限于此。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可选自镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝
‑
锂(al
‑
li)、钙(ca)、镁
‑
铟(mg
‑
in)、镁
‑
银(mg
‑
ag)及其任意组合，但是本公开的实施方式不限于此。
[0125]
第一电极110可具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构，但是第一电极110的结构不限于此。
[0126]
空穴传输区130
[0127]
空穴传输区130可具有i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)，或者iii)具有多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)。
[0128]
空穴传输区130可包括选自空穴注入层、空穴传输层、缓冲层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一个层。
[0129]
例如，空穴传输区130可具有包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)，或者具有空穴注入层/空穴传输层结
构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中对于每种结构，构成层从第一电极110以各自叙述的顺序依次堆叠，但是空穴传输区130的结构不限于此。
[0130]
空穴传输区130可包括非晶无机材料和/或有机材料。无机材料可包括nio、moo3、cr2o3和/或bi2o3。此外，无机材料可为p
‑
型无机半导体，并且可包括：p
‑
型无机半导体，其中非金属(比如o、s、se和/或te)掺杂有cu、ag和/或au的碘化物、溴化物和/或氯化物；p
‑
型无机半导体，其中金属(比如cu、ag和/或au)和非金属元素(比如n、p、as、sb和/或bi)掺杂有包括zn的化合物；或本征p
‑
型无机半导体比如znte。
[0131]
有机材料可包括选自m
‑
mtdata、tdata、2
‑
tnata、npb(npd)、β
‑
npb、tpd、螺
‑
tpd、螺
‑
npb、甲基化的npb、n,n'
‑
双[4
‑
二(间甲苯基)氨基苯基]
‑
n,n'
‑
二苯基联苯胺(dntpd)、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n
‑
咔唑基)三苯胺(tcta)、聚(n,n'
‑
双
‑4‑
丁基苯基
‑
n,n'
‑
联苯基)联苯胺(聚
‑
tpd)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4
‑
乙撑二氧噻吩)/聚(4
‑
苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4
‑
苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)、由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一种：
[0132]
[0133][0134]
式201
[0135][0136]
式202
[0137][0138]
在式201和202中，
[0139]
l
201
至l
204
可各自独立地选自取代的或未取代的c3‑
c
10
亚环烷基、取代的或未取代的c1‑
c
10
亚杂环烷基、取代的或未取代的c3‑
c
10
亚环烯基、取代的或未取代的c1‑
c
10
亚杂环烯基、取代的或未取代的c6‑
c
60
亚芳基、取代的或未取代的c1‑
c
60
亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
[0140]
l
205
可选自*
‑
o
‑
*'、*
‑
s
‑
*'、*
‑
n(q
201
)
‑
*'、取代的或未取代的c1‑
c
20
亚烷基、取代的或未取代的c2‑
c
20
亚烯基、取代的或未取代的c3‑
c
10
亚环烷基、取代的或未取代的c1‑
c
10
亚杂环烷基、取代的或未取代的c3‑
c
10
亚环烯基、取代的或未取代的c1‑
c
10
亚杂环烯基、取代的或未取代的c6‑
c
60
亚芳基、取代的或未取代的c1‑
c
60
亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
[0141]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至3的整数，
[0142]
xa5可为选自1至10的整数，以及
[0143]
r
201
至r
204
和q
201
可各自独立地选自取代的或未取代的c3‑
c
10
环烷基、取代的或未取代的c1‑
c
10
杂环烷基、取代的或未取代的c3‑
c
10
环烯基、取代的或未取代的c1‑
c
10
杂环烯基、取代的或未取代的c6‑
c
60
芳基、取代的或未取代的c6‑
c
60
芳氧基、取代的或未取代的c6‑
c
60
芳硫基、取代的或未取代的c1‑
c
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团。
[0144]
例如，在式202中，r
201
和r
202
可任选地经单键、二甲基
‑
亚甲基或二苯基
‑
亚甲基彼此连接，并且r
203
和r
204
可任选地经单键、二甲基
‑
亚甲基或二苯基
‑
亚甲基彼此连接。
[0145]
空穴传输区130可包括选自化合物ht1至ht48中的至少一种化合物，但是本公开的实施方式不限于此：
[0146]
[0147]
[0148]
[0149]
[0150][0151]
空穴传输区130的厚度可在约至约的范围内，例如，约至约当空穴传输区130包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个时，空穴注入层的厚度可为约至约例如，约至约且空穴传输层的厚度可为约至约例如，约至约当空穴传输区130、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
[0152]
发射辅助层可根据发射层发射的光的波长通过补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可阻挡来自电子传输区160的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可包括如上所述的材料。
[0153]
p
‑
掺杂剂
[0154]
除了上述材料之外，空穴传输区可进一步包括用于提高导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可均匀或非均匀地分散在空穴传输区中。
[0155]
电荷产生材料可为，例如，p
‑
掺杂剂。
[0156]
在一个实施方式中，p
‑
掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可为
‑
3.5ev或更低。
[0157]
p
‑
掺杂剂可包括选自醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。
[0158]
在一个实施方式中，p
‑
掺杂剂可包括选自以下的至少一种：
[0159]
醌衍生物，比如四氰基醌二甲烷(tcnq)或2,3,5,6
‑
四氟
‑
7,7,8,8
‑
四氰基醌二甲烷(f4
‑
tcnq)；
[0160]
金属氧化物，比如钨氧化物和/或钼氧化物；
[0161]
1,4,5,8,9,12
‑
六氮杂三亚苯基
‑
六腈(hat
‑
cn)；以及
[0162]
由下面式221表示的化合物，
[0163]
但是本公开的实施方式不限于此：
[0164][0165]
式221
[0166][0167]
在式221中，
[0168]
r
221
至r
223
可各自独立地选自取代的或未取代的c3‑
c
10
环烷基、取代的或未取代的c1‑
c
10
杂环烷基、取代的或未取代的c3‑
c
10
环烯基、取代的或未取代的c1‑
c
10
杂环烯基、取代的或未取代的c6‑
c
60
芳基、取代的或未取代的c1‑
c
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，其中r
221
至r
223
中的至少一个可具有选自氰基、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、被
‑
f取代的c1‑
c
20
烷基、被
‑
cl取代的c1‑
c
20
烷基、被
‑
br取代的c1‑
c
20
烷基和被
‑
i取代的c1‑
c
20
烷基中的至少一个取代基。
[0169]
发射层150
[0170]
发射层150可具有量子点单层结构或者其中堆叠两个或更多个量子点层的结构。例如，发射层150可具有量子点单层结构或者其中堆叠2至100个量子点层的结构。
[0171]
发射层150包括量子点151。
[0172]
发射层150可通过施加用于形成发射层150的组合物到电子吸收层140上并且挥发(例如蒸发)溶剂来形成，其中组合物包括分散在溶剂中的量子点151。
[0173]
用于形成发射层150的组合物可通过使用选自旋涂、浇注、微型凹版涂布、凹版涂布、棒涂、辊涂、计量棒式涂布、浸涂、喷涂、丝网印刷、柔性版印刷、胶印和喷墨印刷中的一种或多种方法来施加。
[0174]
作为溶剂，可使用水、己烷、氯仿和/或甲苯等，但是溶剂不特别限于此，只要它可溶解用于形成发射层150的材料即可。
[0175]
当发光装置10为全色发光装置时，发射层150可包括对于每个子像素发射不同颜色的光的发射层。
[0176]
例如，对于每个子像素，发射层150可被图案化成第一
‑
颜色发射层、第二
‑
颜色发射层和第三
‑
颜色发射层。在该情况下，上述发射层中的至少一个发射层可必须包括量子点。例如，第一
‑
颜色发射层可为包括量子点151的量子点发射层，且第二
‑
颜色发射层和第三
‑
颜色发射层可各自为包括有机化合物的有机发射层。这里，第一颜色至第三颜色可彼此不同，且更详细地，第一颜色至第三颜色可具有不同的最大发射波长。
[0177]
第一颜色至第三颜色可彼此组合，从而提供白色光。
[0178]
在一个实施方式中，发射层150可进一步包括第四
‑
颜色发射层，第一
‑
颜色至第四
‑
颜色发射层中的至少一个发射层可为包括量子点151的量子点发射层，其他发射层可各自为包括有机化合物的有机发射层，并且各种适当的修改是可能的。这里，第一颜色至第四颜色可彼此不同，并且更详细地，第一颜色至第四颜色可具有不同的最大发射波长。第一颜色至第四颜色可彼此组合，从而提供白色光。
[0179]
在一个或多个实施方式中，发光装置10可具有堆叠的结构，其中发射相同或不同颜色的两个或更多个发射层彼此接触或彼此间隔开。两个或更多个发射层中的至少一个发射层可为包括量子点151的量子点发射层，其他发射层可为包括有机化合物的有机发射层，且各种适当的修改是可能的。在一个实施方式中，发光装置10可包括第一
‑
颜色发射层和第二
‑
颜色发射层，其中第一颜色和第二颜色可彼此相同或不同。在一个实施方式中，第一颜色和第二颜色两者可为蓝色。
[0180]
除了量子点151之外，发射层150可进一步包括选自有机化合物和半导体化合物中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。
[0181]
在一个实施方式中，半导体化合物可为有机钙钛矿和/或无机钙钛矿。
[0182]
在一个实施方式中，有机化合物可包括主体和掺杂剂。主体和掺杂剂可分别包括通常在有机发光装置中使用的材料(例如，主体和掺杂剂)。
[0183]
电子传输区160
[0184]
电子传输区160可具有i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)，或者iii)具有多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。
[0185]
电子传输区160可包括选自缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个层，但是本公开的实施方式不限于此。
[0186]
例如，电子传输区160可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中对于每种结构，构成层以分别叙述的顺序从发射层150依次堆叠。然而，电子传输区160的结构的实施方式不限于此。
[0187]
电子传输区160可包括导电金属氧化物。例如，电子传输区160可包括zno、tio2、wo3、sno2、in2o3、nb2o5、fe2o3、ceo2、srtio3、zn2sno4、basno3、in2s3、znsio、pc
60
bm、pc
70
bm、mg掺杂的zno(znmgo)、al掺杂的zno(azo)、ga掺杂的zno(gzo)、in掺杂的zno(izo)、al掺杂的tio2、ga掺杂的tio2、in掺杂的tio2、al掺杂的wo3、ga掺杂的wo3、in掺杂的wo3、al掺杂的sno2、ga掺杂的sno2、in掺杂的sno2、mg掺杂的in2o3、al掺杂的in2o3、ga掺杂的in2o3、mg掺杂的nb2o5、al掺杂的nb2o5、ga掺杂的nb2o5、mg掺杂的fe2o3、al掺杂的fe2o3、ga掺杂的fe2o3、in掺杂的fe2o3、mg掺杂的ceo2、al掺杂的ceo2、ga掺杂的ceo2、in掺杂的ceo2、mg掺杂的srtio3、al掺杂的srtio3、ga掺杂的srtio3、in掺杂的srtio3、mg掺杂的zn2sno4、al掺杂的zn2sno4、ga掺杂的zn2sno4、in掺杂的zn2sno4、mg掺杂的basno3、al掺杂的basno3、ga掺杂的basno3、in掺杂的basno3、mg掺杂的in2s3、al掺杂的in2s3、ga掺杂的in2s3、in掺杂的in2s3、mg掺杂的znsio、al掺杂的znsio、ga掺杂的znsio、in掺杂的znsio或其任意组合。
[0188]
有机材料可包括具有电子传输特性的适当的(例如，已知的)化合物，比如2,9
‑
二甲基
‑
4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bcp)、4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bphen)、alq3、balq、3
‑
(联苯
‑4‑
基)
‑5‑
(4
‑
叔丁基苯基)
‑4‑
苯基
‑
4h
‑
1,2,4
‑
三唑(taz)和/或ntaz。
[0189][0190]
此外，有机材料可包括无金属化合物，其包括至少一种含缺π
‑
电子的氮的环。
[0191]
术语"含缺π
‑
电子的氮的环"指具有至少一个*
‑
n＝*'部分作为成环部分的c1‑
c
60
杂环基团。
[0192]
例如，"含缺π
‑
电子的氮的环"可为i)具有至少一个*
‑
n＝*'部分的5元至7元杂单环基团，ii)其中各自具有至少一个*
‑
n＝*'部分的两个或更多个5元至7元杂单环基团彼此稠合的杂多环基团，或者iii)其中各自具有至少一个*
‑
n＝*'部分的至少一个5元至7元杂单环基团与至少一个c5‑
c
60
碳环基团稠合的杂多环基团。
[0193]
含缺π
‑
电子的氮的环的非限制性实例包括咪唑环、吡唑环、噻唑环、异噻唑环、噁唑环、异噁唑环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、吲唑环、嘌呤环、喹啉环、异喹啉环、苯并喹啉环、酞嗪环、萘啶环、喹喔啉环、喹唑啉环、噌啉环、菲啶环、吖啶环、菲咯啉环、吩嗪环、
苯并咪唑环、苯并异噻唑环、苯并噁唑环、苯并异噁唑环、三唑环、四唑环、噁二唑环、三嗪环、噻二唑环、咪唑并吡啶环、咪唑并嘧啶环和氮杂咔唑环。
[0194]
例如，电子传输区160可包括由下面式601表示的化合物：
[0195]
式601
[0196]
[ar
601
]
xe11
‑
[(l
601
)
xe1
‑
r
601
]
xe21
。
[0197]
在式601中，
[0198]
ar
601
可为取代的或未取代的c5‑
c
60
碳环基团或者取代的或未取代的c1‑
c
60
杂环基团，
[0199]
xe11可为1、2或3，
[0200]
l
601
可选自取代的或未取代的c3‑
c
10
亚环烷基、取代的或未取代的c1‑
c
10
亚杂环烷基、取代的或未取代的c3‑
c
10
亚环烯基、取代的或未取代的c1‑
c
10
亚杂环烯基、取代的或未取代的c6‑
c
60
亚芳基、取代的或未取代的c1‑
c
60
亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
[0201]
xe1可为选自0至5的整数，
[0202]
r
601
可选自取代的或未取代的c3‑
c
10
环烷基、取代的或未取代的c1‑
c
10
杂环烷基、取代的或未取代的c3‑
c
10
环烯基、取代的或未取代的c1‑
c
10
杂环烯基、取代的或未取代的c6‑
c
60
芳基、取代的或未取代的c6‑
c
60
芳氧基、取代的或未取代的c6‑
c
60
芳硫基、取代的或未取代的c1‑
c
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、
‑
c(＝o)(q
601
)、
‑
s(＝o)2(q
601
)和
‑
p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0203]
q
601
至q
603
可各自独立地为c1‑
c
10
烷基、c1‑
c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，并且
[0204]
xe21可为选自1至5的整数。
[0205]
在一个实施方式中，数量为xe11的ar
601
和数量为xe21的r
601
中的至少一个可包括含缺π
‑
电子的氮的环。
[0206]
在一个实施方式中，式601中的ar
601
可选自：
[0207]
苯基、萘基、芴基、螺
‑
二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2
‑
苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
[0208]
各自被选自以下的至少一种取代的苯基、萘基、芴基、螺
‑
二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2
‑
苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑
基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1‑
c
20
烷基、c1‑
c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基，
‑
si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、
‑
s(＝o)2(q
31
)和
‑
p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0209]
其中q
31
至q
33
可各自独立地选自c1‑
c
10
烷基、c1‑
c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
[0210]
当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar
601
中可经单键彼此连接。
[0211]
在一个或多个实施方式中，式601中的ar
601
可为蒽基。
[0212]
在一个或多个实施方式中，由式601表示的化合物可由下面式601
‑
1表示：
[0213]
式601
‑1[0214][0215]
在式601
‑
1中，
[0216]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，且x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0217]
l
611
至l
613
可各自独立地为与结合l
601
描述的相同，
[0218]
xe611至xe613可各自独立地与结合xe1描述的相同，
[0219]
r
611
至r
613
可各自独立地与结合r
601
描述的相同，并且
[0220]
r
614
至r
616
可各自独立地选自氢、氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1‑
c
20
烷基、c1‑
c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
[0221]
在一个实施方式中，式601和式601
‑
1中的l
601
和l
611
至l
613
可各自独立地选自：
[0222]
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺
‑
二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2
‑
苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
[0223]
各自被选自以下的至少一种取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺
‑
二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚1,2
‑
苯并菲基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、
亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基：氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1‑
c
20
烷基、c1‑
c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺
‑
二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2
‑
苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，
[0224]
但是本公开的实施方式不限于此。
[0225]
在一个或多个实施方式中，式601和式601
‑
1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0226]
在一个或多个实施方式中，式601和式601
‑
1中的r
601
和r
611
至r
613
可各自独立地选自：
[0227]
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺
‑
二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2
‑
苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；
[0228]
各自被选自以下的至少一种取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺
‑
二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2
‑
苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基：氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1‑
c
20
烷基、c1‑
c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺
‑
二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2
‑
苯并菲基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡
嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
[0229]
‑
s(＝o)2(q
601
)和
‑
p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0230]
其中q
601
和q
602
各自独立地与上述的相同。
[0231]
电子传输区160可包括选自化合物et1至et36中的至少一种化合物，但是本公开的实施方式不限于此：
[0232]
[0233]
[0234]
[0235][0236]
缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地在约至约的范围内，例如，约至约当缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度各自在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得适当的(例如，卓越的)空穴阻挡特性或适当的(例如，卓越的)电子控制特性。
[0237]
除了上述材料之外，电子传输区160(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属元素的材料。
[0238]
含金属元素的材料可包括选自碱金属复合物和碱土金属复合物中的至少一种。碱金属复合物的金属离子可选自li离子、na离子、k离子、rb离子和cs离子，且碱土金属复合物的金属离子可选自be离子、mg离子、ca离子、sr离子和ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但是本公开的实施方式不限于此。
[0239]
例如，含金属元素的材料可包括li复合物。li复合物可包括，例如，化合物et
‑
d1(8
‑
羟基喹啉锂，liq)或et
‑
d2：
[0240][0241]
电子传输区160可包括利于电子从第二电极190注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极190。
[0242]
电子注入层可具有i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)，或者iii)具有多个层(例如，由多个层组成)的多层结构，多个层包括多种不同材料。
[0243]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合。
[0244]
碱金属可选自li、na、k、rb和cs。在一个实施方式中，碱金属可为li、na或cs。在一个或多个实施方式中，碱金属可为li或cs，但是本公开的实施方式不限于此。
[0245]
碱土金属可选自mg、ca、sr和ba。
[0246]
稀土金属可选自sc、y、ce、tb、yb和gd。
[0247]
碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物可选自碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)。
[0248]
碱金属化合物可选自碱金属氧化物，比如li2o、cs2o和/或k2o，以及碱金属卤化物，比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi、ki和/或rbi。在一个实施方式中，碱金属化合物可选自lif、li2o、naf、lii、nai、csi和ki，但是本公开的实施方式不限于此。
[0249]
碱土金属化合物可选自碱土金属氧化物，比如bao、sro、cao、ba
x
sr1‑
x
o(0<x<1)和/或ba
x
ca1‑
x
o(0<x<1)。在一个实施方式中，碱土金属化合物可选自bao、sro和cao，但是本公开的实施方式不限于此。
[0250]
稀土金属化合物可选自ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3和tbf3。在一个实施方式中，稀土金属化合物可选自ybf3、scf3、tbf3、ybi3、sci3和tbi3，但是本公开的实施方式不限于此。
[0251]
碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括如上所述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子，且与碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物的金属离子配位的配体可选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但是本公开的实施方式不限于此。
[0252]
电子注入层可包括(例如，由以下组成)如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、
碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料。当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合可均匀或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
[0253]
电子注入层的厚度可在约至约的范围内，例如，约至约当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层可在驱动电压无显著增加的情况下具有令人满意的电子注入特性。
[0254]
第二电极190
[0255]
第二电极190可位于具有这样的结构的有机层150上。第二电极190可为作为电子注入电极的阴极，并且就此而言，用于形成第二电极190的材料可选自具有相对低功函的金属、合金、电导化合物及其组合。
[0256]
第二电极190可包括选自锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝
‑
锂(al
‑
li)、钙(ca)、镁
‑
铟(mg
‑
in)、镁
‑
银(mg
‑
ag)、ito和izo中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。第二电极190可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0257]
第二电极190可具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。
[0258]
图1示出了包括空穴传输区130和电子传输区160两者的发光装置10，但是可省略(例如，可不包括)电子传输区160。
[0259]
在一个实施方式中，发光装置10可进一步包括位于光发射的方向上的封盖层。根据相长干涉的原理，封盖层可增加外部发光效率。
[0260]
封盖层可为包括有机材料(例如，由有机材料组成)的有机封盖层，包括无机材料(例如，由无机材料组成)的无机封盖层，或者包括有机材料和无机材料的复合封盖层。
[0261]
封盖层可包括选自以下的至少一种材料：碳环化合物、杂环化合物、胺类化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物和碱土金属复合物。碳环化合物、杂环化合物和胺类化合物可任选地被含有选自o、n、s、se、si、f、cl、br和i中的至少一种元素的取代基取代。在一个实施方式中，封盖层可包括胺类化合物。
[0262]
在一个或多个实施方式中，封盖层可包括由式201表示的化合物和/或由式202表示的化合物。
[0263]
在一个或多个实施方式中，封盖层可包括选自化合物ht28至ht33和下面化合物cp1至cp5的化合物，但是本公开的实施方式不限于此。
[0264][0265]
在前文中，已参考图1描述了发光装置10，但是本公开的实施方式不限于此。
[0266]
构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可通过使用一种或多种选自真空沉积、旋涂、浇注、朗缪尔
‑
布罗基特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导的热成像中的适当的方法在特定区域中形成。
[0267]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，通过考虑要形成的层中要包含的材料和要形成的层的结构，可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10
‑8托至约10
‑3托的真空度和约至约的沉积速度下进行沉积。
[0268]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过旋涂形成时，通过考虑要形成的层中要包含的材料和要形成的层的结构，可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布速度下和在约80℃至200℃的热处理温度下进行旋涂。
[0269]
设备
[0270]
发光装置可包括在各种适当的设备中。
[0271]
本公开的另一方面提供包括发光装置的设备。
[0272]
例如，设备可为发光设备、认证设备或电子设备，但是本公开的实施方式不限于此。
[0273]
发光设备可用作各种适当的显示器和/或光源等。
[0274]
认证设备可为，例如，通过使用生物测定体(例如指纹和/或瞳孔等)的生物测定信息用于认证个体的生物测定认证设备。
[0275]
除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
[0276]
电子设备可应用于个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子体温计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图(ecg)显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种适当的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、航空器和/或船只的仪表)和/或投影仪等，但是本公开的实施方式不限于此。
[0277]
在一个实施方式中，除了发光装置之外，设备可进一步包括薄膜晶体管。这里，薄膜晶体管可包括源电极、有源层和漏电极，其中发光装置的第一电极可与薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。
[0278]
薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘层等。
[0279]
有源层可包括结晶硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等，但是本公开的实施方式不限于此。
[0280]
太阳能电池
[0281]
根据另一实施方式，太阳能电池包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；第一电极和第二电极之间的有源层；第一电极和有源层之间的供体层；以及位于第一电极和供体层之间且包括电子传输材料的电子吸收层，其中电子传输材料为过渡金属、稀土金属、金属氧化物、碱金属复合物或其任意组合。
[0282]
根据需要，太阳能电池可进一步包括有源层和第二电极之间的拦截层。
[0283]
取代基的一般定义
[0284]
如本文所使用的术语"c1‑
c
60
烷基"指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族饱和烃单价基团，且其非限制性实例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。如本文所使用的术语"c1‑
c
60
亚烷基"指具有与c1‑
c
60
烷基相同的结构的二价基团。
[0285]
如本文所使用的术语"c2‑
c
60
烯基"指在c2‑
c
60
烷基的中间和/或末端具有至少一个碳
‑
碳双键的烃基，且其非限制性实例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文所使用的术语"c2‑
c
60
亚烯基"指具有与c2‑
c
60
烯基相同的结构的二价基团。
[0286]
如本文所使用的术语"c2‑
c
60
炔基"指在c2‑
c
60
烷基的中间和/或末端具有至少一个碳
‑
碳三键的烃基，且其非限制性实例包括乙炔基和丙炔基。如本文所使用的术语"c2‑
c
60
亚炔基"指具有与c2‑
c
60
炔基相同的结构的二价基团。
[0287]
如本文所使用的术语"c1‑
c
60
烷氧基"指由
‑
oa
101
表示的单价基团(其中a
101
为c1‑
c
60
烷基)，且其非限制性实例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0288]
如本文所使用的术语"c3‑
c
10
环烷基"指具有3至10个碳原子的单价饱和烃单环基团，且其非限制性实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基和环庚基。如本文所使用的术语"c3‑
c
10
亚环烷基"指具有与c3‑
c
10
环烷基相同的结构的二价基团。
[0289]
如本文所使用的术语"c1‑
c
10
杂环烷基"指具有至少一个选自n、o、si、p和s中的杂原子作为成环原子和1至10个碳原子作为剩余的成环原子的单价单环基团，且其非限制性实例包括1,2,3,4
‑
噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文所使用的术语"c1‑
c
10
亚杂环烷基"指具有与c1‑
c
10
杂环烷基相同的结构的二价基团。
[0290]
如本文所使用的术语"c3‑
c
10
环烯基"指具有3至10个碳原子和在其环中的至少一个碳
‑
碳双键且无芳香性的单价单环基团，且其非限制性实例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文所使用的术语"c3‑
c
10
亚环烯基"指具有与c3‑
c
10
环烯基相同的结构的二价基团。
[0291]
如本文所使用的术语"c1‑
c
10
杂环烯基"指具有至少一个选自n、o、si、p和s中的杂原子作为成环原子，1至10个碳原子作为剩余的成环原子，和在其环中的至少一个双键的单价单环基团。c1‑
c
10
杂环烯基的非限制性实例包括4,5
‑
二氢
‑
1,2,3,4
‑
噁三唑基、2,3
‑
二氢
呋喃基和2,3
‑
二氢噻吩基。如本文所使用的术语"c1‑
c
10
亚杂环烯基"指具有与c1‑
c
10
杂环烯基相同的结构的二价基团。
[0292]
如本文所使用的术语"c6‑
c
60
芳基"指具有含有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，且如本文所使用的术语"c6‑
c
60
亚芳基"指具有含有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。c6‑
c
60
芳基的非限制性实例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、1,2
‑
苯并菲基和芴基。当c6‑
c
60
芳基和c6‑
c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。
[0293]
如本文所使用的术语"c1‑
c
60
杂芳基"指具有杂环芳族系统的单价基团，杂环芳族系统除了1至60个碳原子之外还具有至少一个选自n、o、si、p和s中的杂原子作为成环原子。如本文所使用的术语"c1‑
c
60
亚杂芳基"指具有杂环芳族系统的二价基团，杂环芳族系统除了1至60个碳原子之外还具有至少一个选自n、o、si、p和s中的杂原子作为成环原子。c1‑
c
60
杂芳基的非限制性实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩并呋喃基。当c1‑
c
60
杂芳基和c1‑
c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。
[0294]
如本文所使用的术语"c6‑
c
60
芳氧基"指由
‑
oa
102
表示的单价基团(其中a
102
为c6‑
c
60
芳基)，且如本文所使用的术语"c6‑
c
60
芳硫基"指由
‑
sa
103
表示的单价基团(其中a
103
为c6‑
c
60
芳基)。
[0295]
如本文所使用的术语"单价非芳族稠合多环基团"指具有彼此稠合的两个或更多个环，仅具有碳原子(例如，具有8至60个碳原子)作为成环原子，且在其整个分子结构中为非芳香性(例如，整个分子结构不具有芳香性)的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的非限制性实例可包括金刚烷基。如本文所使用的术语"二价非芳族稠合多环基团"指具有与单价非芳族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
[0296]
如本文所使用的术语"单价非芳族稠合杂多环基团"指具有彼此稠合的两个或更多个环，除了碳原子(例如，具有1至60个碳原子)之外还具有至少一个选自n、o、si、p和s中的杂原子作为成环原子，且在其整个分子结构中为非芳香性(例如，整个分子结构不具有芳香性)的单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的非限制性实例为氮杂金刚烷基。如本文所使用的术语"二价非芳族稠合杂多环基团"指具有与单价非芳族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0297]
如本文所使用的术语"c5‑
c
60
碳环基团"指仅包括碳作为成环原子且由5至60个碳原子组成的单环或多环基团。c5‑
c
60
碳环基团可为芳族碳环基团或非芳族碳环基团。c5‑
c
60
碳环基团可为环比如苯，单价基团比如苯基，或者二价基团比如亚苯基。在一个或多个实施方式中，取决于连接到c5‑
c
60
碳环基团的取代基的数量，c5‑
c
60
碳环基团可为三价基团或四价基团。
[0298]
如本文所使用的术语"c1‑
c
60
杂环基团"指具有与c5‑
c
60
碳环基团相同的结构的基团，不同之处在于除了碳原子(碳原子的数量可在1至60的范围内)之外还使用至少一个选自n、o、si、p和s中的杂原子作为成环原子。
[0299]
在本说明书中，取代的c5‑
c
60
碳环基团、取代的c1‑
c
60
杂环基团、取代的c3‑
c
10
亚环烷基、取代的c1‑
c
10
亚杂环烷基、取代的c3‑
c
10
亚环烯基、取代的c1‑
c
10
亚杂环烯基、取代的c6‑
c
60
亚芳基、取代的c1‑
c
60
亚杂芳基、取代的二价非芳族稠合多环基团、取代的二价非芳族
稠合杂多环基团、取代的c1‑
c
60
烷基、取代的c2‑
c
60
烯基、取代的c2‑
c
60
炔基、取代的c1‑
c
60
烷氧基、取代的c3‑
c
10
环烷基、取代的c1‑
c
10
杂环烷基、取代的c3‑
c
10
环烯基、取代的c1‑
c
10
杂环烯基、取代的c6‑
c
60
芳基、取代的c6‑
c
60
芳氧基、取代的c6‑
c
60
芳硫基、取代的c1‑
c
60
杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基可选自：
[0300]
氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基和c1‑
c
60
烷氧基；
[0301]
各自被选自以下的至少一种取代的c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基和c1‑
c
60
烷氧基：氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、
‑
n(q
11
)(q
12
)、
‑
b(q
11
)(q
12
)、
‑
c(＝o)(q
11
)、
‑
s(＝o)2(q
11
)和
‑
p(＝o)(q
11
)(q
12
)；
[0302]
c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团；
[0303]
各自被选自以下的至少一种取代的c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、c1‑
c
60
烷氧基、c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c6‑
c
60
芳氧基、c6‑
c
60
芳硫基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、
‑
n(q
21
)(q
22
)、
‑
b(q
21
)(q
22
)、
‑
c(＝o)(q
21
)、
‑
s(＝o)2(q
21
)和
‑
p(＝o)(q
21
)(q
22
)；以及
[0304]
‑
si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、
‑
n(q
31
)(q
32
)、
‑
b(q
31
)(q
32
)、
‑
c(＝o)(q
31
)、
‑
s(＝o)2(q
31
)和
‑
p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0305]
其中q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地选自氢、氘、
‑
f、
‑
cl、
‑
br、
‑
i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1‑
c
60
烷基、c2‑
c
60
烯基、c2‑
c
60
炔基、c1‑
c
60
烷氧基、c3‑
c
10
环烷基、c1‑
c
10
杂环烷基、c3‑
c
10
环烯基、c1‑
c
10
杂环烯基、c6‑
c
60
芳基、c1‑
c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基。
[0306]
如本文所使用的术语"ph"指苯基，如本文所使用的术语"me"指甲基，如本文所使用的术语"et"指乙基，如本文所使用的术语"tert
‑
bu"或"bu
t
"指叔丁基，且如本文所使用的术语"ome"指甲氧基。
[0307]
如本文所使用的术语"联苯基"指"被苯基取代的苯基"。换句话说，"联苯基"为具有c6‑
c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0308]
如本文所使用的术语"三联苯基"指"被联苯基取代的苯基"。换句话说，"三联苯基"为具有被c6‑
c
60
芳基取代的c6‑
c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0309]
除非另外定义，否则如本文所使用的*和*'各自指与相应式中的相邻原子的结合位点。
[0310]
在下文中，将参考实施例更详细地描述根据实施方式的发光装置。
[0311]
实施例
[0312]
制备例1：制备量子点组合物
[0313]
将具有核/壳＝inp(核)/znse/zns(壳)的结构的量子点(粒径：8nm)在作为溶剂的辛烷中以5mg/ml的浓度混合，以制备量子点组合物。
[0314]
实施例1
[0315]
作为阳极，将ito沉积基板切割成50mm x 50mm x 0.7mm的尺寸，使用异丙醇和纯水各自超声5分钟，然后通过紫外射线辐射并同时暴露于臭氧30分钟来清洁。然后，将ito基板加载到真空沉积设备上。
[0316]
将pedot:pss旋涂在ito基板上并干燥，以形成厚度为40nm的空穴注入层，将tfb(聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
alt
‑
n
‑
(4
‑
仲丁基苯基)
‑
二苯胺))旋涂在空穴注入层上并干燥，以形成厚度为40nm的空穴传输层。
[0317]
将liq真空沉积在空穴传输层上，以形成厚度为4nm的电子吸收层。
[0318]
将制备例1的量子点组合物以3,500rpm的涂布速度旋涂在电子吸收层上30秒，在室温(例如，约25℃)下自然干燥(例如，风干)5分钟，然后在150℃的温度下干燥30分钟，从而完成厚度为20nm的发射层的形成。
[0319]
将znmgo纳米颗粒旋涂在发射层上，然后自然干燥，以形成厚度为40nm的电子传输层，并且将al沉积在电子注入层上以形成厚度为150nm的阴极，从而完成发光装置的制造。
[0320]
对比例1
[0321]
以基本上与实施例1中相同的方式制造发光装置，不同之处在于未形成电子吸收层。
[0322]
评估例1
[0323]
针对根据实施例1和对比例1制造的每个发光装置，通过使用电流
‑
电压仪(keithley smu 236)和亮度仪(pr650)来测量驱动电压、电流密度、效率和cie坐标，且其结果显示于表1中。
[0324]
表1
[0325][0326]
参见表1，证实了与根据对比例1制造的发光装置相比，根据实施例1制造的发光装置具有低驱动电压、提高的电流效率、提高的功率效率和提高的最大外部量子效率。尽管不限于任何具体的理论，但是因为根据实施例1制造的发光装置包括电子吸收层，所以可以防止或基本上防止发射层中的电子泄漏到空穴传输层，致使发光效率的提高。
[0327]
评估例2：评估滚降特性
[0328]
针对根据实施例1和对比例1制造的每个发光装置，通过使用keithley smu 236和亮度仪pr650测量根据亮度的电流效率，且其结果显示于图2中。
[0329]
如图2所示，证实了与根据对比例1制造的发光装置相比，根据实施例1制造的发光
装置在相同亮度下具有提高的电流效率以及提高的滚降特性。尽管不限于任何具体的理论，但是因为根据实施例1制造的发光装置包括电子吸收层，所以可以防止或基本上防止发射层中的电子泄漏到空穴传输层，致使电流效率和滚降特性的提高。
[0330]
发光装置可以防止或基本上防止电子从量子点发射层泄漏到空穴传输区，并且可以提高空穴注入到发射层。因此，可以提供具有高效率和长寿命的高质量发光装置。
[0331]
当描述本发明的实施方式时，使用"可"指"本发明的一个或多个实施方式"。同样，术语"示例性"旨在指实例或示例。应当理解，当元件或层被称为在另一元件或层"上"，"连接到"、"偶联到"或"邻近于"另一元件或层时，它可直接在另一元件或层上，直接连接到、偶联接到或邻近于另一元件或层，或者可存在一个或多个中间元件或层。相反，当元件或层被称为"直接"在另一元件或层"上"，"直接连接到"、"直接偶联到"或"紧邻于"另一元件或层时，不存在中间元件或层。
[0332]
如本文所使用的，术语"基本上"、"约"和类似术语被用作近似术语，而不是程度术语，并且旨在说明本领域普通技术人员会认识到的测量或计算值中的固有偏差。此外，本文列举的任何数值范围旨在包括涵盖在所列举的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，"1.0至10.0"的范围旨在包括所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0之间(并包括二者)的所有子范围，也就是，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，比如，例如2.4至7.6。本文列举的任何最大数值限制旨在包括其中涵盖的所有较低数值限制，而本说明书中列举的任何最小数值限制旨在包括其中涵盖的所有较高数值限制。相应地，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确列举涵盖在本文明确列举的范围内的任何子范围。所有这样的范围都旨在固有地描述在本说明书中，使得以明确列举任何这样的子范围的修改都将符合《专利法》第33条的要求。
[0333]
应理解，本文描述的实施方式应该被认为仅是描述性的，而不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照各图描述了一个或多个实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求及其等同方式限定的精神和范围的情况下，可在形式和细节上进行各种适当的改变。