半导体封装体及其制作方法与流程

1.本公开总体上涉及半导体封装体以及用于制作半导体封装体的方法。


背景技术：

2.半导体封装体可以包括在制作期间必须彼此堆叠的不同的部件。此类部件的示例是载体、半导体裸片和接触夹。在将这些堆叠的部件保持就位的接合部固化之前的制作阶段，堆叠的部件可能会移位。例如，当焊料材料为流体时，放置在焊料沉积物上的接触夹可能会移位。此外，将这些部件布置在彼此的顶部上可能是耗时的过程，这可能会显著影响总体制作时间和制作成本。改进的半导体封装体和制作半导体封装体的改进的方法可以帮助解决这些和其它问题。


技术实现要素：

3.多个方面涉及一种半导体封装体，所述半导体封装体包括：包括凹部的载体；半导体裸片，其布置在所述载体上，使得所述半导体裸片的第一侧面对载体；以及接触夹，其布置在所述半导体裸片的与所述第一侧相反的第二侧之上，所述接触夹包括下降部分，其中，所述下降部分布置在所述凹部中。
4.多个方面涉及一种用于制作半导体封装体的方法，所述方法包括：提供载体，所述载体包括凹部；将半导体裸片布置在所述载体上，使得所述半导体裸片的第一侧面对所述载体；将接触夹布置在所述半导体裸片的与所述第一侧相反的第二侧之上，所述接触夹包括下降部分，其中，所述接触夹布置在所述半导体裸片上而使得所述接触夹的下降部分布置在所述凹部中。
附图说明
5.附图示出了示例并且与说明书一起用于解释本公开的原理。本公开的其它示例和许多预期的优点将容易理解，这是因为通过参考下面的具体实施方式，它们变得更好理解。附图的元件不一定相对于彼此成比例。相同或相应的附图标记表示相应的相同或类似部分。
6.图1示出了包括具有下降部分的接触夹的半导体封装体的剖视图，其中，下降部分至少部分地布置在载体的凹部中。
7.图2a和2b示出了包括具有不同配置形式的下降部分的另外的半导体封装体的剖视图。
8.图3a和3b示出了另外的半导体封装体的自上而下的视图和细节图。
9.图4a和4b示出了另外的半导体封装体的自上而下的视图，其中，接触夹的下降部分以不同的方式布置。
10.图5示出了包括具有下降部分的多个接触夹的引线框架的自上而下的视图。
11.图6a至图6e示出了根据用于制作半导体封装体的一个示例性方法的各个制作阶
段的半导体封装体的剖视图。
12.图7a和7b示出了包括具有下降部分的接触夹和通过接触夹电耦合的多个半导体裸片的两个半导体封装体的自上而下的视图。
13.图8是用于制作半导体封装体的方法的流程图。
具体实施方式
14.在下面的详细描述中，参考附图。然而，对于本领域的技术人员来说显见的是，可以以较少程度的具体细节来实践本公开的一个或多个方面。在其它情况下，以示意形式示出了已知的结构和元件，以便于描述本公开的一个或多个方面。在这方面，参考所正描述的附图的取向，使用诸如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等等的方向性术语。因为本公开的部件可以以许多不同的取向定位，所以方向性术语仅用于说明的目的。
15.此外，尽管可以仅结合多个实施方式中的一个实施方式来公开一个示例的特定特征或方面，但是只要对于任何给定的或特定的应用可能是期望的和有利的，该特征或方面就可以与其它实施方式的一个或多个其它特征或方面组合，除非另外特别指出或除非技术上受到限制。此外，就在具体实施方式或权利要求书中使用的术语“包含”、“具有”、“带有”或其其它变体而言，这些术语旨在以类似于术语“包括”的方式为包括含义。可以使用术语“耦合”和“连接”及其派生词。应当理解，这些术语可以用来表示两个元件彼此协作或相互作用，而不管它们是直接物理接触或电接触，还是它们不是彼此直接接触；可以在“接合”、“附接”或“连接”的元件之间提供居间元件或居间层。然而，“接合”、“附接”或“连接”元件也可彼此直接接触。另外，术语“示例性”仅仅意味着作为示例，而不是最好的或最优的。
16.下面进一步提到的半导体裸片可以是不同类型的，可以通过不同技术制造，并且可以包括例如集成电子电路、逻辑集成电路、控制电路、微处理器、ac/dc或dc/dc转换器电路、功率mos晶体管、功率肖特基二极管、jfet(结型栅极场效应晶体管)、功率双极晶体管等等。这些示例还可以使用包括垂直晶体管结构的半导体裸片，其中，至少一个电接触焊盘布置在半导体裸片的第一主表面上，至少一个其它电接触焊盘布置在半导体裸片的与第一主表面相反的第二主表面上。
17.图1示出了半导体封装体100，其包括载体110、半导体裸片120和接触夹130。半导体裸片120布置在载体110上，使得半导体裸片120的第一侧121面对载体110，而第二侧122背对载体110。接触夹130布置在半导体裸片120的第二侧122之上。接触夹130包括下降部分131，而载体110包括凹部111，其中，下降部分131布置在凹部111中或至少部分地布置在凹部111中。
18.半导体封装体100可以包括单个半导体裸片120，或者它可以包括多个半导体裸片。半导体封装体100的一个或多个半导体裸片可以例如实现半桥电路、功率转换器电路、整流器电路等等。半导体裸片120可以是被配置成能够以高电压和/或高电流操作的功率半导体裸片。半导体封装体还可以包括被配置成能够控制半导体裸片120的一个或多个逻辑裸片。
19.载体110可以包括诸如al、cu或fe的金属或由诸如al、cu或fe的金属组成。载体110例如可以是第一引线框架的一部分。载体110可以具有垂直于上和下侧112、113的任何合适的厚度，例如200μm或更大、250μm或更大或500μm或更大的厚度。
20.根据一个示例，半导体封装体100包括多个半导体裸片120和载体110的多个部分，其中，半导体裸片120中的至少一些布置在载体110的不同部分上。
21.载体110可以包括上侧112和相反的下侧113。半导体裸片120可以布置在上侧112上。半导体裸片120可以通过接合部，例如通过焊接接合部、烧结接合部、导电胶等等(图1中未示出)附接到上侧112。半导体裸片120可以包括位于第一侧121上的第一功率电极(例如源极、漏极、发射极或集电极)，并且第一功率电极可以电耦合到载体110。
22.凹部111可以侧向位于半导体裸片120旁地布置在载体的上侧112中。特别地，可以仅将下降部分131布置而不将半导体裸片120布置在凹部131中。凹部131可以与半导体裸片120侧向间隔开距离x。距离x例如可以为1mm或更大、2mm或更大、5mm或更大或10mm或更大。下降部分131可以通过接合部、例如焊接接合部、烧结接合部或导电胶在凹部111中耦合到载体110。
23.根据一个示例，载体110包括第一载体部分114和第二载体部分115，其中，第一载体部分114和第二载体部分115彼此侧旁地布置。半导体裸片120可以布置在第一载体部分114上，凹部可以布置在第二载体部分115上。第一载体部分114和第二载体部分115可以彼此电绝缘，除了经由接触夹130的连接之外。第一载体部分114可以是裸片焊盘。第二载体部分115可以是接触部、例如半导体封装体100的外部接触部，或者第二载体部分115可以是半导体封装体100内的另一个裸片焊盘。
24.接触夹130可以例如包括金属、例如al、cu或fe，或由金属、例如al、cu或fe组成。接触夹130可以是可以与第一引线框架不同的第二引线框架的一部分。接触夹130可以具有任何合适的厚度、例如200μm或更大、250μm或更大或500μm或更大的厚度。接触夹130的厚度可以与载体110的厚度相同，或者其可以与载体110的厚度不同。
25.接触夹130可以通过接合部，例如焊接接合部、烧结接合部或导电胶(图1中未示出)耦合到半导体裸片120的第二侧122、特别是耦合到第二功率电极(例如源极、漏极、发射极或集电极)。接触夹130可以完全覆盖第二侧122，或者它可以仅部分地覆盖第二侧122，例如不超过第二侧122的40％、60％或80％。
26.接触夹130可以沿朝向下降部分131的方向侧向延伸超过半导体裸片120的外周。此外，接触夹130还可以沿任何其它方向，例如沿相反的方向侧向延伸超过所述外周。
27.根据一个示例，接触夹130包括中央部分132，并且下降部分131朝向载体110延伸出中央部分132。中央部分132可以基本上布置在半导体裸片120的第二侧122上方的平面中。下降部分131可以从中央部分132的下侧134延伸到凹部中，从而跨越半导体裸片120的厚度(以及布置在半导体裸片120的第一和第二侧121、122上的接合部的厚度)。
28.根据一个示例，下降部分131可以相对于中央部分132成一角度布置，例如成30
°
至90
°
的范围内的角度、例如大约30
°
、大约45
°
、大约60
°
、大约80
°
或大约90
°
的角度。
29.根据一个示例，半导体裸片120可以是薄型裸片。半导体裸片120可以例如具有垂直于第一和第二侧121、122测量的小于50μm、大约50μm或更大、大约100μm或更大、200μm或更大或500μm或更大的厚度。半导体裸片120可以包括控制电极(例如，栅极电极)，所述控制电极例如可以布置在第二侧122上不被接触夹130覆盖的位置处。半导体封装体100可以包括类似耦合到控制电极的接合导线的电连接器。
30.半导体封装体100可以包括包封半导体裸片120的包封材料。包封材料可以包括例
如成模制体的形式的聚合物。根据一个示例，载体110和/或接触夹130可以至少部分地从包封材料暴露。例如，载体的下侧113和/或接触夹的上侧133可以从包封材料暴露。下侧113和/或上侧133可以与包封材料的相应外表面共面。包封材料可以填充接触夹130的下侧134与载体110之间的空间。包封材料可以填充第一和第二载体部分114、115之间的间隙。
31.图2a和2b分别示出了可以与半导体封装体100相似或相同的另外的半导体封装体200和200'。
32.如图2a所示，在半导体封装体200中，接触夹130包括在垂直于下侧133和上侧434的平面上观察时呈u形的下降部分131。u形的下降部分131可以包括侧壁131_1和底壁131_2。侧壁131_1和底壁131_2可以被布置成基本上彼此垂直。然而，侧壁131_1和底壁131_2也可以以不同于90
°
的另一角度布置，例如以大约80
°
、大约70
°
、大约60
°
或大约45
°
的角度布置。根据一个示例，下降部分131不包括底壁131_2，而是仅包括以小于90
°
的角度布置的侧壁131_1(换句话说，下降部分131可以具有v形)。
33.底壁131_2例如可以具有大约200μm或更大、300μm或更大或500μm或更大的宽度w。凹部111可以具有相同的宽度或仅稍大的宽度。下降部分131的宽度和凹部111的宽度可以彼此匹配，使得下降部分131紧密地配合到凹部111中。凹部可以具有任何合适的深度d，例如50μm或更大、100μm或更大、150μm或更大或200μm或更大的深度d。深度d可以是载体110的厚度(垂直于上侧112和下侧113测量)的大约20％、大约40％、大约60％或大约80％。
34.根据一个示例，可以通过模压或通过冲压接触夹130来制作半导体封装体200的u形的下降部分131。该模压或冲压例如可以在将接触夹130从第二引线框架单个化地分离之前进行。
35.半导体封装体200可以包括将半导体裸片120耦合到载体110的第一接合部201、将接触夹130耦合到半导体裸片的第二接合部202和将接触夹130的下降部分131耦合到凹部111的第三接合部203。第一、第二和第三接合部可以例如包括焊接接合部、烧结接合部或导电胶。
36.第三接合部203可以部分地或完全地布置在凹部111内。第三接合部203例如可以部分地或完全地布置在底壁131_2下方。
37.第一、第二和第三接合部201、202、203例如可以是回流焊接接合部。在回流焊接期间，接触夹130可以通过下降部分131与凹部111之间的紧密配合而保持到位，从而可以防止其偏移位置。
38.根据一个示例，半导体封装体200还包括包封材料210。包封材料210可以部分地填充凹部111。然而，也有可能在凹部111内不布置包封材料210的材料或几乎没有包封材料210的材料。半导体封装体200可以是表面安装器件(smd)，其中，载体110的下侧113例如布置在板上。接触夹130的上侧133可以例如被配置成能够附接散热器。
39.图2b示出了半导体封装体200'，所述半导体封装体200'可以与半导体封装体200相同，但半导体封装体200'的下降部分131包括指向载体110的尖锐边缘136。在这方面，“指向载体110”可以表示尖锐边缘136、远端端面135和下侧134可以形成指向载体110的“楔形”。尖锐边缘136可以布置在凹部111的底部处。半导体封装体200'的凹部111可以具有对应的楔形。下降部分131可以布置在接触夹130内的任何合适的位置，例如靠近接触夹130的侧向端部或直接布置在接触夹130的侧向端部处。
40.根据一个示例，下降部分131可以是朝向载体110向下弯曲的接触指。下降部分131可以包括远端端面135。远端端面135以及上侧和下侧133、134的包括在下降部分131中的部分可以彼此垂直地布置。远端端面135可以是接触夹130已经在下降部分131的制作期间被切割处的切割表面。尖锐边缘136可以是接触夹130的远端端面135与下侧134之间的边缘。
41.根据一个示例，远端端面135和载体110的上侧112相对于彼此以30
°
至80
°
范围内的角度布置，例如以大约45
°
的角度布置。
42.根据一个示例，下降部分131的整体(即，接触夹的布置在包括中央部分132的平面下方的整个部分)具有三角形的形状。根据另一个示例，下降部分131的仅端部区域具有三角形的形状，其中，该端部区域至少部分地布置在凹部111内。
43.半导体封装体200'的凹部111可具有三角形形状或楔形形状。特别地，凹部111可以朝向其底部窄缩。凹部111和下降部分131可以具有匹配的形状，并且形状的取向也可以匹配。凹部111可以具有比下降部分131稍大的尺寸，使得第三接合部203可以在下降部分131与载体110之间布置在凹部111内。然而，下降部分131和凹部111的尺寸也可被匹配成使得如上面参考半导体封装体200所进一步解释的那样，确保两者之间的紧密配合。
44.图3a以自上而下的视图从接触夹130的上侧133的上方示出了半导体封装体200的一个示例。在图3a所示的示例中，接触夹130包括位于下降部分131中的孔301。接触夹130可以包括任何合适数量的孔301。根据半导体封装体200的另一个示例，接触夹130不包括孔301。
45.根据一个示例，接触夹130还可以包括例如可以布置在接触夹130的一个或多个侧向侧处、例如相反的侧向侧处的突出部302。突出部302可以是用于在半导体封装体200的制作期间用于将接触夹130耦合到第二引线框架的切割的系条。
46.图3b示出了沿着图3a中的线a
‑
a所作的半导体封装体200的详细视图。
47.一个或多个孔301例如可布置在下降部分131的底壁131_2中。第三接合部203的材料可以至少部分地填充一个或多个孔301。特别地，第三接合部203的材料可以完全延伸穿过一个或多个孔301，并且也可以在凹部111内布置在一个或多个孔301上方。将第三接合部203的材料布置在一个或多个孔301内并可能布置在一个或多个孔301上方例如可以提高第三接合部203的耦合强度以及半导体封装体200的机械可靠性和电可靠性。
48.图4a以自上而下的视图从接触夹130的上侧133的上方示出了半导体封装体200'的一个示例。如图4a所示，接触夹130可以包括多个下降部分131。每个下降部分131可以是接触夹130的单独的接触指。
49.如图4a所示，下降部分131例如可以布置成一排。然而，下降部分131也可以以任何其它合适的配置方式布置。所有下降部分131可以耦合到相同的载体部分，或者各个下降部分131可以耦合到不同的载体部分。此外，载体110可以包括用于每个单独的下降部分131的单独的凹部111，或者下降部分131中的至少一些可以布置在共同的凹部111中。
50.图4b示出了半导体封装体200”的自上而下的视图，所述半导体封装体200”可以与半导体封装体200'相同，除了以下差异之外。
51.在半导体封装体200”中，接触夹130包括单个下降部分131。下降部分131可以基本上跨越接触夹130的整个宽度b。下降部分131也可以仅跨越整个宽度b的一部分。例如，接触夹130可以包括一个或多个突出部302，其中，除了包括突出部302的那些部分之外，下降部
分131跨越宽度b。
52.在图4b的半导体封装体200”中，下降部分131形成接触夹130的边缘的一部分，而在图4a的半导体封装体200'中，下降部分131布置在接触夹130的内部，并不形成边缘的一部分。然而，在每种情况下都可以使用这两种布置形式中的任何一种。
53.图5示出了包括多个接触夹130的第二引线框500的一个示例的自上而下的视图。第二引线框500可以包括外部框架510，其中，多个接触夹130布置在外部框架510内。多个接触夹130可以通过系条520连接到外部框架510和/或彼此连接。将接触夹130从第二引线框架500单个化地分离可以包括沿着相应的接触夹130的外周(例如沿着图5中的虚线)切割系条520。
54.图5的示例示出了待以二维阵列布置的多个接触夹130。根据另一个示例，多个接触夹130可以以单条布置或以任何其它合适的布置方式布置。此外，第二引线框架500的接触夹130可以具有任何合适的形状，并且特别地不必如图5所示是矩形的。例如，接触夹130可以基本上具有如上面看到的那样的l形，并且可以被配置成能够电耦合半导体封装体的多个半导体裸片120。
55.第二引线框架500可以被配置成使得多个接触夹130可以被布置在多个对应的载体110(其可以例如是第一引线框架的一部分)上，而接触夹130仍然是第二引线框架500的一部分。这可以包括将第二引线框架500布置在第一引线框架之上，如图6d所示。换句话说，第二引线框架500可以被配置成使得能够在单批处理中将多个接触夹130连接到多个相应的载体110。这样的批量处理例如可以比包括将每个接触夹130分别放置到相应的载体110和半导体裸片120上的串行拾取和放置处理更快。因此，这种批量处理可以帮助节省半导体封装体的制作时间和制作成本。
56.参考图6a至6e，示出了根据用于制作半导体封装体的一个示例性方法的各个制作阶段的半导体封装体200。可以使用类似的方法来制作半导体封装体100、200'和200”。
57.如图6a所示，可以提供第一引线框架610，第一引线框架610包括多个载体110，其中，每个载体110包括至少一个凹部111。根据一个示例，凹部111通过模压、冲压或蚀刻第一引线框架610来制作。可以特别在将载体110从第一引线框架610单个化地分离之前制作凹部111。
58.此外，连接材料620的沉积物可以例如通过使用分配工艺沉积在第一引线框架610上。连接材料620可以例如是焊接材料、烧结材料或导电胶。连接材料620的沉积物可以布置在载体110的上侧112上和布置在凹部111中。在稍后的阶段，连接材料620也可以沉积在凹部111中。
59.如图6b所示，多个半导体裸片120可以布置在第一引线框架610之上。例如，半导体裸片110可以放置在布置在上侧112上的连接材料620的沉积物上。将半导体裸片110放置到连接材料620的沉积物上可以例如通过串行拾取和放置工艺完成。
60.根据一个示例，仅在将半导体裸片110布置在第一引线框架610之上之后，才将连接材料620沉积在凹部111中。
61.根据一个示例，在该制作阶段中，连接材料620是焊接材料，半导体裸片120被焊接到第一引线框架610上。
62.如图6c所示，连接材料620可以沉积在半导体裸片120的第二侧122上。在此阶段，
也可以将连接材料620沉积在凹部111中。
63.如图6d所示，第二引线框架500可以布置在第一引线框架610之上，使得每个下降部分131布置在相应的凹部111中。此外，第二引线框架500可以通过连接材料620附接到第一引线框架610和半导体裸片120。在连接材料620是焊接材料的情况下，这例如可以需要使用回流焊接工艺。
64.图6d中所示的用于将接触夹130附接到载体110的示例性方法可以称为批量处理，因为多个接触夹130被并行地布置在多个载体110之上并附接到多个载体110。与使用顺序的拾取和放置工艺相比，使用这种批量工艺可以减少制作时间和制作成本。
65.如图6e所示，通过切割第一和第二引线框架610、500来单个化地分离出单独的半导体封装体200。此外，制作半导体封装体200可以包括例如通过使用模制工艺制作包封材料210。包封材料210可以在切割第一和第二引线框架610、500之前或在切割第一和第二引线框架610、500之后来制作。
66.图6a
‑
6e所示的用于制作半导体封装体200的方法包括使用堆叠的引线框架610、500。为此，半导体封装体200可以包括分别属于第一引线框架610和第二引线框架500的堆叠的系条或突出部。根据一个示例，堆叠的系条在半导体封装体200的侧向侧从包封材料210暴露。
67.图7a示出了半导体封装体700的自上而下的视图，所述半导体封装体700可以与半导体封装体100、200、200'和200”相似或相同，除了下面描述的差异之外。
68.半导体封装体700包括多个半导体裸片120，例如三个半导体裸片120(在图7a的自上而下的视图中，半导体裸片120被接触夹130覆盖，因此用虚线表示)。半导体裸片120布置在相应的第一载体部分114上。半导体裸片120中的至少一些通过接触夹130彼此电耦合。在图7a所示的示例中，接触夹130电耦合所有三个半导体裸片120。
69.半导体封装体700的接触夹130可以包括一个或多个下降部分131，所述下降部分131可以布置在相应的凹部111(图7a中未示出)内。下降部分131可以例如包括结合图2a描述的u形的横截面。凹部111可以例如布置在相应的第二载体部分115中。第二载体部分115例如可以是半导体封装体700的外部接触部。半导体封装体可以包括包封材料210。外部接触部以及可能还有接触夹130可以从包封材料210暴露。
70.接触夹130以及第二载体部分115可以包括突出部302(即系条残留物)。接触夹130的突出部可以布置在第一平面中，载体110的突出部可以布置在第二平面中，第一平面可以布置在第二平面上方。
71.图7b示出了半导体封装体700'的自上而下的视图，所述半导体封装体700'可以与半导体封装体700相似或相同，除了下面描述的差异之外。
72.在半导体封装体700'中，接触夹130的下降部分131包括指向载体110的尖锐边缘136，如结合图2b所述的那样。在图7a和7b中，半导体封装体700和700'的接触夹130被示出为包括多个下降部分131。然而，接触夹130每个也可能仅包括单个下降部分131。
73.制作半导体封装体700和700'例如可以包括在单个批量处理步骤中将包括多个接触夹130的第二引线框架(如示例性的第二引线框架500)布置在包括多个载体110的第一引线框架之上。多个接触夹130的下降部分131可以与多个载体110的凹部111相互作用，并且可以帮助使第一引线框架和第二引线框架相对于彼此正确地对正。各个单独的接触夹130
的下降部分131可以协作以对正第一和第二引线框，这可以减少每个接触夹130所需的下降部分131的数量。
74.通过上述方式，多个接触夹130可以耦合到多个载体110(以及耦合到布置在载体110上的半导体裸片120)，以便在批量处理过程中制作多个半导体封装体700或700'。可以在随后的处理步骤中将接触夹130和载体110分别从第一引线框架和第二引线框架单个化地分离。
75.图8是用于制作半导体封装体的方法800的流程图。方法800例如可以用于制作半导体封装体100、200、200'，200”和700。
76.方法800包括：在步骤801提供载体的操作，所述载体包括凹部；在步骤802将半导体裸片布置在所述载体上使得半导体裸片的第一侧面对载体的操作；以及在步骤803将接触夹布置在半导体裸片的与第一侧相反的第二侧上的操作，所述接触夹包括下降部分，其中，所述接触夹布置在半导体裸片上，使得所述接触夹的下降部分布置在凹部中。
77.根据方法800的一个示例，载体是第一引线框架的一部分。方法800还可以包括在已经将接触夹布置在半导体裸片上之后，从第一引线框架单个化地分离载体。
78.根据方法800的一个示例，接触夹是包括多个接触夹的第二引线框架的一部分，并且以批量处理布置在半导体裸片之上。方法800还可以包括在已经将接触夹布置在半导体裸片上之后，将接触夹从第二引线框架单个化地分离。
79.示例
80.在下面，使用具体示例进一步描述半导体封装体和用于制作半导体封装体的方法。
81.示例1是一种半导体封装体，所述半导体封装体包括：包括凹部的载体；半导体裸片，其布置在所述载体上，使得所述半导体裸片的第一侧面对所述载体；接触夹，其布置在所述半导体裸片的与所述第一侧相反的第二侧之上，所述接触夹包括下降部分，其中，所述下降部分布置在所述凹部中。
82.示例2是示例1的半导体封装体，其中，所述下降部分布置在接触夹的第一侧向端部处。
83.示例3是示例1或2的半导体封装体，其中，所述下下降部分是模压或冲压部分。
84.示例4是前述示例中任一个的半导体封装体，其中，所述半导体封装体还包括：布置在凹部中并且将接触夹耦合到载体的焊接接合部。
85.示例5是前述示例中任一个的半导体封装体，其中，所述接触夹具有位于半导体裸片的第二侧之上的中央部分，并且所述下降部分从所述中央部分朝向载体向下弯曲。
86.示例6是根据示例5的半导体封装体，其中，所述下降部分包括面对所述载体的尖锐边缘，所述尖锐边缘布置在所述凹部的底部处。
87.示例7是示例5或6的半导体封装体，其中，所述下降部分包括向下弯曲30
°
至80
°
的角度并从接触夹的中央部分延伸的至少一个指状物。
88.示例8是示例1至5中任一个的半导体封装体，其中，所述下降部分具有u形的横截面。
89.示例9是示例8的半导体封装体，其中，所述接触夹包括布置在所述下降部分中的一个或多个孔。
90.示例10是示例9的半导体封装体，其中，所述焊接材料延伸穿过所述一个或多个孔。
91.示例11是前述示例中任一个的半导体封装体，其中，所述下降部分和所述凹部具有相符的横截面。
92.示例12是前述示例中任一个的半导体封装体，其中，所述接触夹布置在所述载体上的多个半导体裸片上。
93.示例13是一种用于制作半导体封装体的方法，所述方法包括：提供载体，所述载体包括凹部；将半导体裸片布置在所述载体上，使得所述半导体裸片的第一侧面对所述载体；将接触夹布置在所述半导体裸片的与所述第一侧相反的第二侧之上，所述接触夹包括下降部分，其中，所述接触夹布置在所述半导体裸片上，使得所述接触夹的下降部分布置在所述凹部中。
94.示例14是示例13的方法，其中，所述方法还包括：将第一焊料沉积物沉积在载体上，将第二焊料沉积物沉积在半导体裸片的第二侧上，以及将第三焊料沉积物沉积在凹部中。
95.示例15是示例14的方法，其中，所述方法还包括：对第一、第二和第三焊料沉积物进行回流焊接，其中，在回流焊接期间，通过下降部分与凹部互锁将接触夹保持就位。
96.示例16是示例13至15中任一个的方法，其中，所述方法还包括：模压或冲压接触夹，以制作下降部分。
97.示例17是示例13至16中任一个的方法，其中，所述载体是第一引线框架的一部分，所述方法还包括：在将接触夹布置在半导体裸片上之后，将载体从第一引线框架单个化地分离。
98.示例18是示例13至17中任一个的方法，其中，所述方法还包括：模压或冲压载体以制作凹部。
99.示例19是示例13至18中任一个的方法，其中，所述接触夹是包括多个接触夹的第二引线框架的一部分，所述方法还包括：在将接触夹布置在所述半导体裸片上之后，将接触夹从所述第二引线框架单个化地分离。
100.示例20是示例13至19中任一个的方法，其中，所述下降部分具有u形横截面或指向载体的尖锐边缘。
101.示例21是示例13至20中任一个的方法，其中，所述方法还包括：将所述半导体裸片、所述接触夹的至少一部分和所述载体的至少一部分用模制体包封。
102.示例22是一种包括用于执行示例13至21中任何一个的方法的装置的设备。
103.虽然已经结合一个或多个实施方式说明和描述了本公开，但是在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以对所说明的示例进行改变和/或修改。特别是关于上述构件或结构(组件、装置、电路、系统等)执行的各种功能，除非另外指出，否则用于描述这些构件的术语(包括对“装置”的引述)意欲对应于执行所描述的构件的指定功能的任何构件或结构(例如，在功能上等同的)，即使在结构上不等同于本文所示的本公开的示例性实施方式中执行该功能的所公开的结构。