一种PERC太阳能电池的制备方法与流程

文档序号:25987495发布日期:2021-07-23 20:56阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种perc太阳能电池的制备方法,按制绒、扩散、激光se、去背面psg、碱刻蚀抛光、去正面psg、退火、氧化铝、正面沉积减反射膜、背面激光开槽、丝网印刷、烧结的工艺进行,其特征在于:在激光se后首先进行链式氧化,然后进行臭氧氧化,最后再进行去背面psg及后续步骤,链式氧化为在激光se中进行磷掺杂的面镀一层氧化膜,氧化膜厚度控制在10-100nm,温度控制在500-800℃,臭氧氧化为在链式氧化产生氧化膜后通入臭氧,加强正面保护效果,臭氧浓度控制在10-100ppm。

2.根据权利要求1所述的一种perc太阳能电池的制备方法,其特征在于:硅片制绒、清洗并烘干后,减重控制在0.3-0.7g,反射率控制在9-13%。

3.根据权利要求1所述的一种perc太阳能电池的制备方法,其特征在于:扩散为磷扩散,扩散后方阻控制在90-150ω/□,结深控制在100-100nm。

4.根据权利要求1所述的一种perc太阳能电池的制备方法,其特征在于:激光se后方阻控制在50-80ω/□。

5.根据权利要求1所述的一种perc太阳能电池的制备方法,其特征在于:碱刻蚀抛光时,减重控制在0.2-0.5g,背面反射率控制在35-60%。

6.根据权利要求1所述的一种perc太阳能电池的制备方法,其特征在于:退火时,退火温度控制在600-900℃,氧化膜厚度控制在3-20nm。

7.根据权利要求1所述的一种perc太阳能电池的制备方法,其特征在于:氧化铝为在硅片表面镀双面氧化铝,氧化铝膜厚控制在2-20nm,氧化铝折射率控制在1.6-1.68。

8.根据权利要求1所述的一种perc太阳能电池的制备方法,其特征在于:正面沉积减反射膜时,氮化硅的折射率控制在60-85nm,折射率控制在1.95-2.27,钝化膜厚度控制在80-200nm。

9.根据权利要求1所述的一种perc太阳能电池的制备方法,其特征在于:背面激光开槽时,光斑大小在20-45um。

10.根据权利要求1所述的一种perc太阳能电池的制备方法,其特征在于:烧结时,烧结温度为300-960℃。


技术总结
本发明涉及太阳能电池生产领域。一种PERC太阳能电池的制备方法,按制绒、扩散、激光SE、去背面PSG、碱刻蚀抛光、去正面PSG、退火、氧化铝、正面沉积减反射膜、背面激光开槽、丝网印刷、烧结的工艺进行,在激光SE后首先进行链式氧化,然后进行臭氧氧化,最后再进行去背面PSG及后续步骤,链式氧化为在激光SE中进行磷掺杂的面镀一层氧化膜,氧化膜厚度控制在10‑100nm,温度控制在500‑800℃,臭氧氧化为在链式氧化产生氧化膜后通入臭氧,加强正面保护效果,臭氧浓度控制在10‑100ppm。

技术研发人员:蒋万昌
受保护的技术使用者:山西潞安太阳能科技有限责任公司
技术研发日:2021.04.20
技术公布日:2021.07.23
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