1.一种电吸收调制激光器的封装装置，其特征在于，包括管壳(15)、分别设置在所述管壳(15)内的电吸收调制激光器芯片(1)、透镜(7)和热沉(10)；
所述电吸收调制激光器芯片(1)包括电吸收调制激光器和光放大器，所述电吸收调制激光器输出光信号传输至所述光放大器，所述光放大器用于对所述光信号进行放大；
所述热沉(10)上开设有槽，所述透镜(7)卡设在所述槽内，所述电吸收调制激光器芯片(1)的光轴分别与所述管壳(15)的中心轴、所述透镜(7)的中心轴相互重合，放大后的所述光信号经所述透镜(7)汇聚。
2.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器的封装装置，其特征在于，所述电吸收调制激光器包括电吸收调制器及半导体激光二极管，所述电吸收调制器设置在所述半导体激光二极管与所述光放大器之间；
所述半导体激光二极管用于受激发射光信号，所述电吸收调制器用于对所述光信号进行信号调制。
3.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器的封装装置，其特征在于，所述槽的两侧斜面与所述透镜(7)的外环相切。
4.根据权利要求2所述的电吸收调制激光器的封装装置，其特征在于，所述热沉(10)的材料为硅基。
5.根据权利要求4所述的电吸收调制激光器的封装装置，其特征在于，所述热沉(10)上集成有第一滤波电容(4)和第二滤波电容(6)，所述第一滤波电容(4)与所述光放大器电连接，所述第二滤波电容(6)与所述半导体激光二极管电连接；
第一滤波电容(4)和所述第二滤波电容(6)用于减少外界对所述电吸收调制器的电串扰。
6.根据权利要求5所述的电吸收调制激光器的封装装置，其特征在于，所述热沉(10)上还集成有旁路电容(2)，所述旁路电容(2)用于将所述电吸收调制器和所述半导体激光二极管之间的信号耦合导入到地。
7.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器的封装装置，其特征在于，还包括钨铜块(9)和半导体制冷器(11)，所述钨铜块(9)贴附在所述热沉(10)垂直于所述光轴的侧面上，所述半导体制冷器(11)贴附在所述钨铜块(9)远离所述热沉(10)的侧面上。
8.根据权利要求7所述的电吸收调制激光器的封装装置，其特征在于，所述热沉(10)与所述钨铜块(9)采用银胶连接。
9.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器的封装装置，其特征在于，所述热沉(10)上还设置有背光探测器(3)，所述背光探测器(3)设置在所述电吸收调制激光器的背光方向。
10.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器的封装装置，其特征在于，还包括适配器(12)、光隔离器(13)和连接环(14)，所述光隔离器(13)设置在所述适配器(12)的壳体内，所述连接环(14)连接所述适配器(12)与所述管壳(15)。