1.一种微电子元器件的大规模转移装置，包括支撑平台(7)，其特征在于，所述支撑平台(7)上设置有y轴直线运动平台，所述y轴直线运动平台上活动设置有z轴直线运动平台，所述z轴直线运动平台的底端设置有转移头(3)，所述转移头(3)的下表面设置有一层用于粘接微电子元器件(10)的粘性薄膜(4)，所述粘性薄膜(4)上设置有多个粘黏凸起；
支撑平台(7)上设置有位于z轴直线运动平台下方的初始平台(8)，所述初始平台(8)的顶面设置有用于承载微电子元器件(10)的源基底板(9)，初始平台(8)的一侧设置有目标平台(6)，所述目标平台(6)的顶面设置有带电路结构的接收基板(5)。
2.根据权利要求1所述的一种微电子元器件的大规模转移装置，其特征在于，所述转移头(3)与所述z轴直线运动平台的底端可拆卸连接。
3.根据权利要求1所述的一种微电子元器件的大规模转移装置，其特征在于，多个粘黏凸起的直径均为1微米-1000微米，高度为10微米-1000微米。
4.根据权利要求3所述的一种微电子元器件的大规模转移装置，其特征在于，所述粘性薄膜(4)的材料为改性聚二甲基硅氧烷、聚丙烯酸酯或聚乙酸乙烯酯。
5.根据权利要求1所述的一种微电子元器件的大规模转移装置，其特征在于，所述粘性薄膜(4)的材料为改性聚二甲基硅氧烷，粘性薄膜(4)的制备方法为：
s1：根据微电子元器件(10)的规格确定粘黏凸起的凸起形状、尺寸、排列方式及排列间距；
s2：通过光刻工艺将粘黏凸起的凸起形状、尺寸、排列方式及排列间距转印到硅片上形成带有微结构的硅阳膜；
s3：将硅阴膜上的微结构转印到聚二甲基硅氧烷上，成为聚二甲基硅氧烷阴膜；
s4：通过稀释剂对改性聚二甲基硅氧烷进行稀释，将稀释后的材料均匀喷涂在聚二甲基硅氧烷阴膜上；
s5：在90℃温度下，加热聚二甲基硅氧烷阴膜20min-30min，使改性聚二甲基硅氧烷为半凝固状态；
s6：在半凝固的改性聚二甲基硅氧烷表面放置玻璃片，在90℃温度下，加热10-20min至改性的聚二甲基硅氧烷凝固，从聚二甲基硅氧烷阴膜内取下凝固的薄膜，得到含粘黏凸起的粘性薄膜(4)。
6.根据权利要求5所述的一种微电子元器件的大规模转移装置，其特征在于，改性聚二甲基硅氧烷的制备方法为：将聚二甲基硅氧烷与乙氧基化的聚乙烯亚胺溶液按照10g:20-50ul的比例搅拌均匀后，抽真空得到改性聚二甲基硅氧烷。
7.根据权利要求5所述的一种微电子元器件的大规模转移装置，其特征在于，稀释剂为有机溶剂，包括正已烷、正十六烷、环己烷、甲苯、二甲苯或醋酸丁脂。
8.一种根据权利要求1-7任一所述的微电子元器件的大规模转移装置的转移方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：y轴直线运动台(1)水平运动将转移头(3)运动至初始平台(8)上方，转移头(3)与源基底板(9)对齐，z轴直线运动台(2)向下移动，直到转移头(3)上粘性薄膜(4)的粘黏凸起与微电子元器件(10)接触后，z轴直线运动台(2)停止，微电子元器件(10)粘附在粘性薄膜(4)上；
步骤2：启动z轴直线运动台(2)，z轴直线运动台(2)带动转移头(3)上移；粘性薄膜(4)带动微电子元器件(10)脱离源基底板(9)；
步骤3：y轴直线运动台(1)带动转移头(3)和z轴直线运动台(2)运动至目标平台(6)正上方，z轴直线运动台(2)带动转移头(3)向下运动，直到粘性薄膜(4)上的微电子元器件(10)与带电路结构的接收基板(5)接触时，z轴直线运动台(2)停止；
步骤4：将微电子元器件(10)焊接固定在带电路结构的接收基板(5)上，微电子元器件(10)完成后，启动z轴直线运动台(2)带动转移头(3)脱离带电路结构的接收基板(5)；
步骤5：重复步骤1～步骤4，实现微电子元器件(10)从源基底板(9)大规模转移固定至带电路结构的接收基板(5)上。