贮存装置和贮存方法与流程

1.本发明的实施方式涉及贮存装置和贮存方法。


背景技术：

2.在现有技术中，已知在基片处理系统中，将基片浸渍于含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液中，对该基片进行处理(参照专利文献1)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2017
‑
118092号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.本发明提供一种能够适当地实施利用含有磷酸水溶液和硅溶液的处理液来进行的基片处理的技术。
8.用于解决问题的技术手段
9.本发明的一个方式的贮存装置包括贮存槽、加热机构和控制部。贮存槽用于贮存含有磷酸水溶液和添加剂的处理液。加热机构能够对贮存于贮存槽中的处理液进行加热。控制部执行浓度维持处理，在该浓度维持处理中，控制加热机构来调节处理液的温度，使得贮存槽中的处理液的水分蒸发量接近贮存槽中的处理液的吸湿量。
10.发明效果
11.根据本发明，能够适当地实施利用含有磷酸水溶液和硅溶液的处理液来进行的基片处理。
附图说明
12.图1是表示实施方式的基片处理系统的构成的概略框图。
13.图2是表示实施方式的浓度调节处理的步骤的流程图。
14.图3是表示实施方式的混合装置的构成的图。
15.图4是表示实施方式的混合装置中的供气排气量调节处理的步骤的流程图。
16.附图标记说明
17.1 基片处理系统
18.10 混合装置
19.11 磷酸水溶液供给部
20.12 析出抑制剂供给部
21.14 罐
22.15 循环线路
23.15c 分支部
24.16 泵
25.17 加热器
26.22 送液线路
27.24 返回线路
28.30 基片处理部
29.31 处理槽
30.51 背压阀
31.52 温度计
32.55 流量计
33.w 晶片
34.m 混合液
35.e 蚀刻液
具体实施方式
36.以下，参照附图详细说明用于实施本发明的贮存装置和贮存方法的方式(以下记为“实施方式”)。此外，本发明不限于该实施方式。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中对同一部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
37.另外，在以下所示的实施方式中，有时使用“固定不变”、“正交”、“垂直”或者“平行”等的表现，但是，上述的表现并不需要严密地为“固定不变”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表现例如容许制造精度、设置精度等的偏差。
38.另外，在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，规定了彼此正交的x轴方向、y轴方向和z轴方向，以z轴正方向为铅垂向上方向的正交坐标系。另外，有时将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向称为θ方向。
39.在现有技术中，已知在基片处理系统中，将基片浸渍于含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液中，对该基片进行处理。
40.例如，通过将基片浸渍于磷酸(h3po4)水溶液中，能够选择性地蚀刻层叠在基片上的氮化硅膜(sin)和氧化硅膜(sio2)之中的、氮化硅膜。
41.并且，通过对磷酸水溶液追加硅溶液(含硅化合物水溶液)，能够提高氮化硅膜对氧化硅膜的蚀刻的选择比。
42.另一方面，当氮化硅膜被蚀刻时，该氮化硅膜所含的硅会溶出到蚀刻液内，所以有时磷酸水溶液的硅浓度会变得过剩。当磷酸水溶液的硅浓度变得过剩时，在氧化硅膜上会析出硅氧化物(sio2)，有时会因该析出的硅氧化物阻碍基片的蚀刻处理。
43.因此，期待能够适当地实施利用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液来进行的蚀刻处理。
44.例如，在进行上述蚀刻处理的处理槽，连接有用于贮存含有磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂的处理液的贮存装置。贮存装置贮存上述处理液，并在规定的时刻例如蚀刻液的硅浓度变得过剩的时刻，为了降低硅浓度，而将不含硅的上述处理液供给到处理槽中。
45.在此，上述处理液容易产生因吸湿引起的浓度变动。具体来说，上述处理液因吸收气氛中的水分(吸湿)，而容易使磷酸浓度降低。在贮存装置中，当磷酸浓度降低时，从该贮存装置被供给处理液的处理槽中也会发生磷酸浓度的降低，作为结果，有可能无法适当地实施蚀刻处理。
46.因此，期待能够在贮存装置中适当地进行处理液的浓度管理的技术。
47.<基片处理系统的构成>
48.首先，参照图1说明实施方式的基片处理系统1的构成。图1是表示实施方式的基片处理系统1的构成的概略框图。基片处理系统1是基片处理装置的一例。
49.基片处理系统1包括混合装置10(贮存装置的一例)、硅溶液供给部25和基片处理部30。
50.混合装置10将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的析出抑制剂(添加剂的一例)混合，而生成混合液m(处理液的一例)。另外，混合装置10将所生成的混合液m供给到基片处理部30的处理槽31。
51.硅溶液供给部25对基片处理部30的处理槽31供给含硅化合物水溶液(以下记为“硅溶液”)。
52.基片处理部30将含有混合液m和硅溶液的蚀刻液e贮存于处理槽31。另外，基片处理部30通过将晶片w(基片的一例)浸渍于处理槽31所贮存的蚀刻液e中来对晶片w进行蚀刻处理。实施方式中，例如能够选择性地蚀刻形成在晶片w上的氮化硅膜(sin)和氧化硅膜(sio2)之中的氮化硅膜。
53.(混合装置)
54.混合装置10包括磷酸水溶液供给部11、析出抑制剂供给部12(添加剂供给部的一例)、罐14(贮存槽的一例)和循环线路15。
55.磷酸水溶液供给部11将磷酸水溶液供给到罐14。磷酸水溶液供给部11具有磷酸水溶液供给源11a、磷酸水溶液供给线路11b和流量调节器11c。
56.磷酸水溶液供给源11a例如是贮存磷酸水溶液的罐。磷酸水溶液供给线路11b将磷酸水溶液供给源11a与罐14连接，从磷酸水溶液供给源11a向罐14供给磷酸水溶液。流量调节器11c设置在磷酸水溶液供给线路11b上，调节向罐14供给的磷酸水溶液的流量。流量调节器11c由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
57.析出抑制剂供给部12将析出抑制剂供给到罐14。该析出抑制剂供给部12具有析出抑制剂供给源12a、析出抑制剂供给线路12b和流量调节器12c。
58.析出抑制剂供给源12a例如是贮存析出抑制剂的罐。析出抑制剂供给线路12b将析出抑制剂供给源12a与罐14连接，从析出抑制剂供给源12a向罐14供给析出抑制剂。流量调节器12c设置在析出抑制剂供给线路12b上，调节向罐14供给的析出抑制剂的流量。流量调节器12c由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
59.此外，析出抑制剂只要包含抑制硅氧化物的析出的成分即可。例如，可以包含使溶解于磷酸水溶液中的硅离子在溶解了的状态下稳定来抑制硅氧化物的析出的成分。另外，也可以包含通过其他的公知方法来抑制硅氧化物的析出的成分。
60.实施方式的析出抑制剂例如能够使用含有氟成分的六氟硅酸(h2sif6)水溶液。另外，为了使水溶液中的六氟硅酸稳定，可以包含氨水等的添加物。
61.作为实施方式的析出抑制剂例如能够使用六氟硅酸氨((nh4)2sif6)、六氟硅酸钠(na2sif6)等。
62.另外，实施方式的析出抑制剂可以为包含离子半径从至的阳离子的元素的化合物。在此，“离子半径”是指从晶格的晶格常数得到的阴离子与阳离子的半径之和根据经验求出的离子的半径。
63.实施方式的析出抑制剂例如可以包含铝、钾、锂、钠、镁、钙、锆、钨、钛、钼、铪、镍和铬中任一元素的氧化物。
64.另外，实施方式的析出抑制剂也可以替代上述的任一元素的氧化物或在其之上追加，包含上述的任一元素的氮化物、氯化物、溴化物、氢氧化物和硝酸盐之中至少一者。
65.实施方式的析出抑制剂例如可以包含al(oh)3、alcl3、albr3、al(no3)3、al2(so4)3、alpo4和al2o3之中至少一者。
66.另外，实施方式的析出抑制剂可以包含kcl、kbr、koh和kno3之中至少一者。并且，实施方式的析出抑制剂可以包含licl、nacl、mgcl2、cacl2和zrcl4之中至少一者。
67.罐14贮存从磷酸水溶液供给部11供给的磷酸水溶液和从析出抑制剂供给部12供给的析出抑制剂。另外，罐14贮存由磷酸水溶液和析出抑制剂混合而生成的混合液m。
68.罐14的上部开放，从上方起依次设置有第1液面传感器s1和第2液面传感器s2。通过上述第1液面传感器s1和第2液面传感器s2，能够控制贮存于罐14中的磷酸水溶液、混合液m的液面的高度。并且，在实施方式中，通过使用该第1液面传感器s1和第2液面传感器s2，能够对磷酸水溶液、析出抑制剂的液量进行称量。
69.循环线路15是从罐14出来后再返回该罐14的循环路线。循环线路15具有设置在罐14的底部的入口15a和设置在罐14的上部的出口15b，形成从该入口15a向出口15b流动的循环流。此外，在实施方式中，在贮存于罐14中的混合液m的液面的上方配置出口15b。
70.在循环线路15上，以罐14为基准(最上游)从上游侧起依次设置有泵16、开闭阀18、过滤器19、加热器17(加热机构的一例)、分支部15c和背压阀51。另外，从分支部15c分支出用于向基片处理部30的处理槽31输送混合液m的送液线路22。
71.送液线路22从分支部15c连接到处理槽31的内槽31a和外槽31b。送液线路22具有流量调节器23。流量调节器23调节向处理槽31供给的混合液m的流量。流量调节器23由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
72.在送液线路22的比分支部22b靠上游侧设置有温度计52。该温度计52测定送液线路22中流动的混合液m的温度。此外，分支部22b是在送液线路22中与内槽31a连接的送液线路22c和与外槽31b连接的送液线路22d所分支的部位。即，送液线路22c和送液线路22d是送液线路22的一部分。
73.在送液线路22c设置有阀53，在送液线路22d从上游侧起依次设置有阀54、流量计55、恒压阀56、节流阀57、分支部22e和阀58。另外，从分支部22e分支出用于使混合液m返回罐14的返回线路24。该返回线路24具有阀59。
74.后述的控制部使阀53和阀54彼此不同地开闭。由此，控制部能够将混合液m切换输送至内槽31a或者外槽31b。
75.流量计55测定送液线路22d中流动的混合液m的流量。控制部能够基于从温度计52得到的混合液m的温度信息，来对从流量计55得到的混合液m的流量信息进行校正。由此，即
使混合液m的温度在从室温至高温的范围内大幅变化了的情况下，也能够高精度地测定流量计55中流动的混合液m的流量。
76.恒压阀56调节送液线路22d中的比恒压阀56靠下游侧的压力。节流阀57调节送液线路22d中流动的混合液m的流量。
77.控制部使阀58和阀59彼此不同地开闭。由此，控制部能够将混合液m切换地输送到外槽31b或者罐14。
78.泵16能够形成从罐14出来后经由循环线路15再返回罐14的混合液m的循环流。
79.加热器17加热循环线路15内循环的混合液m。在实施方式中，通过用该加热器17加热混合液m，来对贮存于罐14中的混合液m进行加热。
80.过滤器19除去循环线路15内循环的混合液m所包含的颗粒等的污染物质。此外，在循环线路15设置有对该过滤器19进行旁通的旁通流路20，在该旁通流路20设置有开闭阀21。
81.然后，通过使设置在循环线路15的开闭阀18和设置在旁通流路20的开闭阀21彼此不同地开闭，能够形成从过滤器19流过的循环流和对过滤器19进行旁通的循环流的任一者。
82.背压阀51设置与循环线路15中的比分支部15c靠下游侧。背压阀51用于调节循环线路15中的比背压阀51靠上流侧(例如，分支部15c)的压力。
83.(硅溶液供给部)
84.硅溶液供给部25将硅溶液供给到处理槽31中。实施方式的硅溶液例如为使胶体硅分散而成的溶液。硅溶液供给部25包括硅溶液供给源25a、硅溶液供给线路25b和流量调节器25c。
85.硅溶液供给源25a例如是贮存硅溶液的罐。硅溶液供给线路25b连接到处理槽31的内槽31a。流量调节器25c设置在硅溶液供给线路25b，调节硅溶液供给线路25b中流动的硅溶液的流量。流量调节器25c由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
86.(基片处理部)
87.基片处理部30包括处理槽31、循环线路32、diw供给部33和蚀刻液排出部34。处理槽31包括内槽31a和外槽31b。
88.内槽31a的上部开放，蚀刻液e被供给至上部附近。在该内槽31a中，通过基片升降机构35将多个晶片w浸渍于蚀刻液e中，来对晶片w进行蚀刻处理。该基片升降机构35构成为能够升降，将多个晶片w以垂直姿态前后并排地保持。
89.外槽31b设置在内槽31a的上部周围，并且上部开放。在外槽31b中流入有从内槽31a溢出的蚀刻液e。
90.在内槽31a和外槽31b中，从混合装置10经由送液线路22被供给混合液m。另外，在内槽31a中，从硅溶液供给部25经由硅溶液供给线路25b被供给硅溶液。并且，在外槽31b中，从diw供给部33被供给diw(deionized water：脱离子水)。
91.diw供给部33包括diw供给源33a、diw供给线路33b和流量调节器33c。diw供给部33为了补充从被加热了的蚀刻液e蒸发的水分，而对外槽31b供给diw。
92.diw供给线路33b连接diw供给源33a与外槽31b，从diw供给源33a对外槽31b供给规定温度的diw。
93.流量调节器33c设置在diw供给线路33b上，调节对外槽31b供给的diw的供给量。流量调节器33c由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。通过用流量调节器33c调节diw的供给量，能够调节蚀刻液e的温度、磷酸浓度、硅浓度和析出抑制剂浓度。
94.另外，在外槽31b设置有温度传感器36和磷酸浓度传感器37。温度传感器36检测蚀刻液e的温度，磷酸浓度传感器37检测蚀刻液e的磷酸浓度。由温度传感器36和磷酸浓度传感器37生成的信号被发送到上述的控制部。
95.外槽31b和内槽31a通过循环线路32连接。循环线路32的一端与外槽31b的底部连接，循环线路32的另一端与设置在内槽31a内的处理液供给喷嘴38连接。
96.在循环线路32从外槽31b侧起依次设置有泵39、过滤器41、加热器40和硅浓度传感器42。
97.泵39形成从外槽31b经由循环线路32被送到内槽31a的蚀刻液e的循环流。另外，蚀刻液e通过从内槽31a溢出，再次向外槽31b流出。如上所述，在基片处理部30内形成蚀刻液e的循环流。即，该循环流在外槽31b、循环线路32和内槽31a中形成。
98.加热器40调节循环线路32中循环的蚀刻液e的温度。过滤器41过滤循环线路32中循环的蚀刻液e。硅浓度传感器42检测循环线路32中循环的蚀刻液e的硅浓度。由硅浓度传感器42生成的信号被发送到控制部。
99.蚀刻液排出部34在将蚀刻处理中使用的蚀刻液e的全部或者一部分更换时，将含有硅溶液的蚀刻液e排出到排出部dr。蚀刻液排出部34具有排出路34a、流量调节器34b和冷却罐34c。
100.排出路34a与循环线路32连接。流量调节器34b设置在排出路34a，调节被排出的蚀刻液e的排出量。流量调节器34b由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
101.冷却罐34c将流过排出线路34a的蚀刻液e暂时贮存并进行冷却。在冷却罐34c中，用流量调节器34b调节蚀刻液e的排出量。
102.(控制部)
103.在此，虽然省略图示，但是基片处理系统1还包括控制部。控制部基于来自开关、各种传感器等的信号，控制基片处理系统1的各部的动作。
104.该控制部例如为计算机，具有计算机可读存储介质。该存储介质保存用于控制基片处理系统1中执行的各种处理的程序。
105.控制部通过读取并执行存储于存储介质中的程序来控制基片处理系统1的动作。此外，程序是存储于计算机可读存储介质中的程序，可以从其他的存储介质安装到控制部的存储介质中。
106.作为计算机可读存储介质，例如具有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁盘(mo)、存储卡等。
107.接着，一边参照图2，一边说明实施方式的基片处理系统1中的混合液m的硅浓度的调节方法。图2是表示实施方式的浓度调节处理的步骤的流程图。
108.图2所示的浓度调节处理在基片处理部30中进行蚀刻处理时，即在基片处理部30的处理槽31中浸渍晶片w时进行。具体来说，浓度调节处理中，将硅浓度变得过剩的蚀刻液e的一部分从处理槽31排出，从混合装置10对处理槽31供给混合液m，使处理槽31中的蚀刻液e的硅浓度降低。
109.如图2所示，在基片处理系统1中，首先进行混合处理(步骤s101)。混合处理是对罐14供给磷酸水溶液和析出抑制剂来生成混合液m的处理。
110.首先，控制部使磷酸水溶液供给部11工作(成为打开(on)状态)，从磷酸水溶液供给源11a对罐14供给磷酸水溶液。
111.在该时刻，析出抑制剂供给部12、硅溶液供给部25、泵16和加热器17不工作(处于关闭(off)状态)。另外，在该时刻，开闭阀18为闭状态，且开闭阀21为开状态。因此，过滤器19为被旁通流路20旁通的状态(过滤器旁通为打开状态)，背压阀51为全开状态。另外，在该时刻，流量调节器23为闭状态(关闭状态)，在罐14中没有贮存液体。因此，从第1液面传感器s1和第2液面传感器s2输出关(off)信号。
112.当对罐14供给规定量的磷酸水溶液时，控制部使泵16工作(成为打开状态)，在循环线路15形成循环流。
113.在罐14内的磷酸水溶液的液面上升而成为第2高度以上时，从第2液面传感器s2输出开(on)信号。这样一来，控制部使析出抑制剂供给部12工作(成为打开状态)，从析出抑制剂供给源12a对罐14供给析出抑制剂。另外，控制部使磷酸水溶液供给部11停止工作(成为关闭状态)。
114.接着，当对罐14供给了规定量的析出抑制剂时，控制部使析出抑制剂供给部12停止工作(成为关闭状态)，并且，使磷酸水溶液供给部11工作(成为打开状态)，对罐14供给磷酸水溶液。
115.在罐14内的混合液m的液面上升而成为第1高度以上时，从第1液面传感器s1输出开信号。这样一来，控制部视为对罐14供给了规定量的磷酸水溶液，使磷酸水溶液供给部11停止工作(成为关闭状态)。由此，混合处理结束。
116.如上所述，控制部在将析出抑制剂供给到罐14之前，使泵16工作。由此，能够在供给析出抑制剂之前在循环线路15形成循环流，因此能够提高磷酸水溶液和析出抑制剂的混合性。
117.另外，控制部不对罐14同时供给磷酸水溶液和析出抑制剂，而分别对罐14供给。由此，能够抑制在析出抑制剂被供给规定的量之前，从第1液面传感器s1输出开信号。因此，能够向罐14中可靠地供给规定的量的析出抑制剂。
118.接着，在基片处理系统1中，进行浓缩处理(步骤s102)。浓缩处理是通过使在步骤s101中生成的混合液m浓缩来提高混合液m的磷酸浓度的处理。
119.首先，控制部使加热器17工作(成为打开状态)，加热循环线路15内循环的混合液m。通过对循环线路15内循环的混合液m进行加热，贮存于罐14中的混合液m的温度上升。
120.通过加热混合液m，混合液m中的水分蒸发。由此，能够提高混合液m的磷酸浓度。浓缩处理中的混合液m的加热温度是作为使混合液m的水分蒸发量超过混合液m的吸湿量的温度而预先确定的温度。
121.此外，混合装置10也可以在比第1液面传感器s1低且比第2液面传感器s2高的位置设置第3液面传感器。在该情况下，控制部在从第3液面传感器输出关信号的情况下，可以使浓缩处理结束。在该情况下，罐14内的混合液m的液面高度为比第1高度低且比第2高度高的第3高度。
122.另外，混合装置10可以包括计测混合液m的磷酸浓度的磷酸浓度计。磷酸浓度计可
以设置在罐14中，也可以设置在循环线路15上。在该情况下，控制部可以在磷酸浓度计所计测的磷酸浓度达到预先确定的值的情况下使浓缩处理结束。此时，控制部在从第1液面传感器s1输出关信号的情况下，从磷酸水溶液供给部11对罐14补充磷酸水溶液，直到从第1液面传感器s1输出开信号为止。由此，能够将罐14内的混合液m的液面高度维持在第1高度。
123.接着，在基片处理系统1中，进行浓度维持处理(步骤s103)。浓度维持处理是在直到后述的送液处理开始为止的待机时间中，用于将罐14内的混合液m的磷酸浓度维持在浓缩处理时的浓度的处理。
124.在浓度维持处理中，控制部控制加热器17来调节混合液m的温度，使得罐14中的混合液m的水分蒸发量接近罐14中的混合液m的吸湿量。
125.在混合液m为常温的情况下，混合液m的吸湿量超过混合液m的水分蒸发量。因此，混合液m的水分比例增加，伴随于此，混合液m的磷酸浓度降低。另一方面，在浓缩处理中，如上所述，混合液m的水分蒸发量超过混合液m的吸湿量。因此，在浓度维持处理中，控制部以比常温高且比浓缩处理时低的温度加热罐14内的混合液m。例如，控制部将罐14内的混合液m加热至不到100℃的温度。
126.如上所述，通过调节混合液m的温度以使得混合液m的水分蒸发量接近混合液m的吸湿量，能够抑制罐14内的混合液m的浓度变化。由此，在后续的送液处理中，能够将通过浓缩处理而被浓缩为希望浓度的混合液m在保持为上述希望浓度的状态下从罐14供给到处理槽31。因此，根据基片处理系统1，能够适当地实施利用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液e来进行的蚀刻处理。
127.在浓度维持处理中，作为使混合液m的水分蒸发量与吸湿量同等的混合液m的温度，控制部可以用通过实验等事先获取的温度来加热混合液m。
128.另外，控制部可以通过控制加热器17来加热混合液m使得维持浓缩处理后的罐14内的混合液m的量，从而使混合液m的水分蒸发量接近混合液m的吸湿量。
129.例如，在实施方式中，浓缩处理后的罐14内的混合液m的液面高度是与第1液面传感器s1对应的第1高度或者与未图示的第3液面传感器对应的第3高度的任一者。控制部基于来自第1液面传感器s1或者未图示的第3液面传感器的信号(开信号和关信号)来控制加热器17，能够维持浓缩处理后的罐14内的混合液m的液面高度。
130.在该情况下，混合装置10可以包括对罐14供给水(例如，diw)的水供给部。控制部在罐14内的混合液m的液面降低而从第1液面传感器s1或者第3液面传感器输出关信号的情况下，从水供给部对罐14供给水，直到从第1液面传感器s1或者第3液面传感器输出开信号为止。由此，能够维持浓缩处理后的罐14内的混合液m的量，进而，能够维持浓缩处理后的罐14内的混合液m的磷酸浓度。
131.如上所述，通过控制加热器17来加热混合液m以使得维持浓缩处理后的罐14内的混合液m的量，能够使混合液m的磷酸浓度的维持变得容易。
132.接着，在基片处理系统1中，排出处理(步骤s104)和送液处理(步骤s105)例如并行地进行。
133.在排出处理中，控制部打开流量调节器34b(图1参照)的开闭阀，来排出贮存于处理槽31中的蚀刻液e的一部分。
134.然后，在送液处理中，控制部控制混合装置10、送液线路22和返回线路24，例如将
与排出处理中从处理槽31排出的蚀刻液e同样的量的混合液输送到处理槽31。
135.具体来说，控制部使流量调节器23为开状态(成为打开状态)，并且，使背压阀51为节流状态。另外，控制部使阀53变更为闭状态并且使阀54变更为开状态。
136.由此，控制部经由循环线路15、送液线路22和送液线路22d从混合装置10对基片处理部30的外槽31b输送混合液m。通过不向内槽31a而是向外槽31b供给混合液m，与向用于处理晶片w的内槽31a直接供给混合液m的情况相比，能够抑制内槽31a的蚀刻液e的硅浓度急剧变化。
137.由此，能够将处理槽31内的蚀刻液e的硅浓度总是保持为固定不变或者规定值以下。在步骤s104和步骤s105的处理结束时，浓度调节处理结束。
138.在此，在浓缩处理(步骤s102)后，直到送液处理(步骤s105)开始为止的全部期间中，进行浓度维持处理(步骤s103)，但是，浓度维持处理也可以在上述期间之中的至少一部分中实施。
139.(混合装置的构成)
140.接着，参照图3，说明实施方式的混合装置10的构成。图3是表示实施方式的混合装置10的构成的图。
141.如图3所示，混合装置10还包括收纳部26、供气部27和排气部28。收纳部26能够收纳混合装置10所具有的各种结构中的至少罐14。在收纳部26的顶部设置有ffu(fan filter unit)26a。
142.供气部27对收纳部26的内部供给气体。具体来说，供气部27包括气体供给源27a、供气线路27b和流量调节部27c。气体供给源27a例如是贮存n2气体、干空气等的干燥气体的罐。供气线路27b连接气体供给源27a与ffu26a。干燥气体从气体供给源27a经由ffu26a被供给到收纳部26的内部。流量调节部27c例如为挡板，能够调节供气线路27b上流动的干燥气体的流量。
143.如上所述，混合装置10可以对收纳部26的内部供给干燥气体。由此，能够抑制混合液m的吸湿量。换言之，能够抑制混合液m的浓度变动。
144.排气部28从收纳部26的内部排出气体。具体来说，排气部28包括排气线路28a、流量调节部28b和排气冷却部28c。排气线路28a将收纳部26的内部与设置混合装置10的工厂所具有的排气管p连接。流量调节部28b例如为挡板，能够调节排气线路28a上流动的气体的流量。
145.排气冷却部28c设置在排气线路28a上，对排气线路28a中流动的气体进行冷却。例如，排气冷却部28c是水冷式，在排气线路28a的周围呈线圈状配置的管中流动有冷却水，能够将排气线路28a中流动的气体进行冷却。
146.罐14内的混合液m在浓缩处理、浓度维持处理中被加热，因此，存在从收纳部26排出的气体的温度也变高的情况。当将高温的气体原样地排出到工厂的排气管p时，有可能在排气管p中产生结露。对此，在混合装置10中，使用排气冷却部28c对从收纳部26排出的气体进行冷却，能够抑制在工厂的排气管p中产生结露。此外，在排气冷却部28c中产生的结露水能够从设置于排气冷却部28c的排液线路排出到未图示的工厂的排液管等。
147.接着，参照图4说明混合装置10中的供气排气量的调节处理。图4是表示实施方式的混合装置10中的供气排气量调节处理的步骤的流程图。图4所示的供气排气量调节处理
例如与图2所示的混合处理(步骤s101)同时或者在混合处理之前开始。
148.如图4所示，控制部在混合处理和浓缩处理的执行过程中，控制供气部27，使得对收纳部26的供气量成为第1供气量，并且，控制排气部28，使得来自收纳部26的排气量成为第1排气量(步骤s201)。
149.接着，控制部判断是否处于浓度维持处理中(步骤s202)。在不处于浓度维持处理中的情况下(步骤s202，否)，控制部使处理返回步骤s201，维持第1供气量和第1排气量。
150.另一方面，在判断为处于浓度维持处理中的情况下(步骤s202，是)，控制部控制供气部27使得成为第2供气量，并且，控制排气部28使得成为第2排气量(步骤s203)后，使供气排气量调节处理结束。第2供气量比第1供气量少，第2排气量比第1排气量少。
151.如上所述，控制部可以使浓度维持处理的执行过程中的供气排气量换言之换气量，少于浓缩处理等的执行过程中的换气量。由此，能够减少罐14内的混合液m与气体的接触，因此能够进一步抑制混合液m的吸湿。
152.<变形例>
153.在上述的实施方式中，作为混合装置10的构成例，表示对罐14单独地供给磷酸水溶液和析出抑制剂的情况的例子，但是，混合装置10也可以将预先含有磷酸水溶液和析出抑制剂的混合液m供给到罐14中。
154.在上述的实施方式中，作为添加剂的一例，能够列举用于抑制硅氧化物的析出的析出抑制剂，但是，添加剂例如也可以为硅化合物添加剂等，并不一定需要为析出抑制剂。
155.在上述的实施方式中，说明了基片处理系统1包括一个混合装置10和一个基片处理部30的情况的例子，也就是从一个混合装置10对一个基片处理部30供给混合液m的情况的例子。但本发明不限于此，也可以从一个混合装置10对多个基片处理部30供给混合液m。也就是，基片处理系统1可以包括一个以上的混合装置10和比混合装置10多的基片处理部30。
156.控制部例如可以基于由硅浓度传感器42计测的硅浓度，预测下一次的送液处理的开始时刻，以使得在所预测的开始时刻浓缩处理结束的方式，确定浓度调节处理的开始时刻。由此，能够尽可能地缩短从浓缩处理结束至送液处理开始为止的待机时间，因此，能够抑制该待机时间中的混合液m的磷酸浓度的降低。
157.如上所述，实施方式的贮存装置(作为一例，混合装置10)包括贮存槽(作为一例，罐14)、加热机构(作为一例，加热器17)和控制部。贮存槽用于贮存含有磷酸水溶液和添加剂(作为一例，析出抑制剂)的处理液(作为一例，混合液m)。加热机能够加热贮存于贮存槽中的处理液。控制部执行浓度维持处理，在该浓度维持处理中，控制加热机构来调节处理液的温度，使得贮存槽中的处理液的水分蒸发量接近贮存槽中的处理液的吸湿量。通过调节处理液的温度以使处理液的水分蒸发量接近混合液m的吸湿量，能够抑制贮存槽内的处理液的浓度变化。由此，能够适当地实施基片处理。
158.实施方式的贮存装置可以包括对贮存槽供给处理液的处理液供给部(作为一例，磷酸水溶液供给部11和析出抑制剂供给部12)。另外，控制部可以在浓度维持处理之前执行：控制处理液供给部来使处理液贮存于贮存槽中的贮存处理(作为一例，混合处理)；和控制加热机构来加热贮存于贮存槽中的处理液而使其浓缩的浓缩处理。在该情况下，控制部通过在浓度维持处理中控制加热机构来加热处理液，使得浓缩处理后的贮存槽内的处理液
的量被维持，从而可以使贮存槽中的处理液的水分蒸发量接近贮存槽中的处理液的吸湿量。由此，能够使处理液中的磷酸浓度的维持变得容易。
159.实施方式的贮存装置可以包括检测贮存于贮存槽中的处理液的液面的液面检测部(作为一例，第1液面传感器s1或者第3液面传感器)。在该情况下，控制部可以在浓度维持处理中，基于来自液面检测部的信号来控制加热机构。由此，能够使处理液中的磷酸浓度的维持变得容易。
160.控制部在浓缩处理之后直到将贮存于贮存槽中的处理液输送到用于对基片进行处理的处理槽(作为一例，处理槽31)中的送液处理开始为止的至少一部分的期间，执行浓度维持处理。由此，能够维持所希望的浓度的处理液并将其从贮存槽供给到处理槽。
161.实施方式的贮存装置可以包括：对收纳贮存槽的空间(作为一例，收纳部26)供给气体的供气部(作为一例，供气部27)；和从空间排出气体的排气部(作为一例，排气部28)。在该情况下，控制部在浓缩处理的执行过程中，使供气部以第1供气量工作并且使排气部以第1排气量工作，在浓度维持处理的执行过程中，使供气部以比第1供气量少的第2供气量工作，并且使排气部以比第1排气量少的第2排气量工作。通过在浓度维持处理时减少供气量和排气量，能够抑制处理液的吸湿量。也就是，能够抑制处理液的浓度变动。
162.供气部可以对空间供给干燥气体(作为一例，n2气体或者干空气)。通过供给干燥气体，能够抑制处理液的吸湿。
163.排气部可以包括对从空间排出的气体进行冷却的排气冷却部(作为一例，排气冷却部28c)。通过包括排气冷却机构，例如能够抑制在与排气部连接的工厂设备中产生结露。
164.处理液供给部可以包括对贮存槽供给磷酸水溶液的磷酸水溶液供给部(作为一例，磷酸水溶液供给部11)和对贮存槽供给添加剂的添加剂供给部(作为一例，析出抑制剂供给部12)。
165.实施方式的贮存装置可以包括使贮存于贮存槽中的处理液从贮存槽排出后返回贮存槽的循环线路(作为一例，循环线路15)。在该情况下，加热机构可以设置在循环线路上。
166.以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是，本发明不限于上述的实施方式，只要不脱离其主旨，能够进行各种的变更。
167.说明书公开的实施方式在所有方面都只是例示而不应当认为是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以各种的方式实现。另外，上述实施方式可以在不脱离本发明技术方案的范围及其思想的基础上，以各种方式省略、置换和变更。