半导体装置及其制造方法、半导体封装装置与流程

本公开涉及半导体封装，具体涉及半导体装置及其制造方法和半导体封装装置。

背景技术：

1、无电镀(electroless plating)又称为化学镀(chemical plating)，是一种在无外加电流的情况下借助合适的还原剂，使镀液中金属离子还原成金属，并沉积到零件表面的镀覆方法。

2、在将无电镀应用于混合接合(hybrid bonding)时，通常会在氧化层(oxidelayer)上开设沟槽形成无电镀液的微流道，并且使铜柱(cu pillar)位于流道内以便与无电镀液接触。但是，微流道的设计通常难以兼顾氧化层之间的接合效果与微流道的空间大小，具体来说：较宽的微流道会导致氧化层之间的接触面积较小，氧化层之间预接合(pre-bonding)的效果变差；较窄的微流道需要借助加压注入无电镀液，上述加压可能导致氧化层之间的接合面产生脱离(de-bonding)。

3、因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

技术实现思路

1、本公开提供了半导体装置及其制造方法、半导体封装装置。

2、第一方面，本公开提供了一种半导体装置，包括：

3、基板；

4、至少两个第一导电件，位于所述基板的第一区域，其中，所述至少两个第一导电件对应于至少两种不同的高度；

5、绝缘材，设置于相邻的所述第一导电件之间。

6、在一些可选的实施方式中，所述基板的至少一个边缘区域设置有第一高度的第一导电件，所述基板的两个相对的边缘区域之间设置有第二高度的第一导电件，所述第二高度大于所述第一高度。

7、在一些可选的实施方式中，所述半导体装置还包括：

8、至少两个第二导电件，位于所述基板的第二区域，其中所述第二区域的延伸方向不同于所述第一区域的延伸方向，所述至少两个第二导电件的高度相同。

9、在一些可选的实施方式中，所述第一区域和所述第二区域具有相邻区域，所述相邻区域的所述第一导电件的高度与所述相邻区域的所述第二导电件的高度相同。

10、在一些可选的实施方式中，所述半导体装置还包括：

11、线路层，位于所述基板和所述第一导电件之间，所述线路层与所述第一导电件电连接。

12、在一些可选的实施方式中，所述半导体装置还包括：

13、种子层，位于所述第一导电件和所述基板之间或者所述第一导电件和所述线路层之间。

14、第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：

15、第一基板，设置有至少两个第一导电件；

16、第二基板，设置有至少两个第三导电件，所述至少两个第一导电件和所述至少两个第三导电件一一对应；

17、无电镀材，设置于所述第一导电件和相应的所述第三导电件之间，所述无电镀材在第一方向上具有厚度变化。

18、在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置的中央区域的所述无电镀材的厚度大于所述半导体封装装置的边缘区域的所述无电镀材的厚度。

19、在一些可选的实施方式中，所述无电镀材的厚度小于相应的所述第一导电件或者所述第三导电件的高度。

20、在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：

21、绝缘材，位于相邻的所述第一导电件之间，或者位于相邻的所述第二导电件之间。

22、在一些可选的实施方式中，所述第一方向为形成所述无电镀材的无电镀液流动的方向。

23、第三方面，本公开提供了一种半导体装置的制造方法，包括：

24、在基板上设置光刻胶；

25、在所述光刻胶上形成至少两个开孔；

26、在所述至少两个开孔内形成至少两个第一导电件，其中，所述至少两个第一导电件对应于至少两种不同的高度；

27、在相邻的所述第一导电件之间形成绝缘材。

28、在一些可选的实施方式中，所述在基板上设置光刻胶之前，所述方法还包括：

29、在所述基板上形成线路层；以及

30、所述在所述至少两个开孔内形成至少两个第一导电件，包括：

31、在所述至少两个开孔内形成与所述线路层电连接的至少两个第一导电件。

32、在一些可选的实施方式中，所述在相邻的所述第一导电件之间形成绝缘材，包括：

33、通过沉积方式，形成包覆所述至少两个第一导电件的绝缘材；

34、通过抛光方式，使所述至少两个第一导电件中较高的第一导电件暴露在外；

35、通过蚀刻方式，使所述至少两个第一导电件中较低的第一导电件暴露在外。

36、在本公开提供的半导体装置及其制造方法和半导体封装装置中，通过在基板上设置对应于至少两种不同的高度的至少两个第一导电件，能够在相对设置的两个半导体装置之间，利用较低的第一导电件之间的空间形成无电镀液的流动通道，从而在减小微流道宽度的同时保证微流道的空间大小，有利于提高混合接合的接合效果，进而提高产品良率。

37、此外，在上述半导体装置及其制造方法和半导体封装装置中，由于至少两个第一导电件之间存在高度差异，故可以避免因无电镀液中的金属离子在外围和中心浓度不均而引起的金属镀率不均问题。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述基板的至少一个边缘区域设置有第一高度的第一导电件，所述基板的两个相对的边缘区域之间设置有第二高度的第一导电件，所述第二高度大于所述第一高度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一导电件的高度小于或者等于相邻的所述绝缘材的高度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一区域和所述第二区域具有相邻区域，所述相邻区域的所述第一导电件的高度与所述相邻区域的所述第二导电件的高度相同。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括：

7.一种半导体封装装置，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置的中央区域的所述无电镀材的厚度大于所述半导体封装装置的边缘区域的所述无电镀材的厚度。

9.根据权利要求7所述的半导体封装装置，其中，所述无电镀材的厚度小于相应的所述第一导电件或者所述第三导电件的高度。

10.根据权利要求7所述的半导体封装装置，其中，所述第一方向为形成所述无电镀材的无电镀液流动的方向。

技术总结
本公开涉及半导体装置及其制造方法、半导体封装装置。该半导体装置包括：基板；至少两个第一导电件，位于基板的第一区域，其中，至少两个第一导电件对应于至少两种不同的高度；绝缘材，设置于相邻的第一导电件之间。在本公开的半导体装置及其制造方法、半导体封装装置中，通过在基板上设置对应于至少两种不同的高度的至少两个第一导电件，能够在相对设置的两个半导体装置之间，利用较低的第一导电件之间的空间形成无电镀液的流动通道，从而在减小微流道宽度的同时保证微流道的空间大小，有利于提高混合接合的接合效果，进而提高产品良率。

技术研发人员：徐安萱,洪筠净,林咏胜,府玠辰
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13