芯片邦定方法和芯片邦定结构与流程

1.本技术涉及激光技术领域，尤其涉及一种芯片邦定方法和芯片邦定结构。


背景技术：

2.芯片封装，通常是指将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，也可以说是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是将芯片与外部电路进行连接的桥梁，通过芯片邦定方法，能够将芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。因此，对于很多集成电路产品而言，芯片的邦定技术都是非常关键的一环。
3.在传统芯片邦定方法中，一般采用金、银、铜、铝或其他金属细丝焊接至芯片电极，该方法材料成本高昂，效率慢，环境污染大，封装体积大。传统芯片邦定金属线焊接后芯片电极处会形成较大的球形金属结构，影响导电率降低芯片性能。


技术实现要素：

4.本技术实施例的目的在于提出一种芯片邦定方法、芯片邦定结构，以解决传统芯片邦定中效率慢，环境污染大，材料成本高昂的问题，具有经济高效、科学环保、封装体积小的优点。
5.为了解决上述技术问题，本技术实施例提供一种芯片邦定方法，采用了如下所述的技术方案：
6.组合基板和至少一个芯片，并在基板和芯片的表面附着金属膜；
7.将预设的基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图导入激光设备；
8.激光设备根据基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图对所述基板和芯片进行激光蚀刻，以去除芯片和基板表面多余的金属膜，使得基板与芯片的电极相互导通。
9.进一步的，所述组合基板和至少一个芯片，并在基板和芯片的表面附着金属膜的步骤包括：
10.在基板的表面制作出至少一个适配芯片形状的凹槽；
11.将芯片以粘结方式嵌入所述凹槽；
12.采用真空镀膜工艺将金属膜附于所述芯片和基板的表面。
13.进一步的，在所述将预设的基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图导入激光设备的步骤之前还包括：根据金属膜材质对激光设备进行激光光源波长、激光光斑的直径、激光设备功率预设置。
14.进一步的，所述激光光源波长设置在190纳米到360纳米之间，所述激光光斑的直径设置在1微米到50微米之间，激光设备功率设置在1瓦到200 瓦之间。
15.进一步的，所述激光设备根据基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图对所述基板和芯片进行激光蚀刻的步骤包括：
16.比对基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图，确定导通连接位置；
17.激光设备控制出射的激光光斑中心在所述基板和芯片的金属膜避开所述导通连接位置，照射在所述导通连接以外的位置。
18.进一步的，所述激光设备控制出射的激光光斑中心在所述基板和芯片的金属膜层避开所述导通连接位置，照射在所述导通连接以外的位置步骤包括：
19.根据视觉定位获取激光光斑在所述基板和芯片金属膜的射点位置；
20.通过高速振镜控制激光光斑打入射点位置。
21.进一步的，所述根据视觉定位获取激光光斑在金属膜的射点位置的步骤包括：
22.通过所述视觉定位采集所述基板和芯片的图片；
23.将采集到的图片输入预先训练过的卷积神经网络模型进行识别，定位出激光光斑在金属膜的射点位置。
24.为了解决上述技术问题，本技术实施例还提供一种芯片邦定结构，采用了如下所述的技术方案：
25.该芯片邦定结构包括芯片层、保护层、金属层和基板，设有至少一个同层排布的芯片；所述保护层覆盖所述芯片层；所述金属层与所述芯片层的电极连接并覆盖在所述保护层；所述基板设有基板电极位，所述基板电极位与所述芯片层的电极位相互对应设置，并且所述基板电极位通过所述金属层与所述芯片层的电极位连接。
26.进一步的，所述基板上设置具有适配所述芯片层形状的凹槽，所述芯片层嵌入凹槽，所述保护层与所述基板表面平齐，所述金属层覆盖在所述保护层和所述基板的表面上。
27.进一步的，所述金属层真空镀膜于所述保护层；所述保护层为光刻胶。
28.现有技术相比，本技术实施例主要有以下有益效果：
29.仅需根据不同芯片设计电路图和激光蚀刻即可完成精密电路导电线路层。大力地缩短了生产周期。同时无任何气体污水排放，对环境友好。避免了半导体焊线封装工艺，加工效率更快，设备占地面积更小，芯片采用激光蚀刻的邦定方法加工时间在10秒以内，更有效提高制造效率和降低制造成本。
附图说明
30.为了更清楚地说明本技术中的方案，下面将对本技术实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
31.图1是本技术的芯片邦定方法的一个实施例的流程图；
32.图2是本技术的芯片邦定方法的再一个实施例的流程图；
33.图3是本技术的芯片邦定方法的又一个实施例的流程图；
34.图4是本技术的芯片邦定方法的又一个实施例的流程图；
35.图5是本技术的芯片邦定方法的又一个实施例的流程图；
36.图6是本技术的芯片邦定方法的又一个实施例的流程图；
37.图7是采用本技术的芯片邦定方法制备的一个芯片邦定结构示意图；
38.图8是图7所示的芯片邦定结构邦定后的一个示意图；
39.图9是图7所示的芯片邦定结构邦定前的一个示意图。
40.附图标记：
41.邦定后的芯片结构100，芯片和基板组合半成品101，芯片和基板邦定半成品102，金属层1，保护层2，芯片层3，基板4，第一极位31，第二极位 32，第三极位41，第四极位42。
具体实施方式
42.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术；本技术的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本技术的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
43.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
44.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
45.参考图1，示出了根据本技术的芯片邦定方法的一个实施例的流程图。所述的芯片邦定方法，用于芯片的封装，包括以下步骤：
46.步骤s10，组合基板和至少一个芯片，并在基板和芯片的表面附着金属膜。
47.在本实施例中，基板和芯片的组合是进行邦定前的半成品，芯片可以是半导体芯片半成品，基板可以是pcb板、玻璃、硅片等，基板和芯片的组合可以通过芯片专用的贴合胶进行胶黏连接，芯片可以按照预设的位置通过贴合胶粘合在基板上，具体而言，基板选用pcb,按照预设电路，可以在pcb上挖出芯片形状的凹槽，将芯片底面涂胶并置入凹槽内以实现芯片和pcb板的组合连接，并在芯片和pcb上附上金属膜，其中，为保证性能，金属膜可以是单纯的铜膜，也可以是铜、锡材质复合的金属膜，金属膜可以采用电镀的方式镀设在芯片和基板上，也可以采用真空蒸镀、真空溅镀等方式。
48.可以理解的是，芯片的加工工序较多，作为芯片封装环节中的芯片邦定，所用的待封样品为上一环节加工后的半导体芯片的半成品，在上述实施例中，该半导体芯片的半成品可以为半导体芯片固晶在基板上的组合半成品。
49.步骤s20，将预设的基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图导入激光设备。
50.在本实施例中，目的是实现基板表面的电极位和芯片电极之间的导通。于是，需要预先根据芯片的出厂设计电路规划设计基板电极位和两者联通的电路图，并将该电路图导入到激光设备内部，从而可以使激光设备按照预设的电路图控制激光点的发射路径和和发射位置，此处，激光设备可以是纳秒、皮秒、飞秒、准分子等激光设备。
51.参考图8，其示出了芯片电极位和基板电极位之间导通的电路图，芯片电极位包括第一极位31和第二极位32，两者位于芯片中段且间隔排列，与之对应地，为实现芯片电极位和基板电极位之间的连接和导通，可以采用在基板的左右相对两侧分别设置第三极位41和第四极位42，其中，第一极位31、第二极位32、第三极位41和第四极位42均包括若干电极，第一极位31和第三极位41中的电极一一对应，第二极位32和第四极位42的电极一一对应。可
以理解的是，将图8所示电路图导入激光设备，激光设备按照该电路图，控制激光发射位置以使激光和金属膜发生反应，消除多余金属膜，最终实现如图8所示的极位连接。
52.在其他实施例中，可以根据芯片电极位的排布，设计基板电极位的排布，两者可以环绕对应，平齐对应或者倾斜对应等，第一极位31和第三极位41 中的电极一一对应，第二极位32和第四极位42的电极一一对应，但不同的是，第一极位31电极与第三极位41电极的连线相对于芯片的底边具有斜度，第二极位32电极和第四极位42电极连线亦然。或者，芯片电极位包括沿环形间隔设置的若干电极，那么在基板上可以设置沿环形间隔设置的若干基板电极与之对应并连接，激光器可以根据预设的导通电路，进行激光蚀刻。
53.步骤s30，激光设备根据基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图对所述基板和芯片进行激光蚀刻，以去除芯片和基板表面多余的金属膜层，使得基板与芯片的电极相互导通。
54.在本实施例中，图9示出了一种采用本技术的芯片邦定方法邦定前，芯片和基板组合半成品101的示意图，激光设备根据基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图，对准导通线路之外的部分，进行激光的照射。再参考图8，图8示出了采用本技术的芯片邦定方法邦定后，芯片和基板邦定半成品102的示意图，由于激光光斑处产生瞬时高温使芯片表面金属膜层基板发生物理或化学反应，从而使导通电路之外的多余金属膜层材料去除。
55.可见，相较于传统的芯片封装邦定工艺，本实施例的芯片邦定方法仅需根据不同芯片设计电路图和激光蚀刻即可完成精密电路导电线路层。大力地缩短了生产周期。同时无任何气体污水排放，对环境友好。避免了半导体焊线封装工艺，加工效率更快，设备占地面积更小，芯片采用激光蚀刻的邦定方法加工时间在10秒以内，更有效提高制造效率和降低制造成本。
56.在本实施例的一些可选的实现方式中，步骤s10包括：
57.s11:在基板的表面制作出至少一个适配芯片形状的凹槽；
58.s12:将芯片以粘结方式嵌入所述凹槽；
59.s13:采用真空镀膜工艺将金属膜附于所述芯片和基板的表面。
60.参考图2，本技术中基板选用pcb,按照预设电路，可以在pcb上挖出芯片形状的凹槽，其中，凹槽的深度和芯片的厚度可以保持一致，将芯片底面涂胶并置入凹槽内以实现芯片和pcb板的组合连接，并在芯片和pcb上附上金属膜，其中，为保证性能，金属膜可以是复合材质的金属膜。
61.上述实施例中，基板具有适配芯片形状的凹槽，芯片嵌入凹槽内并采用真空镀膜工艺将金属膜附于芯片和基板的表面。在基板表面制备与芯片形状适配的凹槽，能够使芯片嵌入凹槽后，芯片表面和基板表面平齐，从而使金属膜更易在芯片表面和基板表面着位，避免因芯片与基板表面出现高度差致使金属膜附着不良、脱膜等现象发生，进而保证芯片与基板连接的可靠性和稳定性。采用真空镀膜工艺将金属膜附于芯片和基板的表面，以使得基板电位和芯片电极位相互连接导通，真空镀膜工艺污染度低，高效环保，利于应用。
62.在本实施例的一些可选的实现方式中，在步骤s20之前还包括：
63.s21:根据金属膜层材质对激光设备所发射的激光波长设置在190纳米到 360纳米之间，激光光斑的直径设置在1微米到50微米之间，激光设备功率设置在1瓦到200瓦之间。
64.参考图3，本技术通过对激光设备进行加工参数的设置，可以针对金属膜层的厚度和面积实现快速消融，能够缩短芯片邦定时间，提高了芯片邦定的加工效率。激光加工参数还包括激光起始位置、激光点照射强度、激光点移动速度，通过对激光设备加工参数的预设置，能够实现金属膜快速和准确的剥离，有效避免金属膜残留、基板表面电极和芯片电极之间的导通电路内的金属膜误剥除现象。
65.此外，步骤s21也可以在步骤s20之后执行。
66.在一些可选的实现方式中，步骤s30具体包括：
67.s31:比对基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图，确定导通连接位置；
68.参考图4，本技术中，基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图可以根据芯片内部电路图和其出厂电路图进行设计，设计好的导通电路图可以通过网络传输、usb传输等方式导入至激光设备中，激光设备根据该导通电路图，确定芯片电极和基板表面电极之间的导通连接位置。
69.s32:激光设备控制出射的激光光斑中心在所述基板和芯片的金属膜层避开所述导通连接位置，照射在所述导通连接以外的位置。
70.参照参考图4，本技术中，激光光斑形态为特殊设计调整后的形态，通过控制激光光斑的中心位置在金属膜层的射点位置，具体而言，比对基板表面电极和芯片电极之间的导通电路图控制激光光斑中心在金属层避开导通电路图中的导通连接位置并照射在导通电路图中的导通连接以外的位置，能够实现芯片电极位和基板电极位导通电路外的金属膜快速和精确的剥离，有效避免金属膜残留、基板表面电极和芯片电极之间的导通电路内的金属膜误剥除现象。
71.在一些可选的实现方式中，步骤s32具体包括：
72.s321:根据视觉定位获取激光光斑在所述基板和芯片金属层的射点位置；
73.参考图5，本技术中，视觉定位可以理解为激光器采用机器视觉进行图像识别、图像定位的方法。机器视觉是人工智能正在快速发展的一个分支。简单说来，机器视觉就是用机器代替人眼来做测量和判断。机器视觉系统是通过机器视觉产品(即图像摄取装置，分cmos和ccd两种)将被摄取目标转换成图像信号，传送给专用的图像处理系统，得到被摄目标的形态信息，根据像素分布和亮度、颜色等信息，转变成数字化信号；图像系统对这些信号进行各种运算来抽取目标的特征，进而根据判别的结果来控制现场的设备动作。
74.s322:通过高速振镜控制激光光斑打入射点位置。
75.参考图5，本技术中，由于金属膜为覆盖于芯片和基板表面的一层，具有延展的面积，需要根据预设不断调整激光的射点位置，才能将除芯片电极位和基板电极位导通电路以外的位置上的金属膜进行消融，在本技术的实施例中，通过在激光设备上设置高速振镜来控制和调整激光的射点位置，其中，高速振镜包括第一振镜和第二振镜，第一振镜和第二振镜的镜面垂直设置，分别用于调节激光射点的水平位置和垂直位置，从而能够使激光照射到金属膜的任意预设位置以消融其多余的金属膜层。
76.在一些可选的实现方式中：步骤s321包括：
77.s320：通过所述视觉定位采集所述基板和芯片的图片；
78.参考图6，本技术中，激光设备包括视觉定位系统，视觉定位系统包括图像采集模块和处理器，处理器处理图像采集模块所摄取的图像信息，在此，图像采集模块可以是包括
摄像头等具有拍摄功能元件的模块。摄像头拍摄芯片和基板的组合半成品的图像，并将图像传输给处理器，处理器根据图像中的像素分布、亮度和颜色等信息转化为数字信号，再处理数字信号进行各种运算来抽取待封装的尺寸、位置信息。
79.s330：将采集到的图片输入预先训练过的卷积神经网络模型进行识别，定位出激光光斑在金属层的射点位置。
80.进一步参考图6，本技术中，通过训练过的卷积神经网络模型进行识别和定位激光光斑在金属层的射点位置。可以利用训练后的卷积神经网络模型处理待邦定的芯片样品图像以获取位置识别结果。其中，位置识别结果包括初始位置、激光可发射位置和激光规避位置，通过训练后的卷积神经网络模型进行待邦定芯片样品图像的识别，卷积神经网络属于有监督的学习算法，是深度神经网络中的一种特殊情况，它相比于深度人工神经网络具有权值数量少、训练速度快等优点。卷积神经网络模型主要由三部分组成，分别是输入层、隐藏层和输出层。其中，输入层和输出层只有一层，而隐藏层可以有多层，深度神经网络就是有很多个隐藏层的神经网络。卷积神经网络的输入层为待邦定的芯片样品图像，通过使用训练后卷积神经网络模型对待邦定的芯片样品进行识别，以确定具体的激光射点位置。
81.上述实施例中，卷积神经网络模型的训练方法包括：获取多张子图片作为训练图片；将所述训练图片输入到卷积神经网络模型，提取每张子图片中包含的对象的图像特征；判断每张子图片中包含的对象的图像特征是否符合金属层的特征，并将判断结果与训练图片的标注进行比对，根据比对结果调整卷积神经网络模型的各参数，获得训练好的卷积神经网络模型。利用训练好的卷积神经网络模型对待邦定芯片的图片进行识别，以确定对象是否为待邦定芯片上的金属层。
82.本技术中，多张子图片可以通过摄像头等拍摄装置采集，可以是不同角度拍摄的各种芯片和基板的组合半成品的图像，使用训练过的卷积神经网络模型处理多张子图片，识别出每张子图片中的形态、尺寸、颜色，从而识别当前图像中的金属层位置。
83.一种可选实现方式中，上述图像特征可以为色度、纹理、灰度、尺寸等。
84.例如，如果需要识别图片中的金属层位置信息，则需要对输入卷积神经网络模型的多张子图片进行特征提取，判断每张子图片中包含的对象的颜色、纹理以及形状等特征，当获得颜色为金属色、纹理符合金属层纹理结构、尺寸为金属层尺寸的判断结果，则确定该区域为金属层，以便和非射点区域区分开来。
85.上述实施方式中，卷积神经网络模型至少包括：输入层、卷积层、池化层、全连接层和softmax层，其中，通过输入层获取多张子图片。卷积神经网络通过输入层获取多张子图片，隐藏层可以包括卷积层、池化层、全连接层，输出层为softmax层，采用softmax分类函数。
86.可选地，提取每张子图片中包含的对象的图像特征，包括：通过卷积层中的每个卷积核扫描对应的子图片，得到每个子图片所包含的对象的特征图层；通过池化层对每个子图片所包含的对象的特征图层进行去冗余处理；通过至少一个全连接层将去冗余处理后的多个特征图层进行转换，得到对象的图像特征。卷积层和池化层可以有多种不同的组合，全连接层也可以有多层，具体的层次和网络深度可以根据实际需要进行选取。层数越多，识别结果越准确，网络越复杂。
87.可选地，通过softmax层判断每张子图片中包含的对象的图像特征是否符合金属
层特征，并输出判断结果。输出层采用softmax分类函数，对全连接层的输出结果进行分类，判断子图片中的特定区域是否符合金属层特征，输出是否为金属层的结果。
88.利用卷积神经网络识别出每张子图片中的特定区域的金属层区和非金属层区后，将特定区域内的非金属层区全部置为预定的背景，对金属层区的金属层进行轮廓提取。然后按分割顺序对每个子图片进行还原，最后得到整体金属层的轮廓。
89.可选地，在将识别出金属层的子图片进行轮廓提取，并将没有识别出金属层的区域设置为预定的背景，得到多张处理后的子图片之前，方法还包括：判断多个子图片中是否存在金属层；如果存在，对存在金属层的子图片进行识别，并确定金属层在子图片中的位置；如果不存在，将不存在金属层的子图片设置为预定的背景。
90.在对识别出金属层的子图片进行处理之前，还可以预先判断每个子图片中是否存在金属层。如果存在金属层，对识别出金属层的子图片进行轮廓提取，进一步确定金属层在子图片中的位置；如果不存在金属层，则直接将该子图片设置为预定的背景，以去除背景中的噪声信号，提高识别效率，从而避免待邦定样品反面放置的情形。
91.参考图7，本技术提供一种芯片邦定结构100，采用本技术的芯片邦定方法制备而成，包括金属层1、保护层2、芯片层3和基板4，其中，芯片层 3设有至少一个同层排布的芯片，保护层2覆盖芯片层3，金属层1与芯片层 3的电极连接并覆盖在保护层2，基板4设有基板电极位，基板电极位与芯片层的电极位相互对应设置，并且基板电极位通过金属层1与芯片层3的电极位连接。
92.上述实施例中，金属层1是指对应连接若干个基板电极位与芯片层的电极位的金属膜层，经过前述的芯片绑定方法中，激光消融掉基板电极位与芯片层的电极位的金属膜层之外的，邦定之前的半成品上多余的金属膜后，所最终形成的能够精准连接基板电极位与芯片层的电极位的金属层。
93.根据本技术实施例提供的芯片邦定结构100，能够根据预先设计电路图和激光蚀刻完成精密电路导电线路层。大力地缩短了芯片封装的生产周期。同时无任何气体污水排放，对环境友好。避免了半导体焊线封装工艺，加工效率更快，设备占地面积更小，芯片采用激光蚀刻的邦定方法加工时间在10秒以内，更有效提高制造效率和降低制造成本。
94.上述实施例中，芯片层3可以包括至少一个芯片，可以是单芯片，也可以是多个芯片，芯片层3的芯片为在硅晶圆进行堆叠过的成品芯片。芯片层3 中各个芯片的电极位按照预设进行排布。保护层2覆盖芯片层3，金属层1与芯片层3的电极连接并覆盖在保护层2，其中，芯片层3的电极位暴露在保护层之上，基板4可以是pcb板、玻璃、硅片等，基板4和芯片的组合可以通过芯片专用的贴合胶进行胶黏连接，芯片可以按照预设的位置通过贴合胶粘合在基板4上。
95.具体而言，基板4选用pcb,按照预设电路，可以在pcb上挖出芯片形状的凹槽，将芯片底面涂胶并置入凹槽内以实现芯片和pcb板的组合连接。金属层1覆盖在保护层和基板表面上，金属层1可以采用真空镀膜工艺覆盖在保护层2和基板4表面。基板4设有基板电极位，基板电极位与芯片层3的电极位相互对应设置，并且基板电极位通过金属层1与芯片层3的电极位连接。
96.在本技术一些可选的实施例中，可以预备半导体芯片固晶在基板上的组合半成品，且表面真空镀膜金膜属层后的单颗或多颗半导体芯片产品。按照半导体芯片出厂说明
设计芯片与基板4表面电极导通的电路图。开启激光设备，将准备好的半导体芯片固晶在基板上的组合半成品放置于精密加工平台上，调整激光焦距，调整激光光斑形态。将设计好的电路图档导入到激光精密蚀刻设备上，对设备加工参数进行设置。按照设计的电路图对半导体芯片进行蚀刻加工，在半导体芯片表面金属层加工形成精密的电路图，通过高精度视觉定位及高精度高速振镜控制激光点位置，利用激光设备通过焦点处产生瞬时高温使芯片表面金属膜层基板发生物理或化学反应使多余的金属层材料去除。此外，可以取出已激光蚀刻后的半导体芯片，进行后段其他的封装工艺加工处理。
97.在本技术一些可选的实施例中，基板4上设置具有适配所述芯片层3形状的凹槽，芯片层3嵌入凹槽则所述保护层与基板4表面平齐，金属层1覆盖在保护层2和基板4的表面上。
98.上述实施例中，金属层1采用真空镀膜工艺覆盖在保护层2和基板4的表面上。
99.在本技术一些可选的实施例中，金属层1真空镀膜于保护层2。保护层2 为光刻胶。保护层2附着在芯片层3并避开芯片的电极位，如此，在金属层1 真空镀膜在保护层2和基板4上后，能够将芯片电极位和基板电极位进行连接和覆盖，通过激光器的精准蚀刻，消融去除芯片电极位和基板电极位导通电路以外的金属膜，实现芯片电极位和基板电极位之间的导通。
100.根据本技术实施例的芯片邦定结构100，能够通过激光蚀刻法完成精密电路导电线路层。避免了传统芯片邦定金属线焊接后芯片电极处会形成较大的球形金属结构，以致影响导电率降低芯片性能的现象。能够大力提高芯片性能。此外，避免了传统芯片邦定中效率慢，环境污染大，材料成本高昂的问题，具有经济高效、科学环保、封装体积小的优点。
101.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
102.显然，以上所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，附图中给出了本技术的较佳实施例，但并不限制本技术的专利范围。本技术可以以许多不同的形式来实现，相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本技术说明书及附图内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本技术专利保护范围之内。