显示面板及显示装置的制作方法

显示面板及显示装置
【技术领域】
1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.目前，常用的显示面板柔性衬底主要为极性聚合物衬底，极性聚合物衬底在电场的作用下极易产生游离的电荷，且游离的电荷会在电场作用下重新排布，从而产生额外的电场，进而影响晶体管的沟道载流子密度，导致不同晶体管的开启或者关闭的时间延迟，同时会造成发光元件的亮度衰减，最终影响显示面板发光质量。
3.【申请内容】
4.有鉴于此，本技术实施例提供了一种显示面板及显示装置。
5.第一方面，本技术实施例提供一种显示面板，包括衬底基板、晶体管阵列；衬底基板包括第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的间隔层；晶体管阵列位于第二基板背离第一基板的一侧，晶体管阵列包括第一晶体管；第二基板上包括至少一个镂空区，以垂直于衬底基板的方向为投影方向，第一晶体管与镂空区至少部分交叠。
6.第二方面，本技术实施例提供一种显示装置，包括如第一方面提供的显示面板。
7.本技术实施例提供的一种显示面板，通过在衬底基板所包含的第二基板上设置至少一个镂空区，并且以垂直于衬底基板的方向为投影方向，晶体管阵列中的第一晶体管与镂空区至少部分交叠，则尽可能避免晶体管阵列中的第一晶体管与第二基板的非镂空区相交叠。那么，由于第一晶体管所在区域的至少部分位置的下方设置有第二基板的镂空区，则第二基板中产生的额外电场也就不会对第一晶体管的沟道造成影响。因此，本技术实施例能够尽量减小第二基板中的游离电荷所产生的电场对显示面板发光亮度的影响。
【附图说明】
8.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
9.图1为本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
10.图2为现有技术中一种显示面板结构示意图；
11.图3为本技术相关的一种第一有源层与第二基板的相对位置示意图；
12.图4为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
13.图5为本技术实施例提供的一种显示面板示意图；
14.图6为本技术实施例提供的又一种显示面板示意图；
15.图7为本技术相关的一种晶体管与第二基板相对位置示意图；
16.图8为本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
17.图9为本技术实施例提供的又一种显示面板示意图；
18.图10为图9所示第二基板部分区域的示意图；
19.图11为本技术实施例提供的一种显示装置的示意图。
【具体实施方式】
20.为了更好的理解本技术的技术方案，下面结合附图对本技术实施例进行详细描述。
21.应当明确，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
22.在本技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
23.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
24.本说明书的描述中，需要理解的是，本技术权利要求及实施例所描述的“基本上”、“近似”、“大约”、“约”、“大致”“大体上”等词语，是指在合理的工艺操作范围内或者公差范围内，可以大体上认同的，而不是一个精确值。
25.应当理解，尽管在本技术实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述基板、镂空区、晶体管、发光元件等，但这些基板、镂空区、晶体管、发光元件等不应限于这些术语。这些术语仅用来将基板、镂空区、晶体管、发光元件等彼此区分开。例如，在不脱离本技术实施例范围的情况下，第一基板也可以被称为第二基板，类似地，第二基板也可以被称为第一基板。
26.本案申请人通过细致深入研究，对于现有技术中所存在的问题，而提供了一种解决方案。
27.本技术实施例提供一种显示面板及显示装置。
28.图1为本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
29.如图1所示，本技术实施例提供的显示面板001包括衬底基板01和晶体管阵列，衬底基板01包括第一基板11和第二基板12，以及位于第一基板11和第二基板12之间的间隔层13。晶体管阵列位于第二基板12背离第一基板11的一侧，也就是，第二基板12相对于第一基板11更靠近晶体管阵列。
30.在本技术实施例中，晶体管阵列包括第一晶体管td，第二基板12上包括至少一个镂空区120，以垂直于衬底基板01的方向为投影方向，第一晶体管td与镂空区120至少部分交叠。也就是说，在平行于衬底基板01的平面内，第一晶体管td正投影的至少部分被镂空区120的正投影所覆盖。
31.其中，本技术实施例提供的显示面板可以为柔性显示面板或者曲面显示面板，并且第一基板11为柔性基板且第二基板12为柔性基板。
32.图2为现有技术中一种显示面板结构示意图。
33.在现有技术中，显示面板001’一般采用双层柔性衬底结构01’，如图2所示，双层柔性衬底结构的第一基板11’为第一层柔性衬底、第二基板12’为第二层柔性衬底。柔性衬底
一般为极性化合物，而显示面板001’中的信号线产生的电场会导致柔性衬底产生游离的电荷，且游离电荷会在电场的作用下重新排布，从而产生额外的电场。显示面板001’中产生电场的信号线是指，例如与晶体管栅极电连接的扫描线、与晶体管源极、漏极连接的电压信号线等。
34.柔性衬底所产生的额外的电场会影响晶体管td’的沟道区载流子密度，而晶体管td’的沟道区载流子密度是晶体管td’的核心功能参数，当晶体管td’的沟道区载流子密度变化时，会导致晶体管td’的开启或者关闭的时间延迟。从而导致包括晶体管td’的像素驱动电路产生的发光驱动电流产生变化，进而导致与发光驱动电路电连接的发光元件的亮度衰减。并且距离晶体管td’近的第二基板12’产生的额外电场的强度大于距离晶体管td’远的第一基板11’产生的额外电场的强度。第二基板12’对晶体管td’的影响高于第一基板11’对晶体管td’的影响，也就是说，第二基板12’对显示面板001的发光质量的影响明显高于第一基板11’对显示面板001的发光质量的影响。。
35.在本技术实施例中，通过在衬底基板01所包含的第二基板12上设置至少一个镂空区120，并且以垂直于衬底基板01的方向为投影方向，晶体管阵列中的第一晶体管td与镂空区120至少部分交叠，则尽可能避免晶体管阵列中的第一晶体管td与第二基板12的非镂空区相交叠。那么，由于第一晶体管td所在区域的至少部分位置的下方设置有第二基板12的镂空区，则第二基板12中产生的额外电场也就不会对第一晶体管td的沟道造成影响。因此，本技术实施例能够尽量减小第二基板12中的游离电荷所产生的电场对显示面板001发光亮度的影响。
36.在本技术的一个实施例中，请继续参考图1，第二基板12上的至少一个镂空区120包括第一镂空区121，以垂直于衬底基板01的方向为投影方向，第一晶体管td与第一镂空区121交叠，第一晶体管td包括第一有源层21，并且第一镂空区121的面积大于第一晶体管td所包含的第一有源层21的面积。
37.其中，当第一镂空区121的面积大于第一有源层21的面积时，以垂直于衬底基板01的方向为投影方向，第一有源层21能够被第一镂空区121完全覆盖，也就是第一有源层21的下方为第一镂空区121，进而避免第一有源层21受到第二基板12中产生的额外电场的影响。
38.图3为本技术相关的一种第一有源层与第二基板的相对位置示意图。
39.在本技术的一个实施例中，如图3所示，第一有源层21包括沿第一方向y延伸的第一对称轴x1，第一镂空区121包括沿第一方向y延伸的第二对称轴x2，并且第一对称轴x1与第二对称轴x2在平行于衬底基板01的平面内具有第一间距d1。也就是说，第一有源层21的中心与第一镂空区121的中心在平行于衬底基板01的平面内具有第一间距d1。
40.第一有源层21的侧边与第一镂空区121的侧边在平行于衬底基板01的平面内具有第二间距d2，并且d2＞d1。如图3所示，第一有源层21的左侧边与第一镂空区121的左侧边在平行于衬底基板01的平面内具有第二间距d2，第一有源层21的右侧边与第一镂空区121的右侧边在平行于衬底基板01的平面内具有第二间距d2，并且d2＞d1。
41.当d1＝0时，也就是，当第一对称轴x1与第二对称轴x2完全重合时，由于d2＞d1，并且第一镂空区121的面积大于第一有源层21的面积，以垂直于衬底基板01的方向为投影方向，第一有源层21被第一镂空区121完全覆盖。
42.当d1≠0时，也就是，当第一对称轴x1与第二对称轴x2不重合时，由于d2＞d1，并且
第一镂空区121的面积大于第一有源层21的面积，以垂直于衬底基板01的方向为投影方向，第一有源层21被第一镂空区121完全覆盖。
43.也就是说，不管第一有源层21中包括的第一对称轴x1与第一镂空区121中包括的第二对称轴x2是否重合，由于第一有源层21的侧边与第一镂空区121的侧边在平行于衬底基板01的平面内的第二间距d2大于第一对称轴x1与第二对称轴x2在平行于衬底基板01的平面内的第一间距d1，并且第一镂空区121的面积大于第一有源层21的面积，以垂直于衬底基板01的方向为投影方向，第一有源层21被第一镂空区121完全覆盖。
44.在第一晶体管td中，其所包含的沟道区主要位于第一有源层21中，以垂直于衬底基板01的方向为投影方向，第一有源层21被第一镂空区121完全覆盖，则第二基板12中产生的额外电场也就不会对第一晶体管td的沟道造成影响。从而避免第一晶体管td的开启或者关闭的时间延迟，减小第二基板12中的游离电荷所产生的电场对显示面板发光亮度的影响。
45.在本技术实施例的一种实现方式中，至少部分交叠是指，请参考图1，以垂直于衬底基板01的方向为投影方向，第一晶体管td全部与镂空区120交叠，也就是第一晶体管td被第一镂空区121完全覆盖。此时，第一晶体管td的下方为第一镂空区121，进而避免第一晶体管td受到第二基板12中产生的额外电场的影响。
46.在本技术实施例的另一种实现方式中，至少部分交叠是指，以垂直于衬底基板01的方向为投影方向，第一晶体管td一部分与镂空区120交叠，另一部分与镂空区120不交叠。也就是，第一晶体管td的一部分被第一镂空区121覆盖，另一部分不被第一镂空区121覆盖。此时，第一晶体管td所包括的第一有源层21可以被第一镂空区121完全覆盖，第一晶体管td的其他部位不被第一镂空区121覆盖，由上述分析可以得到，避免了第一晶体管td受到第二基板12中产生的额外电场的影响。
47.在本技术的一个实施例中，请继续参考图1，第一晶体管td包括第一栅极ga、第一源极so、第一漏极dr，第一源极so和第一漏极dr分别通过过孔与第一有源层21连接，也就是第一源极so通过第一过孔与第一有源层21连接，第一漏极dr通过第二过孔与第一有源层21连接。
48.第一栅极ga位于第一有源层21朝向第一源极so或者第一漏极dr的一侧，也就是第一栅极ga位于第一有源层21远离第二基板12的一侧，第一有源层21相对于第一栅极ga更靠近第二基板12。
49.其中，第一有源层21位于第一镂空区211内，并且第一有源层21与间隔层13之间包括缓冲层m1。也就是说第一有源层21与第一基板11之间设置了至少两层绝缘层。绝缘层具有屏蔽电场的作用，由上述关于电场的分析可以得到，第一有源层21与间隔层13之间设置缓冲层m1，减小了第一基板11产生的额外电场及额外电场对晶体管的影响。
50.在本技术的一个实施例中，请结合图1及图3，缓冲层m1经过第一镂空区121延伸至覆盖第二基板12的上表面，第一镂空区121的侧面与第二基板12的下表面所在平面呈第一夹角α，并且0＜α≤60
°
。
51.由于缓冲层m1是整层铺设的，缓冲层m1在延伸出第一镂空区121并覆盖第二基板12上表面时需要爬坡，坡度越陡时，缓冲层m1越容易断裂。也就是第一夹角α越接近90
°
，缓冲层m1越容易断裂。发明人发现，当第一夹角α设置为0—60
°
时，可以达到有效防止缓冲层
m1断裂的目的。
52.图4为本技术实施例提供的又一种显示面板结构示意图。
53.在本技术的一个实施例中，如图4所示，缓冲层m1与间隔层13之间包括第一金属层m0，第一金属层m0位于第一镂空区121内，并且第一金属层m0与第一有源层21至少部分交叠。一种实现方式为，第一有源层21全部与第一金属层m0交叠，也就是第一有源层21被第一金属层m0完全覆盖，另一种实现方式为，第一有源层21部分与第一金属层m0交叠，另一部分与第一金属层m0不交叠，也就是第一有源层21被第一金属层m0部分覆盖。
54.第一金属层m0具有屏蔽电场信号和保护设备的作用，在第一有源层21下方设置第一金属层m0，并且第一金属层m0与第一有源层21至少部分交叠。一方面，第一金属层m0可以屏蔽显示面板001中的信号线产生的电场，避免该电场影响到柔性基板，进而避免柔性基板产生额外的电场。另一方面，第一金属层m0可以屏蔽柔性基板产生的额外电场，避免该额外电场影响第一晶体管td的沟道区载流子密度，从而避免第一晶体管td的开启或者关闭的时间延迟而导致发光元件的亮度衰减。显示面板001中产生电场的信号线是指，例如与晶体管栅极电连接的扫描线、与晶体管源极、漏极连接的电压信号线等。
55.图5为本技术实施例提供的一种显示面板示意图；图6为本技术实施例提供的又一种显示面板示意图；图7为本技术相关的晶体管与第二基板相对位置示意图。
56.在本技术的一个实施例中，请结合图5、图6，显示面板001包括像素电路30，第一晶体管td为像素电路30中的驱动晶体管，用于为发光元件生成驱动电流。显示面板001包括出光颜色不同的第一发光元件31、第二发光元件32、第三发光元件33。第一发光元件31的出光波长大于第二发光元件32的出光波长，第二发光元件32的出光波长大于第三发光元件33的出光波长；第一发光元件31的像素电路30中的驱动晶体管为第一驱动晶体管td1，第二发光元件32的像素电路30中的驱动晶体管为第二驱动晶体管td2，第三发光元件33的像素电路30中的驱动晶体管为第三驱动晶体管td3。其中，第一发光元件31为红色发光元件，第二发光元件32为绿色发光元件，第三发光元件33为蓝色发光元件。
57.其中，如图7所示，第一驱动晶体管td1对应第一镂空区121，第二驱动晶体管td2对应第二镂空区122，第三驱动晶体管td3对应第三镂空区123。第一镂空区121的面积为s1，第二镂空区122的面积为s2，第三镂空区123的面积为s3，并且s1≥s2＞s3。
58.由于不同波长的光线的能量不同，对应的产生不同波长光线的发光元件对于驱动晶体管的驱动能力也不同。一般而言，驱动晶体管的驱动能力越大，驱动晶体管沟道区的宽度就要越大。因此，不同的发光元件对应的驱动晶体管在显示面板中占据的面积会有差异。驱动晶体管的占据面积与光线的能量呈正相关，而光线的能量与光线波长呈正相关，因此，驱动晶体管的占据面积与光线的波长呈正相关。也就是发光元件的出光波长越长，其所对应的驱动晶体管在显示面板中的占据面积就会越大。由于红色发光元件的出光波长和绿色发光元件的出光波长相差不多，因此，在设计显示面板时，可以将红色发光元件对应的驱动晶体管占据面积设置为大于绿色发光元件对应的驱动晶体管占据面积，也可以将红色发光元件对应的驱动晶体管占据面积设置为等于绿色发光元件对应的驱动晶体管占据面积。
59.在本技术实施例中，第一发光元件31的出光波长大于第二发光元件32的出光波长，第二发光元件32的出光波长大于第三发光元件33的出光波长，也就是说第三发光元件33的出光波长小于第二发光元件32的出光波长，并且小于第一发光元件31的出光波长；第
二发光元件32的出光波长小于第一发光元件31的出光波长，并且大于第三发光元件33的出光波长。由上述分析可以得到，第三发光元件33的像素电路30中的第三驱动晶体管td3对应的第三镂空区123的面积s3小于第二发光元件32的像素电路30中的第二驱动晶体管td2对应的第二镂空区122的面积s2，并且小于第一发光元件31的像素电路30中的第一驱动晶体管td1对应的第一镂空区121的面积s1。第二发光元件32的像素电路30中的第二驱动晶体管td2对应的第二镂空区122的面积s2小于等于第一发光元件31的像素电路30中的第一驱动晶体管td1对应的第一镂空区121的面积s1，并且大于第三发光元件33的像素电路30中的第三驱动晶体管td3对应的第三镂空区123的面积s3。
60.因此，在本技术实施例中，s1≥s2＞s3，保证了不同发光元件所对应的不同驱动晶体管均避免受到第二基板12中产生的额外电场的影响，进而避免了发光元件的发光异常。同时，根据驱动晶体管在显示面板001中占据面积的大小不同，在第二基板12上对应设置不同大小的镂空区120，有助于避免不同驱动晶体管下的镂空区120连接在一起，有利于减小衬底基板01断裂的风险。
61.图8为本技术实施例提供的又一种显示面板结构示意图。
62.在本技术的一个实施例中，如图8所示，晶体管阵列还包括第二晶体管t2；第一晶体管td包括第一栅极ga、第一源极so、第一漏极dr、第一有源层21，第二晶体管t2包括第二栅极ga2、第三栅极ga3、第二源极so2、第二漏极dr2、第二有源层t21，第一栅极ga位于第一有源层21朝向衬底基板01的一侧，也就是第一栅极ga相对于第一有源层21更靠近第二基板12。此时，第一栅极ga可以与第二栅极ga2同时制备，简化了工艺步骤、节省了工艺时间。同时，第一栅极ga位于第一有源层21朝向衬底基板01的一侧，相当于在第一有源层21与衬底基板01之间增加了一层金属层，进一步减小了衬底基板01中产生的额外电场对第一晶体管td的影响。
63.第二有源层t21位于第二栅极ga2与第三栅极ga3之间，并且第二有源层t21位于第一有源层21背离衬底基板01的一侧。第一有源层21包含硅，例如低温多晶硅型晶体管的有源层；第二有源层t21包含氧化物半导体，例如氧化物半导体型晶体管的有源层。
64.其中，第二晶体管t2与镂空区之间无交叠，也就是说第二晶体管t2的下方未设置第二基板12的镂空区120。由于第二晶体管t2所包括的第二有源层t21位于第一晶体管td所包括的第一有源层21背离衬底基板01的一侧，也就是说第二晶体管t2所包括的第二有源层t21相对于第一晶体管td所包括的第一有源层21距离衬底基板01更远，并且第二晶体管t2包括第二栅极ga2与第三栅极ga3，而双栅极结构的稳定性较高，也就是说第二晶体管t2的稳定性较高。且第二栅极ga2位于第二有源层t21与衬底基板01之间，相当于在第二有源层t21与衬底基板01之间增加了一层金属层，进一步减小了衬底基板01中产生的额外电场对第二晶体管t2的影响。
65.因此，第二晶体管t2受到第二基板12产生的额外电场的影响较小，第二晶体管t2无需与第二基板12的镂空区交叠。此外，避免在第二基板12上设置过多的镂空区120，有利于减小衬底基板01开裂的风险。
66.图9为本技术实施例提供的又一种显示面板示意图；图10为图9部分第二基板部分区域的示意图。
67.在本技术提供的一个实施例中，如图9所示，显示面板001包括第一显示区aa和第
二显示区bb，第二显示区bb可以设置有摄像结构cc；如图10所示，第一显示区aa的第二基板12上包括第一镂空区121、第二镂空区122、第三镂空区123，第二显示区bb的第二基板12上包括第一镂空区121、第二镂空区122、第三镂空区123。第二显示区bb内的第二基板12上的镂空区的分布密度大于第一显示区aa内的第二基板12上的镂空区的分布密度。例如，如图10所示，第二显示区bb内第一镂空区121的分布密度大于第一显示区aa内第一镂空区121的分布密度，第二显示区bb内第二镂空区122的分布密度大于第一显示区aa内第二镂空区122的分布密度，第二显示区bb内第三镂空区123的分布密度大于第一显示区aa内第三镂空区123的分布密度。从而提升了第二显示区bb内的衬底基板01的透光率，有利于提升第二显示区bb中摄像结构cc的摄像效果。
68.请继续参考图10，在本技术提供的一个实施例中，与同种颜色发光元件对应的像素电路30的驱动晶体管交叠的镂空区中，与第二显示区bb内的驱动晶体管交叠的镂空区面积大于与第一显示区aa内的驱动晶体管交叠的镂空区面积。其中，例如图10所示的，与同种颜色发光元件对应的像素电路30的驱动晶体管交叠的镂空区是指，与第一发光元件31对应的像素电路30的第一驱动晶体管td1交叠的第一镂空区121、与第二发光元件32对应的像素电路30的第二驱动晶体管td2交叠的第二镂空区122及与第三发光元件33对应的像素电路30的第三驱动晶体管td3交叠的第三镂空区123。也就是说，第二显示区bb内的第一镂空区121的面积大于第一显示区aa内的第一镂空区121的面积，第二显示区bb内的第二镂空区122的面积大于第一显示区aa内的第二镂空区122的面积，第二显示区bb内的第三镂空区123的面积大于第一显示区aa内的第三镂空区123的面积。从而提升了第二显示区bb内衬底基板01的透光率，有利于提升第二显示区bb中摄像结构cc的摄像效果。
69.图11为本技术实施例提供的一种显示装置的示意图。
70.如图11所示，本技术实施例提供的显示装置可以为手机，此外，本技术实施例提供的显示装置也可以为电脑、电视等显示装置。本技术实施例提供的显示装置包括上述任意一个实施例提供的显示面板001。在本技术中，包括显示面板001的显示装置，通过在衬底基板01所包含的第二基板12上设置至少一个镂空区120，并且以垂直于衬底基板01的方向为投影方向，晶体管阵列中的第一晶体管td与镂空区120至少部分交叠，则尽可能避免晶体管阵列中的第一晶体管td与第二基板12的非镂空区相交叠。那么，由于第一晶体管td所在区域的至少部分位置的下方设置有第二基板12的镂空区120，则第二基板12中产生的额外电场也就不会对第一晶体管td的沟道造成影响。因此，本技术实施例能够尽量减小第二基板12中的游离电荷所产生的电场对显示装置发光亮度的影响。
71.以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术保护的范围之内。