技术特征：
1.一种温度传感器，测定用于进行等离子体处理的处理容器内的温度，所述温度传感器具有：热电偶，其在所述处理容器内具有测温触点；保护管，其用于收容并保护所述热电偶；以及电磁屏蔽件，其以覆盖所述热电偶的方式设置在所述保护管内。2.根据权利要求1所述的温度传感器，其中，所述保护管的一端位于所述处理容器的内部，另一端位于所述处理容器的外部。3.根据权利要求2所述的温度传感器，其中，所述电磁屏蔽件通过所述保护管的所述另一端后被引出到所述处理容器的外部并接地。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的温度传感器，其中，所述电磁屏蔽件以至少覆盖所述测温触点的方式设置。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的温度传感器，其中，所述电磁屏蔽件以覆盖所述热电偶的整体的方式设置。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的温度传感器，其中，所述电磁屏蔽件由金属网形成。7.根据权利要求6所述的温度传感器，其中，所述金属网由镍合金形成。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的温度传感器，其中，所述电磁屏蔽件对于27mhz的电磁波，具有40db以上的电场屏蔽效果，20db以上的磁场屏蔽效果。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的温度传感器，其中，还具有绝缘构件，所述绝缘构件设置在所述热电偶与所述电磁屏蔽件之间。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的温度传感器，其中，在所述保护管中收容有多个所述热电偶，所述电磁屏蔽件以覆盖多个所述热电偶的所有热电偶的方式设置。11.一种等离子体处理装置，具备：处理容器，其用于进行等离子体处理；以及温度传感器，其测定所述处理容器内的温度，其中，所述温度传感器具有：热电偶，其在所述处理容器内具有测温触点；保护管，其用于收容并保护所述热电偶；以及电磁屏蔽件，其以覆盖所述热电偶的方式设置在所述保护管内。12.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其中，所述处理容器具有圆筒状，在所述处理容器的内部将多个基板分多层收容。
技术总结
本发明提供一种温度传感器和等离子体处理装置，能够提供能使在生成等离子体时产生的高频噪声减少的技术。本公开的一个方式的温度传感器是测定用于进行等离子体处理的处理容器内的温度的温度传感器，所述温度传感器具有：热电偶，其在所述处理容器内具有测温触点；保护管，其用于收容并保护所述热电偶；以及电磁屏蔽件，其以覆盖所述热电偶的方式设置在所述保护管内。述保护管内。述保护管内。
技术研发人员：松浦广行 温清振
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2021.07.09
技术公布日：2022/1/21