技术特征：
1.一种半导体结构，包括：一基底；一介电层，设置在该基底上；至少一主特征，设置在该介电层中，并接触该基底；至少一第一导电特征，设置在该介电层中，并位在该主特征上；至少一第一间隙子，插置在该介电层与该第一导电特征的一部分之间；多个第二导电特征，设置在该介电层中，以及在该第一导电特征的任一侧上；以及多个第二间隙子，插置在该介电层与所述第二导电特征的一部分之间。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电特征是位在该主特征中心。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该介电层包括多个第一介电特征，位在该基底上以及在该主特征的任一侧上，其中一第一间距是等于在二相邻第一介电特征的各中心线之间的距离，一第二间距等于从其中一第一导电特征到一最接近的第二导电特征加上其中一第一或第二导电特征的一宽度，以及该第二间距为该第一间距的一半。4.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述第一介电特征与所述主特征具有一相同第一宽度，其是等于该第一间距的一半。5.如权利要求3所述的半导体结构，还包括一第一终止层，是覆盖所述第一介电特征以及所述主特征的一部分，其中该第一终止层围绕所述第一导电特征的一些部分，以及所述第一间隙子位在该第一终止层上，并覆盖所述第一导电特征位在该第一终止层上的一些部分。6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该介电层还包括多个第二介电特征，是位在该第一终止层上。7.如权利要求6所述的半导体结构，其中所述第二介电特征、所述第一间隙子以及所述第一导电特征具有共面的各上表面，其是形成一第一平坦上表面。8.如权利要求7所述的半导体结构，还包括一第二终止层，位在该第一平坦上表面上，其中所述第二导电特征的一些部分是被该第二终止层所围绕。9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该介电层还包括多个第三介电特征，位在该第二终止层上。10.如权利要求9所述的半导体结构，其中所述第二间隙子位在该第二终止层上，并覆盖所述第三介电特征的各侧壁。11.如权利要求10所述的半导体结构，其中所述第三介电特征、所述第二间隙子以及所述第二导电特征具有共面的各上表面，其是形成一第二平坦上表面。12.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电特征延伸进入该主特征中。13.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一间隙子与该第二间隙子具有相同厚度。14.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电特征与所述第二导电特征具有一相同宽度。15.一种半导体结构的制备方法，包括：形成多个主特征在一基底上；形成一第一介电层在该基底上，其中该第一介电层包括多个第一介电特征，是位在所
述主特征的任一侧上；形成一第一终止层在所述第一介电特征与所述主特征上；形成一第二介电层在该第一终止层上，其中该第二介电层包括多个第二介电特征，是位在所述第一介电特征上；形成多个第一间隙子在所述第二介电特征的各侧壁上；形成多个第一开口，以穿经该第一终止层未被该第二介电层与所述第一间隙子所覆盖的一些部分；形成多个第一导电特征在所述第一开口中，并接触所述主特征；形成一第二终止层，以覆盖所述第二介电特征、所述第一间隙子以及所述第一导电特征；形成多个第三介电特征在所述第一间隙子与所述第一导电特征上；形成多个第二间隙子在所述第三介电特征的各侧壁上；移除该第二终止层未被所述第三介电特征与所述第二间隙子所覆盖的所述部分，以形成多个第二开口，进而暴露所述第二介电特征的一些部分；移除所述第二介电特征未被该第二终止层与所述第二间隙子所覆盖的所述部分，以形成多个第三开口；以及形成多个第二导电特征在所述第二开口中、在所述第三开口中，以及在相邻第二开口之间的多个第四开口中。16.如权利要求15所述的制备方法，其中该主特征的形成包括：形成一主层在该基底上；形成一第一光阻图案在该主层上；以及移除该主层经由该第一光阻图案而暴露的一些部分，以形成该多个主特征。17.如权利要求15所述的制备方法，其中所述第二介电特征的形成包括：形成一第二介电层在该第一终止层上；形成一第二光阻图案在该第二介电层上；以及移除该第二介电层经由该第二光阻图案而暴露的一些部分，以盈成该多个第二介电特征；其中所述第三介电特征的形成包括：形成一第三介电层在该第二终止层上；形成一第三光阻图案在该第三介电层上；以及移除该第三介电层经由该第三光阻图案而暴露的一些部分，以形成该多个第三介电特征；其中该第二光阻图案的形成与该第三光阻图案的形成是包括使用一第一光罩，而该第二光阻图案的形成是包括使用一第二光罩，而该第二光罩是与该第一光罩为反调。18.如权利要求16所述的制备方法，其中所述第一开口延伸进入所述主特征中。19.如权利要求15所述制备方法，其中所述第一间隙子的形成包括：沉积一第一间隙子层在所述第二介电特征上，以及在该第一终止层经由所述第二介电特征而暴露的所述部分上；以及移除该第一间隙子层的一些水平部分；
其中所述第一开口的形成是与该第一间隙子层的所述水平部分的移除是同时进行。20.如权利要求15所述的制备方法，其中所述第二间隙子的形成包括：沉积一第二间隙子层在所述第三介电特征上，以及在该第二终止层经由所述第三介电特征而暴露的一些部分上；以及移除该第二间隙子层的一些水平部分；其中所述第二开口的形成与该第二间隙子层的所述水平部分的移除是同时进行。
技术总结
本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底、一介电层、至少一主特征、至少一第一导电特征、至少一第一间隙子、多个第二导电特征以及多个第二间隙子。该介电层设置在该基底上。该主特征设置在该介电层中，并接触该基底。该第一导电特征设置在该介电层中以及在该主特征上。该第一间隙子插置在该介电层与该第一导电特征的一部分之间。所述第二导电特征设置在该介电层中以及在该第一导电特征的任一侧上。所述第二间隙子插置在该介电层与所述第二导电特征的各部分之间。介电层与所述第二导电特征的各部分之间。介电层与所述第二导电特征的各部分之间。
技术研发人员：丘世仰
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2022/1/25