技术特征：
1.一种结构，包括：衬底，包括主动区，该主动区包括具有第一侧边的第一区段以及从该第一侧边侧向延伸的第二区段，该第一区段沿平行于该第一侧边的方向具有第一长度尺寸，该第二区段沿平行于该第一侧边的该方向具有第二长度尺寸，且该第二长度尺寸小于该第一长度尺寸；第一鳍片，位于该主动区的该第二区段中的该衬底上；以及第一栅极结构，延伸于该第一鳍片及该主动区的该第二区段上方。2.如权利要求1所述的结构，其中，该主动区的该第一区段包括与该第一侧边相对的第二侧边，且该主动区包括自该第二侧边侧向延伸的第三区段。3.如权利要求2所述的结构，其中，该主动区的该第三区段沿平行于该第二侧边的方向具有第三长度尺寸，且该第三长度尺寸小于该第一长度尺寸。4.如权利要求3所述的结构，其中，该主动区的该第二区段沿该主动区的该第一区段的该第一侧边居中，且该主动区的该第三区段沿该主动区的该第一区段的该第二侧边居中。5.如权利要求2所述的结构，还包括：多个第二鳍片，位于该主动区的该第一区段中的该衬底上；以及第三鳍片，位于该主动区的该第三区段中的该衬底上，其中，该多个第二鳍片侧向布置于该第一鳍片与该第三鳍片之间。6.如权利要求5所述的结构，还包括：半导体层，位于该第一鳍片、该多个第二鳍片、以及该第三鳍片上；以及接触件，与该半导体层耦接，其中，该接触件仅位于该多个第二鳍片上方。7.如权利要求2所述的结构，其中，该第一鳍片位于该主动区的该第一区段、该第二区段、以及该第三区段中的该衬底上。8.如权利要求7所述的结构，其中，该第一栅极结构为第一伪栅极，且还包括：第二伪栅极，延伸贯穿该第一鳍片及该主动区的该第三区段。9.如权利要求1所述的结构，其中，该主动区的该第二区段沿该主动区的该第一区段的该第一侧边居中。10.如权利要求1所述的结构，还包括：多个第二鳍片，位于该主动区的该第一区段中的该衬底上，其中，该第一栅极结构延伸贯穿该第一鳍片及该多个第二鳍片。11.如权利要求10所述的结构，还包括：半导体层，位于该第一鳍片及该多个第二鳍片上；以及接触件，与该半导体层耦接，其中，该接触件仅位于该多个第二鳍片上方。12.如权利要求1所述的结构，还包括：多个第二鳍片，位于该主动区的该第一区段中的该衬底上，其中，该第一鳍片具有第一长度，且该多个第二鳍片具有小于该第一长度的第二长度。13.如权利要求1所述的结构，其中，该主动区的该第一区段包括与该第一侧边相对的第二侧边，该主动区包括自该第二侧边侧向延伸的第三区段，且该第一鳍片位于该主动区的该第一区段、该第二区段以及该第三区段中的该衬底上。
14.如权利要求13所述的结构，其中，该第一栅极结构为第一伪栅极，且还包括：第二伪栅极，延伸于该第一鳍片及该主动区的该第三区段上方。15.一种方法，包括：在衬底中形成深沟槽隔离区，以定义主动区的边界，其中，该主动区包括具有第一侧边的第一区段以及从该第一侧边侧向延伸的第二区段，该第一区段沿平行于该第一侧边的方向具有第一长度尺寸，该第二区段沿平行于该第一侧边的该方向具有第二长度尺寸，且该第二长度尺寸小于该第一长度尺寸；形成位于该主动区的该第二区段中的该衬底上的第一鳍片；以及形成延伸于该第一鳍片及该主动区的该第二区段上方的第一栅极结构。16.如权利要求15所述的方法，其中，该主动区的该第一区段包括与该第一侧边相对的第二侧边，该主动区包括自该第二侧边侧向延伸的第三区段，该主动区的该第三区段沿平行于该第二侧边的方向具有第三长度尺寸，且该第三长度尺寸小于该第一长度尺寸。17.如权利要求16所述的方法，还包括：形成位于该主动区的该第一区段中的该衬底上的多个第二鳍片；以及形成位于该主动区的该第三区段中的该衬底上的第三鳍片，其中，该多个第二鳍片侧向布置于该第一鳍片与该第三鳍片之间。18.如权利要求16所述的方法，其中，该第一鳍片位于该主动区的该第一区段、该第二区段、以及该第三区段中的该衬底上。19.如权利要求18所述的方法，其中，该第一栅极结构为第一伪栅极，且还包括：形成第二伪栅极，该第二伪栅极延伸于该第一鳍片及该主动区的该第三区段上方。20.如权利要求15所述的方法，还包括：在该主动区的该第一区段中的该衬底上形成多个第二鳍片；在该第一鳍片及该多个第二鳍片上外延生长半导体层；以及形成与该半导体层耦接的接触件，其中，该第一栅极结构延伸贯穿该第一鳍片及该多个第二鳍片，且该接触件仅位于该多个第二鳍片上方。
技术总结
本发明涉及具有分段主动区的非易失性存储器单元阵列，揭示了非易失性存储器单元阵列的结构以及形成非易失性存储器单元阵列的结构的方法。衬底的主动区包括具有侧边的第一区段以及从该侧边侧向延伸的第二区段。该主动区的该第一区段沿平行于该第一侧边的方向具有第一长度尺寸。该第二区段沿平行于该第一侧边的该方向具有第二长度尺寸。该第二长度尺寸小于该第一长度尺寸。鳍片位于该主动区的该第二区段中的该衬底上。栅极结构延伸于该鳍片及该主动区的该第二区段上方。主动区的该第二区段上方。主动区的该第二区段上方。
技术研发人员：O
受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司
技术研发日：2021.07.22
技术公布日：2022/1/25